JPH11202314A

JPH11202314A - 液晶装置及び電子機器

Info

Publication number: JPH11202314A
Application number: JP10008015A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Inoue; 健井上
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1998-01-19
Filing date: 1998-01-19
Publication date: 1999-07-30
Anticipated expiration: 2018-01-19
Also published as: JP3570194B2

Abstract

(57)【要約】【課題】エッチング工程を経て製造されたマイクロレ
ンズを備える場合でも、レンズ特性にばらつきがなく、
表示領域全体に亘って均一な輝度とコントラストを得る
ことのできる液晶装置を提供すること。【解決手段】ＴＦＴ及び走査線並びにデータ線３５等
が形成されたＴＦＴアレイ基板１に対向して配設される
対向基板２を、下地基板２ａとカバーガラス２ｂで構成
し、下地基板２ａには、下地基板２ａ上に設けた感光性
材料を凸形状に熱処理した後にエッチング処理を経て、
マイクロレンズ６２を形成する。そして、このマイクロ
レンズ６２は、各画素の開口領域に対応する位置だけで
なく、表示領域を規定する周辺見切り５３の下方位置に
もダミーマイクロレンズとして設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、対向基板にマイク
ロレンズを備えた液晶装置及びこれを用いた電子機器の
技術分野に属し、特に投影型あるいは透過型の液晶装置
の一方の面にマイクロレンズアレイを備えた液晶装置及
びこれを用いた電子機器の技術分野に属する。

【０００２】

【従来の技術】従来の薄膜トランジスタ駆動によるアク
ティブマトリクス駆動方式等の液晶装置においては、縦
横に夫々配列された多数の走査線及びデータ線並びにこ
れらの各交点に対応して多数の画素電極がＴＦＴアレイ
基板上に設けられている。従って、このような液晶装置
においては、走査線及びデータ線の位置関係などにより
規制されて、表示を行う個々の画素の画素電極を大きく
形成することができず、液晶装置の表示画面中の画素領
域の占める割合、いわゆる開口率が小さくなる傾向にあ
る。

【０００３】また、電圧非印加時に透過、印加時に非透
過となる、いわゆるノーマリーホワイトモードにより表
示を行う場合、表示コントラスト及び色再現性を向上さ
せるためには、画素電極とデータ線との間の光漏れを防
止する必要がある。そのために、ＴＦＴ及びデータ線
が設けられたアクティブマトリクス基板に対向する対向
基板上であって、当該ＴＦＴ及びデータ線に向き合う部
分に、金属などからなる遮光層を増設し、表示に寄与し
ない光を吸収また反射させるようにしている。

【０００４】しかし、この遮光層は、対向基板の貼り合
わせ精度を考慮してマージンを含んだ大きさで形成する
必要があり、そのために開口率はより一層小さくなり、
表示画面が暗くなるという問題があった。

【０００５】そこで、このような問題を解決するため
に、液晶装置を構成する２枚の基板のうち光源側に位置
する基板の液晶層との対向面に、各画素の夫々に対応す
る位置に複数のマイクロレンズをマトリクス状に配列し
て形成したり、或いは液晶装置の光源側に別の透明板を
設け、その透明板の片面の各画素の夫々に対応する位置
に複数のマイクロレンズをマトリクス状に配列したりし
て、光源から照射される光を各マイクロレンズで画素領
域に夫々集光し、それによって表示画面を明るくする方
法が提案され、例えば特開昭６０−１６５６２１〜１６
５６２４号公報等に掲載されている。

【０００６】また、前記マイクロレンズは、一般に感光
性材料を熱変形させることにより製造するが、感光性材
料自体が光吸収性であり光の利用効率が低下するという
問題があった。また、光吸収により温度が上昇するとレ
ンズ自体が軟化して高エネルギーの光に対して使用でき
ないという問題もあった。更に、光の利用効率からする
と、個々のマイクロレンズがお互いに連結してアレイを
構成し、マイクロレンズアレイ全体に入射する光を全て
マイクロレンズに集光できるようにすることが望ましい
が、従来の熱変形法では、マイクロレンズを互いに連結
してマイクロレンズアレイを作成することが困難であっ
た。

【０００７】そこで、熱変形工程に加えて、エッチング
により凸面形状のアレイ配置を彫り移すことにより、所
望の屈折面形状及びそのアレイ配列状態を基板に製造す
る方法が提案され、例えば特開平６−１９４５０２号公
報等に掲載されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のエッチングを用いた製造方法によれば、マイクロレ
ンズアレイの中央部よりも、周辺部の方がエッチングに
よる除去量が多くなり、その結果、レンズとの凸状部の
高さ、または直径等が中央部と周辺部とで異なるこにな
り、レンズ特性にばらつきを生じるという問題点があっ
た。

【０００９】従って、液晶装置の表示領域の周辺部と中
央部とで、輝度、コントラストがばらつくという問題が
あった。

【００１０】そこで、マイクロレンズを用いることな
く、各画素の開口率を従来よりも高くすることが考えら
れるが、この対策は、データ線あるいは走査線のパター
ンの幅、更にはＴＦＴの面積等によりある程度の制限が
あり、前記問題を解決するには至らなかった。

【００１１】本発明は上述した問題点に鑑みなされたも
のであり、エッチング工程を経て製造されたマイクロレ
ンズを備える場合でも、レンズ特性にばらつきがなく、
表示領域全体に亘って均一な輝度とコントラストを得る
ことのできる液晶装置及び当該液晶装置を備えた電子機
器を提供することを課題とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の液晶装
置は、前記課題を解決するために、一対の第１基板及び
第２基板と、前記第１基板及び第２基板間に挟持された
液晶と、前記第１基板上にマトリクス状に設けられた複
数の画素電極と、前記複数の画素電極により規定される
表示領域の周囲に沿って、前記第１基板または第２基板
のいずれかに形成された第１遮光層と、前記各画素電極
に対応して形成されたマイクロレンズとを備え、前記マ
イクロレンズは、前記表示領域及び前記第１遮光層が形
成された領域に形成されてなることを特徴とする。

【００１３】請求項１に記載の液晶装置によれば、前記
各画素電極が設けられる各画素に対応してマイクロレン
ズを設け、各画素の開口領域に光を集光するので、輝度
の低下が防止される。特に、開口領域外に入射するよう
な光をも、前記開口領域側に集光させるため、高輝度の
液晶装置が提供されることになる。

【００１４】しかも、前記マイクロレンズは、前記開口
領域だけでなく、前記第１基板または第２基板のいずれ
かにおいて、前記複数の画素電極により規定される表示
領域の周囲に沿って第１遮光層が形成された領域にも形
成されてなるので、前記複数のマイクロレンズのうち、
表示領域周辺部側のマイクロレンズは、前記第１遮光層
が形成された領域に位置することになる。従って、表示
領域周辺部側のマイクロレンズにより集光された光は第
１遮光層により遮光され、前記開口領域に対する集光に
は寄与しないことになる。この表示領域周辺部側のマイ
クロレンズは、表示領域中央部側のマイクロレンズに比
べて、エッチング処理の際に彫り移される量が多くな
り、レンズ特性が異なるものである。従って、このよう
にレンズ特性の異なるマイクロレンズは、前記開口領域
に対する集光に寄与せず、レンズ特性の均一なマイクロ
レンズのみによって、前記開口領域に対する集光が行わ
れるので、均一な輝度とコントラストが得られる。

【００１５】請求項２に記載の液晶装置は、前記課題を
解決するために、請求項１に記載の液晶装置において、
前記第１基板上に設けられた複数のデータ線と、該複数
のデータ線に交差して前記第１基板上に設けられた複数
の走査線と、前記第１基板上にて各データ線及び走査線
並びに前記画素電極に接続された薄膜トランジスタと、
該複数の薄膜トランジスタの少なくともチャネル形成用
領域及び前記複数の走査線並びに複数のデータ線に、平
面的に見て重なる位置で、前記第１基板または第２基板
のいずれかに設けられ、各画素の開口領域を規定する第
２遮光層とを備えたことを特徴とする。

【００１６】請求項２に記載の液晶装置によれば、第１
基板上に設けられた複数の薄膜トランジスタの少なくと
もチャネル形成用領域と、同じく第１基板上に設けられ
た複数の走査線並びに複数のデータ線は、第１基板また
は第２基板のいずれかに設けられた第２遮光層により、
これらが液晶に対向する側から夫々覆われる。従って、
第１基板側から光が入射した場合であっても、前記薄膜
トランジスタのチャネル形成用領域に対する当該光の入
射を確実に防止し、リーク電流の発生を抑える。

【００１７】また、前記遮光層で前記チャネル形成用領
域及び走査線並びにデータ線を覆うことにより、各画素
の開口領域が規定されることになるが、液晶の非配向部
が生じ易い前記画素電極の周縁部は、走査線及びデータ
線を覆う前記第２遮光層により覆われることになり、前
記非配向部が原因となる前記開口領域内における輝度の
むら、あるいはコントラストむらを確実に防止する。従
って、上述したマイクロレンズにより均一な輝度とコン
トラストが得られると共に、リーク電流の発生が抑えら
れ、高品位の画像を得ることができる。

【００１８】請求項３に記載の液晶装置は、前記課題を
解決するために、請求項１または請求項２に記載の液晶
装置において、前記マイクロレンズは、前記夫々の集光
部が、凸状に形成された集光連結部により連結されてい
ることを特徴とする。

【００１９】請求項３に記載の液晶装置によれば、前記
マイクロレンズは、いわゆるマイクロレンズアレイを形
成し、各マイクロレンズの夫々の集光部は、凸状に形成
された集光連結部により連結されている。従って、前記
開口領域に入射する光だけでなく、前記開口領域外に入
射する光をも、前記開口領域に集光させるので、光の利
用効率を極めて高くすることができる。

【００２０】請求項４に記載の液晶装置は、前記課題を
解決するために、請求項１乃至請求項３のいずれかに記
載の液晶装置において、前記第２の基板は、透明な下地
基板と、該下地基板上に取り付けられ前記液晶と接する
透明なカバー部材とを含み、前記マイクロレンズは、前
記下地基板の前記カバー部材との対向側に形成され、前
記第１遮光層は、前記カバー部材の前記液晶との接触側
に形成されることを特徴とする。

【００２１】請求項４に記載の液晶装置によれば、前記
マイクロレンズは、従来のように感光性材料の熱変形の
みによって作られるのではなく、その後のエッチング処
理により、前記第２の基板を構成する透明な下地基板に
形成されるので、光吸収性が極めて低く、従来のように
感光性材料によって形成される場合に比べて光の利用効
率を十分に高めることができる。また、前記下地基板は
温度上昇による軟化等が発生せず、高エネルギーの光に
対する使用が可能である。前記第１遮光層は、前記透明
な下地基板に取り付けられるカバー部材に形成されるの
で、上述したようなレンズ特性の異なるマトリクス端部
のマイクロレンズを確実に覆うことができ、レンズ特性
の等しいマイクロレンズのみによる開口領域に対する集
光を可能とする。更に、前記第１遮光層についても前記
カバー部材に取り付けられるので、遮光層とマイクロレ
ンズの集光部との位置合わせを精度良く行うことがで
き、光洩れのない高輝度の液晶装置を提供する。

【００２２】請求項５に記載の液晶装置は、前記課題を
解決するために、請求項１乃至請求項４のいずれか一項
に記載の液晶装置において、前記遮光層は、前記第１基
板の前記液晶との対向側の面に形成されることを特徴と
する。

【００２３】請求項５に記載の液晶装置によれば、前記
遮光層は、前記第１基板の前記液晶との対向側の面に形
成されるので、複数の画素電極複数の画素電極により規
定される表示領域を精度良く規定することができ、液晶
装置を遮光性のケースに入れる際に位置ずれが生じた場
合でも、当該ずれを許容して、前記ケースの開口におけ
る適切な位置に前記表示領域を設定することができる。

【００２４】請求項６に記載の電子機器は、請求項１乃
至請求項５のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたこ
とを特徴とする。

【００２５】請求項７に記載の電子機器によれば、請求
項１乃至請求項５の何れか一項に記載の液晶装置を備え
たので、光洩れがなく、コントラストむらのない高輝度
の表示を行うことのできる液晶装置により、高品位な表
示を行うことができる。

【００２６】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。

【００２８】（液晶装置の構成）先ず、液晶装置の全体
構成を図１から図３に基づいて説明する。図１は、液晶
装置の実施の形態におけるＴＦＴアレイ基板上に設けら
れた各種配線、周辺回路等の構成を示すブロック図であ
り、図２は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各
構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図
３は、対向基板を含めて示す図２のＨ−Ｈ’断面図であ
る。

【００２９】図１において、液晶装置２００は、例えば
石英基板、ハードガラス等からなるＴＦＴアレイ基板１
を備えている。ＴＦＴアレイ基板１上には、マトリクス
状に設けられた複数の画素電極１１と、Ｘ方向に複数配
列されており夫々がＹ方向に沿って伸びるデータ線３５
と、Ｙ方向に複数配列されており夫々がＸ方向に沿って
伸びる走査線３１と、各データ線３５と画素電極１１と
の間に夫々介在すると共に該間における導通状態及び非
導通状態を、走査線３１を介して夫々供給される走査信
号に応じて夫々制御するスイッチング素子の一例として
の複数のＴＦＴ３０とが形成されている。またＴＦＴア
レイ基板１上には、蓄積容量のための配線である容量線
３１’（蓄電容量電極）が、走査線３１と平行に形成さ
れている。なお、容量線３１’は、走査線３１と平行に
形成する構成だけでなく、前段の走査線下を利用して蓄
積容量を形成するように構成しても良い。画素電極１１
と容量線３１’との間には容量が形成されるが、図１に
は、この容量を省略して図示してある。

【００３０】ＴＦＴアレイ基板１上には更に、複数のデ
ータ線３５に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像
信号に先行して夫々供給するプリチャージ回路２０１
と、画像信号をサンプリングして複数のデータ線３５に
夫々供給するサンプリング回路３０１と、データ線駆動
回路１０１と、走査線駆動回路１０４とを形成されてい
る。なお、これらの回路は、ＴＦＴアレイ基板１上に
必ず設けられている必要はなく、ＴＦＴアレイ基板１
とは別の基板等に設けるように構成しても良い。また、
プリチャージ回路２０１とサンプリング回路３０１は、
本発明に必須の要件ではないが、これらの回路を設ける
と、輝度むら、コントラストむらを無くすのに有利であ
る。

【００３１】走査線駆動回路１０４は、外部制御回路か
ら供給される電源、基準クロック等に基づいて、所定タ
イミングで走査線３１に走査信号をパルス的に印加す
る。

【００３２】データ線駆動回路１０１は、外部制御回路
から供給される電源、基準クロック等に基づいて、走査
線駆動回路１０４が走査信号を印加するタイミングに合
わせて、６つの画像信号線３０４に画像信号ＶＩＤ１〜
ＶＩＤ６が供給される際に、６つの画像信号線３０４の
夫々とデータ線の導通を図るべく、データ線３５毎にサ
ンプリング回路駆動信号をサンプリング回路３０１にサ
ンプリング回路駆動信号線３０６を介して供給する。

【００３３】プリチャージ回路２０１は、ＴＦＴ２０２
を各データ線３５毎に備えており、プリチャージ信号線
２０４がＴＦＴ２０２のソース電極に接続されており、
プリチャージ回路駆動信号線２０６がＴＦＴ２０２のゲ
ート電極に接続されている。そして、プリチャージ信号
線２０４を介して、外部電源からプリチャージ信号を書
き込むために必要な所定電圧の電源が供給され、プリチ
ャージ回路駆動信号線２０６を介して、各データ線３５
について画像信号に先行するタイミングでプリチャージ
信号を書き込むように、外部制御回路からプリチャージ
回路駆動信号が供給される。プリチャージ回路２０１
は、好ましくは中間階調レベルの画素データに相当する
プリチャージ信号（画像補充信号）を供給する。

【００３４】サンプリング回路３０１は、ＴＦＴ３０２
を各データ線３５毎に備えており、画像信号ＶＩＤ１〜
ＶＩＤ６の供給が行われる画像信号線３０４が、ＴＦＴ
３０２のソース電極に接続されており、サンプリング回
路駆動信号線３０６がＴＦＴ３０２のゲート電極に接続
されている。そして、画像信号線３０４を介して、例え
ば６相展開された６つのパラレルな画像信号ＶＩＤ１〜
ＶＩＤ６が入力されると、これらの画像信号ＶＩＤ１〜
ＶＩＤ６をサンプリングする。また、サンプリング回路
駆動信号線３０６を介して、データ線駆動回路１０１か
らサンプリング回路駆動信号が入力されると、６つの画
像信号線３０４夫々についてサンプリングされた画像信
号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を、６つの隣接するデータ線３５
毎に順次印加する。即ち、データ線駆動回路１０１とサ
ンプリング回路３０１とは、画像信号線３０４から入力
された６つのパラレルな画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を
６相展開して、データ線３５に供給するように構成され
ている。

【００３５】尚、画像信号の相展開数には制約がない
が、ビデオ表示させる場合には、ＲＧＢ各々に画像信号
線が必要なことから、３の倍数で構成すると外部制御回
路が比較的容易に構成できる。また、少なくとも画像信
号の相展開数分だけ画像信号線３０４が必要なことは言
うまでもない。また、このような相展開を行う構成も、
本発明に必須の要件ではないが、ドットクロックが速い
場合には、画像信号の駆動トランジスタの負荷を軽減で
きるという利点がある。

【００３６】本実施の形態では特に、プリチャージ回路
２０１及びサンプリング回路３０１は、図１中斜線領域
で示すように且つ図２及び図３に示すように、対向基板
２に形成された遮光性の周辺見切り５３に対向する位置
においてＴＦＴアレイ基板１上に設けられており、デー
タ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４は、液晶
層５０に面しないＴＦＴアレイ基板１の狭く細長い周辺
部分上に設けられている。

【００３７】図２及び図３において、ＴＦＴアレイ基板
１の上には、複数の画素電極１１により規定される表示
領域（即ち、実際に液晶層５０の配向状態変化により画
像が表示される液晶装置の領域）の周囲において両基板
を貼り合わせて液晶層５０を包囲するシール部材の一例
としての光硬化性樹脂からなるシール材５２が、表示領
域に沿って設けられている。そして、対向基板２上にお
ける表示領域とシール材５２との間には、遮光性の周辺
見切り５３が設けられている。

【００３８】周辺見切り５３は、後に表示領域に対応し
て開口が開けられた遮光性のケースにＴＦＴアレイ基板
１が入れられた場合に、当該表示領域が製造誤差等によ
り当該ケースの開口の縁に隠れてしまわないように、あ
るいは単に表示領域を規定するために、例えばＴＦＴア
レイ基板１のケースに対する数百μｍ程度のずれを許容
するように、表示領域の周囲に５００μｍ以上の幅を持
つ帯状の遮光性材料から形成されたものである。このよ
うな遮光性の周辺見切り５３は、例えば、Ｃｒ（クロ
ム）やＮｉ（ニッケル）やＡｌ（アルミニウム）などの
金属材料を用いたスパッタリング、フォトリソグラフィ
及びエッチングにより対向基板２に形成される。或い
は、カーボンやＴｉ（チタン）をフォトレジストに分散
した樹脂ブラックなどの材料から形成される。

【００３９】シール材５２の外側の領域には、表示領域
の下辺に沿ってデータ線駆動回路１０１及び実装端子１
０２が設けられており、表示領域の左右の２辺に沿って
走査線駆動回路１０４が表示領域の両側に設けられてい
る。そして、シール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基
板２が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１に固
着されている。

【００４０】プリチャージ回路２０１及びサンプリング
回路３０１は、基本的に交流駆動の回路である。このた
め、シール材５２により包囲され両基板間に挟持された
液晶層５０に面するＴＦＴアレイ基板１部分にこれらの
プリチャージ回路２０１及びサンプリング回路３０１を
設けても、直流電圧印加による液晶層５０の劣化という
問題は生じない。これに対して、データ線駆動回路１０
１及び走査線駆動回路１０４は、液晶層５０に面するこ
とのないＴＦＴアレイ基板１の周辺部分に設けられてい
る。従って、液晶層５０に、特に直流駆動されるデータ
線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４からの直流電
圧成分が、漏れ込んで印加されることを未然に防止でき
る。

【００４１】そして、このように周辺見切り５３下に、
プリチャージ回路２０１及びサンプリング回路３０１を
設けた場合は、走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回
路１０１をＴＦＴアレイ基板１の周辺部分に余裕を持っ
て形成することができ、特定の仕様に沿うようにこれら
の周辺回路を設計することが容易になるという利点があ
る。また、言わばデッドスペースである周辺見切り５３
下に、プリチャージ回路２０１やサンプリング回路３０
１を設けることで、液晶装置２００における有効表示面
積の減少を招くこともなく、同時に、特に周辺見切り５
３は遮光性であるので、表示領域を介して入射される光
に対する遮光をプリチャージ回路２０１やサンプリング
回路３０１を構成するＴＦＴ２０２及び３０２に施す必
要がないという利点もある。加えて、シール材５２に面
するＴＦＴアレイ基板１部分にプリチャージ回路２０１
やサンプリング回路３０１を形成する訳ではないので、
これらの回路を構成するＴＦＴ２０２及び３０２をシー
ル材５２に混入されたスペーサにより破壊する恐れはな
い。更に、これらの回路を構成するＴＦＴ２０２及び３
０２に対して、別途遮光層を設ける必要も無いので、こ
のような遮光層がシール材５２の光硬化の妨げになる事
態も未然に防げる。即ち、両基板のシール材５２に対向
する位置には、遮光層を設ける必要はないので、シール
材５２を光硬化させる工程で両基板側から光を十分に照
射でき、良好に光硬化を行える。このため、基板の変形
等が懸念される熱硬化性樹脂をシール材５２として使用
しなくて済み有利である。

【００４２】一方、対向基板２において、以上のような
周辺見切り５３によって囲まれ、画素電極１１がマトリ
クス状に設けられたＴＦＴアレイ基板１の表示領域に対
応する領域には、周辺見切り５３と同時に同一材料によ
り図２に示すように遮光層２３が設けてもよい。

【００４３】この遮光層２３は、前述の周辺見切り５３
と同様に、ＣｒやＮｉやＡｌなどの金属材料を用いたス
パッタリング、フォトリソグラフィ及びエッチングによ
り形成され、あるいカーボンやＴｉをフォトレジストに
分散した樹脂ブラックなどの材料から形成される。遮光
層２３は、このような材料で形成されると共に、ＴＦＴ
３０のポリシリコン層３２を覆う位置に設けられ、ポ
リシリコン層３２当該に対する遮光を行って、リーク電
流の発生を防止している。また、遮光層２３は、コント
ラストの向上、色材の混色防止などの機能を有する。つ
まり、液晶層５０は、画素電極１１に対する電圧の印加
により配向状態が変化する性質を有するが、画像電極１
１の表面に接する全ての液晶層５０が一様に等しい配向
状態となるのではなく、画素電極１１の周縁側ほど所望
の配向状態に至らない、いわゆる非配向領域が存在す
る。そこで、このような非配向部を遮光層２３で覆うこ
とにより、コントラストを均一化させ、混色を防止する
のである。

【００４４】本実施形態における遮光層２３は、以上の
ような機能を確実に発揮させるために、図４に斜線で示
すような形状としている。図４はＴＦＴアレイ基板１の
表示領域の一部を拡大した平面図であり、理解を容易に
するために、対向基板２に形成された遮光層２３を重ね
て記載してある。

【００４５】図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板１上
には、マトリクス状に複数の透明な画素電極１１が設け
られており、画素電極１１の縦横の境界に夫々沿ってデ
ータ線３５、走査線３１及び容量線３１’が設けられて
いる。そして、遮光層２３は、図４に示すように、対向
基板２の側から見て、金属等により形成された遮光性の
データ線３５やポリシリコン等からなる走査線３１、更
には走査線３１と同一工程で形成される容量線３１’を
覆う位置に設けられている。また、対向基板２とＴＦＴ
アレイ基板１との貼り合わせの際にずれが生じた場合で
も、確実にＴＦＴ３０に対する遮光を行い、かつ非配光
部を確実に覆うために、マージンを持った大きさを有し
て構成されている。

【００４６】従って、各走査線とデータ線により区画さ
れ、薄膜トランジスタと画素電極とからなる画素の開口
領域は、以上のようにある程度のマージンを持った大き
さの遮光層２３により規定されることになるので、画面
中の画素領域の占める割合、いわゆる開口率が小さくな
り、表示画面が暗くなる傾向にある。

【００４７】そこで、本実施形態においては、光源側に
位置する対向基板２の表面の、各画素の夫々に対応する
位置に、複数のマイクロレンズ６２をマトリクス状に配
列して形成することにより、光源から照射される光を各
マイクロレンズ６２で画素領域に夫々集光し、それによ
って表示画面を明るくするように構成している。

【００４８】本実施形態においては、マイクロレンズ６
２の形成されている位置は、図３の丸印Ａで示す部分の
拡大図である図５に示すように、対向基板２の下地基板
２ａのＴＦＴアレイ基板側の表面である。本実施形態に
おいては、図５の丸印Ｂの部分の拡大図である図６に示
すように、この下地基板２ａの前記表面側に、カバーガ
ラス２ｂを取り付けており、前記遮光層２３はこのカバ
ーガラス２ｂのＴＦＴアレイ基板１側の表面に形成され
る。

【００４９】また、マイクロレンズ６２は、図６及び対
向基板２をＴＦＴアレイ基板１側から見た平面図である
図７に示すように、その直径は遮光層２３により規定さ
れる開口領域の幅よりも大きく形成されており、開口領
域においてできるだけ非集光領域が形成されないように
構成されている。

【００５０】また、本実施形態においては、各画素領域
に一対一に対応してマイクロレンズ６２が設けられてお
り、各画素の実効的な開口率を高くして、液晶装置の輝
度を高くするように構成されている。

【００５１】ここで、対向基板２の製造工程を、図８に
基づいて説明する。

【００５２】（対向基板の製造工程）まず、厚さ１．０
〜１．１ｍｍのネオセラムあるいは石英基板等により形
成された下地基板２ａ上に、スパッタリング法等により
クロムあるいはクロム合金等の金属膜を約１０００〜２
０００オングストローム程度の厚さに形成した後、フォ
トリソグラフィ工程、フォトエッチング工程を施すこと
により、ＴＦＴアレイ基板１との貼り合わせのためのア
ライメントマーク６０を形成する（図８（１））。

【００５３】次に、前記アライメントマーク６０が形成
された下地基板２ａの表面にプライマーを塗布し、その
上に熱変形性の感光性材料としてのポジ型のフォトレジ
ストを厚さ約７．３μｍ程度塗布し、プリベークを行っ
て厚さ約７μｍのレジスト膜を得る（図８（２））。

【００５４】次に、縦横約１５μｍ程度の長方形形状の
遮光部がマトリクス状に配列され、各遮光部の周囲に約
２μｍ程度の光透過性の枠部が形成されたマスクを、前
記レジスト膜に密着して重ね、紫外線露光を行い、その
後通常のフォトレジストの現像法に従って現像を行い、
リンスする（図８（３））。

【００５５】次に、以上のような光パターニングにより
パターニングされた感光性材料の膜を熱変形温度以上の
約１５０℃に加熱してポストベークを行う。その結果、
各長方形状の膜は滑らかな凸面となり、基板からの高さ
は約７μｍとなった（図８（４））。

【００５６】そして、酸素を導入ガスとするＥＣＲプラ
ズマエッチングにより異方性エッチング工程を行う。こ
の時の選択比は、感光性材料の膜：下地基板２ａ＝１：
１とした。その結果、下地基板２ａに前記滑らかな凸面
のアレイ形状が彫り移されて、所望のマイクロレンズア
レイが得られる（図８（５））。

【００５７】このようにして形成されるマイクロレンズ
アレイは図９に示すような形状を有しており、夫々のマ
イクロレンズは互いに連結部６４により連結されてい
る。この連結部６４は、マイクロレンズ６２の凸状部に
比べると基板からの高さは低いが、マイクロレンズ６２
と同様に凸形状を有しており、この連結部６４の働きに
より、光の利用効率が向上し、マイクロレンズアレイ全
体に入射する光をほぼ全てマイクロレンズで集光するこ
とができる。

【００５８】次に、マイクロレンズアレイが形成された
下地基板２ａの表面上にアクリル樹脂等の接着剤６３を
塗布して下地基板２ａとカバーガラス２ｂとを貼りあわ
せる。その後、カバーガラス２ｂ上にスパッタリング法
等によりクロムあるいはクロム合金等の金属膜を約１０
００〜２０００オングストローム程度の厚さに形成した
後、フォトリソグラフィ工程、フォトエッチング工程を
施すことにより、上述した遮光層２３を形成する（図８
（６））。

【００５９】最後に、カバーガラス２ｂの表面にスパッ
タリング法等によりＩＴＯ膜を、約１０００〜２０００
オングストローム程度の厚さに形成した後、パターンニ
ングを行って、透明な共通電極２１を形成する（図８
（７））。

【００６０】以上のような工程により、各画素に対応し
た微細なマイクロレンズを形成することができ、各画素
の実効的な開口率を上昇させて、高輝度の液晶装置を提
供することができる。

【００６１】また、本実施形態のマイクロレンズ６２単
に感光性材料を熱変形させるだけでなく、当該変形後に
エッチング処理を行うことによりネオセラム等の下地基
板２ａに形成しているので、光吸収性が極めて少なく、
光の利用効率を従来よりも高くすることができるまた、
マイクロレンズ６２は、ネオセラム等の下地基板２ａに
形成しているので、感光性材料のみで形成する場合に比
べて、光吸収による温度上昇、更には温度上昇による軟
化等が生じないため、高エネルギーの光に対しても使用
可能である。

【００６２】（マイクロレンズの構成）しかしながら、
図８（５）に示した異方性エッチング工程においては、
中央部と外周部とで、マイクロレンズ６２の凸状部の基
板からの高さが異なるという問題があった。

【００６３】つまり、中央部の下地基板２ａは、上述の
ように凸状に成形されたレジストに沿ってエッチングさ
れるため、個々の凸状部が周囲の凸状部の影響を受けな
がら彫り写されることになる。これに対し、最外周部で
あるＬ１，Ｌｍにおいては、図８（５）に示すように、
隣接する凸状部が片側にしか存在しない。従って、外側
の凸状部ほど、中央部の凸状部に比べて深く彫られるこ
とになる。即ち、最外周部Ｌ１，Ｌｍの凸状部は、中央
部の凸状部よりも基板からの高さが低くなる。そして、
その最外周部Ｌ１，Ｌｍに隣接する凸状部の基板からの
高さは、最外周部Ｌ１，Ｌｍの凸状部のそれよりも高い
が、中央部に比べると低くなる。

【００６４】このように、マイクロレンズの高さは、最
外周部に近い程、中央部に比べて徐々にテーパー状に低
くなり、その結果、中央部と外周部とでは、マイクロレ
ンズの特性が異なり、液晶装置として動作させた場合に
は、輝度、コントラストに差を生じるという問題があっ
た。

【００６５】そこで、本実施形態は、このような問題を
解決するために、マイクロレンズアレイの形成領域を、
図５及び図６に示すように周辺見切り５３の置かれた領
域にまで拡げ、これらのマイクロレンズアレイをダミー
のマイクロレンズとするように構成した。

【００６６】本実施形態では、表示領域において、例え
ば１水平走査方向の画素電極１０２４個に対応して、１
０２４個のマイクロレンズアレイが必要な場合、１０２
４個のマイクロレンズに加えて、約２０個を対向基板２
の周辺見切り５３の置かれた領域にダミーマイクロレン
ズ（ダミーレンズ）として形成した。尚、ダミーレンズ
は２０個にかぎられるものでない。従って、表示領域に
対して集光を行うマイクロレンズには、外周部から十分
に離れたマイクロレンズのみを使用することができる。
つまり、上述したようなエッチング工程時に生じる特性
の異なる外周部のマイクロレンズは、図５及び図６に示
すように周辺見切り５３により覆われることになり、表
示領域に対する集光には寄与しない。このように、特性
の揃ったマイクロレンズのみを使用して表示領域におけ
る各画素への集光を行うことができ、輝度差、またはコ
ントラスト差のない良好な液晶装置、液晶装置を提供す
ることができる。

【００６７】しかも、上述したように、本実施形態にお
けるマイクロレンズ６２は、光の利用効率を十分に高く
することができるので、輝度差、またはコントラスト差
がないだけでなく、従来に比べて高輝度の液晶装置とす
ることができる。

【００６８】更に、図９に示すように、夫々のマイクロ
レンズ６２は集光機能を有する連結部６４により連結さ
れたマイクロレンズアレイとなっているため、従来にお
いては遮光される部分に照射される光をも開口領域に集
光することができるので、実効的な開口率を従来よりも
著しく高めることができる。

【００６９】そして、この集光は、上述したように、レ
ンズ特性の揃ったマイクロレンズにより行われるため、
表示領域の全域において均一に行われ、高輝度でありな
がら、むらのない、高品位の表示が可能である。尚、周
辺見切りは、対向基板２側に設けられているが、ＴＦＴ
基板１側に設けて、ダミーマイクロレンズを覆うように
形成しても良い。

【００７０】（他の実施形態）尚、本発明の液晶装置に
用いる液晶層５０の一例としては、ネマティック液晶を
挙げることができる。また、液晶を高分子中に微小粒と
して分散させた高分子分散型液晶を用いれば、配向膜及
び偏光フィルム、偏光板等が不要となり、光利用効率が
高まることによる液晶装置の高輝度化や低消費電力化の
利点が得られる。更にまた、液晶装置においては、液晶
層５０に対し垂直な電界（縦電界）を印加するように対
向基板２の側に共通電極２１を設けているが、液晶層５
０に平行な電界（横電界）を印加するように一対の横電
界発生用の電極から画素電極１１を夫々構成する（即
ち、対向基板２の側には縦電界発生用の電極を設けるこ
となく、ＴＦＴアレイ基板１の側に横電界発生用の電極
を設ける）ことも可能である。このように横電界を用い
ると、縦電界を用いた場合よりも視野角を広げる上で有
利である。その他、各種の液晶材料（液晶相）、動作モ
ード、液晶配列、駆動方法等に本実施の形態を適用する
ことが可能である。

【００７１】以上のように、画素電極１１に電圧が印加
されると、液晶層５０におけるこの画素電極１１と共通
電極２１とに挟まれた部分における液晶の配向状態が変
化し、ノーマリーホワイトモードであれば、印加された
電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過不可能とさ
れ、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電
圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過可能とされ、全
体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラスト
を持つ光が出射する。この際、本実施の形態では特に、
液晶層５０の非配向部を、遮光層２３により確実に防止
して、ノーマリーホワイトモード使用時における、電圧
印加時における光の抜けを確実に防止することができ
る。しかも、この遮光層２３を、対向基板２とＴＦＴア
レイ基板１との貼り合わせの際のずれを考慮して、所定
のマージンをもった大きさ及び形状としているため、従
来よりもより一層確実に光の抜けを防止することができ
る。そして、遮光層２３をこのような大きさ及び形状と
した場合でも、上述したマイクロレンズ６２により実効
的な開口率を上昇させ、更に上述したように各マイクロ
レンズの特性は揃っているた、表示領域には、高輝度で
むらのない高品質の画像が表示される。

【００７２】また、上述の説明においては、周辺見切り
５３及び遮光層２３は対向基板２側に設けた例について
説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、周
辺見切り５３及び遮光層２３をＴＦＴアレイ基板１側に
設けるように構成しても良い。このように構成すれば、
周辺見切り５３及び遮光層２３の、各画素の開口領域及
び表示領域に対する位置精度を向上させることができ、
上述したような位置ずれを考慮したマージンをとる必要
がないので、周辺見切り５３及び遮光層２３を小さく形
成することが可能となり、実際の開口率を上昇させるこ
とができる。

【００７３】以上説明した実施の形態では、プリチャー
ジ回路２０１及びサンプリング回路３０１を設けるよう
にしたが、これらに代えて又は加えて周辺見きり５３下
に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を
検査するための検査回路を設けてもよい。このように検
査回路を周辺見切り５３下に設ければ、走査線駆動回路
１０４やデータ線駆動回路１０１をＴＦＴアレイ基板１
の周辺部分に余裕を持って形成することができ、液晶装
置における有効表示面積の減少を招くことなく、同時
に、特に周辺見切り５３は遮光性であるので、表示領域
を介して入射される光に対する遮光を検査回路を構成す
るＴＦＴに施す必要も無い。更に、プリチャージ回路２
０１及びサンプリング回路３０１に代えて又は加えて周
辺見きり５３下に、当該液晶装置を動作させるための、
例えば画質の向上、消費電力の低減、コストの低減等の
観点からＴＦＴ等を用いた各種の周辺回路のうち、交流
電圧駆動されるタイプの回路を設けてもよい。このよう
に周辺回路を設ければ、液晶装置における有効表示面積
の減少を招くことなく、同時に、特に周辺見切り５３は
遮光性であるので、表示領域を介して入射される光に対
する遮光を周辺回路を構成するＴＦＴに施す必要も無
い。そして、周辺回路は交流電圧駆動されるので、直流
電圧印加による液晶層５０の劣化という問題は生じな
い。

【００７４】また、データ線駆動回路１０１及び走査線
駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１の上に設ける代わ
りに、例えばＴＡＢ（テープオートメイテッドボンディ
ング基板）上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレ
イ基板１の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介
して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。ま
た、サンプリング回路２０１、プリチャージ回路３０１
及び検査回路のうちのいずれか一つのみを周辺見切り５
３下に形成し、残りをＴＦＴアレイ基板１上の周辺部分
等に形成しても、デッドスペースの有効利用の効果は多
少なりとも得られる。

【００７５】更にまた、以上の実施の形態において、特
開平９−１２７４９７号公報、特公平３−５２６１１号
公報、特開平３−１２５１２３号公報、特開平８−１７
１１０１号公報等に開示されているように、ＴＦＴアレ
イ基板１上においてＴＦＴ３０に対向する位置（即ち、
ＴＦＴ３０の下側）にも、例えば高融点金属からなる遮
光層を設けてもよい。このようにＴＦＴ３０の下側にも
遮光層を設ければ、ＴＦＴアレイ基板１の側からの戻り
光等がＴＦＴ３０に入射するのを未然に防ぐことができ
る。上記の実施例はＴＦＴについて記載したが、本発明
のマイクロレンズを搭載する液晶装置は、ＴＦＴの場合
に限られるものではなく、パッシブ型の液晶装置にも適
用可能である。

【００７６】（電子機器）次に、以上詳細に説明した液
晶装置を含む液晶装置２００を備えた電子機器の実施の
形態について図１０から図１３を参照して説明する。

【００７７】先ず図１０に、このように液晶装置２００
を備えた電子機器の概略構成を示す。

【００７８】図１０において、電子機器は、表示情報出
力源１０００、表示情報処理回路１００２、前述の走査
線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１を含む駆
動回路１００４、前述のように周辺見切り下にプリチャ
ージ回路及びサンプリング回路が設けられた液晶装置１
０、クロック発生回路１００８並びに電源回路１０１０
を備えて構成されている。表示情報出力源１０００は、
ＲＯＭ（Read OnlyMemory）、ＲＡＭ（Random Access
Memory）、光ディスク装置などのメモリ、同調回路等
を含み、クロック発生回路１００８からのクロックに基
づいて、所定フォーマットのビデオ信号などの表示情報
を表示情報処理回路１００２に出力する。表示情報処理
回路１００２は、増幅・極性反転回路、相展開回路、ロ
ーテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の
周知の各種処理回路を含んで構成されており、クロック
に基いて入力された表示情報からデジタル信号を順次生
成し、クロックCLKと共に駆動回路１００４に出力す
る。駆動回路１００４は、走査信号駆動回路１０４及び
画像信号駆動回路１０１によって前述の駆動方法により
液晶装置１０を駆動する。電源回路１０１０は、上述の
各回路に所定電源を供給する。尚、液晶装置１０を構成
するＴＦＴアレイ基板の上に、駆動回路１００４を搭載
してもよく、これに加えて表示情報処理回路１００２を
搭載してもよい。

【００７９】このように構成された電子機器の具体例と
しては、図１１に示す液晶プロジェクタ、図１２に示す
マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）
及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷ
Ｓ）、あるいは携帯電話、ワードプロセッサ、テレビ、
ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレ
コーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーショ
ン装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置などを
挙げることができる。

【００８０】次に図１１から図１３に基づいて、このよ
うに構成された電子機器の具体例について説明する。

【００８１】図１１において、電子機器の一例たる液晶
プロジェクタ１１００は、投射型の液晶プロジェクタで
あり、光源１１１０と、ダイクロイックミラー１１１
３，１１１４と、反射ミラー１１１５，１１１６，１１
１７と、入射レンズ１１１８，リレーレンズ１１１９，
出射レンズ１１２０と、液晶ライトバルブ１１２２，１
１２３，１１２４と、クロスダイクロイックプリズム１
１２５と、投写レンズ１１２６とを備えて構成されてい
る。液晶ライトバルブ１１２２，１１２３，１１２４
は、上述した駆動回路１００４がＴＦＴアレイ基板上に
搭載された液晶装置１０を含む液晶表示モジュールを３
個用意し、夫々液晶ライトバルブとして用いたものであ
る。また、光源１１１０はメタルハライド等のランプ１
１１１とランプ１１１１の光を反射するリフレクタ１１
１２とからなる。

【００８２】以上のように構成される液晶プロジェクタ
１１００においては、青色光・緑色光反射のダイクロイ
ックミラー１１１３は、光源１１１０からの白色光束の
うちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光と
を反射する。透過した赤色光は反射ミラー１１１７で反
射されて、赤色光用液晶ライトバルブ１１２２に入射さ
れる。一方、ダイクロイックミラー１１１３で反射され
た色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラ
ー１１１４によって反射され、緑色光用液晶ライトバル
ブ１１２３に入射される。また、青色光は第２のダイク
ロイックミラー１１１４も透過する。青色光に対して
は、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ１１
１８、リレーレンズ１１１９、出射レンズ１１２０を含
むリレーレンズ系からなる導光手段１１２１が設けら
れ、これを介して青色光が青色光用液晶ライトバルブ１
１２４に入射される。各ライトバルブにより変調された
３つの色光はクロスダイクロイックプリズム１１２５に
入射する。このプリズムは４つの直角プリズムが貼り合
わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光
を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。
これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され
て、カラー画像を表す光が形成される。合成された光
は、投射光学系である投射レンズ１１２６によってスク
リーン１１２７上に投射され、画像が拡大されて表示さ
れる。

【００８３】以上のような液晶プロジェクタにおいて使
用される液晶装置１０は、上述したように、ネオセラム
あるいは石英等の基板に形成されるので、従来のように
光吸収による温度上昇、更に温度上昇による軟化という
現象を生じさせず、高効率のランプを使用することがで
きる。従って、従来よりも高輝度の液晶プロジェクタを
提供することができる。

【００８４】図１２において、電子機器の他の例たるラ
ップトップ型のパーソナルコンピュータ１２００は、上
述した液晶装置１０がトップカバーケース内に備えられ
た液晶表示ディスプレイ１２０６と、ＣＰＵ、メモリ、
モデム等を収容すると共にキーボード１２０２が組み込
まれた本体部１２０４とを有する。

【００８５】また、図１３に示すように、液晶装置用基
板１３０４を構成する２枚の透明基板１３０４ａ，１３
０４ｂの一方に、金属の導電膜が形成されたポリイミド
テーブ１３２２にＩＣチップ１３２４を実装したＴＣＰ
（Tape Carrier Package）１３２０を接続して、電子機
器用の一部品である液晶装置として生産、販売、使用す
ることもできる。

【００８６】以上、図１１から図１３を参照して説明し
た電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダー
型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビ
ゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、
ワークステーション、携帯電話、テレビ電話、ＰＯＳ端
末、タッチパネルを備えた装置等が図１０に示した電子
機器の例として挙げられる。

【００８７】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が
可能である。例えば、本発明は上述の各種の液晶装置の
駆動に適用されるものに限らず、エレクトロルミネッセ
ンス、プラズマディスブレ一装置にも適用可能である。

【００８８】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、マイクロレンズを用いることにより、各画素の実効
的な開口率を上昇させることができるだけでなく、周辺
見切りの下にダミーマイクロレンズを設ける構成とした
ため、表示領域におけるレンズ特性を揃えることがで
き、高輝度で、且つ輝度むら、コントラストむらのな
い、高品位の画像表示が可能な液晶装置２００を備えた
各種の電子機器を実現できる。

【００８９】

【発明の効果】本発明によれば、第１基板上に各画素の
開口領域に個々に対応したマイクロレンズを設けると共
に、当該マイクロレンズを設ける範囲を、表示領域の周
辺に沿って設けられる周辺見切りの下の領域にまで拡
げ、周辺見切りの下のマイクロレンズをダミーのマイク
ロレンズとしたので、表示領域に用いるマイクロレンズ
のレンズ特性を揃えることができ、高輝度で且つ輝度む
ら、コントラストむらのない液晶装置及びこの液晶装置
により高品位の画像表示が可能な電子機器を提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】液晶装置の実施の形態におけるＴＦＴアレイ
基板上に形成された各種配線、周辺回路等のブロック図
である。

【図２】図１の液晶装置の全体構成を示す平面図であ
る。

【図３】図１の液晶装置の全体構成を示す断面図であ
る。

【図４】図１の液晶装置に備えられる液晶装置の遮光
層の形状を示す平面図である。

【図５】図３の丸印Ａで示す部分の拡大図であり、実
施の形態におけるマイクロレンズの設けられた位置を説
明する断面図である。

【図６】図５の丸印Ｂで示す部分の拡大図であり、実
施の形態における液晶装置の対向基板の詳細な構成を示
す断面図である。

【図７】図１の液晶装置に備えられる液晶装置におけ
る、マイクロレンズの配置構成を示す平面図である。

【図８】図１の液晶装置に備えられる液晶装置におけ
る、対向基板の製造工程を示す工程図である。

【図９】図８に示す工程により製造されるマイクロレ
ンズの形態を示す斜視図である。

【図１０】本発明による電子機器の実施の形態の概略
構成を示すブロック図である。

【図１１】電子機器の一例としての液晶プロジェクタ
を示す断面図である。

【図１２】電子機器の他の例としてのパーソナルコン
ピュータを示す正面図である。

【図１３】電子機器の一例としてのＴＣＰを用いた液
晶装置を示す斜視図である。

【符号の説明】

１…ＴＦＴアレイ基板２…対向基板２ａ…下地基板２ｂ…カバーガラス１０…液晶装置１１…画素電極２１…共通電極２３…遮光層３０…ＴＦＴ３１…走査線（ゲート電極）３５…データ線（ソース電極）５０…液晶層５２…シール材５３…周辺見切り６２…マイクロレンズ６３…接着剤６４…連結部１０１…データ線駆動回路１０２…実装端子１０４…走査線駆動回路２００…液晶装置２０１…プリチャージ回路３０１…サンプリング回路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の第１基板及び第２基板と、前記第１基板及び第２基板間に挟持された液晶と、前記第１基板上にマトリクス状に設けられた複数の画素
電極と、前記複数の画素電極により規定される表示領域の周囲に
沿って、前記第１基板または第２基板のいずれかに形成
された第１遮光層と、前記各画素電極に対応して形成されたマイクロレンズと
を備え、前記マイクロレンズは、前記表示領域及び前記第１遮光
層が形成された領域に形成されてなることを特徴とする
液晶装置。
【請求項２】前記第１基板上に設けられた複数のデー
タ線と、該複数のデータ線に交差して前記第１基板上に
設けられた複数の走査線と、前記第１基板上にて各デー
タ線及び走査線並びに前記画素電極に接続された薄膜ト
ランジスタと、該複数の薄膜トランジスタの少なくとも
チャネル形成用領域及び前記複数の走査線並びに複数の
データ線に、平面的に見て重なる位置で、前記第１基板
または第２基板のいずれかに設けられ、各画素の開口領
域を規定する第２遮光層とを備えたことを特徴とする請
求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】前記マイクロレンズは、前記夫々の集光
部が、凸状に形成された集光連結部により連結されてい
ることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の液
晶装置。
【請求項４】前記第２の基板は、透明な下地基板と、
該下地基板上に取り付けられ、前記液晶と接する透明な
カバー部材とを含み、前記マイクロレンズは、前記下地
基板の前記カバー部材との対向側に形成され、前記第１
遮光層は、前記カバー部材の前記液晶との接触側に形成
されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれ
か一項に記載の液晶装置。
【請求項５】前記遮光層は、前記第１基板の前記液晶
との対向側の面に形成されることを特徴とする請求項１
乃至請求項４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】請求項１乃至請求項５の何れか一項に記
載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。