JP7846684B2 - 整合したバリスタを含むバリスタ・アレイ - Google Patents
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Description
[0001] 本願は、出願日が2021年3月11日である米国仮特許出願シリアル番号63/159514を出願したことの利益を主張するものであり、その出願の全体をこの参照により本願に組み込んだものとする。
[0002] ここでの主題事項は、一般に、回路板へ取り付けられるように改良された電子コンポーネントに関し、より具体的には、バリスタ・アレイに関する。
[0021] 本開示が、単なる例としての実施形態の説明であること、およびここでの主題事項の広い特徴を限定することを意図しておらず、それらの広い特徴が例示の構成において実現されることを、当業者は理解するであろう。
[0068] ここで開示されたバリスタ・アレイは、多種のデバイスにおいて応用することができる。例えば、バリスタは、無線周波数アンテナや増幅器の回路などのような様々な装置において、イーサネット(登録商標)などのような通信ラインで、用いることができる。バリスタ・アレイは、5G周波数(例えば、10GHzより大きい)などのような高周波数に関する応用に、特に適するであろう。
[0071] 下記の段落では、様々なバリスタの特性を決定するためにバリスタおよび/またはバリスタ・アレイをテストする方法の例を提供する。
[0072] ここで説明するバリスタおよび/またはバリスタ・アレイのトランジエント・エナジー・ケーパビリティは、FrothinghamのFEC CV300Bなどのような波形発生器および/またはパルス発生器を用いて測定することができる。バリスタ/バリスタ・アレイは、10×1000μsの電流波を受けることになり得る。ピーク電流値は、バリスタ/バリスタ・アレイが失敗(例えば、過熱による)せずに放散できる最大エネルギを決定するように、経験的に選択することができる。例としての電流のパルスまたは波が図5に示されている。電流(縦軸502)は、時間(横軸504)に対してプロットされている。電流は、ピーク電流値506まで増加し、その後は減衰する。「立ち上がり」時間の期間(縦の点線505で示す)は、電流パルスの開始(t=0)から、電流がピーク電流値506の90%(横の点線508で示す)に到達したときまでである。「減衰時間」(縦の点線510で示す)は、電流パルスの開始(t=0)から、電流がピーク電流値506の50%(横の点線512で示す)に戻ったときまでである。10×1000μsのパルスに関して、「立ち上がり」時間は10μsであり、減衰時間は1000μsである。
[0003] バリスタまたはバリスタ・アレイのブレークダウン電圧は、ケースレー(Keithley)の2400シリーズのソース・メジャー・ユニット(SMU)、例えば、ケースレー2410-C SMUを用いて、測定することができる。定義では、ブレークダウン電圧は、バリスタ/バリスタ・アレイの低い電流の電圧である。典型的には、ブレークダウン電圧は、電流1ミリアンペア(mA)で測定される。
[0078] クランプ電圧は、バリスタ/バリスタ・アレイのトランジション電圧または伝導の開始である。バリスタ/バリスタ・アレイは、例えば、ANSI規格C62.1に従って、8/20μs電流波を受け得る。典型的には、クランプ電圧は、電流1アンペア(A)、5A、または10Aで測定される。
[0079] ピーク電流は、例えば、8/20μs電流パルスまたは他の電流パルスを用いて測定される、バリスタ/バリスタ・アレイが耐えうる最大電流である。例としての8/20μs、10/1000μsなどの電流パルスが図5に示されている。電流(縦軸502)は、時間(横軸504)に対してプロットされている。電流は、ピーク電流値506まで増加し、その後は減衰し得る。「立ち上がり」時間の期間(縦の点線505で示す)は、電流パルスの開始(t=0)から、電流がピーク電流値506の90%(横の点線508で示す)に到達したときまでである。「立ち上がり」時間は、例えば、8μsであり得る。「減衰時間」(縦の点線510で示す)は、電流パルスの開始(t=0)から、ピーク電流値506の50%(横の点線512で示す)までである。「減衰時間」は、例えば、20μsであり得る。クランプ電圧は、電流波の間におけるバリスタ/バリスタ・アレイの最大電圧として測定される。
[0082] バリスタ/バリスタ・アレイのキャパシタンスは、ケースレーの3330 プレシジョンLCZメータを用いて、0.0ボルトのDCバイアス(0.5ボルトの自乗平均の正弦波信号)で、測定することができる。動作周波数は1MHzである。温度は室温(約23℃)であり、相対湿度は25%である。
Claims (6)
- バリスタ・アレイであって、
縦方向に垂直であるZ方向に積層された複数の誘電体層を含むモノリシック・ボディであって、第1端部と、前記第1端部から前記縦方向において離れている第2端部とを有する、モノリシック・ボディと、
前記モノリシック・ボディにおいて形成される第1バリスタと、
前記モノリシック・ボディにおいて形成され、前記第1バリスタとは別のものである第2バリスタと、を含み、
前記第1バリスタは、
前記モノリシック・ボディの前記第1端部にある第1外部端子と、
前記第1外部端子と接続される第1の複数の活性電極と、
前記モノリシック・ボディの前記第2端部にある第2外部端子と、
前記第2外部端子と接続される第2の複数の活性電極であって、前記第2の複数の活性電極のそれぞれの活性電極は、前記第1の複数の活性電極のそれぞれの活性電極と同一面にある、第2の複数の活性電極と、
第1オーバーラップ・エリアに沿って前記第1の複数の活性電極とオーバーラップする複数の浮遊電極であって、前記第1オーバーラップ・エリアは、前記第1の複数の活性電極と前記複数の浮遊電極との間での相対的なミスアライメントに関して非感受性であり、前記浮遊電極は、第2オーバーラップ・エリアに沿って前記第2の複数の活性電極とオーバーラップし、前記第2オーバーラップ・エリアは、前記第2の複数の活性電極と前記複数の浮遊電極との間の、閾値より小さい前記相対的なミスアライメントに関して非感受性である、複数の浮遊電極と、
を含み、
前記第2バリスタは、
前記第1バリスタの前記第1外部端子とは別のものである、前記モノリシック・ボディの前記第1端部にある第1外部端子と、
前記第1外部端子と接続される第1の複数の活性電極であって、前記第1バリスタの前記第1の複数の活性電極とは別のものである、前記第2バリスタの第1の複数の活性電極と、
前記第1バリスタの前記第2外部端子とは別のものである、前記モノリシック・ボディの前記第2端部にある第2外部端子と、
前記第2バリスタの前記第2外部端子と接続される第2の複数の活性電極であって、前記第1バリスタの前記第2の複数の活性電極とは別のものであり、前記第2バリスタの前記第2の複数の活性電極のそれぞれの活性電極は、前記第2バリスタの前記第1の複数の活性電極のそれぞれの活性電極と同一面にある、前記第2バリスタの第2の複数の活性電極と、
前記第1バリスタの前記複数の浮遊電極とは別のものである複数の浮遊電極であって、第1オーバーラップ・エリアに沿って前記第2バリスタの前記第1の複数の活性電極とオーバーラップし、前記第1オーバーラップ・エリアは、前記第2バリスタの前記第1の複数の活性電極と、前記第2バリスタの前記複数の浮遊電極との間の、閾値より小さい相対的なミスアライメントに関して非感受性であり、第2オーバーラップ・エリアに沿って前記第2バリスタの前記第2の複数の活性電極とオーバーラップする、前記第2バリスタの複数の浮遊電極と、
を含む、
バリスタ・アレイ。 - 請求項1記載のバリスタ・アレイであって、前記第1バリスタおよび前記第2バリスタの各々の前記複数の浮遊電極は、横方向において、それぞれ、前記第1バリスタまたは前記第2バリスタの前記第1の複数の活性電極の幅よりも大きい前記横方向の幅を有し、前記複数の浮遊電極と前記第1の複数の活性電極との間での前記第1オーバーラップ・エリアの幅が、前記第1の複数の活性電極の前記幅と等しくなるようにする、バリスタ・アレイ。
- 請求項1記載のバリスタ・アレイであって、前記第1バリスタおよび前記第2バリスタの各々の前記複数の浮遊電極は、横方向において、それぞれ、前記第1バリスタまたは前記第2バリスタの前記第1の複数の活性電極の幅よりも小さい前記横方向の幅を有し、前記複数の浮遊電極と前記第1の複数の活性電極との間での前記第1オーバーラップ・エリアの幅が、前記複数の浮遊電極の前記幅と等しくなるようにする、バリスタ・アレイ。
- 請求項1記載のバリスタ・アレイであって、前記第1バリスタは、動作周波数1MHz、温度約23℃、および相対湿度25%において、0.0ボルトの直流バイアスおよび0.5ボルトの自乗平均の正弦波信号を用いると、50pFより小さいキャパシタンスを表す、バリスタ・アレイ。
- 請求項4記載のバリスタ・アレイであって、前記第2バリスタは、動作周波数1MHz、温度約23℃、および相対湿度25%において、0.0ボルトの直流バイアスおよび0.5ボルトの自乗平均の正弦波信号を用いると、第2のキャパシタンスを表し、
前記第2バリスタが表す前記第2のキャパシタンスは、前記第1バリスタが表す前記キャパシタンスの5%内である、バリスタ・アレイ。 - バリスタ・アレイであって、
縦方向に垂直であるZ方向に積層された複数の誘電体層を含むモノリシック・ボディであって、第1端部と、前記第1端部から前記縦方向において離れている第2端部とを有するモノリシック・ボディと、
前記モノリシック・ボディにおいて形成される第1バリスタと、
前記モノリシック・ボディにおいて形成され、前記第1バリスタとは別のものである第2バリスタと、を含み、
前記第1バリスタは、
前記モノリシック・ボディの前記第1端部にある第1外部端子と、
前記第1外部端子と接続される第1の複数の活性電極と、
前記モノリシック・ボディの前記第2端部にある第2外部端子と、
前記第2外部端子と接続される第2の複数の活性電極であって、前記第2の複数の活性電極のそれぞれの活性電極は、前記第1の複数の活性電極のそれぞれの活性電極と同一面にある、第2の複数の活性電極と、
第1オーバーラップ・エリアに沿って前記第1の複数の活性電極とオーバーラップする複数の浮遊電極であって、前記浮遊電極は、第2オーバーラップ・エリアに沿って前記第2の複数の活性電極とオーバーラップする、複数の浮遊電極と、を含み、
前記第2オーバーラップ・エリアに対する前記第1オーバーラップ・エリアの比は0.9から1.1までの範囲であり、
前記第2バリスタは、
前記第1バリスタの前記第1外部端子とは別のものである、前記モノリシック・ボディの前記第1端部にある第1外部端子と、
前記第1外部端子と接続される第1の複数の活性電極であって、前記第1バリスタの前記第1の複数の活性電極とは別のものである、前記第2バリスタの第1の複数の活性電極と、
前記第1バリスタの前記第2外部端子とは別のものである、前記モノリシック・ボディの前記第2端部にある第2外部端子と、
前記第2外部端子と接続される第2の複数の活性電極であって、前記第1バリスタの前記第2の複数の活性電極とは別のものであり、前記第2バリスタの前記第2の複数の活性電極のそれぞれの活性電極は、前記第2バリスタの前記第1の複数の活性電極のそれぞれの活性電極と同一面にある、前記第2バリスタの第2の複数の活性電極と、
前記第1バリスタの前記複数の浮遊電極とは別のものである複数の浮遊電極であって、第1オーバーラップ・エリアに沿って前記第2バリスタの前記第1の複数の活性電極とオーバーラップし、第2オーバーラップ・エリアに沿って前記第2バリスタの前記第2の複数の活性電極とオーバーラップする、前記第2バリスタの複数の浮遊電極と、
を含み、
前記第2オーバーラップ・エリアに対する前記第1オーバーラップ・エリアの比は0.9から1.1までの範囲である、
バリスタ・アレイ。
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000331805A (ja) | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層型セラミックアレイ |
| JP2007500442A (ja) | 2003-07-30 | 2007-01-11 | イノチップス・テクノロジー・カンパニー・リミテッド | 複合積層チップ素子 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214671Y2 (ja) * | 1980-04-03 | 1987-04-15 | ||
| JPS5725392Y2 (ja) | 1980-12-17 | 1982-06-02 | ||
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| US4513350A (en) * | 1984-02-02 | 1985-04-23 | Sprague Electric Company | Monolithic ceramic capacitor and method for manufacturing to predetermined capacity value |
| JP2766085B2 (ja) * | 1991-03-08 | 1998-06-18 | 太陽誘電株式会社 | 積層体の製造方法 |
| JP2888020B2 (ja) | 1992-02-27 | 1999-05-10 | 株式会社村田製作所 | 負特性積層サーミスタ |
| JPH07263270A (ja) * | 1994-03-23 | 1995-10-13 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2002184608A (ja) * | 2000-12-14 | 2002-06-28 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型バリスタ |
| JP4561430B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2010-10-13 | Tdk株式会社 | 積層型チップバリスタ |
| US7705708B2 (en) | 2005-04-01 | 2010-04-27 | Tdk Corporation | Varistor and method of producing the same |
| US20070041141A1 (en) * | 2005-08-19 | 2007-02-22 | Sheng-Ming Deng | Over-voltage suppressor and process of preparing over-voltage protection material |
| DE102006013227A1 (de) * | 2005-11-11 | 2007-05-16 | Epcos Ag | Elektrisches Vielschichtbauelement |
| KR100711092B1 (ko) * | 2006-01-17 | 2007-04-24 | 주식회사 아모텍 | 적층형 칩 소자 |
| JP2009004466A (ja) * | 2007-06-20 | 2009-01-08 | Panasonic Corp | 積層バリスタの製造方法並びにその選別装置 |
| JP2012009679A (ja) | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Tdk Corp | セラミック電子部品及びその製造方法 |
| JP5278476B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2013-09-04 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ |
| KR20140065255A (ko) | 2012-11-21 | 2014-05-29 | 삼성전기주식회사 | 어레이형 적층 세라믹 전자 부품, 그 회로 기판 실장 구조 및 그 제조 방법 |
| DE102013102686B4 (de) * | 2013-03-15 | 2026-02-12 | Tdk Electronics Ag | Elektronisches Bauelement |
| AU2018374354A1 (en) * | 2017-12-01 | 2020-06-11 | KYOCERA AVX Components Corporation | Low aspect ratio varistor |
| MX2020008622A (es) * | 2018-03-05 | 2021-01-15 | Kyocera Avx Components Corp | Varistor en cascada con mejores capacidades de manejo de energia. |
| US11705280B2 (en) * | 2019-04-25 | 2023-07-18 | KYOCERA AVX Components Corporation | Multilayer capacitor having open mode electrode configuration and flexible terminations |
| US11670453B2 (en) * | 2020-07-20 | 2023-06-06 | Knowles UK Limited | Electrical component having layered structure with improved breakdown performance |
-
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000331805A (ja) | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層型セラミックアレイ |
| JP2007500442A (ja) | 2003-07-30 | 2007-01-11 | イノチップス・テクノロジー・カンパニー・リミテッド | 複合積層チップ素子 |
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| Publication number | Publication date |
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