JP2752011B2 - アクティブマトリクス表示素子 - Google Patents
アクティブマトリクス表示素子Info
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- JP2752011B2 JP2752011B2 JP16039791A JP16039791A JP2752011B2 JP 2752011 B2 JP2752011 B2 JP 2752011B2 JP 16039791 A JP16039791 A JP 16039791A JP 16039791 A JP16039791 A JP 16039791A JP 2752011 B2 JP2752011 B2 JP 2752011B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スクリーン上に画像を
拡大投影するための投射型画像表示装置に用いられるア
クティブマトリクス表示素子に関する。
拡大投影するための投射型画像表示装置に用いられるア
クティブマトリクス表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブマトリクス表示素子は、一般
に、対向する２つの基板の一方に、絵素と称され表示単
位となる絵素電極がマトリクス状に配列され、これらの
絵素電極には、薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと略す）
等のスイッチング素子を介して独立した駆動電圧が印加
されるよう構成される。駆動電圧が印加されると、絵素
電極と他方の基板上の対向電極との間に封入された液晶
等の表示媒体の光学的特性が変化し、前記絵素による表
示を行う。これらの複数の絵素によって画像や文字など
が表示される。
に、対向する２つの基板の一方に、絵素と称され表示単
位となる絵素電極がマトリクス状に配列され、これらの
絵素電極には、薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと略す）
等のスイッチング素子を介して独立した駆動電圧が印加
されるよう構成される。駆動電圧が印加されると、絵素
電極と他方の基板上の対向電極との間に封入された液晶
等の表示媒体の光学的特性が変化し、前記絵素による表
示を行う。これらの複数の絵素によって画像や文字など
が表示される。
【０００３】ところで、アクティブマトリクス方式の表
示素子のＴＦＴには、アモルファスシリコン、多結晶シ
リコン等の半導体が使用されるが、これらの半導体では
一般に光によってキャリアが励起され、スイッチング素
子としてのオフ特性が悪くなるため、これを解決すべく
次のような提案がなされている。
示素子のＴＦＴには、アモルファスシリコン、多結晶シ
リコン等の半導体が使用されるが、これらの半導体では
一般に光によってキャリアが励起され、スイッチング素
子としてのオフ特性が悪くなるため、これを解決すべく
次のような提案がなされている。
【０００４】その１つとしては、図５に示すように、Ｔ
ＦＴ２１の上を覆って遮光膜２２を設け、この遮光膜２
２で光を遮りＴＦＴ２１に光が照射しない構成とする提
案である（特開昭５６−１４０３２１号）。更には、通
常においてはＴＦＴを駆動するバス配線と絵素電極との
間に浮遊容量の低減化のためにギャップを設けるが、こ
のギャップから光が漏れてコントラストが低下するのを
避けるべく、図６に示すように円形をした絵素電極２３
の上に、絵素電極２３よりも小さな寸法で同一形状の円
形をした開口部２４ａを有する遮光膜２４を設ける構成
が提案されている（特開昭５９−１１６７２１号）。上
記遮光膜２２、２４は、ＴＦＴと光源との間に設けられ
る。
ＦＴ２１の上を覆って遮光膜２２を設け、この遮光膜２
２で光を遮りＴＦＴ２１に光が照射しない構成とする提
案である（特開昭５６−１４０３２１号）。更には、通
常においてはＴＦＴを駆動するバス配線と絵素電極との
間に浮遊容量の低減化のためにギャップを設けるが、こ
のギャップから光が漏れてコントラストが低下するのを
避けるべく、図６に示すように円形をした絵素電極２３
の上に、絵素電極２３よりも小さな寸法で同一形状の円
形をした開口部２４ａを有する遮光膜２４を設ける構成
が提案されている（特開昭５９−１１６７２１号）。上
記遮光膜２２、２４は、ＴＦＴと光源との間に設けられ
る。
【０００５】このようにアクティブマトリクス表示素子
には、スイッチング素子におけるオフ特性の向上を図る
べく遮光膜が形成されるが、その遮光膜としては、表示
に寄与しない遮光膜によって反射した光が目に入るとコ
ントラストが低下するので、例えばパーソナルコンピュ
ータ、ワードプロセッサー、ポケットテレビ等の直視型
の表示装置に対しては、例えばクロム、モリブデン、タ
ンタル等の反射率の低い金属が従来より用いられてい
る。
には、スイッチング素子におけるオフ特性の向上を図る
べく遮光膜が形成されるが、その遮光膜としては、表示
に寄与しない遮光膜によって反射した光が目に入るとコ
ントラストが低下するので、例えばパーソナルコンピュ
ータ、ワードプロセッサー、ポケットテレビ等の直視型
の表示装置に対しては、例えばクロム、モリブデン、タ
ンタル等の反射率の低い金属が従来より用いられてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近用
いられている、画像を投影レンズによってスクリーン上
に拡大投影する投射型画像表示装置においては、輝度を
高めるべく強い光が照射されるため、上述のような反射
率の低い金属からなる遮光膜を設けると、遮光膜が光を
吸収して表示素子の温度が上昇し、表示の不良を起こし
たり、表示素子の信頼性が低下したりすることがある。
いられている、画像を投影レンズによってスクリーン上
に拡大投影する投射型画像表示装置においては、輝度を
高めるべく強い光が照射されるため、上述のような反射
率の低い金属からなる遮光膜を設けると、遮光膜が光を
吸収して表示素子の温度が上昇し、表示の不良を起こし
たり、表示素子の信頼性が低下したりすることがある。
【０００７】そこで、光の反射率を高めて表示素子の温
度上昇を防止すべく、遮光膜にアルミニウムを使用する
提案がされた（特開平１−１０２４３０号）。しかし、
アルミニウムの薄膜は薬品によるダメージを受け易い上
に、熱的な原子移動によるピンホールが発生しやすいた
め、実際に量産した場合、充分高い良品率が得られない
という問題点があった。
度上昇を防止すべく、遮光膜にアルミニウムを使用する
提案がされた（特開平１−１０２４３０号）。しかし、
アルミニウムの薄膜は薬品によるダメージを受け易い上
に、熱的な原子移動によるピンホールが発生しやすいた
め、実際に量産した場合、充分高い良品率が得られない
という問題点があった。
【０００８】本発明はこのような問題点を解決するもの
であり、強い照射光を用いて表示画面の高輝度化が図れ
ると共に温度上昇を小さくでき、しかも高い良品率かつ
低コストで製造できる、投射型画像表示装置用のアクテ
ィブマトリクス表示素子を提供するものである。
であり、強い照射光を用いて表示画面の高輝度化が図れ
ると共に温度上昇を小さくでき、しかも高い良品率かつ
低コストで製造できる、投射型画像表示装置用のアクテ
ィブマトリクス表示素子を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス表示素子は、光学的表示媒体を挟んで対向配置さ
れた一対の透明絶縁性基板と、該一対の基板のいずれか
一方に形成された絵素電極と、該絵素電極に印加される
駆動電圧をスイッチングするスイッチング素子とを有す
るアクティブマトリクス表示素子において、該絵素電極
が形成されていない他方の基板の該光学的表示媒体側
に、該絵素電極と対向する部分を開口させて、アルミニ
ウムと高融点金属との合金から成る遮光膜が形成されて
おり、そのことによって上記目的が達成される。好まし
くは、前記高融点金属をタンタル（Ｔａ）で構成する。
リクス表示素子は、光学的表示媒体を挟んで対向配置さ
れた一対の透明絶縁性基板と、該一対の基板のいずれか
一方に形成された絵素電極と、該絵素電極に印加される
駆動電圧をスイッチングするスイッチング素子とを有す
るアクティブマトリクス表示素子において、該絵素電極
が形成されていない他方の基板の該光学的表示媒体側
に、該絵素電極と対向する部分を開口させて、アルミニ
ウムと高融点金属との合金から成る遮光膜が形成されて
おり、そのことによって上記目的が達成される。好まし
くは、前記高融点金属をタンタル（Ｔａ）で構成する。
【００１０】
【作用】本発明にあっては、絵素電極と対向する部分を
開口させて設けた遮光膜が、アルミニウムと高融点金属
との合金から成るので、光反射率が高く、熱的な原子移
動によるピンホールの発生が少ないものとなる。加え
て、薬品によるダメージも受けにくくなる。
開口させて設けた遮光膜が、アルミニウムと高融点金属
との合金から成るので、光反射率が高く、熱的な原子移
動によるピンホールの発生が少ないものとなる。加え
て、薬品によるダメージも受けにくくなる。
【００１１】
【実施例】本発明の実施例については以下に説明する。
【００１２】図１に本発明のアクティブマトリクス表示
素子を模式的に示す。本実施例のアクティブマトリクス
表示素子１０は、図示しない液晶を挟む一対の透明絶縁
性基板１及び５を備える。これら透明絶縁性基板１及び
５は、それぞれガラス基板が用いられている。一方（下
側）の基板１には絵素電極４がマトリクス状に形成さ
れ、各絵素電極４にはスイッチング素子として機能する
ＴＦＴ２が接続されている。また、各絵素電極４の間に
は、ゲートバス配線３及びソースバス配線９が互いに直
交するように設けられている。
素子を模式的に示す。本実施例のアクティブマトリクス
表示素子１０は、図示しない液晶を挟む一対の透明絶縁
性基板１及び５を備える。これら透明絶縁性基板１及び
５は、それぞれガラス基板が用いられている。一方（下
側）の基板１には絵素電極４がマトリクス状に形成さ
れ、各絵素電極４にはスイッチング素子として機能する
ＴＦＴ２が接続されている。また、各絵素電極４の間に
は、ゲートバス配線３及びソースバス配線９が互いに直
交するように設けられている。
【００１３】他方（上側）の基板５の下面には、図２に
示すように前記絵素電極４の周縁部及び絵素電極４以外
の部分を覆う遮光膜（ハッチングで示す）６が形成され
ている。この遮光膜６は、アルミニウムと高融点金属と
の合金、例えばアルミニウム９８％−タンタル２％（以
下これをＡｌ−Ｔａと称する）の合金からなり、スパッ
タリング法等の薄膜形成技術によりＡｌ−Ｔａ薄膜を形
成し、この薄膜をフォトリソグラフィ技術によって開口
部を設けることにより形成される。
示すように前記絵素電極４の周縁部及び絵素電極４以外
の部分を覆う遮光膜（ハッチングで示す）６が形成され
ている。この遮光膜６は、アルミニウムと高融点金属と
の合金、例えばアルミニウム９８％−タンタル２％（以
下これをＡｌ−Ｔａと称する）の合金からなり、スパッ
タリング法等の薄膜形成技術によりＡｌ−Ｔａ薄膜を形
成し、この薄膜をフォトリソグラフィ技術によって開口
部を設けることにより形成される。
【００１４】この遮光膜６を覆って基板５の下面全面に
は、スパッタリング法により形成されたＩＴＯ（Ｉｎｄ
ｉｕｍ−Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）からなる対向電極７、及
びポリイミド樹脂を焼成してラビング処理を施した配向
膜８が設けられている。この基板５と前記基板１との間
には、液晶層（図示せず）が封入されて、本実施例のア
クティブマトリクス表示素子が作製されている。表示は
ツイスティドネマティックモードで行うようにした。
は、スパッタリング法により形成されたＩＴＯ（Ｉｎｄ
ｉｕｍ−Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）からなる対向電極７、及
びポリイミド樹脂を焼成してラビング処理を施した配向
膜８が設けられている。この基板５と前記基板１との間
には、液晶層（図示せず）が封入されて、本実施例のア
クティブマトリクス表示素子が作製されている。表示は
ツイスティドネマティックモードで行うようにした。
【００１５】ところで、この表示素子における遮光膜６
は、前述したように基板１上の絵素電極４の周縁部及び
絵素電極４以外の部分を覆って形成され、その寸法は表
示素子の表示画面に対して次ぎのようにした。例えば、
表示素子１０の表示画面の大きさに関しては、対角線が
７５ｍｍ、絵素ピッチが縦１９０μｍ×横１６１μｍで
あり、これに対して遮光膜６を絵素電極４上の開口部が
縦８８μｍ×横１０４μｍとなるように形成した。この
とき、遮光膜６の開口率は３０％である。
は、前述したように基板１上の絵素電極４の周縁部及び
絵素電極４以外の部分を覆って形成され、その寸法は表
示素子の表示画面に対して次ぎのようにした。例えば、
表示素子１０の表示画面の大きさに関しては、対角線が
７５ｍｍ、絵素ピッチが縦１９０μｍ×横１６１μｍで
あり、これに対して遮光膜６を絵素電極４上の開口部が
縦８８μｍ×横１０４μｍとなるように形成した。この
とき、遮光膜６の開口率は３０％である。
【００１６】したがって、本実施例にあっては、遮光膜
６に可視光反射率が約８０％であるＡｌ−Ｔａの合金を
使用しているため、１００％からその反射率、つまり８
０％を差し引いた値で表される光吸収率が、従来の可視
光反射率が約６０％であるクロムからなる遮光膜の光吸
収率に対して約半分となる。
６に可視光反射率が約８０％であるＡｌ−Ｔａの合金を
使用しているため、１００％からその反射率、つまり８
０％を差し引いた値で表される光吸収率が、従来の可視
光反射率が約６０％であるクロムからなる遮光膜の光吸
収率に対して約半分となる。
【００１７】また、本実施例の遮光膜におけるピンホー
ルの発生数は、従来のアルミニウム薄膜からなる遮光膜
のそれとを対比して示す表１より理解されるごとく、従
来の約１／５から１／７に減少しており、充分高い良品
率で量産が可能である。
ルの発生数は、従来のアルミニウム薄膜からなる遮光膜
のそれとを対比して示す表１より理解されるごとく、従
来の約１／５から１／７に減少しており、充分高い良品
率で量産が可能である。
【００１８】
【表１】
【００１９】上記実施例ではアルミニウムと高融点金属
との合金にアルミニウム９８％−タンタル２％のものを
使用しているが、高融点金属としてはタンタルに限ら
ず、他の高融点金属を用いてもよく、また含有組成も２
％に限らない。なお、タンタル等の高融点金属をアルミ
ニウムに含有させた合金の場合には、アルミニウムから
なる遮光膜に比べて、薬品によるダメージを受けにく
い。
との合金にアルミニウム９８％−タンタル２％のものを
使用しているが、高融点金属としてはタンタルに限ら
ず、他の高融点金属を用いてもよく、また含有組成も２
％に限らない。なお、タンタル等の高融点金属をアルミ
ニウムに含有させた合金の場合には、アルミニウムから
なる遮光膜に比べて、薬品によるダメージを受けにく
い。
【００２０】図３に、本実施例のアクティブマトリクス
表示素子を用いた投射型画像表示装置の概略図を示す。
この装置は、放物面反射鏡１２付の光源１１を備え、こ
の光源１１の前方には３原色分解用ダイクロックミラー
（以下分解用ミラーという）１４Ｒと１４Ｂ、アクティ
ブマトリクス表示素子（以下単に表示素子という）１０
Ｇ及び反射ミラー１５Ｍが配設され、光源１１の前方か
ら少し位置をずらせて反射ミラー１４Ｍ、表示素子１０
Ｒ、３原色合成用ダイクロックミラー（合成用ミラーと
いう）１５Ｂと１５Ｇ、投影レンズ１６、及びスクリー
ン１７が配設されており、上記分解用ミラー１４Ｂと合
成用ミラー１５Ｂとの間には、表示素子１０Ｂが設けら
れている。各表示素子１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂの光入射
側にはコンデンサレンズ１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂが設け
られている。また、表示素子１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂ、
投射レンズ１６、及びスクリーン１７が光軸に対して斜
めに配置されているが、これはツイスティドネマティッ
クモードの最適視覚方向から光を照射しかつ投影画面の
台形歪を無くすためである。
表示素子を用いた投射型画像表示装置の概略図を示す。
この装置は、放物面反射鏡１２付の光源１１を備え、こ
の光源１１の前方には３原色分解用ダイクロックミラー
（以下分解用ミラーという）１４Ｒと１４Ｂ、アクティ
ブマトリクス表示素子（以下単に表示素子という）１０
Ｇ及び反射ミラー１５Ｍが配設され、光源１１の前方か
ら少し位置をずらせて反射ミラー１４Ｍ、表示素子１０
Ｒ、３原色合成用ダイクロックミラー（合成用ミラーと
いう）１５Ｂと１５Ｇ、投影レンズ１６、及びスクリー
ン１７が配設されており、上記分解用ミラー１４Ｂと合
成用ミラー１５Ｂとの間には、表示素子１０Ｂが設けら
れている。各表示素子１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂの光入射
側にはコンデンサレンズ１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂが設け
られている。また、表示素子１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂ、
投射レンズ１６、及びスクリーン１７が光軸に対して斜
めに配置されているが、これはツイスティドネマティッ
クモードの最適視覚方向から光を照射しかつ投影画面の
台形歪を無くすためである。
【００２１】前記光源１１から発せられた白色光は、直
接、または放物面反射鏡１２によって反射されて、分解
用ミラー１４Ｒ、１４Ｂ及び反射ミラー１５Ｍに向か
う。分解用ミラー１４Ｒでは赤色（Ｒ）成分の光のみが
反射される。反射されたＲ成分の光は、反射ミラー１４
Ｍによって反射され、コンデンサレンズ１３Ｒ及び表示
素子１０Ｒに向けられる。表示素子１０ＲはＲ成分の光
の透過を制御し、Ｒ成分の光に画像情報を与える。表示
素子１０Ｒを透過したＲ成分の光は合成用ミラー１５Ｂ
及び１５Ｇを透過し、投影レンズ１６によってスクリー
ン１７上に表示される。
接、または放物面反射鏡１２によって反射されて、分解
用ミラー１４Ｒ、１４Ｂ及び反射ミラー１５Ｍに向か
う。分解用ミラー１４Ｒでは赤色（Ｒ）成分の光のみが
反射される。反射されたＲ成分の光は、反射ミラー１４
Ｍによって反射され、コンデンサレンズ１３Ｒ及び表示
素子１０Ｒに向けられる。表示素子１０ＲはＲ成分の光
の透過を制御し、Ｒ成分の光に画像情報を与える。表示
素子１０Ｒを透過したＲ成分の光は合成用ミラー１５Ｂ
及び１５Ｇを透過し、投影レンズ１６によってスクリー
ン１７上に表示される。
【００２２】一方、分解用ミラー１４Ｒを透過した緑色
（Ｇ）成分及び青色（Ｂ）成分の光のうち、Ｂ成分の光
は、分解用ミラー１４Ｂで反射され、コンデンサレンズ
１３Ｂ及び表示素子１０Ｂに到達する。表示素子１０Ｂ
はＢ成分の光の透過を制御しＢ成分の光に画像情報を与
える。表示素子１０Ｂを透過したＢ成分の光は、合成用
ミラー１５Ｂで反射されて、表示素子１０Ｒを透過して
きたＲ成分の光と合わさり、その後合成用ミラー１５Ｇ
を透過し、投影レンズ１６によってスクリーン１７上に
表示される。
（Ｇ）成分及び青色（Ｂ）成分の光のうち、Ｂ成分の光
は、分解用ミラー１４Ｂで反射され、コンデンサレンズ
１３Ｂ及び表示素子１０Ｂに到達する。表示素子１０Ｂ
はＢ成分の光の透過を制御しＢ成分の光に画像情報を与
える。表示素子１０Ｂを透過したＢ成分の光は、合成用
ミラー１５Ｂで反射されて、表示素子１０Ｒを透過して
きたＲ成分の光と合わさり、その後合成用ミラー１５Ｇ
を透過し、投影レンズ１６によってスクリーン１７上に
表示される。
【００２３】また、上記分解用ミラー１４Ｂを透過した
Ｇ成分の光は、コンデンサレンズ１３Ｇ及び表示素子１
０Ｇに到達する。表示素子１０ＧはＧ成分の光の透過を
制御し、Ｇ成分の光に画像情報を与える。表示素子１０
Ｇを透過したＧ成分の光は、反射ミラー１５Ｍで反射さ
れ、更に合成用ミラー１５ＢからのＲ成分の光及びＢ成
分の光と合わさる。更にＧ成分の光は、Ｒ成分の光及び
Ｂ成分の光と共に、投影レンズ１６によってスクリーン
１７上に表示される。
Ｇ成分の光は、コンデンサレンズ１３Ｇ及び表示素子１
０Ｇに到達する。表示素子１０ＧはＧ成分の光の透過を
制御し、Ｇ成分の光に画像情報を与える。表示素子１０
Ｇを透過したＧ成分の光は、反射ミラー１５Ｍで反射さ
れ、更に合成用ミラー１５ＢからのＲ成分の光及びＢ成
分の光と合わさる。更にＧ成分の光は、Ｒ成分の光及び
Ｂ成分の光と共に、投影レンズ１６によってスクリーン
１７上に表示される。
【００２４】図４は、このように構成した投影型画像表
示装置の光源１１に、１５０Ｗのメタルハライドランプ
を用いた場合において、表示素子１０Ｂの表面温度を測
定した結果（白丸）を示す。比較のために従来のクロム
からなる遮光膜を用いた表示素子で同一構成の投影型画
像表示装置を作製し、同一箇所の表示素子について温度
測定した場合の結果（黒丸）も併せて示した。なお、温
度測定には、光源１１からの白色光のうち赤外線をカッ
トした光を用いた。
示装置の光源１１に、１５０Ｗのメタルハライドランプ
を用いた場合において、表示素子１０Ｂの表面温度を測
定した結果（白丸）を示す。比較のために従来のクロム
からなる遮光膜を用いた表示素子で同一構成の投影型画
像表示装置を作製し、同一箇所の表示素子について温度
測定した場合の結果（黒丸）も併せて示した。なお、温
度測定には、光源１１からの白色光のうち赤外線をカッ
トした光を用いた。
【００２５】この図より理解されるように、白丸で示す
本実施例の場合にはＡｌ−Ｔａの遮光膜６を用いている
ので、黒丸で示す遮光膜にクロムを用いた従来の表示素
子よりも温度上昇が大幅に小さくなっている。また、他
の箇所にある表示素子１０Ｒ、１０Ｇについても同様に
温度上昇の低減効果が認められた。
本実施例の場合にはＡｌ−Ｔａの遮光膜６を用いている
ので、黒丸で示す遮光膜にクロムを用いた従来の表示素
子よりも温度上昇が大幅に小さくなっている。また、他
の箇所にある表示素子１０Ｒ、１０Ｇについても同様に
温度上昇の低減効果が認められた。
【００２６】従って、本実施例の表示素子を使用する場
合には、表示素子の使用温度が同じとすると、従来の表
示素子に用いられる光源の２倍の明るさの光源を用いる
ことができる。
合には、表示素子の使用温度が同じとすると、従来の表
示素子に用いられる光源の２倍の明るさの光源を用いる
ことができる。
【００２７】なお、上記実施例においては遮光膜にて覆
う箇所が絵素電極の周縁部及び絵素電極以外の部分とし
ているが、遮光膜にて覆う箇所としては、絵素電極の周
縁部を省略して絵素電極以外の部分だけとしてもよい。
う箇所が絵素電極の周縁部及び絵素電極以外の部分とし
ているが、遮光膜にて覆う箇所としては、絵素電極の周
縁部を省略して絵素電極以外の部分だけとしてもよい。
【００２８】
【発明の効果】本発明のアクティブマトリクス表示素子
は、遮光膜がアルミニウムと高融点金属との合金から成
るので、光反射率を高くできると共に、熱的な原子移動
によるピンホールの発生を少なくできる。加えて、薬品
によるダメージも受けにくくすることができる。このた
め、高い良品率かつ安価に、表示画面の輝度の高い投影
型画像表示装置用のアクティブマトリクス表示素子を供
給することが可能になる。
は、遮光膜がアルミニウムと高融点金属との合金から成
るので、光反射率を高くできると共に、熱的な原子移動
によるピンホールの発生を少なくできる。加えて、薬品
によるダメージも受けにくくすることができる。このた
め、高い良品率かつ安価に、表示画面の輝度の高い投影
型画像表示装置用のアクティブマトリクス表示素子を供
給することが可能になる。
【図１】本実施例のアクティブマトリクス表示素子を示
す模式図である。
す模式図である。
【図２】遮光膜にて絵素電極部分を覆っている状態を示
す平面図である。
す平面図である。
【図３】図１のアクティブマトリクス表示素子を用いた
投射型画像表示装置の概略図である。
投射型画像表示装置の概略図である。
【図４】その投射型画像表示装置を構成するアクティブ
マトリクス表示素子の時間と表面温度との関係を示す図
である。
マトリクス表示素子の時間と表面温度との関係を示す図
である。
【図５】従来のアクティブマトリクス表示素子に設けた
遮光膜を示す断面図である。
遮光膜を示す断面図である。
【図６】従来の他のアクティブマトリクス表示素子に形
成した遮光膜を示す断面図である。
成した遮光膜を示す断面図である。
１、５ 透明絶縁性基板 ２ ＴＦＴ ３ ゲートバス配線 ４ 絵素電極 ６ 遮光膜 ７ 対向電極 ８ 配向膜 ９ ソースバス配線 １０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂ アクティブマトリクス表示
素子 １１ 光源 １２ 放物面反射鏡 １３ コンデンサレンズ １４Ｒ、１４Ｂ ３原色分解用ダイクロックミラー １４Ｍ、１５Ｍ 反射ミラー １５Ｂ、１５Ｇ ３原色合成用ダイクロックミラー １６ 投影レンズ １７ スクリーン
素子 １１ 光源 １２ 放物面反射鏡 １３ コンデンサレンズ １４Ｒ、１４Ｂ ３原色分解用ダイクロックミラー １４Ｍ、１５Ｍ 反射ミラー １５Ｂ、１５Ｇ ３原色合成用ダイクロックミラー １６ 投影レンズ １７ スクリーン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 植村 茂 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャー プ株式会社内 (72)発明者 矢野 耕三 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャー プ株式会社内 (72)発明者 船田 文明 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャー プ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭64−102430（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−132833（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−1726（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/1335 G02F 1/136 G02F 1/13 G09F 9/30
Claims (2)
- 【請求項１】光学的表示媒体を挟んで対向配置された一
対の透明絶縁性基板と、該一対の基板のいずれか一方に
形成された絵素電極と、該絵素電極に印加される駆動電
圧をスイッチングするスイッチング素子とを有するアク
ティブマトリクス表示素子において、 該絵素電極が形成されていない他方の基板の該光学的表
示媒体側に、該絵素電極と対向する部分を開口させて、
アルミニウムと高融点金属との合金から成る遮光膜が形
成されたアクティブマトリクス表示素子。 - 【請求項２】前記高融点金属がタンタル（Ｔａ）である
請求項１記載のアクティブマトリクス表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16039791A JP2752011B2 (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | アクティブマトリクス表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16039791A JP2752011B2 (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | アクティブマトリクス表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0511241A JPH0511241A (ja) | 1993-01-19 |
| JP2752011B2 true JP2752011B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=15714066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16039791A Expired - Lifetime JP2752011B2 (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | アクティブマトリクス表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2752011B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02132833A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜配線 |
-
1991
- 1991-07-01 JP JP16039791A patent/JP2752011B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0511241A (ja) | 1993-01-19 |
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