JP7785771B2 - 熱処理方法、熱処理装置、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
熱処理方法、熱処理装置、及び半導体装置の製造方法Info
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Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021106779 | 2021-06-28 | ||
| JP2021106779 | 2021-06-28 | ||
| PCT/JP2021/042254 WO2023276182A1 (ja) | 2021-06-28 | 2021-11-17 | 熱処理方法、熱処理装置、及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2023276182A1 JPWO2023276182A1 (https=) | 2023-01-05 |
| JP7785771B2 true JP7785771B2 (ja) | 2025-12-15 |
Family
ID=84692241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023531344A Active JP7785771B2 (ja) | 2021-06-28 | 2021-11-17 | 熱処理方法、熱処理装置、及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7785771B2 (https=) |
| CN (1) | CN117546272A (https=) |
| WO (1) | WO2023276182A1 (https=) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2002231628A (ja) | 2001-02-01 | 2002-08-16 | Sony Corp | 半導体薄膜の形成方法及び半導体装置の製造方法、これらの方法の実施に使用する装置、並びに電気光学装置 |
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| JP2018064048A (ja) | 2016-10-14 | 2018-04-19 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58103140A (ja) * | 1981-12-16 | 1983-06-20 | Fujitsu Ltd | レ−ザアニ−ル方法 |
-
2021
- 2021-11-17 JP JP2023531344A patent/JP7785771B2/ja active Active
- 2021-11-17 CN CN202180099818.1A patent/CN117546272A/zh active Pending
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Patent Citations (6)
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| JP2016119470A (ja) | 2014-12-17 | 2016-06-30 | ウルトラテック インク | 超短期滞留時間でのレーザアニーリングシステム及び方法 |
| JP2018064048A (ja) | 2016-10-14 | 2018-04-19 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117546272A (zh) | 2024-02-09 |
| WO2023276182A1 (ja) | 2023-01-05 |
| JPWO2023276182A1 (https=) | 2023-01-05 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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