JPH01105612A - Complementary mos integrated circuit - Google Patents

Complementary mos integrated circuit

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JPH01105612A
JPH01105612A JP63159645A JP15964588A JPH01105612A JP H01105612 A JPH01105612 A JP H01105612A JP 63159645 A JP63159645 A JP 63159645A JP 15964588 A JP15964588 A JP 15964588A JP H01105612 A JPH01105612 A JP H01105612A
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trs
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Abstract

PURPOSE:To obtain a logical circuit, in which the peak value of a transient current is suppressed to be the current value of a constant current source due to a current mirror, and in addition, a current does not flow in a logical part at the time of a stationary state, and the current is low, and in addition, the transient current is small as well by inserting the current mirror circuit constitution respectively on the ways to a positive and a negative power sources. CONSTITUTION:P-channel transistors(TRs) 16-18, N-channel TRs 20-22 and a resistor 19 are added. Then, the current proportional to a bias current to flow in the TRs 16, 20 and the resistor 19 is intended to flow in the respective positive and the negative power source terminals of an inverter 4 and a NAND 5 by the TRs 16, 17, 18 and the TRs 20, 21, 22 to constitute the current mirror. Thus, the maximum value of the transient power source current in the inverter 4 can be suppressed within the constant value of the TRs 17, 21. Besides, as for the NAND circuit 5 as well, in the similar way to the inverter 4, the maximum value of the transient power source current can be suppressed within the constant current value of the TRs 18, 22.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は相補型MOS論理回路に関し、特に電源過渡電
流による不要輻射を減らした相補型MO3集積回路に関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a complementary MOS logic circuit, and more particularly to a complementary MO3 integrated circuit that reduces unnecessary radiation due to power supply transient currents.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

相補型MOS(以下CMOSという)集積回路は微細化
が進み高速化され、従来のバイポーラ集積回路並の高速
動作をするものもあられれた。0MOSは一般には低消
費電力であるが、スイッチング時には電源に過渡電流が
流れることが知られている。この過渡電流のため高速動
作時には相当の電力が消費されるとともに、100mV
台の電源電圧降下を生ずるということもあった。
Complementary MOS (hereinafter referred to as CMOS) integrated circuits have become finer and faster, and some can operate as fast as conventional bipolar integrated circuits. Although 0MOS generally has low power consumption, it is known that a transient current flows into the power supply during switching. Due to this transient current, considerable power is consumed during high-speed operation, and 100mV
This also caused a voltage drop in the power supply of the machine.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

第5図は論理回路の例である。同図においてインバータ
4の入力には入力端子1が接続され、NAND5の入力
にはインバータ4の出力と入力端子2が接続されている
。NAND5の出力は出力端子3に接続されている。
FIG. 5 is an example of a logic circuit. In the figure, the input terminal 1 is connected to the input of the inverter 4, and the output of the inverter 4 and the input terminal 2 are connected to the input of the NAND 5. The output of NAND5 is connected to output terminal 3.

第6図は上記の論理回路を従来の0MO3によって実現
した回路図である。同図においてインバータ4およびN
AND5の出力には浮遊容量10゜l5がそれぞれ存在
する。たとえば入力1がハイのときトランジス夛8がO
FFし、トランジスタ9がONのためインバータ4の出
力は四−であり、浮遊容量10は放電されている。次に
入力1がローに立ち下った時には、トランジスタ8がO
Nにトランジスタ9がOFFになり、インバータ4の出
力がハイに立ち上る。したがって浮遊容量10に電源端
子6からトランジスタ8を介して急速充電するので、過
渡電流が流れる。同様にインバータ4の出力が立ち下っ
た場合は浮遊容量10の放電電流がトランジスタ9を介
して流れる。さらにNAND回路5の出力の変化に応じ
て浮織容量15の充放電がおこる。
FIG. 6 is a circuit diagram in which the above logic circuit is realized by a conventional 0MO3. In the same figure, inverters 4 and N
A stray capacitance of 10°l5 exists at each output of AND5. For example, when input 1 is high, transistor 8 is 0.
Since the transistor 9 is FF and the transistor 9 is ON, the output of the inverter 4 is 4-, and the stray capacitance 10 is discharged. The next time input 1 falls low, transistor 8 goes low.
At N, transistor 9 is turned off, and the output of inverter 4 rises to high. Therefore, since the stray capacitance 10 is rapidly charged from the power supply terminal 6 via the transistor 8, a transient current flows. Similarly, when the output of the inverter 4 falls, the discharge current of the stray capacitance 10 flows through the transistor 9. Furthermore, charging and discharging of the floating capacitor 15 occurs in accordance with changes in the output of the NAND circuit 5.

このような過渡電流の集合によって端子6,7に過渡電
流を生じ、それが布線や集積回路の引き出し線の抵抗も
しくは誘導性インダクタンス(以下りと略す)によって
電圧降下を生じ、前述のように100mV台になること
もある。通常はこれを防ぐため電源端子6,7間にバイ
パスコンデンサを挿入する(図示せず)が、引き出し線
の抵抗やLおよび布線もしくはバイパスコンデンサのL
は打ち消すことができない。特にデバイスの高速化によ
りLの影響は大きくなっており、集積回路の端子で10
0mV台の電圧降下を生じ、集積回路内部、の電源配線
においては数100mVの電圧降下となる場合もある。
The collection of such transient currents generates a transient current at terminals 6 and 7, which causes a voltage drop due to the resistance or inductive inductance (hereinafter abbreviated) of the wiring and lead wires of the integrated circuit, and as described above. It may reach 100mV range. Normally, to prevent this, a bypass capacitor is inserted between the power supply terminals 6 and 7 (not shown), but the resistance of the lead wire, the wiring or the bypass capacitor's L
cannot be canceled out. In particular, as devices become faster, the influence of L is increasing, and at the terminals of integrated circuits
A voltage drop on the order of 0 mV occurs, and the voltage drop in the power supply wiring inside the integrated circuit may be several 100 mV.

このような大きな高周波エネルギーは容易に輻射し、T
Vやラジオに妨害を与えるばかりでなく集積回路自身が
誤動作することがあるという欠点がある。
Such large high frequency energy is easily radiated and T
The disadvantage is that not only does it cause interference to V and radios, but also the integrated circuit itself may malfunction.

本発明の目的は過渡電流のピークを低く抑えるような定
電流源を設けることによって、上記の欠点を改善した°
相補型MOS集積回路を提供することにある。
The purpose of the present invention is to improve the above-mentioned drawbacks by providing a constant current source that suppresses the peak of transient current.
An object of the present invention is to provide a complementary MOS integrated circuit.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明の相補型MOS集積回路は、相補型MOS論理回
路を有する集積回路において、前記論理回路の正側電源
端子にドレインを接続したPチャネルMO3)ランジス
タと、前記論理回路の負側電源端子にドレインを接続し
たNチャネルMOSトランジスタとを有し、前記Pチャ
ネルMOS)ランジスタのソースとを有す、前記Pチャ
ネルMOS)ランジスタのソースを共通に正電源に接続
し、前記NチャネルMOS)ランジスタのソースを共通
に負電源に接続し、前記各トランジスタのゲートに所定
のバイアス電圧を印加するようにして構成される。
The complementary MOS integrated circuit of the present invention is an integrated circuit having a complementary MOS logic circuit, and includes a P-channel MO3) transistor whose drain is connected to the positive power supply terminal of the logic circuit, and a P-channel MO3) transistor whose drain is connected to the positive power supply terminal of the logic circuit. an N-channel MOS transistor whose drains are connected, and a source of the P-channel MOS) transistor, the sources of the P-channel MOS) transistor are commonly connected to a positive power supply; The transistors are configured such that their sources are commonly connected to a negative power supply and a predetermined bias voltage is applied to the gates of each of the transistors.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明の第一の実施例を示す回路図である。同
図は前述の論理回路(第5図参照)に本発明を適用した
回路図である。本発明によって追加された素子はPチャ
ネルトランジスタ16〜18゜Nチャネルトランジスタ
20〜22および抵抗19である。そしてトランジスタ
16,20および抵抗19に流れるバイアス電流に比例
する電流を、カレントミラーな構成するトランジスタ1
6゜17.18およびトランジスタ20,21.22に
よってインバータ4およびNAND5の各正負電源端子
に流そうとしている。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention. This figure is a circuit diagram in which the present invention is applied to the aforementioned logic circuit (see FIG. 5). The elements added according to the present invention are P channel transistors 16-18°, N channel transistors 20-22 and resistor 19. Transistor 1 constitutes a current mirror, and a current proportional to the bias current flowing through transistors 16, 20 and resistor 19.
6.degree. 17.18 and transistors 20, 21.22 to flow to the positive and negative power supply terminals of the inverter 4 and NAND 5.

端子1がハイのときトランジスタ8がオフしトランジス
タ9がオンしており、トランジスタ21は定電流を流そ
うとするがドレイン・ソース間電圧がOのため電流は流
れない。
When terminal 1 is high, transistor 8 is off and transistor 9 is on, and transistor 21 attempts to flow a constant current, but since the drain-source voltage is O, no current flows.

次に端子lをローにするとトランジスタ9がオフしトラ
ンジスタ8がオンして、トランジスタ17からトランジ
スタ8を介し定電流で浮遊容量10を充電し、その両端
電圧を電源電圧に近づける。
Next, when the terminal 1 is made low, the transistor 9 is turned off and the transistor 8 is turned on, and the stray capacitance 10 is charged with a constant current from the transistor 17 through the transistor 8, and the voltage across the floating capacitor 10 is brought close to the power supply voltage.

するとトランジスタ17のドレイン・ソース間電圧が低
くなりこのトランジスタが三極管領域に入り、ドレイン
電流は減ってゆく。充電が完了すると浮遊容量100両
端は電源電圧とひとしくなり、したがってトランジスタ
17のドレイン・ソース間電圧は0となり電流は流れな
くなる。このときトランジスタ9がオフであるからトラ
ンジスタ21も電流は流れない。
Then, the voltage between the drain and source of the transistor 17 becomes low, and this transistor enters the triode region, and the drain current decreases. When charging is completed, the voltage across the stray capacitance 100 becomes equal to the power supply voltage, so the voltage between the drain and source of the transistor 17 becomes 0, and no current flows. At this time, since transistor 9 is off, no current flows through transistor 21 either.

端子lが再度ハイになると、今充電された浮遊容量10
の電荷がトランジスタ9を介してトランジスタ21に上
って定電流放電し、放電が完了すると電流がOとなる。
When the terminal l goes high again, the stray capacitance that was just charged is 10
The charge rises to the transistor 21 via the transistor 9 and is discharged at a constant current, and when the discharge is completed, the current becomes O.

このようにして過渡的な電源電流の最大値はトランジス
タ17.21の定電流値でおさえることができる。した
がって従来のような大電流が流れることはない。
In this way, the maximum value of the transient power supply current can be suppressed by the constant current value of the transistor 17.21. Therefore, a large current as in the conventional case does not flow.

また、端子1の入力がゆっくりと立ち上る場合、途中で
中間電位をとるときはトランジスタ8,9がともにオン
するので、従来では正の電源から負の電源へ向って大電
流が流れるが、本発明ではトランジスタ17.21によ
っておさえられる。このときの電流はトランジスタ17
.21の電流のうち小さい方である。この点からも過渡
電流をおさえることができる。
Furthermore, when the input to terminal 1 rises slowly, transistors 8 and 9 are both turned on when an intermediate potential is taken midway through, so conventionally a large current flows from the positive power source to the negative power source, but the present invention Then, it is suppressed by transistors 17 and 21. The current at this time is the transistor 17
.. This is the smaller of the 21 currents. From this point of view as well, transient current can be suppressed.

第2図は本発明の第二の実施例を示す回路図である。同
図は前述の論理回路(第5図参照)にPチャネルトラン
ジスタ26によるオーブンドレイン出力を端子27に得
る回路を付加している。浮遊容828に蓄積した電荷を
放電する際に、トランジスタ26がオンしてもトランジ
スタ25が定電流のため定電流放電である。なお従来は
トランジスタ25がないので、トランジスタ26がオン
した場合はそのオン抵抗により制限される大きな電流が
流れていた。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention. In this figure, a circuit for obtaining an oven drain output from a P-channel transistor 26 at a terminal 27 is added to the logic circuit described above (see FIG. 5). When discharging the charge accumulated in the floating capacitor 828, even if the transistor 26 is turned on, the transistor 25 has a constant current, so a constant current discharge is performed. Note that conventionally, since the transistor 25 is not provided, when the transistor 26 is turned on, a large current flows which is limited by its on-resistance.

また、第2図において抵抗23に流れる電流に比例する
電流を、カレントミラー動作でトランジスタ21.22
へ流そうとし、トランジスタ21を介してトランジスタ
16,17,18,25からなるカレントミラー回路に
よって定電流を流そうとしている。前述のように、各段
の電流は過渡電流のピーク値が上記定電流で与えられ、
定常時はOである。抵抗23の値を大きくすることで過
渡電流を少くでき、抵抗23の値を小さくすることによ
り過渡応答(浮遊容量の充放電時間)を速めることがで
きる。したがって抵抗23をLSIや外付とすることに
より、目的に応じて低過渡電流にするか、または高速化
するか使い分けができる。
In addition, in FIG. 2, a current proportional to the current flowing through the resistor 23 is transferred to the transistors 21 and 22 by current mirror operation.
The current mirror circuit consisting of transistors 16, 17, 18, and 25 attempts to cause a constant current to flow through transistor 21. As mentioned above, the peak value of the transient current in each stage is given by the above constant current,
It is O during steady state. By increasing the value of the resistor 23, the transient current can be reduced, and by decreasing the value of the resistor 23, the transient response (the charging/discharging time of the stray capacitance) can be accelerated. Therefore, by using the resistor 23 as an LSI or an external device, it is possible to use it for low transient current or high speed depending on the purpose.

なお、NAND回路5についてもインバータ4と同様に
動作し同じ効果を発揮できる。
Note that the NAND circuit 5 also operates in the same manner as the inverter 4 and can exhibit the same effects.

また、たとえば第2図において、トランジスタ26がオ
ンしているときに仮りに出力端子27が負側電源にショ
ートされてしまった場合を考えると、トランジスタ25
があるため前述のカレントミラー動作により、トランジ
スタ25と160サイズ比によって決まる定電流が流れ
る。一方従来のようにトランジスタ25がない場合はト
ランジスタ26のオン抵抗で決まる大電流が流れてしま
う。したがって第2図はいわゆる垂下型電流制限動作を
行って、負荷ショート時の大電流の流下を防止している
For example, in FIG. 2, if we consider the case where the output terminal 27 is short-circuited to the negative power supply while the transistor 26 is on, the transistor 25
Therefore, due to the current mirror operation described above, a constant current determined by the size ratio of transistors 25 and 160 flows. On the other hand, if there is no transistor 25 as in the conventional case, a large current determined by the on-resistance of the transistor 26 will flow. Therefore, in FIG. 2, a so-called drooping current limiting operation is performed to prevent a large current from flowing down when the load is short-circuited.

もちろん第1図においても全く同様に負荷ショート時の
電流は、トランジスター8又はトランジスタ22の流し
うる定電流値に押えられることはあきらかである。
Of course, in FIG. 1 as well, it is clear that the current when the load is short-circuited is suppressed to the constant current value that can flow through the transistor 8 or the transistor 22.

第3図は本発明の第三の実施例である。オペアンプ等で
代表される何らかのアナログ回路32のソ 入力には入力端子31が接続され、出力には撃−スフォ
ロワとして働くNチャネルトランジスメタ3フが接続さ
れている。Nチャネルトランジスタにはバイアス電源3
9によって定電流動作を行うNチャネルトランジスタ4
0が直列に接続され、その接続点に出力端子38が設け
られている。Nチャネルトランジスタ40はNチャネル
トランジスタ37の直流バイアスとなっている。従来は
Nチャネルトランジスタ37のドレインは直接電源端子
35に接続されており、ソースフォロワ型出力回路とし
て動作させていた。ここで例に出力端子38が比較的高
い電圧になっているときに、負側電源端子41にショー
トされた場合、Nチャネルトランジスタ37のゲート・
ソース間電圧が大きくなり、トランジスタ37はオン状
態となり、オン抵抗で決まる大電流が流れてしまう。そ
こで、本発明によれば抵抗36とPチャネルトランジス
タ33.34からなるカレントミラー回路によって、ト
ランジスタ37に流れうる最大電流をトランジスタ34
の定電流値に制限することができる。なお、出力端子3
8をショートしないときはトランジスタ34はオン状態
であるものの、ソースフォロアを構成するトランジスタ
37の電流(ふつうは定電流トランジスタ4oの電流と
同じ)が流れるだけであり、0.1 V程度のソース・
ドレイン間電圧となり、ソースフォロワは従来トかわら
ぬ動作をしている。
FIG. 3 shows a third embodiment of the invention. An input terminal 31 is connected to the input terminal of an analog circuit 32, such as an operational amplifier, and an N-channel transistor 3F, which functions as an optical follower, is connected to the output terminal. Bias power supply 3 for N-channel transistor
N-channel transistor 4 that performs constant current operation by 9
0 are connected in series, and an output terminal 38 is provided at the connection point. N-channel transistor 40 serves as a DC bias for N-channel transistor 37. Conventionally, the drain of the N-channel transistor 37 was directly connected to the power supply terminal 35, and the N-channel transistor 37 was operated as a source follower type output circuit. For example, if the output terminal 38 is at a relatively high voltage and is shorted to the negative power supply terminal 41, the gate of the N-channel transistor 37
The source-to-source voltage increases, the transistor 37 turns on, and a large current determined by the on-resistance flows. Therefore, according to the present invention, by using a current mirror circuit consisting of a resistor 36 and P-channel transistors 33 and 34, the maximum current that can flow through the transistor 37 is transferred to the transistor 34.
can be limited to a constant current value of In addition, output terminal 3
Although the transistor 34 is in the on state when the transistor 8 is not short-circuited, only the current of the transistor 37 forming the source follower (normally the same as the current of the constant current transistor 4o) flows, and the source current of about 0.1 V flows.
The voltage between the drains becomes high, and the source follower operates as before.

ニ 次に第4図に第杏の実施例の具体例を示す。第4図はC
MOSオプアンプに本発明を実施したものである。入力
31.42に接続された差動アンランジスタ46,47
.その出力を受けてソース接地として動作するNチャネ
ルトランジスタ48゜その出力をバイアス用トランジス
タ49.50を介して自らの入力とするプッシュプル出
力回路を構成するトランジスタ54,55.定電流回路
を構成するトランジスタ43.51からなるオペアンプ
がある。かかるオペアンプの出力電流を制限するために
トランジスタ34が電源端子35と出力トランジスタ5
5のドレイン間に接続され、同様にトランジスタ53が
接地端子41と、出力トランジスタ54のドレイン間に
接続されている。
Second, FIG. 4 shows a specific example of the embodiment of the first apricot. Figure 4 is C
The present invention is implemented in a MOS operational amplifier. Differential unlangers 46, 47 connected to inputs 31, 42
.. N-channel transistor 48 receives the output and operates as a common source. Transistors 54, 55, . There is an operational amplifier consisting of transistors 43 and 51 forming a constant current circuit. In order to limit the output current of such an operational amplifier, the transistor 34 is connected to the power supply terminal 35 and the output transistor 5.
Likewise, a transistor 53 is connected between the ground terminal 41 and the drain of the output transistor 54.

出力電流を制限する方法はトランジスタ34.53がそ
れぞれカレントミラーとして一定電流以上の電流を流し
得ないということであり、前述の各実施例と同様の原理
である。
The method of limiting the output current is that the transistors 34 and 53 act as current mirrors and cannot allow a current exceeding a certain level to flow, which is the same principle as in each of the embodiments described above.

なお、本発明の出力回路としては上述した実施例に限ら
ず、いかなる回路でも正負各電源との間にカレントミラ
ー回路構成をそれぞれ挿入すればよい。
Note that the output circuit of the present invention is not limited to the above-described embodiments, and may be any circuit in which a current mirror circuit configuration is inserted between the positive and negative power supplies.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば過渡電流のピーク値をカレントミラーに
よる定電流源の電流値におさえることができかつ、定常
時は論理部に電流が流れず、きわめて低電流でしかも過
渡電流も少ない論理回路を得ることができ、出カシヨー
ド時にも大電流の流下しない回路を提供できる。
According to the present invention, the peak value of a transient current can be suppressed to the current value of a constant current source using a current mirror, and no current flows in the logic section during steady state, so that a logic circuit with extremely low current and little transient current can be created. It is possible to provide a circuit in which a large current does not flow even when the output voltage is off.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の第一の実施例を示す回路図、第2図は
本発明の第二の実施例を示す回路図、第3図は本発明の
第三の実施例を示す回路図、第4図は第三の実施例を具
体例を示す回路図、第5図は従来例を示す回路図、第6
図は従来例の具体的な回路図である。 1.2,31・・・・・・入力端子、3,27・・・・
・・出力端子、4・・・・・・インバータ、5・・・・
・・NAND、6゜7・・・・・・電源端子、16〜1
8,25,26,33゜34.43〜45,51,54
・・・・・・PチャネルMoSトランジスタ、22,2
3,37,40゜46〜48,50,55・・・・・・
NチャネルMOS)ランジスタ、32・・・・・・オペ
アンプ。 代理人 弁理士  内 原   音 竿 1 圀 茅 ;!I!1 第5 」 茅乙面
Fig. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention, Fig. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the invention, and Fig. 3 is a circuit diagram showing a third embodiment of the invention. , Fig. 4 is a circuit diagram showing a specific example of the third embodiment, Fig. 5 is a circuit diagram showing a conventional example, and Fig. 6 is a circuit diagram showing a specific example of the third embodiment.
The figure is a specific circuit diagram of a conventional example. 1.2,31...Input terminal, 3,27...
...Output terminal, 4...Inverter, 5...
・・NAND, 6゜7・・・・Power terminal, 16~1
8, 25, 26, 33° 34.43 ~ 45, 51, 54
...P-channel MoS transistor, 22,2
3, 37, 40° 46-48, 50, 55...
N-channel MOS) transistor, 32... operational amplifier. Agent Patent Attorney Uchihara Otokan 1 Kunika;! I! 1 5th ``Kayaotsumen''

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 相補型MOS回路を有する集積回路において、前記回路
の正側電源端子にドレインを接続したPチャネルMOS
トランジスタと、前記回路の負側電源端子にドレインを
接続したNチャネルMOSトランジスタとを有し、前記
PチャネルMOSトランジスタのソースを共通に正電源
に接続し、前記NチャネルMOSトランジスタのソース
を共通に負電源に接続し、前記各トランジスタのゲート
に所定のバイアス電圧を印加したことを特徴とする相補
型MOS集積回路。
In an integrated circuit having a complementary MOS circuit, a P-channel MOS whose drain is connected to the positive power supply terminal of the circuit
a transistor, and an N-channel MOS transistor whose drain is connected to a negative power supply terminal of the circuit, the sources of the P-channel MOS transistors are commonly connected to a positive power supply, and the sources of the N-channel MOS transistors are commonly connected to a positive power supply. A complementary MOS integrated circuit, characterized in that it is connected to a negative power supply and a predetermined bias voltage is applied to the gate of each of the transistors.
JP63159645A 1987-07-10 1988-06-27 Complementary MOS integrated circuit Expired - Lifetime JP2637773B2 (en)

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