JP7705877B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本開示は、表示装置に関し、特に、複数の半導体発光素子を有する表示装置に関する。

複数の半導体発光素子を有する表示装置として、サブ画素を形成する半導体発光素子を複数有する表示パネルと、駆動回路を有する駆動基板とを備え、それぞれの半導体発光素子と駆動基板とを電気的に接続する接合部としてバンプ（Ｂｕｍｐ）接合部を有する装置が提案されている。従来、バンプ接合部は、特許文献１に示されるように、表示パネルから駆動基板に向かう方向を下方向とする場合に半導体発光素子の直下に配置されている。

特開２０１８－１８２２８２号公報

特許文献１の技術では、一つのサブ画素に存在している半導体発光素子から下方向に漏れ出た光が、バンプ接合部で散乱された際に、散乱光が形成される。特許文献１の技術には、そのサブ画素に対して隣接するサブ画素に向けて散乱光が漏れ出ることを避ける点で改善の余地がある。

本開示は、上述した点に鑑みてなされたものであり、一つのサブ画素の半導体発光素子から下方向に漏れ出た光が接合部で散乱された際に形成される散乱光が、隣接するサブ画素に漏れ出ることを抑制可能な表示装置の提供を目的の一つとする。

本開示は、例えば、 発光層を備えた半導体発光素子を複数有する表示パネルと、
駆動回路を有し前記表示パネルに向かい合う駆動基板と、
複数の前記半導体発光素子をそれぞれ前記駆動基板に電気的に接続する複数の接合部とを備え、
前記表示パネルと前記駆動基板の向き合う方向を視線方向とした場合に、前記半導体発光素子の発光領域の中心の位置と、該半導体発光素子に接合される前記接合部の中心の位置とが、互いにずれ、
前記発光領域の一部に前記駆動基板に向かって光が伝搬する通り抜け領域が形成されており、
前記接合部は、凸状に湾曲した側面部を有し、前記接合部の端部と前記側面部との間に前記側面部よりも緩やかな傾斜の延設面が形成されており、
前記表示パネルと前記駆動基板の向き合う方向を視線方向とした場合に、前記延設面が通り抜け領域に向かい合っている、表示装置である。

図１は、第１の実施形態にかかる表示装置の一実施例の概略断面図である。 図２は、第１の実施形態にかかる表示装置の一実施例の概略平面図である。 図３は、第１の実施形態にかかる表示装置の変形例を示す概略断面図である。 図４は、第１の実施形態にかかる表示装置の変形例を示す概略断面図である。 図５は、第１の実施形態にかかる表示装置の変形例を示す概略平面図である。 図６は、第１の実施形態にかかる表示装置の変形例を示す概略平面図である。 図７は、第１の実施形態にかかる表示装置の変形例を示す概略平面図である。 図８は、第１の実施形態にかかる表示装置の変形例を示す概略平面図である。 図９は、第１の実施形態にかかる表示装置の変形例を示す概略平面図である。 図１０は、第１の実施形態にかかる表示装置の変形例を示す概略平面図である。 図１１は、第１の実施形態にかかる表示装置の変形例を示す概略平面図である。 図１２Ａから図１２Ｅは、第１の実施形態にかかる表示装置の製造方法の一実施例を説明するための概略断面図である。 図１３Ａから図１３Ｃは、第１の実施形態にかかる表示装置の製造方法の一実施例を説明するための概略断面図である。 図１４Ａから図１４Ｄは、第１の実施形態にかかる表示装置の製造方法の一実施例を説明するための概略断面図である。 図１５は、第２の実施形態にかかる表示装置の一実施例の概略断面図である。 図１６は、第２の実施形態にかかる表示装置の一実施例の概略平面図である。 図１７は、第２の実施形態にかかる表示装置の他の一実施例を示す概略断面図である。 図１８は、第２の実施形態にかかる表示装置の変形例を示す概略平面図である。 図１９は、第２の実施形態にかかる表示装置の変形例を示す概略平面図である。 図２０は、第２の実施形態にかかる表示装置の変形例を示す概略平面図である。 図２１は、第２の実施形態にかかる表示装置の変形例を示す概略平面図である。 図２２は、第２の実施形態にかかる表示装置の変形例を示す概略平面図である。 図２３は、第２の実施形態にかかる表示装置の変形例を示す概略平面図である。 図２４Ａから図２４Ｄは、第２の実施形態にかかる表示装置の製造方法の一実施例を説明するための概略断面図である。 図２５は、第３の実施形態にかかる表示装置の一実施例の概略断面図である。 図２６Ａから図２６Ｄは、第３の実施形態にかかる表示装置の製造方法の一実施例を説明するための概略断面図である。 図２７Ａから図２７Ｅは、第３の実施形態にかかる表示装置の製造方法の一実施例を説明するための概略断面図である。

以下、本開示にかかる一実施例等について図面を参照しながら説明する。なお、説明は以下の順序で行う。本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

なお、説明は以下の順序で行うものとする。
１．第１の実施形態
２．第２の実施形態
３．第３の実施形態

以下の説明は本開示の好適な具体例であり、本開示の内容は、これらの実施形態等に限定されるものではない。また、以下の説明において、説明の便宜を考慮して前後、左右、上下等の方向を示すが、本開示の内容はこれらの方向に限定されるものではない。図１、図２等の例では、Ｚ軸方向を上下方向（上側が＋Ｚ方向、下側が－Ｚ方向）、Ｘ軸方向を前後方向（前側が＋Ｘ方向、後ろ側が－Ｘ方向）、Ｙ軸方向を左右方向（右側が＋Ｙ方向、左側が－Ｙ方向）であるものとし、これに基づき説明を行う。これは、図３から図２７についても同様である。図１等の各図に示す各層の大きさや厚みの相対的な大小比率は便宜上の記載であり、実際の大小比率を限定するものではない。これらの方向に関する定めや大小比率については、図３から図２７までの各図についても同様である。

［１ 第１の実施形態］
［１－１ 表示装置の構成］
第１の実施形態にかかる表示装置１は、図１に示すように、複数の半導体発光素子３を有する表示パネル２と、駆動回路を有する駆動基板４と、半導体発光素子３と駆動基板４とを電気的に接続する接合部とを備える。図１は、第１の実施形態にかかる表示装置１の構成の一例を示す断面図である。なお、第１の実施形態にかかる表示装置１については、後述するように接合部がバンプ接合部５である。

また、図１等では、説明の便宜上、表示パネル２と駆動基板４の向き合う方向（以下単に、対向方向と呼ぶことがある。）に平行にＺ軸が規定され、Ｘ軸とＹ軸で規定される二次元平面の面内方向と表示パネル２の主面の面内方向とが揃っている。また図１、図２等の例では、半導体発光素子３はマトリクス状に配置されており、半導体発光素子３の配列方向に沿ってＸ軸とＹ軸が定められている。図２は、図１の例の表示装置１の半導体発光素子３の配列を示す概略平面図である。図２では、説明の便宜上、発光層１２から－Ｚ方向の発光層１２、第２化合物半導体層１１、第２電極９、接合部（バンプ接合部５）の配置が図示されており、他の層等についての記載は省略されている。このことは、図５から図１１、図１６、図１８から図２３に記載された表示装置１の半導体発光素子３の配列を示す概略平面図についても同様である。また図２では、シード層１５の記載も省略している。これについては、図３から図２７についても同様である。なお、表示パネル２と駆動基板４の向き合う方向を視線方向とする場合とは、図１の例では、Ｚ軸に沿った方向を視線方向とした場合を示すものとする。また、表示装置１において、後述する単位領域Ｒの法線方向（Ｚ軸）に沿って、駆動基板４から表示パネル２に向かう方向（＋Ｚ方向）を上方向とし、表示パネル２から駆動基板４に向かう方向上を下方向（－Ｚ方向）とする。

（表示パネル）
表示パネル２は、複数の半導体発光素子３を有する。表示パネル２には、その所定の領域に画像表示領域が定められている。画像表示領域には、通常、サブ画素から形成された画素が所定の配置パターンで多数形成される。図２の例では、色の異なる３種類のサブ画素で形成された画素がマトリクス状に多数形成されている。例えば図２の例において、３種類のサブ画素の組み合わせがＸ軸方向に沿って並べられており、Ｙ軸方向に沿って、同色のサブ画素が列をなして並べられていてもよい。サブ画素１つに対して１つの半導体発光素子３が対応する。図１、図２等の例では、半導体発光素子３を構成する後述の積層構造体７がサブ画素ごとに形成されることになり、複数の積層構造体７の群が画像表示領域に形成される。

（半導体発光素子）
半導体発光素子３は、図１の例では、素子基板６と、化合物半導体積層構造体（以下単に「積層構造体」という。）７と、第１電極８と、第２電極９とを備える。

（素子基板）
素子基板６は、積層構造体７を支持する。素子基板６は、積層構造体７側となる第１の主面と、それとは反対側となる第２の主面とを有する。素子基板６は、例えば、ＧａＡｓ基板、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板、アルミナ基板、サファイア基板、ＺｎＳ基板、ＺｎＯ基板、ＡｌＮ基板、ＬｉＭｇＯ基板、ＬｉＧａＯ_２基板、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４基板、ＩｎＰ基板、Ｓｉ基板、Ｇｅ基板、ＧａＰ基板、ＡｌＰ基板、ＩｎＮ基板、ＡｌＧａＩｎＮ基板、ＡｌＧａＮ基板、ＡｌＩｎＮ基板、ＧａＩｎＮ基板、ＡｌＧａＩｎＰ基板、ＡｌＧａＰ基板、ＡｌＩｎＰ基板またはＧａＩｎＰ基板である。素子基板６の第１の主面に下地層やバッファ層等が設けられていてもよい。

（積層構造体）
積層構造体７は、素子基板６の第１の主面上に設けられている。積層構造体７は、素子基板６側とは反対側となる第１の主面７１と、素子基板６側となる第２の主面７２とを有している。

積層構造体７は、積層された複数の化合物半導体層を備える。具体的には、積層構造体７は、第１化合物半導体層１０と、第２化合物半導体層１１と、発光層１２とを備える。発光層１２は、第１化合物半導体層１０と第２化合物半導体層１１の間に設けられている。但し、積層構造体７の構成はこれに限定されるものではなく、上記以外の積層構造を備えるようにしてもよい。

第１化合物半導体層１０は、発光層１２側となる第１の主面と、発光層１２側とは反対側となる第２の主面とを有する。

第１化合物半導体層１０は第１導電型を有し、第２化合物半導体層１１は、第１導電型と反対の導電型である第２導電型を有する。具体的には、第１化合物半導体層１０はｎ型を有し、第２化合物半導体層１１はｐ型を有する。

第１化合物半導体層１０および第２化合物半導体層１１は、化合物半導体を含む。化合物半導体は、例えば、ＧａＮ系化合物半導体（ＡｌＧａＮ混晶、ＡｌＩｎＧａＮ混晶またはＩｎＧａＮ混晶を含む）、ＩｎＮ系化合物半導体、ＩｎＰ系化合物半導体、ＡｌＮ系化合物半導体、ＧａＡｓ系化合物半導体、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体、ＡｌＧａＩｎＡｓ系化合物半導体、ＡｌＡｓ系化合物半導体、ＧａＩｎＡｓ系化合物半導体、ＧａＩｎＡｓＰ系化合物半導体、ＧａＰ系化合物半導体またはＧａＩｎＰ系化合物半導体である。

第１化合物半導体層１０に添加されるｎ型不純物は、例えば、ケイ素（Ｓｉ）、セレン（Ｓｅ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）、炭素（Ｃ）またはチタン（Ｔｉ）である。第２化合物半導体層１１に添加されるｐ型不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）、カドミウム（Ｃｄ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）または酸素（Ｏ）である。

発光層１２は、化合物半導体を含む。化合物半導体としては、第１化合物半導体層１０および第２化合物半導体層１１と同様の材料を例示することができる。発光層１２は、単一の化合物半導体層から構成されていてもよいし、単一量子井戸構造（ＳＱＷ構造）または多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）を有していてもよい。

（第１電極）
表示パネル２には、第１電極８が設けられている。図１の例では、第１電極８は、複数の積層構造体７の群を取り囲むように、第１化合物半導体層１０の表面領域（第１の主面側）に配置されており、第１化合物半導体層１０に電気的に接続されている。第１電極８は、複数の積層構造体７全てに共通する第１化合物半導体層１０と連結される。第１電極８は、複数の半導体発光素子３における共通電極として機能する。

第１電極８の材料としては、例えば、酸化インジウム、インジウム－錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＳｎドープのＩｎ_２Ｏ_３、結晶性ＩＴＯおよびアモルファスＩＴＯを含む）、インジウム－亜鉛酸化物（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、インジウム－ガリウム酸化物（ＩＧＯ）、インジウム・ドープのガリウム－亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ、Ｉｎ－ＧａＺｎＯ_４）、ＩＦＯ（ＦドープのＩｎ_２Ｏ_３）、酸化錫（ＳｎＯ_２）、ＡＴＯ（ＳｂドープのＳｎＯ２）、ＦＴＯ（ＦドープのＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ、ＡｌドープのＺｎＯやＢドープのＺｎＯ、ＧａドープのＺｎＯを含む）、酸化アンチモン、スピネル型酸化物またはＹｂＦｅ_２Ｏ_４構造を有する酸化物を挙げることができる。第１電極８は、ガリウム酸化物、チタン酸化物、ニオブ酸化物またはニッケル酸化物等を母層とする透明導電層であってもよい。

第１電極８は、例えば、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、金（Ａｕ）および銀（Ａｇ）からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を含んでもよい。

第１電極８は、単層構成であってもよいし、多層構成（例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）であってもよい。

（第２電極）
第２電極９は、それぞれの積層構造体７の第２化合物半導体層１１に対して個別に電気的に接続される。図１、図２の例では、第２電極９は、第２化合物半導体層１１の真下から後述する絶縁層１４上に向けて－Ｘ方向に延び出ている。第２電極９が、第２化合物半導体層１１の真下を基点として真下から離れた位置まで延び出た形状に形成されていることで、後述するシード層１５を省略しても、単位領域Ｒの中心Ｃ_Ｒから外れた位置にバンプ接合部５を形成することが容易となる。

また、積層構造体７の下側（－Ｚ方向側）の一部の領域には、第２電極９の非形成部分が存在している。この非形成部分は、後述するように第２電極９、シード層１５及び無機膜１６の積層体の非形成部１３を形成しており、非形成部１３により隣り合う半導体発光素子３間で第２電極９が分離される。

第２電極９は、後述するシード層１５と同様の形状に形成されてよいし、シード層１５とは異なる形状に形成されてもよい。第２電極９とシード層１５を同形状に形成することが、第２電極９の形成工程とシード層１５の形成工程をまとめることができる点で表示装置の製造工程数の削減をもたらす観点からは好ましい。

第２電極９については、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、タングステン（Ｗ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、Ｃｕ（銅）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）およびインジウム（Ｉｎ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属（合金を含む）を材料として挙げることができる。

第２電極９は、単層構成を有してもよいし、多層構成を有してもよい。多層構成としては、Ｔｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ／Ｐｔ、Ｎｉ／Ｐｔ、Ｐｄ／ＰｔまたはＡｇ／Ｐｄ等を例示することができる。なお、多層構成における「／」の前の層ほど、より発光層１２側に位置する。以下の説明においても同様である。

（絶縁層）
素子基板６上の隣り合う積層構造体７の間に絶縁層１４が形成されている。絶縁層１４により、隣り合う積層構造体７が分離される。絶縁層１４は、複数の開口部１４Ａを有し、分離された積層構造体７の第２化合物半導体層１１が開口部１４Ａから露出している。絶縁層１４は、図１の例に示すように、第２化合物半導体層１１の第１の面の周縁部から側面（端面）にかけての部分を覆っていてもよい。本明細書において、第１の面の周縁部とは、第１の面の周縁から内側に向かって、所定の幅を有する領域をいう。

絶縁層１４としては、例えば、ＳｉＯ_Ｘ系材料、ＳｉＮ_Ｙ系材料、ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙ系材料、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＡｌＮまたはＡｌ_２Ｏ_３を含む層を挙げることができる。

（半導体発光素子の配置及び形状）
図１、図２の例に示す表示装置１は、素子基板６上に複数の積層構造体７が配置されていることで、複数の半導体発光素子３の群を表示パネル２に形成している。また、複数の半導体発光素子３は、表示パネル２と駆動基板４の向き合う方向を視線方向とした場合に、二次元的に配置されている。複数の半導体発光素子３の配置パターンは、サブ画素のパターンに応じて定められる。図２の例では、Ｚ軸方向を視線方向とした場合に、複数の半導体発光素子３は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向にマトリクス状に配置された状態となっている。半導体発光素子３の形状は、半導体発光素子３の配置と同様に、表示装置１の画素や副画素に応じて定められる。半導体発光素子３の形状は、円形状、六角形状、矩形状（正方形、長方形）などを例示することができる。図２の例では、Ｚ軸方向を視線方向とした場合に、半導体発光素子３の形状は、矩形状に形成されている。

（発光色）
複数の半導体発光素子３の発光色は、１種類でもよいし、２種類以上であってもよい。例えば、半導体発光素子３の発光色が、赤色、緑色及び青色の３種類でもよい。図２の例の場合、半導体発光素子の配列は、Ｘ軸方向に、赤色、緑色、青色の発光色の半導体発光素子（赤色半導体発光素子、緑色半導体発光素子、青色半導体発光素子）が、繰り返し配列され、Ｙ軸方向には、同色の発光色の半導体発光素子が配列されていてもよい。この例の場合、半導体発光素子の発光色は、３種類となり、Ｘ軸方向に隣り合う半導体発光素子の発光色が互いに異なり、Ｙ軸方向に隣り合う半導体発光素子の発光色が同一となる。なお、個々の半導体発光素子が個々のサブ画素に配置されるので、その例では、Ｘ軸方向に並ぶ３種類の半導体発光素子で形成される３つのサブ画素で１つの画素が形成されてよい。

（個々の半導体発光素子の発光領域（単位領域））
表示装置１においては、Ｚ軸方向を視線方向とした場合に、それぞれの半導体発光素子３について個別に発光領域が特定される。本明細書においては、この特定された発光領域を単位領域Ｒと呼ぶ。

上記した半導体発光素子３に対して定められる発光領域は、Ｚ軸方向を視線方向とした場合に、発光層１２の発光領域（ＸＹ平面上に認められる領域）を示す。

図１、図２の例では、発光層１２の形成領域全体が発光領域となっており、すなわちＺ軸方向を視線方向とした場合に認められる発光層１２の存在領域が単位領域Ｒとなっている。なお、このことは、図３から図２７についても同様であり、すなわち、本明細書においては、単位領域Ｒが発光層１２の発光領域である、図１から図２７を用いた説明を続ける。

表示装置１においては、図２等に示すように、隣り合う単位領域Ｒが離間しており、複数の単位領域Ｒが二次元的に配列されている。単位領域Ｒの配列パターン及び個々の単位領域の形状は、半導体発光素子３の配列パターン及び形状に応じて定められる。図１、図２の例では単位領域Ｒの配列は、マトリクス状に形成され、単位領域Ｒの形状は、矩形状である。単位領域Ｒの配列方向は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向となっている。

単位領域Ｒの中心は、単位領域Ｒの幾何中心を示し、図１、図２の例においては符号Ｃ_Ｒで示す。例えば、単位領域Ｒの形状がほぼ矩形である場合は、単位領域Ｒの中心Ｃ_Ｒは、その矩形に定められる２つの対角線の交点またはその近傍に位置する。単位領域Ｒの形状がほぼ正多角形である場合は、単位領域Ｒの中心Ｃ_Ｒは、その正多角形の外接円のほぼ中心に位置する。単位領域Ｒの形状がほぼ円の場合は、単位領域Ｒの中心Ｃ_Ｒは、その円のほぼ中心に位置する。単位領域Ｒの形状がほぼ楕円の場合は、単位領域Ｒの中心Ｃ_Ｒは、その楕円の長軸と短軸の交点またはその近傍に位置する。これらのことは、図２から図２７についても同様である。

（シード層）
表示パネル２には、図１に示すように、半導体発光素子３ごとに、後述するバンプ接合部５の表示パネル２に対する接合性を高めるためのシード層１５が設けられていることが好ましい。シード層１５は、バンプ接合部５及び第２電極９の両方に対して電気的に接続される。図１に示すシード層１５は、積層構造体７の直下から絶縁層１４上に延び出た領域にかけて形成される。これにより、単位領域Ｒの中心Ｃ_Ｒからずれた位置にバンプ接合部５を配置することが容易となる。なお説明の便宜上、シード層１５の記載は、図２から図２７では省略している。

シード層１５の配置パターンは、既述したように第２電極９と同様であることが好ましい。第２電極９と同様の配置パターンで形成されていると、第２電極９とシード層１５を作成する工程を併合することができ、既述したように製造コストを減じることができる。また、第２電極９の非形成部分の形成位置に応じてシード層１５にも非形成部分が形成される。

シード層１５の材料は、半導体発光素子３とバンプ接合部５との密着性を向上させる観点からは、バンプ接合部５を形成する材料との親和性を有することが好ましい。また、シード層１５の材料は、バンプ接合部５を形成する材料とは合金化を生じにくい導電性金属であることが好ましい。このような材料としては、ニッケル（Ｎｉ）などの金属を例示することができる。この場合、シード層１５は、バンプ接合部５を形成する材料が半導体発光素子３側にバンプ接合部５の一方の接続端５Ａから拡散することを抑制するバリアメタル層としての機能を兼ねることができる。

（無機膜）
表示パネル２においては、第１の主面側となるバンプ接合部５との接続面には、バンプ接合部５との対面領域を除く領域に無機膜１６が形成されていてもよい。無機膜１６が形成されていることで、第２電極９やシード層１５を保護することができる。第２電極９の非形成部分の形成位置に応じて無機膜１６にも非形成部分が形成される。

（非形成部１３）
図１に示す例では、素子基板６の積層構造体７の形成面側に、第２電極９、シード層１５および無機膜１６の積層体の非形成部１３が形成されている。非形成部１３は、第２電極の形成パターンに応じて形成される。非形成部１３により、第２電極９、シード層１５および無機膜１６が半導体発光素子３ごとに分離される。また、非形成部１３の形成により後述する通り抜け領域Ｑが形成される。

（通り抜け領域）
表示装置１においては、通り抜け領域Ｑが形成されている。通り抜け領域Ｑは、第２電極９とシード層１５と無機膜１６の積層体の非形成部１３と、単位領域Ｒとの重なる領域で形成される。積層構造体７の発光層１２から生じた光は、図１に示すように非形成部１３に形成された通り抜け領域Ｑを通って漏れ光Ｌ１として駆動基板４側から下方向（‐Ｚ方向）に出ることがある。

（半導体発光素子の例）
半導体発光素子３としては、マイクロＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等を例示することができる。マイクロＬＥＤでは、上記した積層構造体７の発光層１２がマイクロメートルの寸法やそれ未満の寸法といったごく微細な寸法で形成される。半導体発光素子３がマイクロＬＥＤであることで、高精細でコントラストに優れた表示装置を得ることができる。

（駆動基板）
駆動基板４は、駆動回路を形成した基板１７を備える。基板１７の材料は、素子基板６と同様のものを用いることができる。駆動回路としては、ロジック回路等を例示することができる。駆動回路は、例えば個々の半導体発光素子３の駆動を制御する回路を形成している。

駆動基板４の表面には、半導体発光素子３との対向面側にパッド部（図示しない）が形成されている。パッド部は、半導体発光素子３と駆動回路を電気的に接続するための接続端子となっており、接合部（バンプ接合部５）に対して個別に設けられている。それぞれのパッド部が、それぞれ対応する半導体発光素子３にバンプ接合部５を介して電気的に接続される。駆動基板４のパッド部上には、半導体発光素子３と同様に、バンプ接合部５の駆動基板４への接着性を高めるためのシード層１８が形成されていることが好ましい。駆動基板４に形成されるシード層１８は、個々の接合部に対応して表示パネル２側に形成されるシード層１５と同様の材料を用いられてよい。

（接合部）
それぞれの半導体発光素子３は、個別に駆動基板４に対して接合部を介して電気的に接続される。図１の表示装置１の例では、半導体発光素子３のそれぞれと駆動基板４とを電気的に接続する接合部は、バンプ接合部５で形成されている。バンプ接合部５は、表示パネル２の半導体発光素子３に個別に配置されたバンプ２６と駆動基板４に配置されたバンプ２７との接合部である。

（バンプの種類及び材料）
バンプ接合部５を形成するバンプ２６、２７は、特に限定されず、例えば、ピラーバンプ、スタッドバンプ等を例示することができる。バンプ２６、２７の材料としては、はんだ、ニッケル、金、銀、銅、錫等やこれらの合金等を例示することができる。バンプ２６、２７の材料は、熱によるリフロー性を有する材料を用いられることが、バンプ接合部の形成を容易に実行することができる観点からは好ましい。熱によるリフロー性を有する材料としては、はんだや、はんだを構成する材料等を挙げることができる。

（接合部の位置）
表示パネル２と駆動基板４の向き合う方向（Ｚ軸方向）を視線方向とした場合に、半導体発光素子３の発光領域の中心である単位領域Ｒの中心Ｃ_Ｒの位置と、半導体発光素子３に接合されるバンプ接合部５の中心の位置とが、互いにずれている。ここにバンプ接合部５の中心は、後述する素子接合領域Ｊの中心を意味する。

（素子接合領域及び基板接合領域）
接合部であるバンプ接合部５には、図１に示すように、その一方端（＋Ｚ方向の端部）（一方の接続端５Ａ側）に半導体発光素子３に接合される素子接合領域Ｊが形成されており、他方端（－Ｚ方向の端部）（他方の接続端５Ｂ側）に駆動基板４に接合される基板接合領域Ｋが形成されている。図１中、符号Ｃ_Ｊは、素子接合領域Ｊの中心を示し、符号Ｃ_Ｋは、基板接合領域Ｋの中心を示す。素子接合領域Ｊとは、Ｚ軸方向を視線方向としてバンプ接合部５と半導体発光素子３との接合領域を見た場合にＸＹ平面上に認められる領域を示す。基板接合領域Ｋとは、Ｚ軸方向を視線方向としてバンプ接合部５と駆動基板４との接合領域を見た場合にＸＹ平面上に認められる領域を示す。

（素子接合領域の形成位置）
表示装置１において、上述したように単位領域Ｒの中心Ｃ_Ｒの位置とバンプ接合部５の中心の位置とが、互いにずれている。すなわち、表示パネル２と駆動基板４の向き合う方向（Ｚ軸方向）を視線方向とした場合に、単位領域Ｒの中心Ｃ_Ｒの位置と、その単位領域Ｒに対応した半導体発光素子３に接合される接合部（バンプ接合部５）に形成される素子接合領域Ｊの中心Ｃ_Ｊの位置とが、互いにずれている。素子接合領域Ｊの中心Ｃ_Ｊとは、単位領域Ｒの中心Ｃ_Ｒと同様に、素子接合領域Ｊの幾何中心を示す。図１の例では、素子接合領域Ｊは、ほぼ円形状となっており、素子接合領域Ｊの中心Ｃ_Ｊは、その円の中心となっている。なお、基板接合領域Ｋの中心Ｃ_Ｋとは、単位領域Ｒの中心Ｃ_Ｒと同様に、基板接合領域Ｋの幾何中心を示す。

したがって、図１等に示すように、単位領域Ｒの中心Ｃ_Ｒの位置と素子接合領域Ｊの中心Ｃ_Ｊの位置とが互いにずれているとは、単位領域Ｒの幾何中心から素子接合領域Ｊの幾何中心の位置がずれていることを示す。

表示装置１において、図１に示すように、素子接合領域Ｊの中心Ｃ_Ｊが、単位領域Ｒの中心Ｃ_Ｒからずれた位置に配置されていることで、半導体発光素子３における非形成部１３に形成される通り抜け領域Ｑから下方向に進行する漏れ光Ｌ１がバンプ接合部５で散乱された際に形成される散乱光Ｌ２が隣接するサブ画素に入り込むことを効果的に抑制することができる。

（位置ずれ量）
図１に示すように、素子接合領域Ｊの中心Ｃ_Ｊと単位領域Ｒの中心Ｃ_Ｒとの位置ずれの大きさ（位置ずれ量Ｍ）は、位置ずれの方向に沿って隣り合う単位領域Ｒの中心間距離Ｄの１／４以上且つ３／４以下であることが好ましい。位置ずれの方向は、素子接合領域Ｊの中心Ｃ_Ｊと単位領域Ｒの中心Ｃ_Ｒを結ぶ直線に沿った方向である。図１の例では、位置ずれの方向は、半導体発光素子３の配列方向に沿っており、Ｘ軸に沿った方向となっている。

表示装置１においては、上記位置ずれ量Ｍが、位置ずれの方向に沿って隣り合う単位領域Ｒの中心間距離Ｄの１／４以上且つ３／４以下であることで、散乱光Ｌ２が隣接するサブ画素の区域に入り込むことを一層効果的に抑制することができる。特に、位置ずれの方向に沿って隣り合うサブ画素の発光色が異なっている場合においては、隣接するサブ画素の色と散乱光Ｌ２の色との混色を避けることができる。このような効果を高める観点から、位置ずれ量Ｍは、位置ずれの方向に沿って隣り合う単位領域Ｒの中心間距離Ｄの約１／２であることがより好ましく、位置ずれの方向に沿って隣り合う単位領域Ｒの中心間距離Ｄの１／２であることがさらに好ましい。

（素子接合領域の大きさ）
図１に示すように、隣り合う単位領域Ｒが離間している場合、表示パネルと前記駆動基板の向き合う方向を視線方向とした場合に、素子接合領域Ｊが、隣り合う単位領域Ｒの間の領域Ｗ内に位置していることが、散乱光Ｌ２の発生を抑制する観点からは好ましい。

（バンプ接合部の側面部形状）
バンプ接合部５は、素子接合領域Ｊよりも外側方向（ＸＹ平面方向）に延び出た部分を有する形状を有しており、図１の例では、バンプ接合部５の側面部１９が、凸状に湾曲した湾曲面をなしている。なお、バンプ接合部５の側面部１９全体が凸状に湾曲してもよいし、一部が凸状に湾曲してもよい。図１の例では、側面部１９に形成された湾曲面は、バンプ接合部５の一方端（接続端５Ａ）から他方端（接続端５Ｂ）までの間の位置に凸端２０を形成しているように凸状に湾曲している。

バンプ接合部５の側面部１９の位置については、表示パネル２と駆動基板４の向き合う方向を視線方向とした場合に、凸状に湾曲した側面部１９の凸端２０が、既述した通り抜け領域Ｑを避けた位置に配置されているように、バンプ接合部５の側面部１９の位置が定められることが好ましい。

（アンダーフィル層）
バンプ接合部５を介して接続された表示パネル２と駆動基板４との間に形成される隙間空間２４には、アンダーフィル材が充填されている。そして、隙間空間２４に充填されたアンダーフィル材でアンダーフィル層２１が形成されている。アンダーフィル材としては、熱硬化性樹脂等を用いることができる。

（効果）
第１の実施形態にかかる表示装置１においては、素子接合領域Ｊの中心Ｃ_Ｊが、単位領域Ｒの中心Ｃ_Ｒからずれているようにバンプ接合部５が配置されている。したがって、非形成部１３に形成された通り抜け領域Ｑを通って発光層１２から下方向に伝搬する漏れ光Ｌ１がバンプ接合部５で散乱されることで散乱光Ｌ２が形成される場合に、散乱光Ｌ２が漏れ光Ｌ１の伝搬元となった半導体発光素子３の発光層１２側に戻されるようになり、散乱光Ｌ２が隣接するサブ画素の半導体発光素子３の方向には向かいにくくなる。このため、表示装置１においては、隣接するサブ画素の区域に散乱光が入り込むことを抑制することができる。

また、第１の実施形態にかかる表示装置１においては、散乱光Ｌ２が漏れ光Ｌ１の伝搬元となった半導体発光素子３の発光層１２側に戻されるようになるため、光の利用効率が向上し輝度に優れた表示装置を得ることができる。

［１－２ 変形例］
［変形例１］
（バンプ接合部の側面部の位置）
バンプ接合部５の側面部１９の位置について、図３や図４に示すように、表示パネル２と駆動基板４の向き合う方向を視線方向とした場合に、凸状に湾曲した側面部１９の凸端２０のみならず、側面部１９全体についても既述した通り抜け領域Ｑに重なり合うことを避けて、バンプ接合部５の側面部１９の位置が定められてもよい。これは、バンプ接合部５の大きさと位置を特定することで実現することができる。

例えば、図３に示すように、バンプ接合部５の大きさＶは、表示パネル２と駆動基板４の向き合う方向を視線方向とした場合に、バンプ接合部５を隣り合う単位領域の間の領域Ｗ内に収める程度の大きさとされてよい。このとき、バンプ接合部５では、素子接合領域Ｊについても隣り合う単位領域の間の領域Ｗに位置するように形成される。この場合、表示パネル２と駆動基板４の向き合う方向を視線方向とした場合に、バンプ接合部５全体を、隣り合う単位領域の間の領域Ｗ内に位置させることができ、バンプ接合部５の側面部１９が通り抜け領域Ｑを避けた位置に配置されるようになる。このため、通り抜け領域Ｑからの漏れ光Ｌ１がバンプ接合部５の側面部１９で散乱することを抑制することができ、散乱光Ｌ２が隣接するサブ画素に入り込むことを抑制することができる。

バンプ接合部５の大きさは、図４に示すように、凸状に湾曲した側面部１９が通り抜け領域Ｑよりも単位領域Ｒの中心側に向かった位置に配置されるような大きさとされていてもよい。例えば、図４の例では、バンプ接合部５の端部と側面部１９との間、すなわちバンプ接合部５の外周面に沿って接続端５Ａにおける素子接合領域Ｊの端縁部と側面部１９との間に、Ｚ軸方向を法線方向とする平面方向（ＸＹ平面方向）に延び出た延設面２２が形成されており、延設面２２は、側面部１９よりも緩やかな傾斜に形成されている。そして表示パネル２と駆動基板４の向き合う方向を視線方向とした場合に、その延設面２２が通り抜け領域Ｑに向かい合う。この場合、半導体発光素子３から通り抜け領域Ｑを通って駆動基板４側に伝搬する光がバンプ接合部５の延設面２２で反射してそのままもとの通り抜け領域Ｑに戻されやすくなる。

［変形例２］
（素子接合領域の中心のずれ方向の変形例）
図１の例に示す表示装置１では、バンプ接合部５が単位領域Ｒの中心Ｃ_ＲからＸ軸方向にずれた位置に設けられており、すなわち、素子接合領域Ｊの位置ずれの方向がＸ軸方向に沿った方向となっている。表示装置１においては、素子接合領域Ｊの位置ずれの方向は、Ｘ軸方向に限定されず、例えば、Ｙ軸方向でもよいし、図５に示すようにＸ軸とＸ軸で張られた平面内でＸ軸に斜めに交差する方向（図５において矢印Ｐ方向）であってもよい。また、素子接合領域Ｊの中心Ｃ_ＪのＰ方向への位置ずれ量Ｍは、Ｐ方向に隣り合う単位領域Ｒの中心間距離Ｄの１／４以上且つ３／４以下の範囲内となっていることが好ましく、Ｐ方向に隣り合う単位領域Ｒの中心間距離Ｄのおおよそ１／２となっていることがより好ましい。このことは、後述する変形例３から６についても同様である。

［変形例３］
（バンプ接続部の形状の変形例）
また、図１の例では、Ｚ軸方向を視線方向とした場合に、バンプ接合部５の外観輪郭形状が円となっているが、これに限定されない。バンプ接合部５の外観輪郭形状は、例えば、図６に示すような、楕円形状に形成されてもよいし、図７に示すように、矩形状に形成されてもよい。

なお、図６の例では、Ｚ軸方向を視線方向とした場合におけるバンプ接合部５の外観輪郭形状は楕円形であり、素子接合領域Ｊが円形である場合を例示している。表示装置１においては、素子接合領域Ｊが楕円形でもよい。

図７の例では、Ｚ軸方向を視線方向とした場合におけるバンプ接合部５の外観輪郭形状は矩形であり、素子接合領域Ｊが矩形である場合を例示している。この場合における素子接合領域Ｊの中心Ｃ_Ｊは、矩形における２本の対角線の交差位置となる。なお、図７は、上記した変形例１にも該当する。すなわち図７の例では、素子接合領域Ｊが隣り合う単位領域Ｒの間の領域Ｗに配置され、バンプ接合部５の側面部１９も隣り合う単位領域の間の領域Ｗに位置している。

［変形例４］
第１実施形態の表示装置１の説明や変形例３では、バンプ接合部５の素子接合領域Ｊの位置ずれ方向が１方向であったが、この例に限定されず、例えば、図８に示すように、Ｘ軸方向を素子接合領域Ｊの位置ずれ方向とするバンプ接合部５とＹ軸方向を素子接合領域Ｊの位置ずれ方向とするバンプ接合部５が１つの半導体発光素子３の第２電極９に対して接続されていてもよい。図９の例では、Ｘ軸方向を位置ずれ方向とするバンプ接合部５とＹ軸方向を位置ずれ方向とするバンプ接合部５のいずれについても、Ｚ軸方向を視線方向とした場合におけるバンプ接合部５の外観輪郭形状は矩形であり、素子接合領域Ｊが矩形である場合を例示している。

［変形例５］
上記変形例４に示す表示装置１の例では、Ｘ軸方向を位置ずれ方向するバンプ接合部５の素子接合領域ＪとＹ軸方向を位置ずれ方向とするバンプ接合部５の素子接合領域Ｊが分離した状態で設けられていたが、図９に示すように、Ｘ軸方向を位置ずれ方向するバンプ接合部５の素子接合領域ＪとＹ軸方向を位置ずれ方向とするバンプ接合部５の素子接合領域Ｊが互いに繋がっていてもよい。これは、例えば、図８の例におけるＸ軸方向をずれ方向するバンプ接合部５の長手方向の端部（－Ｙ方向端部）とＹ軸方向をずれ方向とするバンプ接合部５の長手方向の端部（－Ｘ方向端部）が互いに繋がった形状とすることで実現できる。図９に示す表示装置１においては、バンプ接合部５が全体としてＬ字型形状に形成されており、且つ、半導体発光素子３の周囲位置に配置された状態が形成されている。なお、バンプ接合部５は、Ｌ字型に限定されず、Ｕ字型形状、環状形状に形成されて、半導体発光素子の周囲位置に配置された状態が形成されていてもよい。

上記変形例２から５に示すように、表示装置１においては、Ｚ軸方向を視線方向とした場合に、バンプ接合部５や素子接合領域Ｊの形状は、円形状、楕円形状、四角形状、Ｌ字型形状から構成される群より選ばれた形状を有してよい。

［変形例６］
（ハニカム状の配置）
図１に示す表示装置１の例では、個々の単位領域Ｒが矩形状に形成され、且つ、単位領域Ｒがマトリクス状に配列されていたが、単位領域Ｒの形状及び配列はこれに限定されず、図１０、図１１に示すように、個々の単位領域Ｒが六角形状に形成され、これらの単位領域Ｒがハニカム状に配列されていてもよい。

図１０に示す表示装置１の例では、単位領域Ｒの面内方向に、Ｓ１軸、Ｓ２軸、Ｓ３軸が定められている。Ｓ１軸、Ｓ２軸、Ｓ３軸は、単位領域Ｒの中心Ｃ_Ｒ位置を基準として、時計回りに回転させた位置に配置されている。Ｓ２軸は、Ｓ１軸に対して６０°回転させた軸である。Ｓ３軸は、Ｓ２軸に対して６０°回転させた軸である。また、Ｓ１軸、Ｓ２軸、Ｓ３軸は、隣り合う単位領域Ｒを形成する辺が向き合う方向に定められた状態となっている。

図１０の表示装置１において、接合部の一例としてのバンプ接合部５の素子接合領域Ｊの中心Ｃ_Ｊは、複数形成されており、それぞれの素子接合領域Ｊの中心Ｃ_Ｊは、単位領域Ｒの中心Ｃ_ＲからＳ１軸、Ｓ２軸、Ｓ３軸それぞれの軸方向にずれた位置に形成されている。

単位領域Ｒがハニカム状に配列されている場合において、バンプ接合部５の素子接合領域Ｊの中心Ｃ_Ｊ位置ずれ方向がＳ１軸、Ｓ２軸、Ｓ３軸いずれの軸方向に対しても斜めに交差する方向を位置ずれの方向とするように素子接合領域Ｊが形成されてよい。例えば、図１１に示すようにデルタ状に並ぶ３つの単位領域Ｒの間の位置にバンプ接合部５の素子接合領域Ｊが形成されていてもよい。図１１に示す表示装置においては、単位領域Ｒの中心Ｃ_ＲからＳ４軸方向にずれた位置に素子接合領域Ｊの中心Ｃ_Ｊが形成されている。Ｓ４軸は、単位領域Ｒの面内方向にあって、単位領域Ｒの頂点部を通過し且つＳ２軸に直交する方向に定められている。

単位領域Ｒがハニカム状に配列されている場合においても、Ｚ軸方向を視線方向とした場合に、素子接合領域Ｊやバンプ接合部５の外観輪郭形状は特に限定されるものではないが、いずれも図１０の例では矩形状に形成されており、図１１の例では三角形状に形成されている。

［１－３ 表示装置の製造方法］
次に表示装置が第１の実施形態にかかる表示装置である場合について、表示装置の製造方法は、図１２から図１４に示すように例示される。

素子基板を準備し、素子基板６の第１の主面上に、第１化合物半導体層１０、発光層１２、第２化合物半導体層１１がこの順にパターニングされ（図１２Ａ）、第１化合半導体層上の所定位置に第１電極が形成される。このとき、積層構造体７が形成される。第２化合物半導体層１１、発光層１２、第１化合物半導体層１０の形成及び積層は、結晶成長方法、リソグラフィー法、ドライエッチング法及びウェットエッチング法の組み合わせを用いて実施することができる。結晶成長方法、リソグラフィー法、ドライエッチング法及びウェットエッチング法は、それぞれ周知の技術を用いられてよい。

次に、図１２Ｂに示すように、絶縁膜１４０が、第１化合物半導体層１０と積層構造体７の表面を覆うように形成される。絶縁膜１４０のうち、積層構造体７の第１の主面７１上の所定領域に形成された部分が取り除かれる。このとき、その取り除かれた部分で開口部１４Ａが形成される。そして開口部１４Ａでは、積層構造体７の第１の主面７１が露出する（図１２Ｃ）。また、絶縁膜１４０のうち残された部分が絶縁層１４をなす。次いで、絶縁層１４及び積層構造体７の第１の主面７１を覆うように第２電極９及びシード層（図示せず）、がこの順に積層され（図１２Ｄ）、さらに無機膜１６が積層される（図１２Ｅ）。無機膜１６の表面上には、レジスト２５が配置され、リソグラフィー法等を用いて無機膜１６がパターニングされてシード層が露出する（図面上は、第２電極が露出した図となっている）（無機膜形成工程）。無機膜形成工程の後、さらにシード層の露出部上にメッキが施される（メッキ工程）、第２電極９又はシード層上に柱状体２３が形成される（図１３Ａ）。メッキは、はんだ等といったバンプを形成する材料で構成される。メッキ工程の後、レジスト２５が除去される（図１３Ｂ）。そして、エッチング法等を用いて、第２電極９とシード層のそれぞれについてパターニングされることで、第２電極９、シード層及び無機膜１６の非形成部１３が形成される（図１３Ｃ）（非形成部形成工程）。このとき第２電極９が半導体発光素子３ごとに分離された状態が形成される。すなわち、非形成部形成工程で隣り合う半導体発光素子３が互いに分離された状態が形成されることで、素子基板６上に複数の半導体発光素子３が形成された状態が形成される。複数の半導体発光素子３を形成した素子基板６は、リフロー炉に収容されリフロー処理が施される。これにより、柱状体２３の先端に丸みが形成され、複数の半導体発光素子３にバンプ２６が形成される（図１４Ｃ）。

駆動回路を有する駆動基板４として、基板１７上にシード層１８及びバンプ２７を、上記の素子基板６上のバンプ２６に対応した位置に形成したものを準備する（図１４Ａ，図１４Ｂ）。基板１７のバンプ２７の形成面側を素子基板６上のバンプ２６と向かい合わせにして、基板１７を素子基板６上に配置する。

駆動基板４を構成する基板１７に形成されたバンプ２７と素子基板６上に形成されたバンプ２６を接合する。このときバンプ接合部５が形成される（図１４Ｄ）。このとき、表示パネル２と駆動基板４とがバンプ接合部で接続された状態が形成される。接合方法は、バンプ２６、２７を溶解させた状態で駆動基板４側のバンプ２７と半導体発光素子３側のバンプ２７を接触させる方法や、バンプ２６、２７の非溶解状態で駆動基板４側のバンプ２７と半導体発光素子３側のバンプ２６を圧着させる方法等を挙げることができる。バンプ接合部５が形成された後、表示パネル２と駆動基板４との間の隙間空間２４には、アンダーフィル材が充填される。そして充填されたアンダーフィル材の硬化によりアンダーフィル層２１が形成される。こうして、表示装置１が形成される。

［２ 第２の実施形態］
［２－１ 表示装置の構成］
第１の実施形態にかかる表示装置１においては、図１５に示すように、その一方端（一方の接続端５Ａ）に形成された素子接合領域Ｊよりも他方端（他方の接続端５Ｂ）に形成された基板接合領域Ｋのほうが大きくてもよい（第２の実施形態）。素子接合領域Ｊよりも基板接合領域Ｋのほうが大きいとは、図１５、図１６等に示すように、Ｚ軸方向を視線方向とする場合に、素子接合領域Ｊが基板接合領域Ｋの内側に位置した状態であることを示す。なお、第２の実施形態にかかる表示装置１においても、第１の実施形態にかかる表示装置１と同様に、接合部がバンプ接合部５である場合を例に挙げて説明を続ける。

バンプ接合部５は、後述するようにバンプ接合部５の形成容易性の観点から、バンプ接合部５の側面部１９が、Ｚ軸方向に沿った一方の接続端５Ａから他方の接続端５Ｂまで凹状又は凸状に湾曲した湾曲面を形成していることが好ましい。

バンプ接合部５は、その一方の接続端５Ａから他方の接続端５Ｂまで凹状に湾曲した側面部を有する場合、図１５に示すように、側面部１９は、＋Ｚ方向から－Ｚ方向に向かって徐々に傾きが緩やかになるような湾曲面を形成している。なお、傾きとは、水平面（Ｘ軸とＹ軸で張られるＸＹ平面）に対する側面部１９の勾配を示す。図１５の例では、例えば側面部１９の位置Ｔについての勾配は、側面部１９の位置Ｔにおける接面Ｆと水平面Ｅのなす角αにて示される。

バンプ接合部５は、その一方の接続端５Ａから他方の接続端５Ｂまで凸状に湾曲した側面部を有する場合、図１７の例に示すように、側面部１９は、＋Ｚ方向から－Ｚ方向に向かって徐々に傾きが急になるような湾曲面を形成している。

第２の実施形態にかかる表示装置１においては、バンプ接合部５のＺ軸方向に沿った一方の接続端５Ａから他方の接続端５Ｂまで凹状又は凸状に湾曲した側面部であることで、Ｚ軸方向を視線方向とする場合に、側面部１９の湾曲面の少なくとも一部を通り抜け領域Ｑの直下に位置させた状態を形成することが容易となる。特に、第２の実施形態にかかる表示装置１において側面部１９の形状が凹状の湾曲面を形成している場合には、散乱光Ｌ２の方向を、漏れ光Ｌ１の形成元となった発光層１２側に向けやすくなる。

（基板接合領域の形状及び位置）
図１６の例では、基板接合領域Ｋの形状は、素子接合領域Ｊの形状を拡大した相似形状に形成されており、Ｚ軸方向を視線方向とする場合に、基板接合領域Ｋの中心Ｃ_Ｋの位置と素子接合領域Ｊの中心Ｃ_Ｊの位置がほぼ一致するように基板接合領域Ｋの位置が定められている。したがって、図１５、図１６の例に示す表示装置１においては、Ｚ軸方向を視線方向とした場合に、単位領域Ｒの中心Ｃ_Ｒの位置と、その単位領域Ｒに対応した半導体発光素子３に接合されるバンプ接合部５に形成される基板接合領域Ｋの中心Ｃ_Ｋの位置とが、素子接合領域Ｊの中心Ｃ_Ｊと同様にＸ軸方向に互いにずれている。ここに、基板接合領域Ｋの中心Ｃ_Ｋとは、第１の実施形態においても述べたように、単位領域Ｒの中心Ｃ_Ｒと同様に、基板接合領域Ｋの幾何中心を示す。図１６の例では、基板接合領域Ｋは、ほぼ円形状となっており、基板接合領域Ｋの中心Ｃ_Ｋは、その円の中心となる。また、基板接合領域Ｋの中心Ｃ_Ｋの位置ずれ量Ｍ_Ｋは、第１の実施形態で説明した素子接合領域Ｊの中心Ｃ_Ｊの位置ずれ量Ｍと同様であることが好ましい。なお、図１６の例においては、表示パネル２と駆動基板４の向き合う方向を視線方向とした場合に、バンプ接合部５の外周輪郭形状が基板接合領域Ｋに一致する。このことは、図１８から図２３の例についても同様である。

（効果）
第２の実施形態にかかる表示装置１においては、素子接合領域Ｊの中心Ｃ_Ｊが単位領域Ｒの中心Ｃ_Ｒからずれており、且つ、素子接合領域Ｊの大きさよりも基板接合領域Ｋの大きさのほうが大きい。このため、側面部１９の湾曲面の少なくとも一部が通り抜け領域Ｑの直下に配置された状態をより容易に形成することができる。この場合、通り抜け領域Ｑを通って発光層１２から下方向（－Ｚ方向）に伝搬する漏れ光Ｌ１がバンプ接合部５の側面部１９の湾曲面で散乱した際に形成された散乱光Ｌ２が、漏れ光Ｌ１が通過した通り抜け領域Ｑを通って発光層１２側に戻されやすくなり、隣接するサブ画素の半導体発光素子３側の方向には向かいにくくなる。このため、表示装置１においては、隣接するサブ画素の区域に散乱光Ｌ２が入り込むことを抑制することができる。

［２－２ 変形例］
［変形例１］
（基板接合領域の形状の変形例）
図１６の表示装置１の例では、基板接合領域Ｋの形状が、素子接合領域Ｊの形状と相似形である場合について説明したが、第２の実施形態にかかる表示装置１はこれに限定されず、図１８に示すように、基板接合領域Ｋの形状と素子接合領域Ｊの形状とが、非相似形状で互い異なっていてもよい。例えば、素子接合領域Ｊの形状が円形状である場合に、基板接合領域Ｋの形状が楕円形や矩形状等の非円形状であってよい。図１８の例では、素子接合領域Ｊは、円形状に形成されており、基板接合領域Ｋの形状はほぼ矩形状（面取り矩形状）に形成されている。このような表示装置１においても、隣接するサブ画素の区域に散乱光が入り込むことを抑制することができる。

［変形例２］
（基板接合領域の中心のずれ方向の変形例）
図１６や図１８の表示装置１の例では、バンプ接合部５の素子接合領域Ｊが単位領域Ｒの中心からＸ軸方向にずれた位置に設けられており、素子接合領域Ｊの位置ずれの方向がＸ軸方向に沿った方向となっている。第２の実施形態にかかる表示装置においては、素子接合領域Ｊの位置ずれの方向は、Ｘ軸方向に限定されない。素子接合領域Ｊの位置ずれの方向は、図１９に示すように、第１の実施形態の変形例２と同様に、例えば、Ｘ軸とＸ軸で張られた平面内でＸ軸に斜めに交差する方向（図１９において矢印Ｐ方向）であってもよい。また、素子接合領域Ｊの中心Ｃ_ＪのＰ方向への位置ずれ量Ｍは、第１の実施形態にかかる表示装置で説明した素子接合領域Ｊの中心Ｃ_Ｊの位置ずれの量と同様でよい。

［変形例３］
第２実施形態の説明や変形例１、２では、バンプ接合部５の素子接合領域Ｊのずれ方向が１方向であったが、この例に限定されず、第１実施形態の変形例４と同様に、例えば、図２０に示すように、Ｘ軸方向を素子接合領域Ｊの位置ずれ方向とするバンプ接合部５とＹ軸方向を素子接合領域Ｊの位置ずれ方向とするバンプ接合部５が１つの半導体発光素子３に対して接続されていてもよい。図２０の例では、Ｘ軸方向を素子接合領域Ｊの位置ずれ方向とするバンプ接合部５とＹ軸方向を素子接合領域Ｊの位置ずれ方向とするバンプ接合部５のいずれについても、素子接合領域Ｊ及び基板接合領域Ｋが矩形であり、且つ基板接合領域Ｋのほうが素子接合領域Ｊよりも大きい場合が、例示されている。

［変形例４］
第２実施形態の変形例３に示す表示装置１の例では、Ｘ軸方向を位置ずれ方向するバンプ接合部５とＹ軸方向を位置ずれ方向とするバンプ接合部５が分離した状態で設けられていたが、第１実施形態の変形例５と同様に、Ｘ軸方向を位置ずれ方向とするバンプ接合部５の素子接合領域ＪとＹ軸方向を位置ずれ方向とするバンプ接合部５の素子接合領域Ｊが互いに繋がっていてもよい。これは、例えば、図２０に示すＸ軸方向をずれ方向するバンプ接合部５の長手方向（Ｙ方向）の端部（－Ｙ方向側の端部）とＹ軸方向をずれ方向とするバンプ接合部５の長手方向（Ｘ方向）の端部（－Ｘ方向側の端部）が互いに繋げられることで実現できる。これにより、図２１に示すように、Ｘ軸方向を位置ずれ方向とするバンプ接合部５の素子接合領域ＪとＹ軸方向を位置ずれ方向とするバンプ接合部５の素子接合領域Ｊが互いに繋がった状態を容易に形成することができる。なお、図２１の例では、図２０に示すＸ軸方向を位置ずれ方向とするバンプ接合部５の基板接合領域ＫとＹ軸方向を位置ずれ方向とするバンプ接合部５の基板接合領域Ｋについても互いに繋がった状態となっている。

図２１の例の場合、表示装置１においては、バンプ接合部５が全体としてＬ字型形状に形成されており、且つ、半導体発光素子３の周囲位置（隣り合う単位領域Ｒの間）に配置された状態が形成されている。この例における、バンプ接合部５では、素子接合領域Ｊと基板接合領域Ｋのいずれも全体としてＬ字型形状に形成されており且つ基板接合領域Ｋのほうが素子接合領域Ｊよりも大きい。なお、バンプ接合部５は、Ｌ字型に限定されず、Ｕ字型形状、環状形状に形成されて、半導体発光素子の周囲位置に配置された状態が形成されていてもよい。

上記変形例１から４に示すように、表示装置１においては、Ｚ軸方向を視線方向とした場合に、基板接合領域Ｋの形状は、円形状、楕円形状、四角形状、Ｌ字型形状から構成される群より選ばれた形状を有してよい。

［変形例５］
（ハニカム状の配置）
第２の実施形態にかかる表示装置１についても、第１の実施形態の変形例６と同様に、図２２や図２３に示すように、個々の単位領域Ｒが六角形状に形成され、これらの単位領域Ｒがハニカム状に配列されていてもよい。図２２や図２３の例のいずれについても、基板接合領域Ｋのほうが素子接合領域Ｊよりも大きい。図２２の例では素子接合領域Ｊ及び基板接合領域Ｋは、いずれも矩形状に形成されている。図２３の例では素子接合領域Ｊは、三角形状に形成されており、基板接合領域Ｋは、三角形の角部分を切り欠いた形状に形成されている。

なお、図２２の表示装置において、接合部の一例としてのバンプ接合部５の素子接合領域Ｊの中心Ｃ_Ｊは、単位領域Ｒの中心からＳ１軸、Ｓ２軸、Ｓ３軸それぞれの軸方向にずれた位置に形成されている。Ｓ１軸、Ｓ２軸、Ｓ３軸は、第１の実施形態の変更例６で示したことと同様に定められており、隣り合う単位領域Ｒを形成する辺が向き合う方向に定められた状態となっている。

図２３に示す表示装置においては、バンプ接合部５の素子接合領域Ｊの中心Ｃ_Ｊが、単位領域Ｒの中心Ｃ_ＲからＳ４軸方向にずれた位置に形成されている。Ｓ４軸は、第１の実施形態の変更例６で示すのと同様に定められる。

［３．表示装置の製造方法］
表示装置が第２の実施形態にかかる表示装置１である場合について、表示装置１の製造方法は、図２４に示すように例示される。

第１の実施形態にかかる表示装置の製造方法で述べたのと同様の工程を実施して、素子基板６上に複数の半導体発光素子３が形成された状態が形成される。複数の半導体発光素子３を形成した素子基板６上に柱状体２３が形成された状態で、素子基板６がリフロー炉に入れられる。これにより、複数の半導体発光素子３を有する素子基板６にバンプ２６が形成される（図２４Ｃ）。

駆動回路を有する駆動基板４として、基板１７上にシード層１８とバンプ２７を、素子基板６上のバンプ２６に対応した位置に形成したものを準備する（駆動基板準備工程）。この駆動基板準備工程は、駆動基板４側（基板１７側）のバンプ２７の大きさを素子基板６側のバンプ２６の大きさよりも大きく形成するほかは、第１の実施形態にかかる表示装置の製造方法と同様にして実施される（図２４Ａ、図２４Ｂ）。そして、基板１７側のバンプ２７の形成面側が、素子基板６側のバンプ２６形成面側に対して向かい合わせとなるように、バンプ２６、２７が配置される。

次に、基板１７側のバンプ２７と素子基板６側のバンプ２６を接合する。このときバンプ接合部５が形成される（図２４Ｄ）。バンプ２６、２７の接合方法としては、バンプ２６、２７を溶解させた状態で基板１７側のバンプ２７と素子基板６側のバンプ２６を接触させる方法が好適に採用される。この時、基板１７と素子基板６の距離やバンプを形成する材料の熱によるリフロー性などの諸条件を定めることより、バンプ接合部５の側面部１９に、所望の凸状の湾曲面や所望の凹状の湾曲面が形成される。このとき、駆動基板４と表示パネル２とがバンプ接合部５で接続された状態が形成される。

バンプ接合部５が形成された後、駆動基板４と表示パネル２の間の隙間空間２４には、アンダーフィル材が充填される。そして充填されたアンダーフィル材の硬化によりアンダーフィル層２１が形成される。こうして、表示装置１が形成される。

［３ 第３の実施形態］
［３－１ 表示装置の構成］
第１の実施形態にかかる表示装置１においては、接合部は、バンプ接合部５であったが、これに限定されず、図２５に示すように、接合部がＣｕ－Ｃｕ接合部３０で形成されていてもよい（第３の実施形態）。

第３の実施形態にかかる表示装置において、Ｃｕ－Ｃｕ接合部３０を除く他の構成については、第１の実施形態にかかる表示装置と同様でよい。

（Ｃｕ－Ｃｕ接合部３０）
Ｃｕ－Ｃｕ接合部３０は、例えば、表示パネル２側に形成されたＣｕ端子３２と、駆動基板４側に形成されたＣｕ端子３３とを直接接合すること（Ｃｕ－Ｃｕ接合）で形成することができる。図２５に示すＣｕ－Ｃｕ接合部３０は、その側面部１９に、半導体発光素子３に対して遠い位置からその半導体発光素子３に近づく方向（＋Ｚ方向）に向かって上り傾斜する傾斜面３４を有する。

第３の実施形態にかかる表示装置１において、Ｃｕ－Ｃｕ接合部３０における素子接合領域Ｊの中心Ｃ_Ｊの位置が、単位領域Ｒの中心Ｃ_Ｒからずれている。素子接合領域Ｊの中心Ｃ_Ｊの位置ずれ量Ｍは、第１の実施形態にかかる表示装置における接合部の位置ずれの量と同様でよい。

（効果）
第３の実施形態にかかる表示装置１においても、第１の実施形態にかかる表示装置１と同様に、素子接合領域Ｊの中心Ｃ_Ｊの位置が単位領域Ｒの中心Ｃ_ＲからずれているようにＣｕ－Ｃｕ接合部３０が配置されている。したがって、第３の実施形態かかる表示装置１においても第１の実施形態にかかる表示装置と同様に、隣接するサブ画素の区域に散乱光が入り込むことを抑制することが容易となる。

［３．表示装置の製造方法］
次に表示装置が第３の実施形態にかかる表示装置である場合について、表示装置の製造方法は、図２６、図２７に示すように例示される。

第１の実施形態にかかる表示装置１の製造方法と同様に、素子基板６の第１の主面上に、第１化合物半導体層１０、発光層１２、第２化合物半導体層１１がこの順にパターニングされる。また、第１電極８が所定の位置に形成される。第１の実施形態にかかる表示装置の製造方法と同様に、無機膜形成工程までの各工程が実施される。そして、第１の実施形態にかかる表示装置１の製造方法と同様に非形成部形成工程が実施される。すなわち、エッチング法等を用いて、第２電極９とシード層１５と無機膜１６のそれぞれについてパターニングされることで、第２電極９、シード層１５、及び無機膜１６の非形成部１３が形成される。このとき、第２電極９が半導体発光素子３ごとに分離され、複数の半導体発光素子３が形成される。なお、第１の実施形態にかかる表示装置１と異なり、メッキ工程は省略される。

素子基板６上で積層構造体７の形成面側にアンダーフィル材が塗布され、アンダーフィル層３５が形成される（図２６Ａ）。リソグラフィー法やエッチング法等を用いてアンダーフィル層の所定位置に溝３６が形成される（図２６Ｂ）。図２６Ｂにおいて、符号３７は、レジストである。次いで、レジスト３７を除き、溝３６の形成面側にスパッタリング法等を用いて銅がメッキされる。このとき、溝３６内に銅が充填され、さらに素子基板６の積層構造体７形成面側の表面に銅膜３８が形成される（図２６Ｃ）。銅膜３８のうち溝の外側に付着した銅は、表面平坦化処理によって取り除かれる（図２６Ｄ）。これにより、半導体発光素子３を形成する積層構造体７にＣｕ端子３２を電気的に接続した第１基板構造体４０が形成される（図２７Ｅ）。

駆動回路を有する駆動基板４を構成する基板１７の面上、上記の第１基板構造体４０のＣｕ端子３２に対応した位置にＣｕ端子３３を形成し、Ｃｕ端子３３上にバリア層４２を形成する（図２７Ａ）。次に、バリア層４２を覆うようにアンダーフィル層３９を配置する（図２７Ｂ）。そして、表面平坦化処理を施して、Ｃｕ端子３３を露出させる（図２７Ｃ）。こうして第２基板構造体４１を準備する（図２７Ｄ）。そして、第２基板構造体４１のＣｕ端子３３を、第１基板構造体４０のＣｕ端子３２と向かい合わせに配置する（図２７Ｄ、図２７Ｅ）。

第２基板構造体４１のＣｕ端子３３と第１基板構造体４０のＣｕ端子３２を接合する。このとき、第２基板構造体４１のアンダーフィル層３９と第１基板構造体４０のアンダーフィル層３５も接合される。こうして、第１基板構造体４０と第２基板構造体４１が接合される。これにより表示パネル２と駆動基板４とがＣｕ－Ｃｕ接合部３０を介して接合された状態が形成され、表示装置１が形成される。なお、アンダーフィル層３５、３９の接合を容易にする観点から、アンダーフィル層３５とアンダーフィル層３９は、同じ材料で構成されていることが好ましい。

以上、本開示の実施形態の例について具体的に説明したが、本開示は、上述の実施形態の例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態の例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。

また、上述の実施形態の例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

上述の実施形態に例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

なお、本開示中に例示された効果により本開示の内容が限定して解釈されるものではない。

本開示は、以下の構成も採ることができる。
（１）発光層を備えた半導体発光素子を複数有する表示パネルと、
駆動回路を有し前記表示パネルに向かい合う駆動基板と、
複数の前記半導体発光素子をそれぞれ前記駆動基板に電気的に接続する複数の接合部とを備え、
前記表示パネルと前記駆動基板の向き合う方向を視線方向とした場合に、前記半導体発光素子の発光領域の中心の位置と、該半導体発光素子に接合される前記接合部の中心の位置とが、互いにずれている、
表示装置。
（２）前記接合部の中心と前記発光領域の中心との位置ずれの大きさが、前記位置ずれの方向に沿って隣り合う前記発光領域の中心間距離の１／４以上且つ３／４以下である、
上記（１）に記載の表示装置。
（３）前記接合部の中心と前記発光領域の中心との位置ずれの大きさが、前記位置ずれの方向に沿って隣り合う前記発光領域の中心間距離の約１／２である、
上記（１）に記載の表示装置。
（４）前記表示パネルと前記駆動基板の向き合う方向を視線方向とした場合に、複数の前記半導体発光素子は、二次元的に配列されており、
前記接合部の中心と前記発光領域の中心との位置ずれの方向が、前記半導体発光素子の配列方向に沿っている、
上記（１）から（３）のいずれかに記載の表示装置。
（５）隣り合う前記発光領域が離間しており、
前記表示パネルと前記駆動基板の向き合う方向を視線方向とした場合に、前記接合部が、隣り合う前記発光領域の間の領域内に位置している、
上記（１）から（４）のいずれかに記載の表示装置。
（６）前記発光領域の一部に前記駆動基板に向かって光が伝搬する通り抜け領域が形成されており、
前記接合部は、凸状に湾曲した側面部を有し、前記接合部の端部と該側面部との間に前記側面部よりも緩やかな傾斜の延設面が形成されており、
前記表示パネルと前記駆動基板の向き合う方向を視線方向とした場合に、前記延設面が通り抜け領域に向かい合う、
上記（１）から（５）のいずれかに記載の表示装置。
（７）前記接合部は、バンプ接合部である、
上記（１）から（６）のいずれかに記載の表示装置。
（８）前記バンプ接合部は、凸状に湾曲した側面部を有する、
上記（７）に記載の表示装置。
（９）前記接合部には、前記表示パネルと前記駆動基板の向き合う方向に沿った一方端に素子接合領域が形成され、他方端に、前記駆動基板に接合される基板接合領域が形成されており、
前記一方端に形成された前記素子接合領域よりも、前記他方端に形成された前記基板接合領域のほうが大きい、
上記（１）から（８）のいずれかに記載の表示装置。
（１０）前記接合部は、前記一方端から前記他方端まで凹状又は凸状に湾曲した側面部を有する、
上記（１）から（７）のいずれかに従属する（９）に記載の表示装置。
（１１）前記表示パネルと前記駆動基板の向き合う方向を視線方向とした場合に、前記基板接合領域の形状は、円形状、楕円形状、四角形状、Ｌ字型形状から構成される群より選ばれた形状を有する、
上記（９）または（１０）に記載の表示装置。
（１２）前記接合部は、リフロー性を有する材料から形成されている、
上記（１）から（１１）のいずれかに記載の表示装置。
（１３）前記接合部は、Ｃｕ－Ｃｕ接合部である、
上記（１）から（６）のいずれかに記載の表示装置。
（１４）前記表示パネルと前記駆動基板の向き合う方向を視線方向とした場合に、前記接合部の形状は、円形状、楕円形状、四角形状、Ｌ字型形状から構成される群より選ばれた形状を有する、
上記（１）から（１３）のいずれかに記載の表示装置。
（１５）複数の前記半導体発光素子に対応した複数の前記発光領域が、マトリクス状またはハニカム状に配置されている、
上記（１）から（１４）のいずれかに記載の表示装置。
（１６）複数の前記半導体発光素子のそれぞれは、マイクロＬＥＤである、
上記（１）から（１５）のいずれかに記載の表示装置。
（１７）隣り合う前記半導体発光素子の発光色が互いに異なっている、
上記（１）から（１６）のいずれかに記載の表示装置。

１ 表示装置
２ 表示パネル
３ 半導体発光素子
４ 駆動基板
５ バンプ接合部（接合部）
７ 積層構造体
８ 第１電極
９ 第２電極
１０ 第１化合物半導体層
１１ 第２化合物半導体層
１２ 発光層
１３ 非形成部
１４ 絶縁層
１７ 基板
１８ シード層
３０ Ｃｕ－Ｃｕ接合部（接合部）

Claims (12)

1. 発光層を備えた半導体発光素子を複数有する表示パネルと、
   駆動回路を有し前記表示パネルに向かい合う駆動基板と、
   複数の前記半導体発光素子をそれぞれ前記駆動基板に電気的に接続する複数の接合部とを備え、
   前記表示パネルと前記駆動基板の向き合う方向を視線方向とした場合に、前記半導体発光素子の発光領域の中心の位置と、該半導体発光素子に接合される前記接合部の中心の位置とが、互いにずれ、
   前記発光領域の一部に前記駆動基板に向かって光が伝搬する通り抜け領域が形成されており、
   前記接合部は、凸状に湾曲した側面部を有し、前記接合部の端部と前記側面部との間に前記側面部よりも緩やかな傾斜の延設面が形成されており、
   前記表示パネルと前記駆動基板の向き合う方向を視線方向とした場合に、前記延設面が通り抜け領域に向かい合っている、
   表示装置。
2. 前記接合部の中心と前記発光領域の中心との位置ずれの大きさが、前記位置ずれの方向に沿って隣り合う前記発光領域の中心間距離の１／４以上且つ３／４以下である、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記接合部の中心と前記発光領域の中心との位置ずれの大きさが、前記位置ずれの方向に沿って隣り合う前記発光領域の中心間距離の約１／２である、
   請求項１に記載の表示装置。
4. 前記表示パネルと前記駆動基板の向き合う方向を視線方向とした場合に、複数の前記半導体発光素子は、二次元的に配列されており、
   前記接合部の中心と前記発光領域の中心との位置ずれの方向が、前記半導体発光素子の配列方向に沿っている、
   請求項１に記載の表示装置。
5. 隣り合う前記発光領域が離間しており、
   前記表示パネルと前記駆動基板の向き合う方向を視線方向とした場合に、前記接合部が、隣り合う前記発光領域の間の領域内に位置している、
   請求項１に記載の表示装置。
6. 前記接合部は、バンプ接合部である、
   請求項１に記載の表示装置。
7. 前記接合部は、リフロー性を有する材料から形成されている、
   請求項１に記載の表示装置。
8. 前記接合部は、Ｃｕ－Ｃｕ接合部である、
   請求項１に記載の表示装置。
9. 前記表示パネルと前記駆動基板の向き合う方向を視線方向とした場合に、前記接合部の形状は、円形状、楕円形状、四角形状、Ｌ字型形状から構成される群より選ばれた形状を有する、
   請求項１に記載の表示装置。
10. 複数の前記半導体発光素子に対応した複数の前記発光領域が、マトリクス状またはハニカム状に配置されている、
    請求項１に記載の表示装置。
11. 複数の前記半導体発光素子のそれぞれは、マイクロＬＥＤである、
    請求項１に記載の表示装置。
12. 隣り合う前記半導体発光素子の発光色が互いに異なっている、
    請求項１に記載の表示装置。

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