JPH041725A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH041725A JPH041725A JP2103482A JP10348290A JPH041725A JP H041725 A JPH041725 A JP H041725A JP 2103482 A JP2103482 A JP 2103482A JP 10348290 A JP10348290 A JP 10348290A JP H041725 A JPH041725 A JP H041725A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 57
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- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、液晶表示装置に関するものである。
従来の技術
近年、液晶表示装置はCRTに代わるデイスプレィとし
て注目され、より高画質化に向けて改良が進められてい
る。
て注目され、より高画質化に向けて改良が進められてい
る。
以下図面を参照しながら、上述した従来の液晶表示装置
の一例について説明する。第4図は、従来の液晶表示装
置の断面図を示すものである。第4図において、1は第
1の基板、2は透明基板、3は透明電極、6は第2の基
板、7は絵素スイッチ素子、8は走査線、9は絵素電極
、10は液晶層、11は遮光膜である。特に遮光膜11
は、絵素スイッチ素子7,8の走査線の上に被いかぶす
様に配置される。(たとえば、映像情報(1)、198
9年9月号23〜31ページ)、この遮光膜は従来、例
えばクロム等の金属が多用されている。この遮光膜の主
な役割は大きく分けて3つある。1つは第1の基板1を
透過して第2の基板6に到達する光が絵素スイッチ素子
7には当たらないように遮光する役目がある。絵素スイ
ッチ素子には、例えばアモルファスシリコン薄膜トラン
ジスタが多用されておりこの素子は光の影響を受は易い
。そのため必ず遮光する必要があり遮光膜は必要である
。2つ目の役割は、走査線8と第1の基板lとの間に生
じる電界によって液晶層10が変化するがこの影響を隠
す役割であゐ。3つ目の役割は、隣合う絵素の境界をは
っきりとさせる役割である。
の一例について説明する。第4図は、従来の液晶表示装
置の断面図を示すものである。第4図において、1は第
1の基板、2は透明基板、3は透明電極、6は第2の基
板、7は絵素スイッチ素子、8は走査線、9は絵素電極
、10は液晶層、11は遮光膜である。特に遮光膜11
は、絵素スイッチ素子7,8の走査線の上に被いかぶす
様に配置される。(たとえば、映像情報(1)、198
9年9月号23〜31ページ)、この遮光膜は従来、例
えばクロム等の金属が多用されている。この遮光膜の主
な役割は大きく分けて3つある。1つは第1の基板1を
透過して第2の基板6に到達する光が絵素スイッチ素子
7には当たらないように遮光する役目がある。絵素スイ
ッチ素子には、例えばアモルファスシリコン薄膜トラン
ジスタが多用されておりこの素子は光の影響を受は易い
。そのため必ず遮光する必要があり遮光膜は必要である
。2つ目の役割は、走査線8と第1の基板lとの間に生
じる電界によって液晶層10が変化するがこの影響を隠
す役割であゐ。3つ目の役割は、隣合う絵素の境界をは
っきりとさせる役割である。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような構成では、遮光膜に達した光
の多くが反射されて、その反射光が画像として現われた
り、また別の反射光が絵素スイッチ素子に当たったりし
て十分な黒レベルを創出できなくなるという問題点を有
していた。
の多くが反射されて、その反射光が画像として現われた
り、また別の反射光が絵素スイッチ素子に当たったりし
て十分な黒レベルを創出できなくなるという問題点を有
していた。
本発明は、上記問題点に鑑み、遮光膜からの反射光をな
くし、十分な黒レベルを創出できる液晶表示装置を提供
するものである。
くし、十分な黒レベルを創出できる液晶表示装置を提供
するものである。
課題を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明の液晶表示装置は、
クロム薄膜と酸化クロム薄膜との2層、またはクロム薄
膜の両側を酸化クロム薄膜でサンドインチした3層で構
成された遮光膜を備えたものである。
クロム薄膜と酸化クロム薄膜との2層、またはクロム薄
膜の両側を酸化クロム薄膜でサンドインチした3層で構
成された遮光膜を備えたものである。
作用
本発明は上記した構成によって、遮光膜に当たった光は
酸化クロム薄膜によって吸収され反射光を軽減できる。
酸化クロム薄膜によって吸収され反射光を軽減できる。
そのため反射光によって画像や絵素スイッチ素子が影響
を受けることが無い。また酸化クロム薄膜だけで遮光膜
を構成すると酸化クロム薄膜を透過する光を十分に軽減
する事ができない。そこでクロム薄膜と酸化クロム薄膜
を併用することで反射光も少なく透過光もない遮光膜を
作ることができる。またクロム薄膜は薄い膜厚で十分な
遮光効果が得られるため凹凸の少ない基板が作れ液晶層
の配向性に及ぼす影響も小さくできる。また反応性スパ
ッタ装置を用いればクロム薄膜と酸化クロム薄膜の両方
を1台の装置で成膜でき、またクロム薄膜と酸化クロム
Elflのパターニングも同時に行える。そのため2層
あるいは3層と言う構造であっても製造工程は増えない
ため生産性にとても優れている。
を受けることが無い。また酸化クロム薄膜だけで遮光膜
を構成すると酸化クロム薄膜を透過する光を十分に軽減
する事ができない。そこでクロム薄膜と酸化クロム薄膜
を併用することで反射光も少なく透過光もない遮光膜を
作ることができる。またクロム薄膜は薄い膜厚で十分な
遮光効果が得られるため凹凸の少ない基板が作れ液晶層
の配向性に及ぼす影響も小さくできる。また反応性スパ
ッタ装置を用いればクロム薄膜と酸化クロム薄膜の両方
を1台の装置で成膜でき、またクロム薄膜と酸化クロム
Elflのパターニングも同時に行える。そのため2層
あるいは3層と言う構造であっても製造工程は増えない
ため生産性にとても優れている。
実施例
以下本発明の一実施例の液晶表示装置について、図面を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
第1図(a)、第1図(b)は本発明に第1の実施例に
おける液晶表示装置の断面図を示すものである。
おける液晶表示装置の断面図を示すものである。
第1図において、1は第1の基板、2は透明基板、3は
透明電極、4は酸化クロム薄膜、5はクロム薄膜、6は
第2の基板、7は絵素スイッチ素子、8は走査線、9は
絵素電極、10は液晶層である。
透明電極、4は酸化クロム薄膜、5はクロム薄膜、6は
第2の基板、7は絵素スイッチ素子、8は走査線、9は
絵素電極、10は液晶層である。
第1図(a)と第1図(b)では3の透明電極と4の酸
化クロム薄膜、5のクロム薄膜との位置関係が違うが同
じ効果が得られる。本実施例では、2の透明基板を透過
して4の酸化クロム薄膜に当たった光を吸収する。第4
図で示したような構造を持つ従来例では、クロム製の遮
光膜に当たった光のうち60〜70%の光が反射されて
画像の黒レベルに影響を及ぼしていたが、第1図に示し
た構成の場合、反射光を10%以下にすることができる
。本実施例は、1の透明基板を透過して4の酸化クロム
薄膜に強い光が当たる場合に有効である。
化クロム薄膜、5のクロム薄膜との位置関係が違うが同
じ効果が得られる。本実施例では、2の透明基板を透過
して4の酸化クロム薄膜に当たった光を吸収する。第4
図で示したような構造を持つ従来例では、クロム製の遮
光膜に当たった光のうち60〜70%の光が反射されて
画像の黒レベルに影響を及ぼしていたが、第1図に示し
た構成の場合、反射光を10%以下にすることができる
。本実施例は、1の透明基板を透過して4の酸化クロム
薄膜に強い光が当たる場合に有効である。
以下本発明の第2の実施例について図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第2図(a)、第2図(′b)は本発明に第2の実施例
における液晶表示装置の断面図を示すものである。
における液晶表示装置の断面図を示すものである。
第2図において、1は第1の基板、2は透明基板、3は
透明電極、6は第2の基板、7は絵素スイッチ素子、8
は走査線、9は絵素電極、10は液晶層であり以上は第
1図の構成と同様なものである。
透明電極、6は第2の基板、7は絵素スイッチ素子、8
は走査線、9は絵素電極、10は液晶層であり以上は第
1図の構成と同様なものである。
第1図の構成と異なるのは4の酸化クロム薄膜と5のク
ロム薄膜の位置関係が逆である点である。
ロム薄膜の位置関係が逆である点である。
本実施例では、10の液晶層を透過して4の酸化クロム
薄膜に当たった光を吸収する。第2図(a)と第2図ら
)では3の透明電極と4の酸化クロム薄膜、5のクロム
薄膜との位置関係が違うが同し効果が得られる。本実施
例は、10の液晶層を透過して4の酸化クロム薄膜に強
い光が当たる場合に有効である。
薄膜に当たった光を吸収する。第2図(a)と第2図ら
)では3の透明電極と4の酸化クロム薄膜、5のクロム
薄膜との位置関係が違うが同し効果が得られる。本実施
例は、10の液晶層を透過して4の酸化クロム薄膜に強
い光が当たる場合に有効である。
以下本発明の第3の実施例について図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第3図(a)、第3図(b)は本発明に第3の実施例に
おける液晶表示装置の断面図を示すものである。
おける液晶表示装置の断面図を示すものである。
第3図において、1は第1の基板、2は透明基板、3は
透明電極、6は第2の基板、7は絵素スイッチ素子、8
は走査線、9は絵素電極、10は液晶層であり以上は第
1図の構成と同様なものである。
透明電極、6は第2の基板、7は絵素スイッチ素子、8
は走査線、9は絵素電極、10は液晶層であり以上は第
1図の構成と同様なものである。
第1図の構成と異なるのは5のクロム薄膜の両側を4の
酸化クロム薄膜でサンドインチした3層で構成されてい
る点である。本実施例では、2の透明基板を透過して4
の酸化クロム薄膜に当たった光と10の液晶層を透過し
て4の酸化クロム薄膜に当たった光との両方を吸収する
。第3図(a)と第3図(b)では3の透明電極と4の
酸化クロム薄膜、5のクロム薄膜との位置関係が違うが
同じ効果が得られる。本実施例は、1の透明基板を透過
して4の酸化クロム薄膜に強い光が当たりかつ10の液
晶層を透過して4の酸化クロム薄膜に強い光が当たる場
合に有効である。
酸化クロム薄膜でサンドインチした3層で構成されてい
る点である。本実施例では、2の透明基板を透過して4
の酸化クロム薄膜に当たった光と10の液晶層を透過し
て4の酸化クロム薄膜に当たった光との両方を吸収する
。第3図(a)と第3図(b)では3の透明電極と4の
酸化クロム薄膜、5のクロム薄膜との位置関係が違うが
同じ効果が得られる。本実施例は、1の透明基板を透過
して4の酸化クロム薄膜に強い光が当たりかつ10の液
晶層を透過して4の酸化クロム薄膜に強い光が当たる場
合に有効である。
なお、第1の実施例、第2の実施例、第3の実施例、の
いずれの場合でも同じであるが、4の酸化クロム薄膜の
光吸収係数が大きいことが望ましいが酸化クロムは酸素
原子とクロム原子の存在比率、すなわち酸化度によって
光吸収係数が変わる。
いずれの場合でも同じであるが、4の酸化クロム薄膜の
光吸収係数が大きいことが望ましいが酸化クロムは酸素
原子とクロム原子の存在比率、すなわち酸化度によって
光吸収係数が変わる。
しかしこの条件は、次のパターニングの際のエツチング
条件をも変えるので光吸収係数とエツチング条件の両方
を加味して酸化度を決めるべきである。なおここで言う
光吸収係数は、以下のように定義される。光吸収係数を
α、酸化クロム薄膜の厚みをd、この膜に入射する光の
強度をI。、この膜を透過して出てきた光の強度を1と
するとαは、 α= (in M0/I))/d である。
条件をも変えるので光吸収係数とエツチング条件の両方
を加味して酸化度を決めるべきである。なおここで言う
光吸収係数は、以下のように定義される。光吸収係数を
α、酸化クロム薄膜の厚みをd、この膜に入射する光の
強度をI。、この膜を透過して出てきた光の強度を1と
するとαは、 α= (in M0/I))/d である。
また第1図、第2図、第3図中に示す9の絵素電極は透
明電極でも不透明電極でもかまわない。
明電極でも不透明電極でもかまわない。
たとえば透明電極としてはITOlまた不透明電極とし
てアルミニウムやクロムでもよい。
てアルミニウムやクロムでもよい。
発明の効果
以上のように本発明は、クロム薄膜と酸化クロム薄膜と
の2層、またはクロム薄膜の両側を酸化クロム薄膜でサ
ンドインチした3層で構成された遮光膜を備えることに
より製造工程を増やすことなく十分な黒レベルを創出で
きる液晶表示装置を提供することができる。
の2層、またはクロム薄膜の両側を酸化クロム薄膜でサ
ンドインチした3層で構成された遮光膜を備えることに
より製造工程を増やすことなく十分な黒レベルを創出で
きる液晶表示装置を提供することができる。
第1図は本発明の第1の実施例における液晶表示装置の
断面図、第2図は本発明の第2の実施例における液晶表
示装置の断面図、第3図は本発明の第3の実施例におけ
る液晶表示装置の断面図、第4図は従来の液晶表示装置
の断面図である。 1・・・・・・第1の基板、2・・・・・・透明基板、
3・・・・・・透明電極、4・・・・・・酸化クロム薄
膜、5・・・・・・クロム薄膜、6・・・・・・第2の
基板、7・・・・・・絵素スイッチ素子、8・・・・・
・走査線、9・・・・・・絵素電極、10・・・・・・
液晶層、11・・・・・・遮光膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名q 遣 g月 冑L& 鷺2の基卑艮 試禿スイッチ素子 定量キ泉 雄索電」五 礒晶層 t*R灸 −一−lθ
断面図、第2図は本発明の第2の実施例における液晶表
示装置の断面図、第3図は本発明の第3の実施例におけ
る液晶表示装置の断面図、第4図は従来の液晶表示装置
の断面図である。 1・・・・・・第1の基板、2・・・・・・透明基板、
3・・・・・・透明電極、4・・・・・・酸化クロム薄
膜、5・・・・・・クロム薄膜、6・・・・・・第2の
基板、7・・・・・・絵素スイッチ素子、8・・・・・
・走査線、9・・・・・・絵素電極、10・・・・・・
液晶層、11・・・・・・遮光膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名q 遣 g月 冑L& 鷺2の基卑艮 試禿スイッチ素子 定量キ泉 雄索電」五 礒晶層 t*R灸 −一−lθ
Claims (2)
- (1)可視光を透過する透明基板と透明電極と遮光膜と
を含む第1の基板と、絵素スイッチ素子と走査線と前記
絵素スイッチ素子で駆動さるマトリクス状に配置された
絵素電極を含むアクティブマトリクスアレイとが形成さ
れた第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板と
の対向間隙に封入された液晶層と、を具備して成る液晶
表示装置であって、前記遮光膜はクロム薄膜と酸化クロ
ム薄膜との2層で構成されていることを特徴とする液晶
表示装置。 - (2)可視光を透過する透明基板と透明電極と遮光膜と
を含む第1の基板と、絵素スイッチ素子と走査線と前記
絵素スイッチ素子で駆動されるマトリクス状に配置され
た絵素電極を含むアクティブマトリクスアレイとが形成
された第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板
との対向間隙に封入された液晶層と、を具備して成る液
晶表示装置であって、前記遮光膜はクロム薄膜と酸化ク
ロム薄膜から成り、前記クロム薄膜の両側を前記酸化ク
ロム薄膜でサンドイッチした3層で構成されていること
を特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2103482A JPH041725A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2103482A JPH041725A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH041725A true JPH041725A (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=14355230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2103482A Pending JPH041725A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH041725A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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EP0716334A2 (en) * | 1994-12-08 | 1996-06-12 | AT&T Corp. | Antiflector black matrix for use in display devices and method for preparation of same |
KR100247819B1 (ko) * | 1997-05-23 | 2000-03-15 | 손욱 | 칼라필터의제조방법 |
US6242140B1 (en) | 1997-05-23 | 2001-06-05 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Method for manufacturing color filter |
US7271870B2 (en) | 1995-07-25 | 2007-09-18 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device and method of making same |
US8082876B2 (en) | 2000-08-24 | 2011-12-27 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Manufacturing method of OLED display and apparatus for manufacturing the OLED display |
-
1990
- 1990-04-19 JP JP2103482A patent/JPH041725A/ja active Pending
Cited By (14)
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