JPH03280019A - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents
電気光学装置の製造方法Info
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- JPH03280019A JPH03280019A JP2082013A JP8201390A JPH03280019A JP H03280019 A JPH03280019 A JP H03280019A JP 2082013 A JP2082013 A JP 2082013A JP 8201390 A JP8201390 A JP 8201390A JP H03280019 A JPH03280019 A JP H03280019A
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- opaque
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- Pending
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は薄膜トランジスタ（以下ＴＰＴと略す）を用い
た電気光学装置の製造方法に関する。
た電気光学装置の製造方法に関する。
［発明の概要］
本発明はＴＰＴにおける感光性不透明有機膜と不透明ギ
ャップ材を用いてギャップ材の散布と遮光膜が簡単に同
時形成でき、ギャップ材を画素上から除くことができる
ので、ＴＰＴの光り−クを抑え画素上は全て液晶表示で
きるために、コントラストが向上し、フリッカ−や表示
むらを抑えることができる。
ャップ材を用いてギャップ材の散布と遮光膜が簡単に同
時形成でき、ギャップ材を画素上から除くことができる
ので、ＴＰＴの光り−クを抑え画素上は全て液晶表示で
きるために、コントラストが向上し、フリッカ−や表示
むらを抑えることができる。
［従来の技術１
従来はＴＰＴに遮光膜を形成する工程後にギャップ材を
ＴＰＴ上から散布する工程になっていた。
ＴＰＴ上から散布する工程になっていた。
不透明有機膜の遮光膜のあるＴＰＴにギャップ材を散布
したときの断面図を第２図に示す、絶縁基板１上に設け
られたゲート電極２及び絶縁基板ｌ上に設けられたゲー
ト絶縁膜３とゲート絶縁膜上３に設けられた非晶質半導
体膜４と非晶質半導体膜４上に間隔をおいて設けられた
オーム接触膜５とオーム接触膜５上に設けられたソース
電極６及びドレイン電極７とソース電極６及びドレイン
電極７及び非晶質半導体膜４上に設けられた不透明有機
膜を用いた遮光膜８とゲート絶縁膜３あるいはソース電
極６あるいはドレイン電極７あるいは非晶質半導体膜４
上に任意に設けられたギャップ材９の構造に成る。
したときの断面図を第２図に示す、絶縁基板１上に設け
られたゲート電極２及び絶縁基板ｌ上に設けられたゲー
ト絶縁膜３とゲート絶縁膜上３に設けられた非晶質半導
体膜４と非晶質半導体膜４上に間隔をおいて設けられた
オーム接触膜５とオーム接触膜５上に設けられたソース
電極６及びドレイン電極７とソース電極６及びドレイン
電極７及び非晶質半導体膜４上に設けられた不透明有機
膜を用いた遮光膜８とゲート絶縁膜３あるいはソース電
極６あるいはドレイン電極７あるいは非晶質半導体膜４
上に任意に設けられたギャップ材９の構造に成る。
［発明が解決しようとする課題］
上記の不透明有機膜の形成するフォトリソ工程後、ギャ
ップ材を基板上から散布する工程があるために工程が複
雑であるだけでなく、画素上にギャップ材があり、その
部分は液晶表示されないためにコントラストの低下や表
示むらを生じたりする問題点があった。
ップ材を基板上から散布する工程があるために工程が複
雑であるだけでなく、画素上にギャップ材があり、その
部分は液晶表示されないためにコントラストの低下や表
示むらを生じたりする問題点があった。
本発明はＴＰＴの遮光膜とギャップ材の散布を少な（と
も１回の露光で簡単に同時形成ができて、ギャップ材を
画素上から除くことができる製造方法を提供する。
も１回の露光で簡単に同時形成ができて、ギャップ材を
画素上から除くことができる製造方法を提供する。
［課題を解決するための手段］
上記の問題点を解決するために、本発明ではＴＦＴ上に
不透明ギヤ・ンブ材を含有する不透明有機液を塗布して
フォトリソ工程でギャップ材の散布と遮光膜を形成する
。
不透明ギヤ・ンブ材を含有する不透明有機液を塗布して
フォトリソ工程でギャップ材の散布と遮光膜を形成する
。
［実施例］
以下に図面を用いて本発明の例を説明する。第１図は本
発明の電気光学装置のうち液晶表示に用いた場合の製造
工程順に示す１画素部の断面図である。絶縁基板１上に
設けられたゲート電極２及び絶縁基板１上に設けられた
ゲート絶縁膜３とゲート電極膜上３に設けられた非晶質
半導体膜４と非晶質半導体膜４上に間隔をおいて設けら
れたオーム接触膜５とオーム接触膜５上に設けられたソ
ース電極６及びドレイン電極７からなるＴＦＴに不透明
ギャップ材１０を含有する不透明有機膜８をコート形成
する工程（ａ）、マスクを用いて露光し現像して画素上
の不透明ギャップ材と不透明有機膜を取り除く工程（ｂ
）からなる。
発明の電気光学装置のうち液晶表示に用いた場合の製造
工程順に示す１画素部の断面図である。絶縁基板１上に
設けられたゲート電極２及び絶縁基板１上に設けられた
ゲート絶縁膜３とゲート電極膜上３に設けられた非晶質
半導体膜４と非晶質半導体膜４上に間隔をおいて設けら
れたオーム接触膜５とオーム接触膜５上に設けられたソ
ース電極６及びドレイン電極７からなるＴＦＴに不透明
ギャップ材１０を含有する不透明有機膜８をコート形成
する工程（ａ）、マスクを用いて露光し現像して画素上
の不透明ギャップ材と不透明有機膜を取り除く工程（ｂ
）からなる。
［発明の効果Ｉ
ＴＦＴ上に不透明ギャップ材を含有する不透明有機液を
塗布して）オトリソ工程でギャップ材の散布と遮光膜と
同時形成し、ギャップ材を画素上から除くことにより、
ＴＰＴの光り−クを抑え画素上は全て液晶表示できるた
めに、コントラストが向上し、フリッカ−や表示むらを
抑えることができる。
塗布して）オトリソ工程でギャップ材の散布と遮光膜と
同時形成し、ギャップ材を画素上から除くことにより、
ＴＰＴの光り−クを抑え画素上は全て液晶表示できるた
めに、コントラストが向上し、フリッカ−や表示むらを
抑えることができる。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の実施例を示す液晶表示
に用いた場合の１画素部の工程順断面図である。第２図
は従来の実施例を示す液晶表示に用いた場合の１画素部
の断面図である。 絶縁基板 ゲート電極 ゲート絶縁膜 非晶質半導体膜 オーム接触膜 ソース電極 ドレイン電極 不透明有機膜 ギャップ材 ・不透明ギャップ材 以 上
に用いた場合の１画素部の工程順断面図である。第２図
は従来の実施例を示す液晶表示に用いた場合の１画素部
の断面図である。 絶縁基板 ゲート電極 ゲート絶縁膜 非晶質半導体膜 オーム接触膜 ソース電極 ドレイン電極 不透明有機膜 ギャップ材 ・不透明ギャップ材 以 上
Claims (1)
- 絶縁基板と前記絶縁基板上に設けられたゲート電極と前
記ゲート電極及び前記絶縁基板上に設けられたゲート絶
縁膜と前記ゲート絶縁膜上に設けられた非晶質半導体膜
と前記非晶質半導体膜上に間隔をおいて設けられたオー
ム接触膜と前記オーム接触膜上に設けられたソース電極
及びドレイン電極と前記ソース電極及び前記ドレイン電
極及び前記非晶質半導体膜上にフォトリソ工程を用いて
不透明ギャップ材を含有する感光性不透明有機膜を形成
することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2082013A JPH03280019A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 電気光学装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2082013A JPH03280019A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 電気光学装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03280019A true JPH03280019A (ja) | 1991-12-11 |
Family
ID=13762637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2082013A Pending JPH03280019A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 電気光学装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03280019A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04127128A (ja) * | 1990-09-18 | 1992-04-28 | Sharp Corp | アクティブマトリクス表示装置 |
| FR2706215A1 (fr) * | 1993-06-08 | 1994-12-16 | Thomson Lcd | Procédé de réalisation de cales d'épaisseur pour un écran plat à cristaux liquides. |
| US6969643B2 (en) | 1995-12-29 | 2005-11-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel used for a liquid crystal display and a manufacturing method thereof |
-
1990
- 1990-03-29 JP JP2082013A patent/JPH03280019A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04127128A (ja) * | 1990-09-18 | 1992-04-28 | Sharp Corp | アクティブマトリクス表示装置 |
| FR2706215A1 (fr) * | 1993-06-08 | 1994-12-16 | Thomson Lcd | Procédé de réalisation de cales d'épaisseur pour un écran plat à cristaux liquides. |
| US6969643B2 (en) | 1995-12-29 | 2005-11-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel used for a liquid crystal display and a manufacturing method thereof |
| US7623193B2 (en) | 1995-12-29 | 2009-11-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel used for a liquid crystal display and a manufacturing method thereof |
| US8023057B2 (en) | 1995-12-29 | 2011-09-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel used for liquid crystal display and a manufacturing method thereof |
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