JPWO2023276182A1 - - Google Patents
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P34/00—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices
- H10P34/40—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices with high-energy radiation
- H10P34/42—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices with high-energy radiation with electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
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Citations (7)
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|---|---|---|---|---|
| JPS58103140A (ja) * | 1981-12-16 | 1983-06-20 | Fujitsu Ltd | レ−ザアニ−ル方法 |
| JP2002231628A (ja) * | 2001-02-01 | 2002-08-16 | Sony Corp | 半導体薄膜の形成方法及び半導体装置の製造方法、これらの方法の実施に使用する装置、並びに電気光学装置 |
| JP2005333117A (ja) * | 2004-04-23 | 2005-12-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射装置及び半導体装置の作製方法 |
| JP2009518864A (ja) * | 2005-12-05 | 2009-05-07 | ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク | 膜を加工するためのシステム及び方法並びに薄膜 |
| JP2011044502A (ja) * | 2009-08-19 | 2011-03-03 | Sony Corp | 光照射装置及びアニール装置 |
| JP2016119470A (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-30 | ウルトラテック インク | 超短期滞留時間でのレーザアニーリングシステム及び方法 |
| JP2018064048A (ja) * | 2016-10-14 | 2018-04-19 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 |
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58103140A (ja) * | 1981-12-16 | 1983-06-20 | Fujitsu Ltd | レ−ザアニ−ル方法 |
| JP2002231628A (ja) * | 2001-02-01 | 2002-08-16 | Sony Corp | 半導体薄膜の形成方法及び半導体装置の製造方法、これらの方法の実施に使用する装置、並びに電気光学装置 |
| JP2005333117A (ja) * | 2004-04-23 | 2005-12-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射装置及び半導体装置の作製方法 |
| JP2009518864A (ja) * | 2005-12-05 | 2009-05-07 | ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク | 膜を加工するためのシステム及び方法並びに薄膜 |
| JP2011044502A (ja) * | 2009-08-19 | 2011-03-03 | Sony Corp | 光照射装置及びアニール装置 |
| JP2016119470A (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-30 | ウルトラテック インク | 超短期滞留時間でのレーザアニーリングシステム及び方法 |
| JP2018064048A (ja) * | 2016-10-14 | 2018-04-19 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
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|---|---|
| CN117546272A (zh) | 2024-02-09 |
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