JPH01102430A - 投射式液晶表示装置 - Google Patents
投射式液晶表示装置Info
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- JPH01102430A JPH01102430A JP62260303A JP26030387A JPH01102430A JP H01102430 A JPH01102430 A JP H01102430A JP 62260303 A JP62260303 A JP 62260303A JP 26030387 A JP26030387 A JP 26030387A JP H01102430 A JPH01102430 A JP H01102430A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、液晶パネル面の画像をスクリーン上に投射し
て大画面の画像を表示する装置の液晶パネルに間するも
のである。
て大画面の画像を表示する装置の液晶パネルに間するも
のである。
従来の技術
近年、大画面の画像表示装置の実用化する試みが盛んで
あるが、その中で画面の明るさが十分に得られ、装置の
小型化、軽量化ができるという利点を有することから液
晶パネル面の画像をスクリーン上に投射して画像を表示
する投射式液晶画像表示装置が注目されている。
あるが、その中で画面の明るさが十分に得られ、装置の
小型化、軽量化ができるという利点を有することから液
晶パネル面の画像をスクリーン上に投射して画像を表示
する投射式液晶画像表示装置が注目されている。
第3図に投射式液晶表示装置の原理図を示す。
光源lとレンズ2.4、およびスクリーン5に対し、画
像を形成する液晶パネル3が配置される。
像を形成する液晶パネル3が配置される。
通常この液晶パネルは、高い解像度を得ろために一方の
ガラス基板に薄膜トランジスタ(TPT)を搭載し、こ
れにより液晶を駆動するアクティブマトリクス方式を採
用している。このTPTの半導体層には多結晶シリコン
または非晶質シリコンが使われる。一方、対向するガラ
ス基板にはTPTへ光が入射するのを妨げる光遮蔽構造
物が形成されている。この液晶パネル3は第3図におい
て光遮蔽構造物を形成しであるガラス基板が光源側にな
るように配置されている。
ガラス基板に薄膜トランジスタ(TPT)を搭載し、こ
れにより液晶を駆動するアクティブマトリクス方式を採
用している。このTPTの半導体層には多結晶シリコン
または非晶質シリコンが使われる。一方、対向するガラ
ス基板にはTPTへ光が入射するのを妨げる光遮蔽構造
物が形成されている。この液晶パネル3は第3図におい
て光遮蔽構造物を形成しであるガラス基板が光源側にな
るように配置されている。
従来この光遮蔽構造物は黒に染色されたゼラチンなどの
有機物質やクロム等の反射率の低い金属により形成され
ていた。
有機物質やクロム等の反射率の低い金属により形成され
ていた。
発明が解決しようとする問題点
ところで投射式液晶表示装置ではスクリーンに投射する
ために光源の輝度が非常に高く、パネル面とでの照度が
非常に大きくなる。この結果時閉と共に液晶パネルの温
度が上昇するが、前述の光遮蔽構造物は光を吸収し易い
うえにパネル全体の面積の50%前後を占めるためこの
パネル温度上昇を助長し、この時パネル温度は50〜6
0℃に達する。それにともなってTPTの動作が劣化(
OFF電流の上昇)シたり、あるいは液晶の膨張による
パネルのギャップの変化による画質の劣化が発生する。
ために光源の輝度が非常に高く、パネル面とでの照度が
非常に大きくなる。この結果時閉と共に液晶パネルの温
度が上昇するが、前述の光遮蔽構造物は光を吸収し易い
うえにパネル全体の面積の50%前後を占めるためこの
パネル温度上昇を助長し、この時パネル温度は50〜6
0℃に達する。それにともなってTPTの動作が劣化(
OFF電流の上昇)シたり、あるいは液晶の膨張による
パネルのギャップの変化による画質の劣化が発生する。
問題点を解決するための手段
本発明はかかる問題点にのぞみなされたもので、光遮蔽
構造物の光入射側をアルミニウムなどの90%以上の反
射率を有する物質で形成する。
構造物の光入射側をアルミニウムなどの90%以上の反
射率を有する物質で形成する。
また、上述の光遮蔽構造物の表面を黒化処理、あるいは
クロム等の反射率の低い物質で覆う。
クロム等の反射率の低い物質で覆う。
作用
本発明は上記技術的手段によりパネル面に到達した赤外
線等の光の吸収を小゛さくして液晶パネルの温度上昇を
抑制でき、画質の劣化を生じることのない投射式液晶表
示装置を提供する。また、反射率の低い物質で覆った光
遮蔽構造物にすることにより散乱光による画質の劣化を
さらに抑制できる。
線等の光の吸収を小゛さくして液晶パネルの温度上昇を
抑制でき、画質の劣化を生じることのない投射式液晶表
示装置を提供する。また、反射率の低い物質で覆った光
遮蔽構造物にすることにより散乱光による画質の劣化を
さらに抑制できる。
実施例
以下、本発明の実施例について説明する。
本発明の実施例を第1図に示す。この図は本発明の投射
式液晶表示装置に用いる液晶パネルの概略構造断面図で
ある。第1図において、31はTPTを搭載するガラス
基板、32は非晶質シリコンTPT、33は表示電極、
34は対向ガラス基板、35は対向表示電極、36はア
ルミニウムよりる光遮蔽構造物、37は液晶である0図
に示すように光遮蔽構造物36はTFT32に唾なるよ
うに形成される。
式液晶表示装置に用いる液晶パネルの概略構造断面図で
ある。第1図において、31はTPTを搭載するガラス
基板、32は非晶質シリコンTPT、33は表示電極、
34は対向ガラス基板、35は対向表示電極、36はア
ルミニウムよりる光遮蔽構造物、37は液晶である0図
に示すように光遮蔽構造物36はTFT32に唾なるよ
うに形成される。
投射式液晶表示装置に用いる液晶パネルの構造を上述の
ようにすることにより長時閏動作しても液晶パネルの温
度を40℃以下にすることができる。この結果TPTの
OFF電流の上昇が室温のときに比べ1桁以内に抑制で
き、動作直後からのコントラストの低下などの画質の劣
化を防止できる。
ようにすることにより長時閏動作しても液晶パネルの温
度を40℃以下にすることができる。この結果TPTの
OFF電流の上昇が室温のときに比べ1桁以内に抑制で
き、動作直後からのコントラストの低下などの画質の劣
化を防止できる。
次に他の実施例について説明する。
第2図はその実施例を示す図であり、前述の実施例と同
様液晶パネルの概略構造断面図である。
様液晶パネルの概略構造断面図である。
本実施例では図に示す用にアルミニウムの光遮蔽構造物
36の表面にクロム3日を被着する。本実施例によれば
、前述の実施例と同様液晶パネルの温度を40℃以下に
抑制でき、更に反射率の低いクロムを光遮蔽構造物の表
面に配することにより第2図中に点線で示すような散乱
光によるTPTへの光入射を抑制でき、即ち光によるT
PTの動作特性の労化にともなう画質の劣化を防止でき
る。
36の表面にクロム3日を被着する。本実施例によれば
、前述の実施例と同様液晶パネルの温度を40℃以下に
抑制でき、更に反射率の低いクロムを光遮蔽構造物の表
面に配することにより第2図中に点線で示すような散乱
光によるTPTへの光入射を抑制でき、即ち光によるT
PTの動作特性の労化にともなう画質の劣化を防止でき
る。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば、液晶パネルの
光遮蔽構造物の主材料をアルミニウム等の90%以上の
反射率を有する物質にすることにより、液晶パネルに到
達する光の吸収を小さくでき、その結果液晶パネルの温
度上昇を抑制でき1、投射式液晶表示装置の画質の劣化
を防止できる効果を有する。
光遮蔽構造物の主材料をアルミニウム等の90%以上の
反射率を有する物質にすることにより、液晶パネルに到
達する光の吸収を小さくでき、その結果液晶パネルの温
度上昇を抑制でき1、投射式液晶表示装置の画質の劣化
を防止できる効果を有する。
第1図、第2図は本発明の実施例において投射式液晶表
示装置に用いる液晶パネルの概略構造断面図、第3図は
投射式液晶表示装置の原理図を示す図である。 l・・・光源、3・・・液晶パネル、5・・・スクリー
ン、6.7・・・偏光板、32・・・非晶質シリコンT
PT、36・・・光遮蔽構造物、37・・ ・液晶、3
8・ ・ ・クロム。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名31−−一
力゛ラスX8 31−−一力゛ラス1じ仮 1−光源 2.4−−−レンス゛。 3−一一壊更晶ノVネA/ S−スクリーン 6.7− 偏光板 第3図
示装置に用いる液晶パネルの概略構造断面図、第3図は
投射式液晶表示装置の原理図を示す図である。 l・・・光源、3・・・液晶パネル、5・・・スクリー
ン、6.7・・・偏光板、32・・・非晶質シリコンT
PT、36・・・光遮蔽構造物、37・・ ・液晶、3
8・ ・ ・クロム。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名31−−一
力゛ラスX8 31−−一力゛ラス1じ仮 1−光源 2.4−−−レンス゛。 3−一一壊更晶ノVネA/ S−スクリーン 6.7− 偏光板 第3図
Claims (4)
- (1)光を液晶パネルにより制御しスクリーン上に画像
を表示する投射式液晶表示装置において、光源からスク
リーンまでの光路にある液晶パネルは薄膜トランジスタ
を搭載したガラス基板と、光遮蔽構造物を有するガラス
基板から構成され、前記薄膜トランジスタを搭載したガ
ラス基板をスクリーン側に、前記光遮蔽構造を有するガ
ラス基板を光源側に配置し、前記光遮蔽構造物の一部が
高い反射率の材料から構成されることを特徴とする投射
式液晶表示装置。 - (2)光遮蔽構造物の前記薄膜トランジスタに近い表面
層が反射率の低い材料で覆われていることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の投射式液晶表示装置。 - (3)薄膜トランジスタの半導体材料が非晶質シリコン
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の投
射式液晶表示装置。 - (4)光遮蔽構造物の一部がアルミニウムより形成され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の投
射式液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26030387A JP2523697B2 (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 投射式液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26030387A JP2523697B2 (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 投射式液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01102430A true JPH01102430A (ja) | 1989-04-20 |
JP2523697B2 JP2523697B2 (ja) | 1996-08-14 |
Family
ID=17346159
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26030387A Expired - Fee Related JP2523697B2 (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 投射式液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2523697B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0792495A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-07 | Casio Comput Co Ltd | アクティブマトリックス液晶表示装置 |
JP2009271460A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-19 | Sony Corp | 液晶表示素子及び投射型表示装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60120321A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラ−液晶表示装置 |
JPS60239711A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-28 | Canon Inc | トランジスタの駆動法 |
JPS6321921U (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-13 |
-
1987
- 1987-10-15 JP JP26030387A patent/JP2523697B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60120321A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラ−液晶表示装置 |
JPS60239711A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-28 | Canon Inc | トランジスタの駆動法 |
JPS6321921U (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-13 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0792495A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-07 | Casio Comput Co Ltd | アクティブマトリックス液晶表示装置 |
JP2009271460A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-19 | Sony Corp | 液晶表示素子及び投射型表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2523697B2 (ja) | 1996-08-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |