JPH01100918A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01100918A JPH01100918A JP62257152A JP25715287A JPH01100918A JP H01100918 A JPH01100918 A JP H01100918A JP 62257152 A JP62257152 A JP 62257152A JP 25715287 A JP25715287 A JP 25715287A JP H01100918 A JPH01100918 A JP H01100918A
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Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法のフォトエツチング工
程における露光工程の改良に関する。
程における露光工程の改良に関する。
半導体装置の製造工程において半導体基板の所望の個所
に不純物原子を拡散させるために半導体基板表面に形成
した二酸化シリコン膜に拡散窓をあけたり、また半導体
素子と配線層との間の電気的接続を行うために眉間絶縁
膜に接続窓を形成したりするときにフォトエツチング技
術を用いる。
に不純物原子を拡散させるために半導体基板表面に形成
した二酸化シリコン膜に拡散窓をあけたり、また半導体
素子と配線層との間の電気的接続を行うために眉間絶縁
膜に接続窓を形成したりするときにフォトエツチング技
術を用いる。
フォトエツチングは選択的に加工したい例えば二酸化シ
リコン膜上にフォトレジストを塗布した後に仮硬化させ
、これに所望のパターンを有するフォトマスクを密着さ
せて紫外線を照射してフォトレジストを感光し、これを
現像して二酸化シリコン膜の上にレジストパターンを形
成する。次にこのレジストパターンをマスクとして二酸
化シリコン膜を選択的にエツチングし、所望のパターン
を形成する。
リコン膜上にフォトレジストを塗布した後に仮硬化させ
、これに所望のパターンを有するフォトマスクを密着さ
せて紫外線を照射してフォトレジストを感光し、これを
現像して二酸化シリコン膜の上にレジストパターンを形
成する。次にこのレジストパターンをマスクとして二酸
化シリコン膜を選択的にエツチングし、所望のパターン
を形成する。
ところで、フォトエツチング工程で用いるフォトレジス
トは紫外線照射によって窒素ガスを発生することは周知
である。ゆえに上記の密着露光工程においても窒素ガス
が発生し、そのガスによってフォトマスクと基板の間の
空間が増大して密着性が悪くなる。フォトマスクパター
ンとフォトレジストとの間の距離が大きくなると露光の
際フレネル回折のためレジストパターンの解像度が悪く
なり、接続窓の寸法が３μｍ以下の場合、接続窓が形成
できなくなることもある。
トは紫外線照射によって窒素ガスを発生することは周知
である。ゆえに上記の密着露光工程においても窒素ガス
が発生し、そのガスによってフォトマスクと基板の間の
空間が増大して密着性が悪くなる。フォトマスクパター
ンとフォトレジストとの間の距離が大きくなると露光の
際フレネル回折のためレジストパターンの解像度が悪く
なり、接続窓の寸法が３μｍ以下の場合、接続窓が形成
できなくなることもある。
上記欠点を改善する半導体装置の製造方法として、例え
ば特開昭５３−５５９７９号公報に示されるように、あ
らかじめガス抜き溝を形成した基板表面にフォトレジス
ト層を形成した後、該フォトレジスト層にフォトマスク
を密着させて露光を行う工程を含むことを特徴とする半
導体装置の製造方法がある。
ば特開昭５３−５５９７９号公報に示されるように、あ
らかじめガス抜き溝を形成した基板表面にフォトレジス
ト層を形成した後、該フォトレジスト層にフォトマスク
を密着させて露光を行う工程を含むことを特徴とする半
導体装置の製造方法がある。
しかし、上記従来技術は基板上にガス抜き溝を形成する
ための工程が必要になることによる半導体装置のコスト
ｕｐについては配慮されていなかった。
ための工程が必要になることによる半導体装置のコスト
ｕｐについては配慮されていなかった。
本発明の目的は半導体装置の製造方法における密着露光
工程において、工程を追加することなしに、基板とフォ
トマスクとの密着性を改善し、パターン解像性を向上さ
せることにある。
工程において、工程を追加することなしに、基板とフォ
トマスクとの密着性を改善し、パターン解像性を向上さ
せることにある。
上記目的は、密着露光工程に用いるフォトマスクにガス
抜き用の溝を設けることにより達成される。
抜き用の溝を設けることにより達成される。
上記手段によって、密着露光時にフォトレジストから発
生するガスをフォトマスクのガス抜き溝から逃がすこと
ができ、基板とフォトマスクとの密着性が良くなること
からパターン解像性が悪くなることがない。
生するガスをフォトマスクのガス抜き溝から逃がすこと
ができ、基板とフォトマスクとの密着性が良くなること
からパターン解像性が悪くなることがない。
以下、本発明の一実施例を第１図（ａ）、（ｂ）により
説明する。
説明する。
まず、シリコン半導体基板１上の被加工膜２（例えば二
酸化シリコン膜）の上にフォトレジスト（例えば０ＭＲ
８３，３５ｃｐ・・・・商品名）を３０００γｐｍで塗
布し、８５℃、３０分の熱風乾燥を行い、膜厚約１．０
μｍのレジスト膜３を形成する。
酸化シリコン膜）の上にフォトレジスト（例えば０ＭＲ
８３，３５ｃｐ・・・・商品名）を３０００γｐｍで塗
布し、８５℃、３０分の熱風乾燥を行い、膜厚約１．０
μｍのレジスト膜３を形成する。
次に第１図（ｂ）に示すような深さ約１μｍのガス抜き
溝６をスクライブパターン部の内部に有するフォトマス
ク４を用意する。このようなフォトマスクは例えば下地
のガラス基板に溝を加工しておくことで容易に作製でき
る。なお図１（ｂ）のパターン部８には所望のマスクパ
ターンを設ければよいが図中では省略した。
溝６をスクライブパターン部の内部に有するフォトマス
ク４を用意する。このようなフォトマスクは例えば下地
のガラス基板に溝を加工しておくことで容易に作製でき
る。なお図１（ｂ）のパターン部８には所望のマスクパ
ターンを設ければよいが図中では省略した。
次にフォトマスク４を基板１に設けたレジスト膜３上に
密着させると、フォトマスクとレジストの間にガス抜き
溝６の空間を生じる。
密着させると、フォトマスクとレジストの間にガス抜き
溝６の空間を生じる。
次に、この状態でフォトマスク４の上から紫外光を照射
して露光を行うと、レジスト膜３から窒素ガスが発生す
るが、ガス抜き溝６を通って外部に抜けるためにフォト
マスク４とレジスト膜３の間に溜まることはない。
して露光を行うと、レジスト膜３から窒素ガスが発生す
るが、ガス抜き溝６を通って外部に抜けるためにフォト
マスク４とレジスト膜３の間に溜まることはない。
その後、フォトマスク４を外し、レジスト膜３を現像し
て所望のパターンを形成する。そしてこのレジストパタ
ーンをマスクとして被加工膜２を選択エツチングして所
望のパターンを形成する。
て所望のパターンを形成する。そしてこのレジストパタ
ーンをマスクとして被加工膜２を選択エツチングして所
望のパターンを形成する。
以上詳細に説明したように、本発明によれば。
フォトエツチングの露光工程でフォトレジストから発生
する窒素ガスを外部に逃がすことができるので、フォト
マスクとフォトレジストを密着させることができ、レジ
ストパターンの解像度を向上させることができるので微
細なレジストパターンを得ることができる。
する窒素ガスを外部に逃がすことができるので、フォト
マスクとフォトレジストを密着させることができ、レジ
ストパターンの解像度を向上させることができるので微
細なレジストパターンを得ることができる。
本発明によればフォトエツチングの露光工程で工程追加
することなしに、レジストパターンの解像度を向上し、
微細加工ができる効果がある。
することなしに、レジストパターンの解像度を向上し、
微細加工ができる効果がある。
第１図（ａ）は本発明の一実施例の部分断面図、第１図
（ｂ）は同じく部分平面図である。 １・・・基板、２・・・被加工膜、３・・・レジスト膜
、４・・・フォトマスク、５・・・スクライブパターン
部、６・・・ガス抜き溝、７・・・紫外光、８・・・パ
ターン部。
（ｂ）は同じく部分平面図である。 １・・・基板、２・・・被加工膜、３・・・レジスト膜
、４・・・フォトマスク、５・・・スクライブパターン
部、６・・・ガス抜き溝、７・・・紫外光、８・・・パ
ターン部。
Claims (1)
- １、基板上にフォトレジスト層を形成した後、該フォト
レジスト層にガス抜き溝を設けたフォトマスクを密着さ
せて露光を行う工程を含むことを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62257152A JPH01100918A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62257152A JPH01100918A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01100918A true JPH01100918A (ja) | 1989-04-19 |
Family
ID=17302434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62257152A Pending JPH01100918A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01100918A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003110389A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Kinseki Ltd | フォトマスク |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP62257152A patent/JPH01100918A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003110389A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Kinseki Ltd | フォトマスク |
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