JP7770335B2 - 熱電変換モジュールの製造方法 - Google Patents

熱電変換モジュールの製造方法

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Citations (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001102643A (ja) 1999-09-27 2001-04-13 Seiko Instruments Inc 熱電素子の製造方法
JP2001352107A (ja) 2000-06-07 2001-12-21 Nissan Motor Co Ltd 熱電変換モジュールの製造方法
JP2003258323A (ja) 2002-03-07 2003-09-12 Citizen Watch Co Ltd 熱電素子
JP2004104041A (ja) 2002-09-13 2004-04-02 Sony Corp 熱電変換装置及びその製造方法
JP2004207486A (ja) 2002-12-25 2004-07-22 Okano Electric Wire Co Ltd 熱電変換モジュールの製造方法
JP2005019767A (ja) 2003-06-27 2005-01-20 Yamaha Corp 熱電変換モジュールの製造方法
US20100163090A1 (en) 2008-12-31 2010-07-01 Industrial Technology Research Institute Thermoelectric device and fabrication method thereof, chip stack structure, and chip package structure
JP2010161297A (ja) 2009-01-09 2010-07-22 Toshiba Corp 熱電変換モジュールおよびその製造方法
JP2011176073A (ja) 2010-02-24 2011-09-08 Aisin Seiki Co Ltd 高密度熱電変換素子の製造方法
WO2014045353A1 (ja) 2012-09-19 2014-03-27 富士通株式会社 発電装置、測定装置及び測定システム
JP2014146708A (ja) 2013-01-29 2014-08-14 Fujifilm Corp 熱電発電モジュール
JP2016500201A (ja) 2013-10-18 2016-01-07 コリア・アドバンスト・インスティテュート・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー メッシュ状基板を用いたフレキシブル熱電素子およびその製造方法
WO2017052646A1 (en) 2015-09-25 2017-03-30 Intel Corporation Island transfer for optical, piezo and rf applications
JP2017098283A (ja) 2015-11-18 2017-06-01 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
WO2018139475A1 (ja) 2017-01-27 2018-08-02 リンテック株式会社 フレキシブル熱電変換素子及びその製造方法
WO2018181661A1 (ja) 2017-03-30 2018-10-04 リンテック株式会社 熱電変換デバイス
JP2019500757A (ja) 2015-10-27 2019-01-10 コリア アドバンスト インスティチュート オブ サイエンス アンド テクノロジー 柔軟な熱電素子及びその製造方法
JP2019102808A (ja) 2017-12-06 2019-06-24 三菱マテリアル株式会社 絶縁伝熱基板、熱電変換モジュール、及び、絶縁伝熱基板の製造方法
WO2020045376A1 (ja) 2018-08-28 2020-03-05 リンテック株式会社 熱電変換材料のチップの製造方法及びその製造方法により得られたチップを用いた熱電変換モジュールの製造方法
WO2020071424A1 (ja) 2018-10-05 2020-04-09 リンテック株式会社 熱電変換材料のチップ
WO2020196709A1 (ja) 2019-03-28 2020-10-01 リンテック株式会社 熱電変換材料のチップの製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4459428A (en) * 1982-04-28 1984-07-10 Energy Conversion Devices, Inc. Thermoelectric device and method of making same
JP3528471B2 (ja) * 1996-02-26 2004-05-17 松下電工株式会社 熱電モジュールの製造方法
KR20160028697A (ko) * 2014-09-04 2016-03-14 한국전기연구원 벌크형 소면적 열전모듈 및 그 제조방법
KR20170019109A (ko) * 2015-08-11 2017-02-21 홍익대학교 산학협력단 열전모듈의 제조방법 및 이에 의해 제조된 열전모듈
JP6750404B2 (ja) 2015-09-18 2020-09-02 三菱マテリアル株式会社 熱電変換モジュール及び熱電変換装置並びに熱電変換モジュールの製造方法

Patent Citations (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001102643A (ja) 1999-09-27 2001-04-13 Seiko Instruments Inc 熱電素子の製造方法
JP2001352107A (ja) 2000-06-07 2001-12-21 Nissan Motor Co Ltd 熱電変換モジュールの製造方法
JP2003258323A (ja) 2002-03-07 2003-09-12 Citizen Watch Co Ltd 熱電素子
JP2004104041A (ja) 2002-09-13 2004-04-02 Sony Corp 熱電変換装置及びその製造方法
JP2004207486A (ja) 2002-12-25 2004-07-22 Okano Electric Wire Co Ltd 熱電変換モジュールの製造方法
JP2005019767A (ja) 2003-06-27 2005-01-20 Yamaha Corp 熱電変換モジュールの製造方法
US20100163090A1 (en) 2008-12-31 2010-07-01 Industrial Technology Research Institute Thermoelectric device and fabrication method thereof, chip stack structure, and chip package structure
JP2010161297A (ja) 2009-01-09 2010-07-22 Toshiba Corp 熱電変換モジュールおよびその製造方法
JP2011176073A (ja) 2010-02-24 2011-09-08 Aisin Seiki Co Ltd 高密度熱電変換素子の製造方法
WO2014045353A1 (ja) 2012-09-19 2014-03-27 富士通株式会社 発電装置、測定装置及び測定システム
JP2014146708A (ja) 2013-01-29 2014-08-14 Fujifilm Corp 熱電発電モジュール
JP2016500201A (ja) 2013-10-18 2016-01-07 コリア・アドバンスト・インスティテュート・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー メッシュ状基板を用いたフレキシブル熱電素子およびその製造方法
WO2017052646A1 (en) 2015-09-25 2017-03-30 Intel Corporation Island transfer for optical, piezo and rf applications
JP2019500757A (ja) 2015-10-27 2019-01-10 コリア アドバンスト インスティチュート オブ サイエンス アンド テクノロジー 柔軟な熱電素子及びその製造方法
JP2017098283A (ja) 2015-11-18 2017-06-01 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
WO2018139475A1 (ja) 2017-01-27 2018-08-02 リンテック株式会社 フレキシブル熱電変換素子及びその製造方法
WO2018181661A1 (ja) 2017-03-30 2018-10-04 リンテック株式会社 熱電変換デバイス
WO2018179544A1 (ja) 2017-03-30 2018-10-04 リンテック株式会社 熱電変換モジュール及びその製造方法
WO2018181660A1 (ja) 2017-03-30 2018-10-04 リンテック株式会社 熱電変換素子層及びその製造方法
JP2019102808A (ja) 2017-12-06 2019-06-24 三菱マテリアル株式会社 絶縁伝熱基板、熱電変換モジュール、及び、絶縁伝熱基板の製造方法
WO2020045376A1 (ja) 2018-08-28 2020-03-05 リンテック株式会社 熱電変換材料のチップの製造方法及びその製造方法により得られたチップを用いた熱電変換モジュールの製造方法
WO2020071424A1 (ja) 2018-10-05 2020-04-09 リンテック株式会社 熱電変換材料のチップ
WO2020196709A1 (ja) 2019-03-28 2020-10-01 リンテック株式会社 熱電変換材料のチップの製造方法

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