JP7704794B2 - 軟磁性多層堆積装置、製造の方法、および磁性多層体 - Google Patents

Description

特許法第３０条第２項適用 （１）ＳＥＭＩＣＯＮ Ｅｕｒｏｐｅ ２０１７（平成２９年１１月１４日から１８日）にて頒布したＬＡＹＥＲＳ ＥＤＩＴＩＯＮ ３

特許法第３０条第２項適用 （２）平成２９年１０月２３日にｈｔｔｐｓ：／／ａｉｐ．ｓｃｉｔａｔｉｏｎ．ｏｒｇ／ｄｏｉ／ｐｄｆ／１０．１０６３／１．４９９３６８８？ｃｌａｓｓ＝ｐｄｆで公開されたＡＩＰ Ａｄｖａｎｃｅｓ、第８巻、第４号、第０４８００２－１～０４８００２－１４頁

数ＧＨｚまでの非常に高い周波数において動作する、例えば変圧器、誘導コイルなどの、集積された誘導に基づくデバイスの小型化に対する要求がある。

例えば特許文献１から、異なる軟磁性材料の複数の層を基板に堆積させることで、このようなデバイスを実現することが知られている。

本発明は、少なくとも２つの軟磁性材料の非常に薄い層を積み重ねることによって、層の積層体の全体的な挙動が、高い周波数の磁気用途についての特性を向上させ、それによって基板における誘導マイクロデバイスの大きさをさらに縮小し、また、高い周波数の挙動を向上させるという結果をもたらすという認識から始まっている。

米国特許第７２２４２５４号明細書

産業用途にとって、軟磁性材料の非常に薄い層の効率的で良好に制御された積層体を堆積させるための技術が利用可能となるべきである。

これは、本発明による軟磁性材料多層堆積装置によって実現される。その軟磁性材料多層堆積装置は、軸の周りの円形の内部空間の真空輸送室を備える。それによって、「円形」という用語は、それぞれの円の多角形近似を含むとして理解されるものである。後述するように、円形の内部空間は、環状に成形され得る、または、円筒状であり得る。円形の内部空間の径方向の延在に対する軸方向の延在は、大きくてもよい、または、小さくてもよい。

軸に対して垂直な平面に沿って、内部空間において、軸と同軸に、複数の基板運搬装置の円形の配置が設けられる。

軸に対して垂直な平面に沿って、内部空間へと処理動作する基板処理ステーションの円形の配置が設けられる。

複数の基板運搬装置の円形の配置と、処理ステーションの円形の配置との間に相対回転を確立するように、複数の基板運搬装置の円形の配置と、処理ステーションの円形の配置との間で動作可能に結合される回転駆動部がさらに設けられる。

複数の基板運搬装置の円形の配置と、処理ステーションの円形の配置とは相互に並べられる。それらの円形の配置は、軸に対して垂直な共通の平面に沿って設けられるとして並べられるか、または、２つの円形の配置が軸に対して等しい半径の円に沿って配置されることで並べられるかのいずれかである。

各々の基板運搬装置は、２つの円形の配置の相対回転が回転駆動部によって確立されるため、装置によって処理される基板の各々の延在表面のうちの１つが処理ステーションの配置のうちのステーションを続いて向くように、基板を収容すると解釈される。

層積層体の堆積およびその全体の構造の特定の技術に依存して、処理ステーションの配置は、例えば、導電性材料または誘電材料の反応性または非反応性のスパッタ堆積、エッチングステーションなどについて、異なる層堆積ステーションを備えてもよい。

明確には、本発明によれば、基板処理ステーションの配置は、各々が単一のターゲットを伴う少なくとも１つの第１のスパッタ堆積ステーションおよび少なくとも１つの第２のスパッタ堆積ステーションを備える。

第１のスパッタ堆積ステーションは、第１の軟磁性材料の第１のターゲットを有する。したがって、非常に薄い層として基板に堆積させられる第１の軟磁性材料は、固体の単一のターゲットから非反応性でスパッタされる。第１のターゲットが、例えば２つ以上の強磁性元素といった混合材料のものである場合、および／または、１つ以上の非強磁性元素を含む場合、単一のターゲットの固体からのスパッタ堆積は、堆積させられた第１の材料の化学量論の非常に正確な制御と、経時的なその化学量論の正確な安定性の非常に正確な制御とを可能にする。スパッタリングに対するこの第１の軟磁性材料の特性に依存して、ＤＣ、ＨＩＰＩＭＳを含むパルスＤＣ、またはＲｆの単一または複数の周波数が供給されるスパッタリングが適用される。

第２のスパッタ堆積ステーションは、第１の軟磁性材料と異なる第２の軟磁性材料のターゲットを有する。

ほとんどの一般的な態様のもとで、「異なる」とは、同じ材料組成であるが異なる化学量論を伴うことを意味することもあることに留意されたい。

非常に薄い層として基板に堆積させられる第２の軟磁性材料も、単一のターゲットの固体から非反応性でスパッタされる。第２のターゲットが、例えば２つ以上の強磁性元素といった混合材料のものである場合、および／または、１つ以上の非強磁性元素を含む場合、単一のターゲットの固体からのスパッタ堆積は、堆積させられた第２の材料の化学量論の非常に正確な制御と、経時的なその化学量論の正確な安定性の非常に正確な制御とを可能にする。スパッタリングに対するこの第２の軟磁性材料の特性に依存して、ＤＣ、ＨＩＰＩＭＳを含むパルスＤＣ、またはＲｆの単一または複数の周波数が供給されるスパッタリングが適用される。

装置は、処理ステーションの配置のうちのステーションと、回転駆動部とに動作可能に結合される制御ユニットをさらに備える。制御ユニットは、上記軸の周りでの処理ステーションの円形の配置に対する複数の基板運搬装置の円形の配置の少なくとも１回の３６０°を超える相対回転運動の間に、前記基板運搬装置に向けて連続的なスパッタ堆積を可能とさせるように、第１のスパッタ堆積ステーションおよび第２のスパッタ堆積ステーションを制御すると解釈され、上記回転運動は互いに直接的に連続する。

したがって、少なくとも第１のスパッタ堆積ステーションおよび第２のスパッタ堆積ステーションのスパッタ動作と、複数の基板運搬装置の配置に向けてのそれぞれのスパッタリングとは、処理ステーションの配置に対する複数の基板運搬装置の配置の１回を超える相対回転運動の間に妨げられない。それによって、スパッタリング効果の任意の過渡的な状態は、スパッタ堆積を間欠的に可能および不可能にすることで行われ得るため回避される。

本発明による装置の一実施形態では、円形の内部空間は環状であり、前記複数の基板運搬装置の配置または処理ステーションの配置は、環状の径方向外側の円形の表面、または、環状の内部空間の上面もしくは下面に備え付けられる。

本発明による装置の一実施形態では、円形の内部空間は環状であり、前記複数の基板運搬装置の配置または処理ステーションの前記配置は、前記環状の内部空間の径方向内側の円形の表面に備え付けられる。

本発明による装置の一実施形態では、円形の内部空間は円筒状であり、複数の基板運搬装置の配置または処理ステーションの配置は、円筒状の内部空間の周囲表面である円形の表面、または、円筒状の内部空間の下面もしくは上面に備え付けられる。

本発明による装置の一実施形態では、処理ステーションの配置は静止しており、複数の基板運搬装置の配置は回転可能である。それでもなお、複数の基板運搬装置の配置を静止したままにし、処理ステーションの配置を回転させることも可能である。

本発明による装置の一実施形態では、第１のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群の元素のうちの１つ以上を含むかまたはその元素から成り、第２のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群からの１つ以上の元素を含むかまたはその元素から成る。

本発明による２つのターゲット材料は異なることに留意されたい。

したがって、２つのターゲットが上記元素のうちの１つだけから各々成る場合、ターゲットは上記群からの異なる元素のものである。

それらターゲットは、上記元素のうちの２つから各々成る場合、上記群のうちの異なる組み合わせから成る、または、異なる化学量論における上記群のうちの同じ組み合わせから成る。

それらターゲットは、上記群のすべての３つの元素から成る場合、化学量論に関して異なる。

本発明による装置の一実施形態では、第１のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群からの１つ以上の元素と、少なくとも１つの非強磁性元素とから成り、および／または、第２のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群からの１つ以上の元素と、少なくとも１つの非強磁性元素とから成る。

したがって、第１のターゲットおよび第２のターゲットの材料の違いは、異なる化学量論に正に基づいた違いを含め、上述した１つ以上の強磁性元素の違い、および／または、１つ以上の非強磁性元素に対する違いに基づき得る。

本発明による装置の一実施形態では、上述した少なくとも１つの非強磁性元素は、周期系のＩＩＩＡ族、ＩＶＢ族、およびＶＢ族（ＩＵＡＰＣの第１３族、第４族、第５族に従う）からの少なくとも１つの元素である。

本発明による装置の一実施形態では、上述した少なくとも１つの非強磁性元素は、Ｂ、Ｔａ、Ｚｒの群からの少なくとも１つである。

本発明による装置の一実施形態では、第１のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群の１つ以上の元素を含むかまたはその元素から成り、第２のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群の１つ以上の元素を含むかまたはその元素から成り、装置は、第１のスパッタ堆積ステーションおよび／または第２のスパッタ堆積ステーションに隣接し、少なくとも１つの非強磁性元素のターゲットを有する少なくとも１つのさらなるスパッタ堆積ステーションをさらに備える。

上述した実施形態の一実施形態では、さらなるスパッタ堆積ステーションのターゲットの少なくとも１つの非強磁性元素は、周期系のＩＩＩＡ族、ＩＶＢ族、およびＶＢ族（ＩＵＡＰＣの第１３族、第４族、第５族に従う）からの少なくとも１つの元素である。

上述した実施形態の一実施形態では、少なくとも１つの非強磁性元素は、Ｂ、Ｔａ、Ｚｒの群からの少なくとも１つである。

上記軸の周りでの処理ステーションの配置に対する複数の基板運搬装置の配置の１回の３６０°を超える相対回転運動の間に、基板は、少なくとも第１の軟磁性材料および第２の軟磁性材料の非常に薄い層で２回以上被覆される。基板処理ステーションの配置が、第１のスパッタ堆積ステーションと第２のスパッタ堆積ステーションとの間に、スパッタリングステーションとも呼ばれる追加の処理ステーションを備えない場合、または、このような追加の処理ステーションによる基板処理が、上記回転運動の間に不可能とされる場合、第１の軟磁性材料および第２の軟磁性材料の非常に薄い層は一方が他方の上に直接的に堆積させられる。

さらに、処理ステーションの配置が、上記回転運動の間に処理可能とされるさらなる処理ステーションを備えない場合、第１の軟磁性材料の層と第２の軟磁性材料の層との積層体が基板において実現される。積層体の非常に薄い層の数は、３６０°の相対回転運動の数によって支配される。明確には、２つ以上の第１のスパッタ堆積ステーションと、２つ以上の第２のスパッタ堆積ステーションとが処理ステーションの配置に設けられてもよく、それによって、３つ以上の第１の軟磁性材料および第２の軟磁性材料の層が、３６０°の回転運動あたり、一方が他方の上に直接的に、または、少なくとも１つの非常に薄い層によって分離して、基板に堆積させられ、処理ステーションの配置の少なくとも１つのさらなる層堆積ステーションによって堆積させられ、１回の３６０°を超える相対回転運動の間にも堆積可能とされる。

上記１回の３６０°を超える回転運動あたり、上述したような第１の強磁性ターゲット材料および／または第２の強磁性ターゲット材料の１つのそれぞれの非常に薄い層を堆積させることにすぐに続いて、非強磁性材料の非常に薄い層が、第１のスパッタ堆積ステーションおよび第２のスパッタ堆積ステーションのように堆積可能とさせられるさらなるスパッタ堆積ステーションによって堆積させられてもよい。

本発明による装置の一実施形態では、制御ユニットは、回転駆動部を制御し、延いては、処理ステーションの配置に対する複数の基板運搬装置の配置の相対回転を段階的な手法で制御すると解釈される。

本発明による装置の一実施形態では、制御ユニットは、回転駆動部を制御し、延いては、互いと直接的に後に続く前記１回の３６０°を超える回転運動のうちの少なくとも一部について、前記軸に対して一定の角速度での連続的な相対回転のために、処理ステーションの配置に対する複数の基板運搬装置の配置の相対回転を制御すると解釈される。

したがって、これらの相対回転運動のうちの１回は、第１の一定の角速度で実施され、別の回は異なる一定の速度で実施され得る。少なくとも、上記軸の周りでの複数の基板運搬装置の配置の直接的に後に続く１回の３６０°を超える相対回転運動の間、連続的にスパッタを行うために第１のスパッタ堆積ステーションおよび第２のスパッタ堆積ステーションを制御することと組み合わされて、過渡的な挙動を制御するのが難しい堆積は回避される。

本発明による装置の一実施形態では、制御ユニットは、それぞれ第１のスパッタ堆積ステーションおよび第２のスパッタ堆積ステーションの各々によって、それぞれの所望の厚さｄ_１、ｄ_２の前記第１の材料および前記第２の材料の層をスパッタ堆積させるように、前記基板運搬装置の各々が前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび前記第２のスパッタ堆積ステーションにそれぞれ暴露される暴露時間に依存して、少なくとも前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび前記第２のスパッタ堆積ステーションのスパッタリング出力を制御すると解釈される。

上述した実施形態の一実施形態では、制御ユニットは、
１０ｎｍ≧（ｄ、ｄ_２）≧０．１ｎｍ
が有効であるように制御を実施すると解釈される。

一実施形態では、制御ユニットは、
５ｎｍ≧（ｄ_１、ｄ_２）≧０．１ｎｍ
が有効であるように制御を実施すると解釈される。

一実施形態では、制御ユニットは、
１ｎｍ≧（ｄ_１、ｄ_２）≧０．１ｎｍ
が有効であるように制御を実施すると解釈される。

一実施形態では、制御ユニットは、
０．５ｎｍ≧（ｄ_１、ｄ_２）≧０．１ｎｍ
または
０．５ｎｍ≧（ｄ_１、ｄ_２）≧０．２ｎｍ
が有効であるように制御を実施すると解釈される。

一実施形態では、制御ユニットは、厚さｄ_１とｄ_２とが等しくなるように制御を実施すると解釈される。

一実施形態では、制御ユニットは、ｄ_１とｄ_２とは１ｎｍとなるように制御を実施すると解釈される。

一実施形態では、制御ユニットは、ｄ_１およびｄ_２の少なくとも一方が１ｎｍ未満となるように制御を実施すると解釈される。

一実施形態では、制御ユニットは、
０．１ｎｍ≦（ｄ_１、ｄ_２）≦３ｎｍ、
０．３ｎｍ≦（ｄ_１、ｄ_２）≦２ｎｍ、
０．５ｎｍ≦（ｄ_１、ｄ_２）≦１．５ｎｍ
のうちの少なくとも１つが有効となるように制御を実施すると解釈される。

一実施形態では、制御ユニットは、第１の層と第２の層とは一方が他方の上に直接的に位置するように制御を実施すると解釈される。

一実施形態では、第１のスパッタリングステーションはＦｅＣｏＢを堆積させるように構成され、第２のスパッタリングステーションはＣｏＴａＺｒを堆積させるように構成される。

一実施形態では、制御ユニットは、基板運搬装置が複数の回数にわたって第１のスパッタリングステーションと第２のスパッタリングステーションとを繰り返し通るように制御を実施すると解釈される。

本発明による装置の一実施形態では、処理ステーションの配置は、少なくとも１つのさらなる層堆積ステーションを備える。制御ユニットは、一方において、少なくとも１回の３６０°を超える回転運動の間に連続的に堆積させるようにさらなる層堆積ステーションを制御すると解釈される。制御ユニットは、さらなる層堆積ステーションによって、所望の厚さｄ_３の層が堆積させられるように、基板運搬装置の各々がさらなる層堆積ステーションに暴露される暴露時間に依存して、さらなる層堆積ステーションの材料堆積速度を制御するとさらに解釈される。それによって、良好な実施形態では、上記さらなる層堆積ステーションは、上述したような非強磁性材料または元素のためのスパッタ堆積ステーションである。

本発明による装置の一実施形態では、制御ユニットは、所望の厚さｄ_３について、
１０ｎｍ≧（ｄ_３）≧０．１ｎｍ
が有効であるように制御を実施すると解釈される。

それによって、一実施形態では、制御ユニットは、
５ｎｍ≧ｄ_３≧２ｎｍ
が有効であるように制御を実施すると解釈される。

本発明による装置の一実施形態では、装置は、２つ以上の第１のスパッタ堆積ステーションを備える。

本発明による装置の一実施形態では、装置は、２つ以上の第２のスパッタ堆積ステーションを備える。

本発明による装置の一実施形態では、第１のスパッタ堆積ステーションと第２のスパッタ堆積ステーションとは真空輸送室の内部空間に沿って隣接するステーションの対である。

本発明による装置の一実施形態では、上述した対を複数で備え、第１のスパッタ堆積ステーションと第２のスパッタ堆積ステーションとは交互に配置される。

本発明による装置の一実施形態では、第１のスパッタ堆積ステーションおよび第２のスパッタ堆積ステーションは、３つ以上の層堆積ステーションの群のうちの２つのステーションであり、群のうちの層堆積ステーションは、内部空間に沿って一方が他方に隣接して設けられ、群のうちのステーションは、制御ユニットの制御によって同時に堆積活性化させられる。

したがって、処理ステーションの配置に対する複数の基板運搬装置の配置の相対回転の１つの方向を考慮して、第１のスパッタ堆積ステーションのすぐ前に、および／または、第１のスパッタ堆積ステーションと第２のスパッタ堆積ステーションとの間に、および／または、第２のスパッタ堆積ステーションのすぐ後に、例えば１つのさらなる層堆積ステーションが設けられてもよい。群のうちのすべてのステーション部材が、制御ユニットによって制御されるように、同時に堆積活性化させられる。

本発明による装置の一実施形態では、装置は、２つ以上の群を備える、および／または、異なる群を備える。

したがって、例えば、３つのステーションの複数の群、および／または、異なる数のステーションを伴う群、および／または、異なるステーションを伴う群が、設けられてもよい。

本発明による装置の一実施形態では、基板処理ステーションの配置は、さらなる材料を、基板もしくは基板保持体にスパッタ堆積させる、または、基板もしくは基板保持体に向けてスパッタ堆積させると解釈される少なくとも１つのさらなるスパッタ堆積ステーションを備える。

本発明による装置の一実施形態では、上記材料は、非磁性金属、非磁性金属合金、または誘電材料である。

誘電材料は、例えば、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化タンタル、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、またはそれらのそれぞれの炭化物、オキシカーバイド、ニトロカーバイドなどがあり得る。

本発明による装置の一実施形態では、制御ユニットは、前記処理ステーションのうちの選択されたものまたはすべてによって、基板の処理を制御可能に可能または不可能にすると解釈される。第１のスパッタ堆積ステーションおよび第２のスパッタ堆積ステーションを含む基板処理ステーションの配置のうちの処理ステーションの選択された不可能は、例えば、基板を装置に載せるために、および／または、基板を装置から降ろすために、適用されてもよく、それによって、すべての基板の全体の処理を等しく維持する。

基板処理をそれぞれのステーションによって可能および不可能にすることは、ステーションから基板運搬装置への処理接続を閉鎖または開放するシャッタによって、および／または、それぞれのステーションへの電力供給をスイッチオンおよびスイッチオフすることによって、実施されてもよい。シャッタを使用することは、過渡的な挙動を切り替えることを回避する。

本発明による装置の一実施形態では、制御ユニットは、互いと直接的に後に続く前記１回の３６０°を超える相対回転運動のうちの少なくとも１回について、軸に対して一定の角速度での連続的な相対回転のために回転駆動部を制御すると、および、回転駆動部の回転運動の方向を逆にすると、解釈される。処理ステーションの配置に対する複数の基板運搬装置の配置の相対的な回転または回転運動の方向を逆にすることで、層堆積は均一化され得る。

本発明による装置の一実施形態では、第１のスパッタ堆積ステーションおよび第２のスパッタ堆積ステーションの少なくとも一方は、それぞれのターゲットの下流にコリメータを備える。このようなコリメータによって、所望の微細構造が、所望の磁気特性をもたらす非常に薄い層にもたらされ得る。

本発明による装置の一実施形態では、第１のターゲットおよび第２のターゲットの一方はＦｅ_ｘ１Ｃｏ_ｙ１のものであり、処理ステーションの配置は、１つのスパッタリングステーションに続いて連なって隣接すると共にホウ素のターゲットを有するさらなるスパッタリングステーションを備える。さらなるスパッタリングステーションは、１つのスパッタリングステーションと同じ時間の間に堆積可能とされるように制御ユニットによって制御され、ｘ１＋ｙ１＝１００および２０＜ｙ１＜５０が有効である。

本発明による装置の一実施形態では、第１のターゲットおよび第２のターゲットの一方はＣｏのものである。処理ステーションの配置は、１つのスパッタリングステーションに続いて隣接すると共にＴａおよびＺｒのターゲットをそれぞれ有する少なくとも２つのさらなるスパッタリングステーションを備える。さらなるスパッタリングステーションは、１つのスパッタリングステーションと同じ時間の間に堆積可能とされるように制御ユニットによって制御される。

本発明による装置の一実施形態では、第１のターゲットおよび第２のターゲットの少なくとも一方はＦｅ_ｘ２Ｃｏ_ｙ２Ｂ_ｚ２のものであり、ここで、ｘ２＋ｙ２＋ｚ２＝１００である。

上述した実施形態の一実施形態では、処理ステーションの配置は、誘電材料層を堆積させると解釈される少なくとも１つのさらなる層堆積ステーションを備える。

本発明による装置の一実施形態では、第１のターゲットおよび第２のターゲットの少なくとも一方はＮｉ_ｘ３Ｆｅ_ｙ３のものであり、ここで、ｘ３＋ｙ３＝１００であり、５０＜ｙ３＜６０または１７．５＜ｙ３＜２２．５が有効である。

本発明による装置の一実施形態では、第１のターゲットはＦｅ_ｘ４Ｃｏ_ｙ４のものであり、第２のターゲットはＮｉ_ｘ５Ｆｅ_ｙ５のものであり、ｘ４＋ｙ４＝１００と、ｘ５＋ｙ５＝１００と、５＜ｙ４＜２０と、１７．５＜ｙ５＜２２．５または５０＜ｙ５＜６０とが有効である。

本発明による装置の一実施形態では、第１のターゲットはＦｅ_ｘ６Ｃｏ_ｙ６Ｂ_ｚ６から成り、第２のターゲットはＣｏ_ｘ７Ｔａ_ｙ７Ｚｒ_ｚ７から成り、ここで、ｘ６＋ｙ６＋ｚ６＝１００およびｘ７＋ｙ７＋ｚ７＝１００である。

上述した実施形態の一実施形態では、
ｘ６＞ｙ６
が有効である。

上述したような本発明による装置の一実施形態では、
ｙ６≧ｚ６
が有効である。

上述したような本発明による装置の一実施形態では、
ｘ７＞ｙ７
が有効である。

上述したような本発明による装置の一実施形態では、
ｙ７≧ｚ７
が有効である。

上述したような本発明による装置の一実施形態では、
４５≦ｘ６≦６０、
５０≦ｘ６≦５５、
ｘ６＝５２、
２０≦ｙ６≦４０、
２５≦ｙ６≦３０、
ｙ６＝２８、
１０≦ｚ６≦３０、
１５≦ｚ６≦２５、
ｚ６＝２０
のうちの少なくとも１つ以上が有効である。

上述したような本発明による装置の一実施形態では、
８５≦ｘ７≦９５、
９０≦ｘ７≦９３、
ｘ７＝９１．５、
３≦ｙ７≦６、
４≦ｙ７≦５、
ｙ７＝４．５、
２≦ｚ７≦６、
３≦ｚ７≦５、
ｚ７＝４
のうちの少なくとも１つ以上が有効である。

本発明による装置の一実施形態では、制御ユニットは、前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび前記第２のスパッタ堆積ステーションの各々と、可能であれば少なくとも１つのさらなる層堆積ステーションとによって、それへの基板暴露につき、
０．１ｎｍ≦ｄ≦３ｎｍ
０．３ｎｍ≦ｄ≦２ｎｍ
０．５ｎｍ≦ｄ≦１．５ｎｍ
のうちの少なくとも１つが有効であるそれぞれ厚さｄの層を堆積させるように、相対回転を、および／または、少なくとも第１のターゲットと第２のターゲットとに加えられる出力と、可能であれば処理ステーションの配置のうちのさらなる層堆積ステーションに加えられる出力とを制御すると解釈される。

上述したような、本発明による装置の２つ以上の実施形態は、矛盾していない場合には組み合わされてもよい。

本発明は、コアを備える誘導デバイスを伴う基板を製造する方法であって、コアは、スパッタリングによって堆積させられた薄い層を備え、薄い層の少なくとも一部は、本発明による装置を用いて、または、この装置の上記実施形態の１つ以上によって堆積させられる、方法にさらに向けられている。

本発明は、誘導デバイスのためのコアを伴う基板を製造する方法であって、コアは、スパッタリングによって堆積させられた薄い層を備え、薄い層の少なくとも一部は、本発明による装置を用いて、または、この装置の上記実施形態の１つ以上によって堆積させられる、方法にさらに向けられている。

本発明は、第１の軟磁性材料の第１の層と第２の軟磁性材料の第２の層とを備える軟磁性多層積層体であって、第２の軟磁性材料は第１の軟磁性材料と異なり、第１の層は厚さｄ_１を各々有し、第２の層は厚さｄ_２を各々有し、
５ｎｍ≧（ｄ_１、ｄ_２）≧０．１ｎｍ
が有効である、軟磁性多層積層体にさらに向けられている。

それによって、厚さｄ_１およびｄ_２は、ｄ_１およびｄ_２についての上記範囲内で、個々の層ごとで異なってもよい。

本発明による軟磁性多層積層体の一実施形態では、
１ｎｍ≧（ｄ_１、ｄ_２）≧０．１ｎｍ
が有効である。

本発明による軟磁性多層積層体の一実施形態では、
０．１ｎｍ≦（ｄ_１、ｄ_２）≦３ｎｍ、
０．３ｎｍ≦（ｄ_１、ｄ_２）≦２ｎｍ、
０．５ｎｍ≦（ｄ_１、ｄ_２）≦１．５ｎｍ
のうちの少なくとも１つが有効である。

本発明による軟磁性多層積層体の一実施形態では、
０．５ｎｍ≧（ｄ_１、ｄ_２）≧０．１ｎｍ
または
０．５ｎｍ≧（ｄ_１、ｄ_２）≧０．２ｎｍ
が有効である。

本発明による軟磁性多層積層体の一実施形態では、厚さｄ_１とｄ_２とは等しい。

本発明による軟磁性多層積層体の一実施形態では、ｄ_１とｄ_２とは１ｎｍである。

本発明による軟磁性多層積層体の一実施形態では、ｄ_１およびｄ_２の少なくとも一方は１ｎｍより小さい。

本発明による軟磁性多層積層体の一実施形態では、第１の層と第２の層とは一方が他方の上に直接的に位置する。

本発明による軟磁性多層積層体の一実施形態では、第１の層はＦｅＣｏＢのものであり、第２の層はＣｏＴａＺｒのものである。

本発明による軟磁性多層積層体の一実施形態では、第１の層と第２の層とは一方が他方の上に直接的に位置し、積層体は複数の第１の層および第２の層を備え、その複数は非強磁性材料の層によって覆われる。

一実施形態では、上記非強磁性材料はＡｌＯ_２である。

一実施形態では、軟磁性多層は、２つ以上の上記複数を備え、それらの間に非強磁性材料の少なくとも１つのそれぞれの層を伴う。

本発明は、
・ 複数のＦｅＣｏＢ層と、
・ 複数のＣｏＴａＺｒ層と
を備え、
・ ＦｅＣｏＢの層は、交互の手法で、ＣｏＴａＺｒの層に直接的に位置し、
共通の複数のＦｅＣｏＢ層およびＣｏＴａＺｒ層はＡｌＯ_２の層によって覆われる、軟磁性多層にさらに向けられている。

上述したような本発明による軟磁性多層積層体の一実施形態では、ＦｅＣｏＢの層は厚さｄ_１を有し、ＣｏＴａＺｒの層は厚さｄ_２を有し、ｄ_１とｄ_２とは等しい。

上述したような本発明による軟磁性多層積層体の一実施形態では、
０．１ｎｍ≦（ｄ_１、ｄ_２）≦３ｎｍ、
０．３ｎｍ≦（ｄ_１、ｄ_２）≦２ｎｍ、
０．５ｎｍ≦（ｄ_１、ｄ_２）≦１．５ｎｍ
のうちの少なくとも１つが有効である。

上述したような本発明による軟磁性多層積層体の一実施形態では、ｄ_１およびｄ_２は０．２ｎｍまでで１ｎｍより小さい。

本発明は、コアが、本発明による、または、本発明の１つ以上の実施形態による少なくとも１つの軟磁性複層を備える、誘導デバイスのためのコアまたはコアを伴う誘導デバイスにさらに向けられる。

矛盾しない場合、本発明による磁気複層の実施形態のうちの１つ以上が、それぞれの実施形態のうちの１つ以上と組み合わされ得ることに留意されたい。

本発明は先の記載から当業者には既に明らかであるが、ここで、本発明は図を用いて追加的に例示される。

本発明による装置の概略的で単純化された実施形態の図である。 図１による装置の描写から離れて、本発明による装置のさらなる実施形態の輸送室および基板処理ステーションの配置の図である。 本発明による装置を動作させ、それによって本発明による方法の例を実施する例としてステップ（ａ）～（ｅ）を動作させる順番の図である。 本発明による装置のさらなる実施形態による、複数の基板運搬装置の配置および基板処理ステーションの配置の概略的で単純化された異なる機械的な概念の図である。 本発明による装置の実施形態における処理ステーションのさらなる配置の例の概略図である。

図１は、本発明による軟磁性材料多層堆積装置の最も概略的で単純化された実施形態を示している。装置１は、ポンプ手段５によってポンピングされる真空輸送室３を備える。真空輸送室３は、軸ＡＸの周りで円筒状である円筒状内部空間７を有する。真空輸送室３の内部空間７と同軸で、内部空間７において、回転可能に装着された円筒状の輸送回転装置９が設けられている。図１の図の平面と一致し、軸ＡＸに対して垂直である平面Ｅに沿って、輸送回転装置９の周辺に沿って均等に分配された複数の基板運搬装置１１の配置１６が設けられている。基板運搬装置１１の各々は、基板１３の各々の延在表面１３_ｏのうちの一方が、図１の実施形態では、円筒状内部空間７の円筒状表面７_ｃを向くように、基板１３を所定位置で受け入れて保持するように構成されている。

なおも図１の実施形態によれば、内部空間７の円筒状表面７_ｃに沿って、基板処理ステーションの配置１５が設けられている。図１では、これらの基板処理ステーションのうちの２つが、符号１７Ａおよび１７Ｂで図示されて示されている。上記配置１５の基板処理ステーションは、処理可能とされるときに基板１３の表面１３_ｏを処理するように、基板運搬装置１１の軌道経路の方を向く。

回転駆動部１９が、軸ＡＸの周りで輸送回転装置９を回転させるように輸送回転装置９に動作可能に結合されている。それによって、基板１３が載せられた複数の基板運搬装置１１の配置１６は、配置１５のそれぞれの処理ステーションの処理領域を通過する。

したがって、処理ステーションの配置１５に対する複数の基板運搬装置１１の配置１６の相対回転が確立される。

処理ステーションの配置１５は、第１のスパッタ堆積ステーション１７Ａおよび第２のスパッタ堆積ステーション１７Ｂを備える、または、最小の構成であっても、第１のスパッタ堆積ステーション１７Ａおよび第２のスパッタ堆積ステーション１７Ｂから成る。第１のスパッタ堆積ステーション１７Ａは、基板１３における層材料として堆積させられる第１の軟磁性材料から成る第１のスパッタリングターゲットＴ_Ａを有する。この第１のターゲット材料は、図１においてＭ_Ａによって示されている。材料Ｍ_Ａは、強磁性元素Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの１つ以上から成ることができ、または、これらの元素のうちの１つ以上の他に、非強磁性元素のうちの１つ以上を含んでもよい。このような少なくとも１つの非強磁性元素は、周期系のＩＩＩＡ族、ＩＶＢ族、およびＶＢ族（ＩＵＡＰＣの第１３族、第４族、第５族に従う）からの１つ以上の元素とでき、それによって、特にはＢ、Ｔａ、Ｚｒの群からの１つ以上の元素とできる。

第２のスパッタ堆積ステーション１７Ｂは、基板１３において層材料として堆積させられ、第１のスパッタリングステーション１７ＡのターゲットＴ_Ａの軟磁性材料Ｍ_Ａと異なる第２の軟磁性材料Ｍ_Ｂから成る第２のターゲットＴ_Ｂを備える。材料Ｍ_Ｂは、強磁性元素Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの１つ以上から成ることができ、または、これらの元素のうちの１つ以上の他に、非強磁性元素のうちの１つ以上を含んでもよい。このような少なくとも１つの非強磁性元素は、周期系のＩＩＩＡ族、ＩＶＢ族、およびＶＢ族（ＩＵＡＰＣの第１３族、第４族、第５族に従う）からの１つ以上の元素とでき、それによって、特にはＢ、Ｔａ、Ｚｒの群からの１つ以上の元素とできる。

したがって、これらの２つのスパッタリングステーション１７Ａおよび１７Ｂにおいて、非反応性のスパッタ堆積が実施され、基板１３に堆積させられる材料は、それぞれのターゲットＴ_Ａ、Ｔ_Ｂの固体材料である。それによって、Ｍ_Ａおよび／またはＭ_Ｂが２つ以上の元素の材料である場合、基板１３の延在表面１３_ｏに堆積させられる材料の経時的な化学量論および化学量論の恒常性が正確に決定される。

スパッタリングステーション１７Ａおよび１７Ｂは、それぞれの供給ユニット２１Ａおよび２１Ｂによって電気的に供給される。ターゲット材料Ｍ_ＡおよびＭ_Ｂに依存して、供給ユニット２１Ａおよび２１Ｂは、単一または複数の周波数の電気供給のためのＤＣ、ＨＩＰＩＭＳを含むパルスＤＣの供給ユニット、またはＲｆの供給ユニットである。両方の材料Ｍ_ＡおよびＭ_Ｂを堆積させるために、等しくまたは選択的のいずれかで、複数の基板運搬装置１１の配置１６のうちの基板運搬装置１１を電気的にバイアスすることも可能である（図示されていない）。図１の実施形態では、これは、バイアス供給源から輸送回転装置９を介して基板運搬装置１１へのそれぞれの電気接続を必要とする。

装置１は制御ユニット２３をさらに備える。制御ユニット２３は、一方で、回転駆動部１９を制御し、延いては輸送回転装置９の相対回転移動を制御し、他方で、スパッタ堆積ステーション１７Ａおよび１７Ｂの処理の可能化および不可能化を制御する。それによって、制御ユニット２３は、軸ＡＸの周りでの処理ステーションの配置１５に対する複数の基板運搬装置１１の配置１６の直接的に後に続く１回の３６０°を超える相対回転運動の間、基板運搬装置１１に向けて、延いては基板１３へと、ターゲット材料をスパッタ堆積させることに関して、スパッタ堆積ステーション１７Ａおよび１７Ｂを堆積可能にさせたままにすると解釈される。スパッタ堆積ステーション１７Ａおよび１７Ｂが堆積可能にされる間の回転運動の数は、基板１３の延在表面１３ｏへの積層体として堆積させられる材料Ｍ_ＡおよびＭ_Ｂの薄い層の数に依存する。スパッタ堆積ステーション１７Ａおよび１７Ｂが堆積可能にされる間の上記１回の３６０°を超える相対回転運動は、互いと直接的に後に続く。

基板１３を、例えば二方向の搭載固定配置２５を介してといった、図１に概略的に示したように、装置へとであって、図１の実施形態によれば輸送回転装置９へと、載せるために、および、降ろすために、制御ユニット２３は、基板１３のそれぞれの処理を選択的に不可能にするために、スパッタ堆積ステーション１７Ａおよび１７Ｂを含む処理ステーションの配置１５を追加的に制御する。これは、ここでは符号２１Ａおよび２１Ｂであるそれぞれの電気供給ユニットを不可能にすること、または、それぞれのシャッタ（図示せず）をそれぞれ閉じるおよび開けることのいずれかで実現でき、それによって、それぞれのステーションによる基板処理を中断させることができる。これは、装置１によって処理されるすべての基板１３が、装置に載せられることと、装置から降ろされることとの間で等しく処理されるべきであるという事実を特に念頭に置いている。

良好な実施形態において、特には材料Ｍ_ＡおよびＭ_Ｂの非常に薄い層を堆積させる目的を考慮して、図１において矢印Ωによって段階的なステップで上述した、図１によれば、輸送回転装置９における軸ＡＸの周りでの、複数の基板運搬装置１１の配置１６の相対回転移動を実施することが完全に可能である一方で、制御ユニットは、互いと直接的に後に続く上記１回の３６０°を超える相対回転運動の少なくとも一部の間、軸ＡＸに対する一定の角速度での連続的な相対回転のために、回転駆動部１９を制御する。図１によれば、輸送回転装置９のこのような連続的な一定の速度の相対回転によって、相対回転の停止および進行によって引き起こされ得るさらなる過渡的な状態が回避される。スパッタ堆積ステーション１７Ａおよび１７Ｂによる非常に薄い層のスパッタ堆積のためのほとんど制御することができない過渡的な状態を回避することは、このような堆積の制御性を向上させる。これは、基板処理ステーションの配置１５の、可能であれば提供されるさらなる層堆積ステーションによる基板への層堆積についても有効である。

良好な実施形態による、輸送回転装置９が、１回の３６０°を超える中断のない相対回転運動の少なくとも一部の間、軸ＡＸの周りで一定の相対的な角速度で相対的に回転するために、回転駆動部１９および制御ユニット２３を介して制御される場合、基板１３の表面１３_ｏにおいて、特にはスパッタ堆積ステーション１７Ａおよび１７Ｂによって堆積させられる各々の非常に薄い層の厚さは、それぞれのスパッタリングステーション１７Ａおよび１７Ｂが供給ユニット２１Ａおよび２１Ｂによって供給される出力によって制御され、実際には、それぞれの堆積速度によって、つまり、単位時間あたりに堆積させられる材料の量によって、制御されることになる。したがって、制御ユニット２３は、一方では、処理ステーションの配置１５に対する複数の基板運搬装置１１の配置１６の一定の相対回転速度に依存して、他方では、材料Ｍ_Ａについての望ましい非常に小さい層の厚さｄ_１と、材料Ｍ_Ｂについての望ましい非常に小さい層の厚さｄ_２とに依存して、それぞれの供給ユニット２１Ａおよび２１Ｂによってそれぞれのスパッタ堆積ステーション１７Ａおよび１７Ｂに送られる出力を制御すると解釈される。

処理ステーションの配置１５が、第１のスパッタ堆積ステーション１７Ａおよび第２のスパッタ堆積ステーション１７Ｂと同じ時間の間に堆積可能にされるさらなる層堆積ステーションを備える場合、同じことが実施される。このようなさらなるステーションの堆積速度も、上述したような一定の相対回転速度に依存して、他方で、このようなさらなる層堆積ステーションによって堆積させられる所望の非常に小さい層の厚さに依存して、制御ユニット２３によって制御される。

本発明による、図１において例示されたような装置によって実現される、それぞれの材料Ｍ_ＡおよびＭ_Ｂと、可能であればさらなる材料のｄ_１、ｄ_２を含む厚さｄは、上述されており、複数回の３６０°の回転運動のための一定の相対回転速度についての制御ユニット２３と、図１の２１Ａおよび２１Ｂの供給ユニットの、ユニット２３によるそれぞれの制御とによって制御される。

図１の輸送回転装置９におけるような複数の基板運搬装置１１の配置１６が、処理ステーションの配置１５に対して段階的なステップで相対回転させられる場合、スパッタ堆積ステーション１７Ａおよび１７Ｂを含む配置１５の処理ステーションは、各々の段階的な相対回転において、基板運搬装置１１が処理ステーションのうちの１つと良好に並べられることになることを確実にするために、基板運搬装置１１の相互の角度的な空間に対して等しく角度的に離間されなければならない。

上記相対回転が回転駆動部１９によって駆動され、一定の相対角速度回転のために制御ユニット２３によって制御される場合、配置１５の処理ステーション同士の角度的な間隔は、例えば輸送回転装置９に沿って、基板運搬装置１１の相互の角度的な間隔に適合される必要がない。

相対回転が、２回以上の３６０°の後に続く相対回転運動のために連続的となるように、制御ユニット２３によって回転駆動部１９を介して制御される場合、非常に薄い層の結果生じる全体の積層体の均一性が、例えば、図１において－Ωにおいて点線で示されているように、輸送回転装置９の相対回転運動の方向を逆にすることで向上させられる。このような逆にすることは、所望の数の薄い層がスパッタ堆積ステーション１７Ａおよび１７Ｂによって堆積させられた後、制御ユニット２３によって制御されてもよい。

なおも単純化されて最も概略的に真空輸送室３を示している図２によれば、図１のもののようなスパッタ堆積ステーション１７Ａおよび１７Ｂの２つ以上の対が、１７Ａ_１、１７Ａ_２、１７Ｂ_１、１７Ｂ_２などによって表されて提供されており、各々のスパッタ堆積ステーション１７Ａ_ｘは材料Ｍ_Ａのそれぞれのターゲットを有し、したがって、スパッタ堆積ステーション１７Ｂ_ｘの各々は、図１での背景においても上述したように、材料Ｍ_Ｂのターゲットを有する。それでもなお、２つ以上の第１および／または第２のスパッタ堆積ステーションは異なる軟磁性材料のそれぞれのターゲットを有してもよく、例えば、ステーション１７Ａ_１は軟磁性材料Ｍ_Ａ１のターゲットを有してもよく、ステーション１７Ａ_２は異なる軟磁性材料Ｍ_Ａ２などのターゲットを有してもよく、類似して、複数の第２のスパッタリングステーション１７Ｂ_１、１７Ｂ_２なども有してもよい。

図２においてさらに示されているように、装置の一実施形態では、処理ステーションの配置１５の一部として、さらなる層堆積ステーション２５が設けられている。この堆積ステーションは、例えば輸送回転装置９の１回の３６０°を超える相対回転運動の間、堆積活性化させられなくてもよい。図２においてはもはや示されていない制御ユニット２３を用いて、さらなる層堆積室２５は、所定の数の上記連続的な３６０°の相対回転運動の完了の後、選択された期間において、それぞれの電気供給をスイッチオンすること、および／または、基板１３（図２では示されていない）における堆積を妨げるシャッタを開けることによって、堆積活性化させられるだけであってもよい。この堆積ステーション２５によって、良好な実施形態では、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化タンタル、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、およびそれらのそれぞれの炭化物、または、オキシカーバイドもしくはニトロカーバイドなどのものとして、誘電材料の薄い層が、例えば、材料Ｍ_ＡおよびＭ_Ｂの非常に薄い層のまだ完成していない積層体における最終的な層として、および／または、Ｍ_ＡおよびＭ_Ｂの第一の所定の数の非常に薄い層が堆積させられた後で、Ｍ_ＡおよびＭ_Ｂの積層体のさらなる部分をさらに堆積させる前の中間の誘電層として、堆積させられる。

図１および図２の実施形態では、スパッタ堆積ステーション１７Ａおよび１７Ｂが互いに隣接しているが、ある実施形態では、特には少なくとも１つのさらなる層堆積ステーションであって、特には少なくとも１つのさらなるスパッタ堆積室であるさらなる処理ステーションが、それぞれのスパッタ堆積ステーション１７Ａおよび１７Ｂの間に設けられる。このようなさらなる少なくとも１つの層堆積ステーションによって、特にはホウ素、タンタル、および／またはジルコニウムである、周期系のＩＩＩＡ族、ＩＶＢ族、およびＶＢ族（ＩＵＡＰＣの第１３族、第４族、第５族に従う）からの１つ以上の元素としての少なくとも１つの非強磁性元素が、堆積させられ得る。このような少なくとも１つの中間ステーションが設けられる場合、その中間ステーションは、スパッタ堆積ステーション１７Ａおよび１７Ｂのように連続的に、または、材料Ｍ_ＡおよびＭ_Ｂの所定の数の非常に薄い層が基板１３に堆積させられた後だけを意味する選択的な間隔で、動作させられてもよい。

図５は、処理ステーションの配置１５に対する複数の基板運搬装置１１（図５では示されていない）の配置１６の相対回転Ωの軌道経路に沿って、上記軌道経路に沿って配置されるとしたステーションの例を最も概略的に示している。第１のスパッタ堆積ステーションは、元素Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうちの少なくとも１つから成るターゲットを有する。

隣接する後に続くさらなるスパッタ堆積ステーション１８ａは、元素Ｂ、Ｔａ、Ｚｒのうちの少なくとも１つのターゲットを有する。

第２のスパッタ堆積ステーション１７ＢはＣｏのターゲットを有する。隣接する後に続くさらなるスパッタ堆積ステーション１８ｂおよび１８ｃが装着され、ＴａおよびＺｒのターゲットをそれぞれ有する。

すべてのステーション１８ａ～１８ｃは、例として、ステーション１７Ａおよび１７Ｂと同時に堆積可能にされる。

非常に薄い層の磁気特性をさらに向上させるために、コリメータ（図示せず）が、それぞれのターゲットＴ_ＡおよびＴ_Ｂと、回転運動する基板運搬装置１１との間に設けられてもよい。このようなコリメータは、処理ステーションの配置１５のさらなる層堆積ステーションに設けられてもよい。

図３は、例えば図１または図２の実施形態による、装置の動作の例を示している。この図から、真空輸送室３の円筒状内部空間７が、多角形によって近似されるという意味において、円筒状として同じく理解されるものであることが分かる。

図３による周期（ａ）では、層堆積ステーション２５は堆積可能にされ、輸送回転装置９におけるすべての基板１３は、４ｎｍの厚さを伴う酸化アルミニウムの緩衝層で被覆される。輸送回転装置９は一定の角速度で時計回りに連続的に回転させられる。酸化アルミニウムの緩衝層が基板１３に堆積させられると、例えば酸化アルミニウム材料ターゲットにおいて動作するＲｆスパッタ堆積室といった堆積ステーション２５が、堆積不可能にされる。周期（ｂ）では、スパッタ堆積ステーション１７Ａおよび１７Ｂは、基板１３における緩衝層におけるスパッタ堆積のために可能とされ、輸送回転装置９はなおも一定の角速度で時計回りに回転運動している。４０回の３６０°の連続した回転運動によって、材料Ｍ_Ａの層と材料Ｍ_Ｂの層との４０組の対が堆積させられる。材料Ｍ_ＡはＦｅ_ｘ６Ｃｏ_ｙ６Ｂ_ｚ６であり、材料Ｍ_ＢはＣｏ_ｘ７Ｔａ_ｙ７Ｚｒ_ｚ７であり、先に示されたような化学量論因子ｘ６、ｙ６、ｚ６およびｘ７、ｙ７、ｚ７の値を伴う。

明確には、一例において、材料Ｍ_ＡはＦｅ_５２Ｃｏ_２８Ｂ_２０であり、材料Ｍ_ＢはＣｏ_９１．５Ｔａ_４．５Ｚｒ_４である。厚さｄ_１およびｄ_２の合計は約２ｎｍである。

結果得られるのは、約８０ｎｍの全体の厚さを伴う上記Ｍ_ＡおよびＭ_Ｂの非常に薄い層の層の積層体である。約８０ｎｍの厚さのこの層の積層体を堆積させた後、酸化アルミニウム堆積のための堆積室２５は堆積可能とされ、酸化アルミニウムの約４ｎｍの厚さの薄い層が、周期（ｃ）に従って８０ｎｍの層の積層体に堆積させられる。それによって、輸送回転装置９の回転運動方向は反時計回りへと逆にされる。続いて、図３の周期（ｄ）によれば、堆積室２５は再び堆積不可能とさせられ、スパッタ堆積ステーション１７Ａおよび１７Ｂのスパッタ堆積が可能とさせられる。

輸送回転装置９の続いての４０回の３６０°の反時計回りの連続した回転運動によって、材料Ｍ_ＡおよびＭ_Ｂの非常に薄い層の８０ｎｍの積層体が再び堆積させられる。

それによって、例えば１ｎｍから０．２ｎｍまで、上記Ｍ_ＡおよびＭ_Ｂの材料のターゲットから堆積させられた層のｄ_１およびｄ_２を小さくすることによって、積層体の磁気特性Ｈ_ｋが、３５Ｏｅから、飽和保磁力を非常に小さく保つ、つまり、超低損失ＲＦ受動デバイスによって必要とされるような軟磁性多層にとって必須である、約０．１Ｏｅ～約０．２Ｏｅより小さいほとんど５０Ｏｅまで向上される。

周期（ｅ）および可能であれば続くさらなる周期によれば、周期（ａ）～（ｃ）は、要求されるようにしばしば繰り返され得る。

化学量論パラメータおよびｘ_ｎ、ｙ_ｎ、ｚ_ｎが、１ＧＨｚまたは数ＧＨｚの非常に高い周波数用途のための非常に薄い軟磁性材料層の結果生じる積層体の軟磁性挙動をさらに最適化するために、上述したように範囲内で変化させられてもよいことは、留意される必要がある。

図３による例で被覆された基板は、酸化シリコン層で覆われたシリコン基板である。

ところで、図１～図３の実施形態によれば、基板運搬装置１１は、そこで支持された基板が、回転軸ＡＸに対して外向きに、配置１５のそれぞれの位置決めされたステーションに向けて径方向に指す法線を伴う延在表面１３_ｏを有する様態で、輸送回転装置９の周辺に沿って配置されている。

図４（ａ）～図４（ｇ）は、処理ステーションの配置１６に対する複数の基板運搬装置１１の配置１６の相対回転が確立される本発明による装置の最も概略的な様々な機械的概念を示している。

図４ａの実施形態では、処理ステーションの配置１５は静止している。基板１３を伴う複数の基板運搬装置１１の配置１６は回転可能であり、基板１３の処理される表面は、軸ＡＸに対して外向きに、静止した処理ステーションの配置１５の方を向いている。

図４ｂの実施形態では、基板１３を伴う複数の基板運搬装置１１の配置１６は静止している。処理ステーションの配置１５は回転可能である。基板１３の処理される表面は、軸ＡＸに対して内向きに、回転可能な処理ステーションの配置１５の方を向いている。

図４ｃの実施形態では、処理ステーションの配置１５は回転可能である。基板１３を伴う複数の基板運搬装置１１の配置１６は静止しており、基板１３の処理される表面は、軸ＡＸに対して外向きに向けられており、回転可能な処理ステーションの配置１５の方を向いている。

図４ｄの実施形態では、基板１３を伴う複数の基板運搬装置１１の配置１６は回転可能である。処理ステーションの配置１５は静止している。基板１３の処理される表面は、軸ＡＸに対して内向きに向けられており、静止した処理ステーションの配置１５を向いている。

図４ａ～図４ｄにおける静止した搭載がＳＴによって概略的に示していることに、留意されたい。

図４ｅの実施形態では、真空輸送室３の内部空間７は、図４ａ～図４ｄの実施形態におけるように円筒状ではなく、環状である。処理ステーションの配置１５は静止または回転可能である。基板１３を伴う複数の基板運搬装置１１の配置１６は、それぞれ回転可能または静止である。基板１３の処理される表面は、軸ＡＸに対して外向きに向けられており、処理ステーションの配置１５を向いている。

図４ｆの実施形態では、真空輸送室３の内部空間７は、図４ａ～図４ｄの実施形態におけるように円筒状ではなく、環状である。処理ステーションの配置１５は静止または回転可能である。基板１３を伴う複数の基板運搬装置１１の配置１６は、それぞれ回転可能または静止である。基板１３の処理される表面は、軸ＡＸに対して内向きに向けられており、処理ステーションの配置１５を向いている。

図４ｇの実施形態では、内部空間７は円筒状である。処理ステーションの配置１５は静止または回転可能である。基板１３を伴う複数の基板運搬装置１１の配置１６は、それぞれ回転可能または静止である。処理ステーションの配置１５のステーションの処理方向は、軸ＡＸと平行である。基板１３の処理される表面は、軸ＡＸと平行に向けられており、処理ステーションの配置１５を向いている。

当業者には明らかとなるように、基板１３のための複数の基板運搬装置１１の配置１６の実現と、処理ステーションの配置１５とのさらなる機械的な組み合わせが、本発明の範囲を逸脱することなく可能である。

それでもなお、図１～図３および図５の実施形態に関して提供されているすべての説明は、図４による実施形態についても実施される。

［付記項１］
軟磁性材料多層堆積装置であって、
軸の周りの円形の内部空間の真空輸送室と、
前記軸に対して垂直な平面に沿っての、前記内部空間において、前記軸と同軸の複数の基板運搬装置の円形の配置と、
前記軸に対して垂直な平面に沿っての、前記内部空間へと処理動作する基板処理ステーションの円形の配置と、
前記複数の基板運搬装置の前記円形の配置と、処理ステーションの前記円形の配置との間に相対回転を確立するように、前記複数の基板運搬装置の前記円形の配置と、処理ステーションの前記円形の配置との間で動作可能に結合される回転駆動部と
を備え、
前記複数の基板運搬装置の前記円形の配置と、処理ステーションの前記円形の配置とは相互に並べられ、
基板処理ステーションの前記配置は、
各々が単一のターゲットを伴う少なくとも１つの第１のスパッタ堆積ステーションおよび少なくとも１つの第２のスパッタ堆積ステーションを備え、
前記第１のスパッタ堆積ステーションは、基板における層材料として堆積される第１の軟磁性材料の第１のターゲットを有し、
前記第２のスパッタ堆積ステーションは、前記基板における層材料として堆積される前記第１の軟磁性材料と異なる第２の軟磁性材料のターゲットを有し、
前記装置は、
処理ステーションの前記配置のうちの前記ステーションと、前記回転駆動部とに動作可能に結合され、前記軸の周りでの処理ステーションの前記配置に対する前記複数の基板運搬装置の前記配置の少なくとも１回の３６０°を超える回転運動の間に、前記基板運搬装置に向けて連続的なスパッタ堆積を可能とさせるように、前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび前記第２のスパッタ堆積ステーションを制御すると解釈される制御ユニットであって、前記３６０°の回転運動は互いと直接的に後に続く、制御ユニットをさらに備える、軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項２］
前記円形の内部空間は環状であり、前記複数の基板運搬装置の前記配置または処理ステーションの前記配置は、前記環状の内部空間の径方向外側の円形の表面、または、前記環状の内部空間の上面もしくは下面に備え付けられる、少なくとも請求項１に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項３］
前記円形の内部空間は環状であり、前記複数の基板運搬装置の前記配置または処理ステーションの前記配置は、前記環状の内部空間の径方向内側の円形の表面に備え付けられる、少なくとも請求項１に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項４］
前記円形の内部空間は円筒状であり、前記複数の基板運搬装置の前記配置または処理ステーションの前記配置は、前記円筒状の内部空間の周囲表面である円形の表面、または、前記円筒状の内部空間の下面もしくは上面に備え付けられる、少なくとも請求項１に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項５］
処理ステーションの前記配置は静止しており、前記複数の基板運搬装置の前記配置は回転可能である、請求項１から４の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項６］
前記第１のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群からの１つ以上の元素を含むかまたはその元素から成り、前記第２のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群の１つ以上の元素を含むかまたはその元素から成る、請求項１から５の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項７］
前記第１のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群の１つ以上の元素と、少なくとも１つの非強磁性元素とから成り、および／または、前記第２のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群からの１つ以上の元素と、少なくとも１つの非強磁性元素とから成る、請求項１から６の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項８］
前記少なくとも１つの非強磁性元素は、周期系のＩＩＩＡ族、ＩＶＢ族、およびＶＢ族（ＩＵＡＰＣの第１３族、第４族、第５族に従う）からの少なくとも１つの元素である、少なくとも請求項７に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項９］
前記第１のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群の１つ以上の元素を含むかまたはその元素から成り、前記第２のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群の１つ以上の元素を含むかまたはその元素から成り、前記装置は、前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび／または前記第２のスパッタ堆積ステーションに隣接し、少なくとも１つの非強磁性元素のターゲットを有する少なくとも１つのさらなるスパッタ堆積ステーションをさらに備える、請求項１から８の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項１０］
前記少なくとも１つの非強磁性元素は、周期系のＩＩＩＡ族、ＩＶＢ族、およびＶＢ族（ＩＵＡＰＣの第１３族、第４族、第５族に従う）からの少なくとも１つの元素である、少なくとも請求項９に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項１１］
前記少なくとも１つの非強磁性元素は、Ｂ、Ｔａ、Ｚｒの群からの少なくとも１つである、少なくとも請求項８または１０に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項１２］
前記制御ユニットは前記回転駆動部を段階的な手法で制御すると解釈される、請求項１から１１の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項１３］
前記制御ユニットは、互いと直接的に後に続く前記少なくとも１回の３６０°を超える回転運動のうちの少なくとも一部について、前記軸に対して一定の角速度での連続的な相対回転のために前記回転駆動部を制御すると解釈される、請求項１から１２の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項１４］
前記制御ユニットは、それぞれ前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび前記第２のスパッタ堆積ステーションの各々によって、それぞれの所望の厚さｄ_１、ｄ_２の前記第１の材料および前記第２の材料の層をスパッタ堆積させるように、前記基板運搬装置の各々が前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび前記第２のスパッタ堆積ステーションにそれぞれ暴露される暴露時間に依存して、少なくとも前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび前記第２のスパッタ堆積ステーションのスパッタリング出力を制御すると解釈される、請求項１から１３の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項１５］
１０ｎｍ≧（ｄ_１、ｄ_２）≧０．１ｎｍ
が有効であるように制御される、請求項１４に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項１６］
５ｎｍ≧（ｄ_１、ｄ_２）≧０．１ｎｍ
が有効であるように制御される、請求項１４または１５に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項１７］
１ｎｍ≧（ｄ_１、ｄ_２）≧０．１ｎｍ
が有効であるように制御される、請求項１４から１６の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項１８］
０．５ｎｍ≧（ｄ_１、ｄ_２）≧０．１ｎｍ、または、
０．５ｎｍ≧（ｄ_１、ｄ_２）≧０．２ｎｍ
が有効であるように制御される、請求項１４から１７の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項１９］
厚さｄ_１とｄ_２とは等しくなるように制御される、請求項１４から１８の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項２０］
ｄ_１およびｄ_２は１ｎｍとなるように制御される、請求項１４から１９の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項２１］
ｄ_１およびｄ_２の少なくとも一方は１ｎｍ未満となるように制御される、請求項１４から２０の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項２２］
０．１ｎｍ≦（ｄ_１、ｄ_２）≦３ｎｍ
０．３ｎｍ≦（ｄ_１、ｄ_２）≦２ｎｍ
０．５ｎｍ≦（ｄ_１、ｄ_２）≦１．５ｎｍ
のうちの少なくとも１つが有効であるように制御される、請求項１４から２１の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項２３］
前記第１の層と前記第２の層とは一方が他方の上に直接的に位置するように制御される、請求項１４から２１の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項２４］
前記第１のスパッタリングステーションはＦｅＣｏＢを堆積させるように構成され、前記第２のスパッタリングステーションはＣｏＴａＺｒを堆積させるように構成される、請求項１４から２３の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項２５］
前記基板運搬装置は複数の回数にわたって前記第１のスパッタリングステーションと前記第２のスパッタリングステーションとを繰り返し通るように制御される、請求項１４から２４の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項２６］
処理ステーションの前記配置は少なくとも１つのさらなる層堆積ステーションを備え、前記制御ユニットは、少なくとも前記１回の３６０°を超える回転運動の間に連続的に堆積を行うように、前記さらなる層堆積ステーションを制御すると解釈され、前記制御ユニットは、前記さらなる層堆積ステーションによって所望の厚さｄ_３の層を堆積させるために、前記基板運搬装置の各々が前記さらなる層堆積ステーションに暴露される暴露時間に依存して、前記さらなる層堆積ステーションの材料堆積速度を制御するとさらに解釈される、請求項１から２５の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項２７］
前記所望の厚さｄ_３について、
１０ｎｍ≧（ｄ_３）≧０．１ｎｍ
が有効であるように制御される、請求項２６に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項２８］
ｄ_３について、
５ｎｍ≧ｄ_３≧２ｎｍ
が有効であるように制御される、少なくとも請求項２７に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項２９］
前記第１のスパッタ堆積ステーションのうちの２つ以上を備える、請求項１から２８の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項３０］
前記第２のスパッタ堆積ステーションのうちの２つ以上を備える、請求項１から２９の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項３１］
前記第１のスパッタ堆積ステーションと前記第２のスパッタ堆積ステーションとは前記内部空間に沿って相互に隣接するステーションの対である、請求項１から３０の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項３２］
前記対を複数で備え、前記第１のスパッタ堆積ステーションと前記第２のスパッタ堆積ステーションとは交互に配置される、少なくとも請求項３１に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項３３］
前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび前記第２のスパッタ堆積ステーションは、３つ以上の層堆積ステーションの群のうちの２つのステーションであり、前記群のうちの前記層堆積ステーションは、前記内部空間に沿って一方が他方に隣接して設けられ、前記群のうちの前記ステーションは、前記制御ユニットの制御によって同時に堆積活性化させられる、請求項１から３２の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項３４］
２つ以上の前記群および／または異なる前記群を備える、少なくとも請求項３３に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項３５］
基板処理ステーションの前記配置は、さらなる材料を前記基板保持体に向けてスパッタ堆積させると解釈される少なくとも１つのさらなるスパッタ堆積ステーションを備える、請求項１から３４の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項３６］
前記さらなる材料は非磁性金属、金属合金、または誘電材料である、少なくとも請求項３５に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項３７］
前記制御ユニットは、処理ステーションの前記配置のうちの前記ステーションのうちの選択されたものまたはすべてによって、前記基板の処理を制御可能に可能または不可能にすると解釈される、請求項１から３６の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項３８］
前記制御ユニットは、互いと直接的に後に続く前記１回の３６０°を超える相対回転運動のうちの少なくとも１回について、前記軸に対して一定の角速度での連続的な相対回転のために前記回転駆動部を制御すると、および、さらには前記回転駆動部の相対回転の方向を逆にすると、解釈される、請求項１から３７の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項３９］
前記第１のスパッタ堆積室および前記第２のスパッタ堆積室の少なくとも一方は、それぞれの前記ターゲットの下流にコリメータを備える、請求項１から３８の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項４０］
前記第１のターゲットおよび前記第２のターゲットの一方はＦｅ_ｘ１Ｃｏ_ｙ１のものであり、処理ステーションの前記配置は、前記１つのスパッタリングステーションに続いて隣接すると共にホウ素のターゲットを有するさらなるスパッタリングステーションを備え、前記さらなるスパッタリングステーションは、前記１つのスパッタリングステーションと同じ時間の間に堆積可能とされるように前記制御ユニットによって制御され、ｘ１＋ｙ１＝１００および２０＜ｙ１＜５０が有効である、請求項１から３９の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項４１］
前記第１のターゲットおよび前記第２のターゲットの一方はＣｏのものであり、処理ステーションの前記配置は、前記１つのスパッタリングステーションに隣接すると共にＴａおよびＺｒのターゲットをそれぞれ有する少なくとも２つのさらなるスパッタリングステーションを備え、前記さらなるスパッタリングステーションは、前記１つのスパッタリングステーションと同じ時間の間に堆積が可能とされるように前記制御ユニットによって制御される、請求項１から４０の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項４２］
前記第１のターゲットおよび前記第２のターゲットの少なくとも一方はＦｅ_ｘ２Ｃｏ_ｙ２Ｂ_ｚ２のものであり、ここで、ｘ２＋ｙ２＋ｚ２＝１００である、請求項１から４１の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項４３］
処理ステーションの前記配置は、誘電材料層を堆積させると解釈される少なくとも１つのさらなる層堆積ステーションを備える、少なくとも請求項４２に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項４４］
前記第１のターゲットおよび前記第２のターゲットの少なくとも一方はＮｉ_ｘ３Ｆｅ_ｙ３のものであり、ここで、ｘ３＋ｙ３＝１００であり、５０＜ｙ３＜６０または１７．５＜ｙ３＜２２．５が有効である、請求項１から４３の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項４５］
前記第１のターゲットはＦｅ_ｘ４Ｃｏ_ｙ４のものであり、前記第２のターゲットはＮｉ_ｘ５Ｆｅ_ｙ５のものであり、ｘ４＋ｙ４＝１００と、ｘ５＋ｙ５＝１００と、５＜ｙ４＜２０と、１７．５＜ｙ５＜２２．５または５０＜ｙ５＜６０とが有効である、請求項１から４３の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項４６］
前記第１のターゲットはＦｅ_ｘ６Ｃｏ_ｙ６Ｂ_ｚ６のものであり、前記第２のターゲットはＣｏ_ｘ７Ｔａ_ｙ７Ｚｒ_ｚ７のものであり、ここで、ｘ６＋ｙ６＋ｚ６＝１００およびｘ７＋ｙ７＋ｚ７＝１００である、請求項１から４３の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項４７］
ｘ６＞ｙ６が有効である、少なくとも請求項４６に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項４８］
ｙ６≧ｚ６が有効である、少なくとも請求項４６または４７に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項４９］
ｘ７＞ｙ７が有効である、請求項４６から４８の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項５０］
ｙ７≧ｚ７が有効である、請求項４６から４９の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項５１］
４５≦ｘ６≦６０、
５０≦ｘ６≦５５、
ｘ６＝５２、
２０≦ｙ６≦４０、
２５≦ｙ６≦３０、
ｙ６＝２８、
１０≦ｚ６≦３０、
１５≦ｚ６≦２５、
ｚ６＝２０
のうちの少なくとも１つ以上が有効である、請求項４６から５０の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項５２］
８５≦ｘ７≦９５、
９０≦ｘ７≦９３、
ｘ７＝９１．５、
３≦ｙ７≦６、
４≦ｙ７≦５、
ｙ７＝４．５、
２≦ｚ７≦６、
３≦ｚ７≦５、
ｚ７＝４
のうちの少なくとも１つ以上が有効である、請求項４６から５１の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項５３］
前記制御ユニットは、前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび前記第２のスパッタ堆積ステーションの各々と、可能であれば少なくとも１つのさらなる層堆積ステーションとによって、それへの基板暴露につき、
０．１ｎｍ≦ｄ≦３ｎｍ
０．３ｎｍ≦ｄ≦２ｎｍ
０．５ｎｍ≦ｄ≦１．５ｎｍ
のうちの少なくとも１つが有効であるそれぞれ厚さｄの層を堆積させるように、前記相対回転を、および／または、少なくとも前記第１のターゲットと前記第２のターゲットとに加えられる出力と、可能であれば処理ステーションの前記配置のうちのさらなる層堆積ステーションに加えられる出力とを制御すると解釈される、請求項１から５２の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項５４］
コアを備える誘導デバイスを伴う基板を製造する方法であって、前記コアは、スパッタリングによって堆積させられた薄い層を備え、前記薄い層の少なくとも一部は、請求項１から５３の少なくとも一項に記載の装置を用いて堆積させられる、方法。
［付記項５５］
誘導デバイスのためのコアを伴う基板を製造する方法であって、前記コアは、スパッタリングによって堆積させられた薄い層を備え、前記薄い層の少なくとも一部は、請求項１から５３の少なくとも一項に記載の装置を用いて堆積させられる、方法。
［付記項５６］
第１の軟磁性材料の第１の層と第２の軟磁性材料の第２の層とを備える軟磁性多層積層体であって、前記第２の軟磁性材料は前記第１の軟磁性材料と異なり、前記第１の層は厚さｄ_１を各々有し、前記第２の層は厚さｄ_２を各々有し、
５ｎｍ≧（ｄ_１、ｄ_２）≧０．１ｎｍ
が有効である、軟磁性多層積層体。
［付記項５７］
１ｎｍ≧（ｄ_１、ｄ_２）≧０．１ｎｍ
が有効である、請求項５６に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項５８］
０．１ｎｍ≦（ｄ_１、ｄ_２）≦３ｎｍ、
０．３ｎｍ≦（ｄ_１、ｄ_２）≦２ｎｍ、
０．５ｎｍ≦（ｄ_１、ｄ_２）≦１．５ｎｍ
のうちの少なくとも１つが有効である、請求項５６または５７に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項５９］
０．５ｎｍ≧（ｄ_１、ｄ_２）≧０．１ｎｍ
または
０．５ｎｍ≧（ｄ_１、ｄ_２）≧０．２ｎｍ
が有効である、請求項５６から５８の少なくとも一項に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項６０］
厚さｄ_１とｄ_２とは等しい、請求項５６から５９の少なくとも一項に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項６１］
ｄ_１とｄ_２とは１ｎｍである、請求項５６から６０の少なくとも一項に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項６２］
ｄ_１およびｄ_２の少なくとも一方は１ｎｍより小さい、請求項５６から６１の少なくとも一項に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項６３］
前記第１の層と前記第２の層とは一方が他方の上に直接的に位置する、請求項５６から６２の少なくとも一項に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項６４］
前記第１の層はＦｅＣｏＢのものであり、前記第２の層はＣｏＴａＺｒのものである、請求項５６から６３の少なくとも一項に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項６５］
前記第１の層と前記第２の層とは一方が他方の上に直接的に位置し、前記積層体は複数の前記第１の層および前記第２の層を備え、前記複数は非強磁性材料の層によって覆われる、請求項５６から６４の少なくとも一項に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項６６］
前記非強磁性材料はＡｌＯ_２である、請求項６５に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項６７］
前記複数のうちの２つ以上と、それぞれの非強磁性材料の層とを備える、少なくとも請求項６５または６６に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項６８］
複数のＦｅＣｏＢ層と、
複数のＣｏＴａＺｒ層と
を備え、
ＦｅＣｏＢの前記層は、交互の手法で、ＣｏＴａＺｒの前記層に直接的に位置し、
共通の複数のＦｅＣｏＢ層およびＣｏＴａＺｒ層はＡｌＯ_２の層によって覆われる、軟磁性多層積層体。
［付記項６９］
ＦｅＣｏＢの前記層は厚さｄ_１を有し、ＣｏＴａＺｒの前記層は厚さｄ_２を有し、ｄ_１とｄ_２とは等しい、請求項６８に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項７０］
０．１ｎｍ≦（ｄ_１、ｄ_２）≦３ｎｍ、
０．３ｎｍ≦（ｄ_１、ｄ_２）≦２ｎｍ、
０．５ｎｍ≦（ｄ_１、ｄ_２）≦１．５ｎｍ
のうちの少なくとも１つが有効である、請求項６８または６９に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項７１］
ｄ_１およびｄ_２は０．２ｎｍまでで１ｎｍより小さい、請求項６８から７０のいずれか一項に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項７２］
請求項５６から７１の少なくとも一項に記載の軟磁性多層積層体を少なくとも１つ備えるコアを伴う誘導デバイスのためのコアまたは誘導デバイス。

１ 装置、３ 真空輸送室、５ ポンプ手段、７ 円筒状内部空間、７_ｃ 円筒状表面、９ 輸送回転装置、１１ 基板運搬装置、１３ 基板、１３_ｏ 延在表面、１５ 基板処理ステーションの配置、１６ 基板運搬装置の配置、１７Ａ 第１のスパッタ堆積ステーション、１７Ｂ 第２のスパッタ堆積ステーション、１７Ａ_１，１７Ａ_２，１７Ｂ_１，１７Ｂ_２，１７Ａ_ｘ，１８ａ，１８ｂ，１８ｃ スパッタ堆積ステーション、１９ 回転駆動部、２１Ａ，２１Ｂ 供給ユニット、２３ 制御ユニット、２５ 搭載固定配置，さらなる層堆積ステーション，さらなる層堆積室、ＡＸ 軸、Ｅ 平面、Ｍ_Ａ，Ｍ_Ａ１，Ｍ_Ａ２ 第１のターゲット材料，軟磁性材料、Ｍ_Ｂ ターゲット材料，第２の軟磁性材料、ＳＴ 静止した搭載、Ｔ_Ａ 第１のスパッタリングターゲット、Ｔ_Ｂ 第２のターゲット、Ω 相対回転

Claims (38)

1. 軟磁性材料多層堆積装置であって、
   軸の周りの真空輸送室の円形の連続的な内部空間と、
   前記軸に対して垂直な第１の平面に沿っての、円形の連続的な前記内部空間において、前記軸と同軸の複数の基板運搬装置であって当該基板運搬装置それぞれが基板を搬送するための基板運搬装置を備える円形の配置と、
   前記軸に対して垂直な第２の平面に沿っての、基板処理ステーションの円形の配置であって、当該配置の前記基板処理ステーションが、円形の連続的な前記内部空間へと共通して処理動作する、配置と、
   前記複数の基板運搬装置を備える前記円形の配置と、処理ステーションの前記円形の配置との間に相対回転を確立するように、前記複数の基板運搬装置を備える前記円形の配置と、処理ステーションの前記円形の配置との間で動作可能に結合される回転駆動部と
   を備え、
   前記複数の基板運搬装置を備える前記円形の配置と、処理ステーションの前記円形の配置とは相互に位置合わせされ、
   基板処理ステーションの前記配置は、
   各々が単一のターゲットを伴う少なくとも１つの第１のスパッタ堆積ステーションおよび少なくとも１つの第２のスパッタ堆積ステーションを備え、
   前記第１のスパッタ堆積ステーションは、基板における層材料として堆積される第１の軟磁性材料の第１のターゲットを有し、
   前記第２のスパッタ堆積ステーションは、前記基板における層材料として堆積される前記第１の軟磁性材料と異なる第２の軟磁性材料のターゲットを有し、
   前記装置は、
   処理ステーションの前記配置のうちの前記ステーションと、前記回転駆動部とに動作可能に結合され、前記軸の周りでの処理ステーションの前記円形の配置に対する前記複数の基板運搬装置を備える前記円形の配置の１回を超える３６０°の回転運動の少なくとも間に、複数の前記基板運搬装置を備える前記円形の配置に向けてかつ前記配置上に中断のないスパッタ堆積を可能とさせるように、少なくとも１つの前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび少なくとも１つの前記第２のスパッタ堆積ステーションを制御するように構成された制御ユニットであって、前記３６０°の回転運動は互いと直接的に後に続く、制御ユニットをさらに備え、
   前記制御ユニットが、少なくとも１つの前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび少なくとも１つの前記第２のスパッタ堆積ステーションが複数の前記基板運搬装置を備える前記円形の配置に向けてかつ前記配置上に連続的なスパッタ堆積を可能とされた１を超える前記３６０°回転中に、少なくとも１つの前記第１のスパッタ堆積ステーション及び少なくとも１つの前記第２のスパッタ堆積ステーションが隣接する堆積ステーションとして動作させるように、前記処理ステーションを制御するように構成されており、
   それにより、１を超える前記回転中に、互いの上に直接的にあるように前記第１の軟磁性材料の層と前記第２の軟磁性材料の層とを堆積する、軟磁性材料多層堆積装置。
2. 円形の連続した前記内部空間は環状であり、前記複数の基板運搬装置を備える前記配置または処理ステーションの前記配置は、環状の前記内部空間の径方向外側の円形のまたは径方向内側の円形の表面、または、環状の前記内部空間のうち前記内部空間の上側を画成する上面もしくは前記内部空間の下側を画成する下面に備え付けられる、請求項１に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
3. 前記円形の内部空間は円筒状であり、前記複数の基板運搬装置を備える前記円形の配置または処理ステーションの前記配置は、前記円筒状の内部空間の周囲表面である円形の表面、または、前記円筒状の内部空間の下面もしくは上面に備え付けられる、請求項１に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
4. 処理ステーションの前記円形の配置は静止しており、前記複数の基板運搬装置を備える前記円形の配置は回転可能である、請求項１から３のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
5. 少なくとも１つの前記第１のスパッタ堆積ステーションの前記第１のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群からの１つ以上の元素を含むかまたはその元素から成り、前記第２のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群の１つ以上の元素を含むかまたはその元素から成る、請求項１から４のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
6. 少なくとも１つの前記スパッタ堆積ステーションの前記第１のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群の１つ以上の元素と、少なくとも１つの非強磁性元素とから成り、および／または、少なくとも１つの前記スパッタ堆積ステーションの前記第２のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群からの１つ以上の元素と、少なくとも１つの非強磁性元素とから成る、請求項１から５のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
7. 前記少なくとも１つの非強磁性元素は、周期系のＩＩＩＡ族、ＩＶＢ族、およびＶＢ族（ＩＵＡＰＣの第１３族、第４族、第５族に従う）からの少なくとも１つの元素である、請求項６に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
8. 少なくとも１つの前記スパッタ堆積ステーションの前記第１のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群の１つ以上の元素を含むかまたはその元素から成り、少なくとも１つの前記スパッタ堆積ステーションの前記第２のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群の１つ以上の元素を含むかまたはその元素から成り、前記装置は、少なくとも１つの前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび／または少なくとも１つの前記第２のスパッタ堆積ステーションに隣接し、少なくとも１つの非強磁性元素のターゲットを有する少なくとも１つのさらなるスパッタ堆積ステーションをさらに備える、請求項１から７のいずれか１項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
9. 前記少なくとも１つの非強磁性元素は、周期系のＩＩＩＡ族、ＩＶＢ族、およびＶＢ族（ＩＵＡＰＣの第１３族、第４族、第５族に従う）からの少なくとも１つの元素である、請求項８に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
10. 前記少なくとも１つの非強磁性元素は、Ｂ、Ｔａ、Ｚｒの群からの少なくとも１つである、請求項７または９に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
11. 前記制御ユニットは、
    －互いと直接的に後に続く前記少なくとも１回の３６０°を超える回転運動のうちの少なくとも一部について、前記軸に対して一定の角速度での連続的な相対回転のために、
    －段階的な手法で、
    －前記回転駆動部の相対回転の方向を逆にするように、
    のうちの少なくとも１つの態様で、前記回転駆動部を制御するように構成されている、請求項１から１０のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
12. 前記制御ユニットは、それぞれ前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび前記第２のスパッタ堆積ステーションの各々によって、それぞれの所望の厚さｄ１、ｄ２の前記第１の材料および前記第２の材料の層をスパッタ堆積させるように、前記基板運搬装置の各々が少なくとも１つの前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび少なくとも１つの前記第２のスパッタ堆積ステーションにそれぞれ暴露される暴露時間に依存して、少なくとも１つの前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび少なくとも１つの前記第２のスパッタ堆積ステーションのスパッタリング出力を制御するように構成されている、請求項１から１１のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
13. １０ｎｍ≧（ｄ１、ｄ２）≧０．１ｎｍ、
    ５ｎｍ≧（ｄ１、ｄ２）≧０．１ｎｍ、
    １ｎｍ≧（ｄ１、ｄ２）≧０．１ｎｍ、
    ０．５ｎｍ≧（ｄ１、ｄ２）≧０．１ｎｍ、
    ０．５ｎｍ≧（ｄ１、ｄ２）≧０．２ｎｍ
    ｄ１およびｄ２の少なくとも一方は１ｎｍ未満、
    ｄ１およびｄ２は等しい、
    ｄ１およびｄ２の少なくとも一方は１ｎｍ未満、
    ０．１ｎｍ≦（ｄ１、ｄ２）≦３ｎｍ、
    ０．３ｎｍ≦（ｄ１、ｄ２）≦２ｎｍ、
    ０．５ｎｍ≦（ｄ１、ｄ２）≦１．５ｎｍ、および
    ｄ１及びｄ２が１ｎｍ、
    のうちの少なくとも１つが有効であるように制御される、請求項１２に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
14. 少なくとも１つの前記第１のスパッタ堆積ステーションはＦｅＣｏＢを堆積させるように構成され、少なくとも１つの前記第２のスパッタ堆積ステーションはＣｏＴａＺｒを堆積させるように構成される、請求項１２または１３に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
15. 前記基板運搬装置は複数の回数にわたって前記第１のスパッタリングステーションと前記第２のスパッタリングステーションとを繰り返し通るように制御される、請求項１２から１４のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
16. 処理ステーションの前記配置は少なくとも１つのさらなる層堆積ステーションを備え、前記制御ユニットは、少なくとも前記１回の３６０°を超える回転運動の間に連続的に堆積を行うように、前記さらなる層堆積ステーションを制御するように構成され、前記制御ユニットは、前記さらなる層堆積ステーションによって所望の厚さｄ３の層を堆積させるために、前記基板運搬装置の各々が前記さらなる層堆積ステーションに暴露される暴露時間に依存して、前記さらなる層堆積ステーションの材料堆積速度を制御するとさらに構成される、請求項１から１５のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
17. 前記所望の厚さｄ３について、
    １０ｎｍ≧（ｄ３）≧０．１ｎｍ、および
    ５ｎｍ≧ｄ３≧２ｎｍ
    のうちの少なくとも一方が有効であるように制御される、請求項１６に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
18. 少なくとも１つの前記第１のスパッタ堆積ステーションのうちの１を超える前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび／または少なくとも１つの前記第２のスパッタ堆積ステーションのうちの１を超える前記第２のスパッタ堆積ステーションを備える、請求項１から１７のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
19. 少なくとも１つの前記第１のスパッタ堆積ステーションと少なくとも１つの前記第２のスパッタ堆積ステーションとは円形の前記内部空間に沿って相互に隣接するステーションの対である、請求項１から１８のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
20. 前記対を複数で備え、少なくとも１つの前記第１のスパッタ堆積ステーションと少なくとも１つの前記第２のスパッタ堆積ステーションとは交互に配置される、請求項１９に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
21. 少なくとも１つの前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび少なくとも１つの前記第２のスパッタ堆積ステーションは、さらなる層堆積ステーションを備える群のステーションであり、前記群のうちの前記層堆積ステーションは、円形の連続的な前記内部空間に沿って一方が他方に隣接して設けられ、前記群のうちの前記層堆積ステーションは、前記制御ユニットの制御によって同時に堆積活性化させられる、請求項１から２０のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
22. ２つ以上の前記群および／または異なる前記群を備える、請求項２１に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
23. 基板処理ステーションの前記配置は、さらなる材料を前記基板運搬装置に向けてスパッタ堆積させるように構成された少なくとも１つのさらなるスパッタ堆積ステーションを備える、請求項１から２２のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
24. 前記さらなる材料は非磁性金属、金属合金、または誘電材料である、請求項２３に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
25. 前記さらなる材料は、Ａｌ_２Ｏ_３である、請求項２４に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
26. 前記制御ユニットは、処理ステーションの前記配置のうちの選択した前記処理ステーションまたはすべての前記処理ステーションによる前記複数の基板運搬装置にある前記基板への処理を制御して前記処理を可能または不可能にするように構成される、請求項１から２５のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
27. 少なくとも１つの前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび少なくとも１つの前記第２のスパッタ堆積ステーションのうちの少なくとも一方は、それぞれの前記ターゲットの下流にコリメータを備える、請求項１から２６のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
28. 少なくとも１つの前記第１のスパッタ堆積ステーションにある前記第１のターゲットおよび少なくとも１つの前記第２のスパッタ堆積ステーションにある前記第２のターゲットの一方はＦｅ_ｘ１Ｃｏ_ｙ１のものであり、処理ステーションの前記配置は、前記１つのスパッタリングステーションに続いて隣接すると共にホウ素のターゲットを有するさらなるスパッタリングステーションを備え、ｘ１＋ｙ１＝１００および２０＜ｙ１＜５０が有効である、請求項１から２７のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
29. 少なくとも１つの前記第１のスパッタ堆積ステーションの前記第１のターゲットおよび少なくとも１つの前記第２のスパッタ堆積ステーションの前記第２のターゲットの少なくとも一方はＦｅ_ｘ２Ｃｏ_ｙ２Ｂ_ｚ２のものであり、ここで、ｘ２＋ｙ２＋ｚ２＝１００である、請求項１から２８のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
30. 処理ステーションの前記配置は、誘電材料層を堆積させるように構成された少なくとも１つのさらなる層堆積ステーションを備える、請求項２９に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
31. 少なくとも１つの前記第１のスパッタ堆積ステーションの前記第１のターゲットおよび少なくとも１つの前記第２のスパッタ堆積ステーションの前記第２のターゲットの少なくとも一方はＮｉ_ｘ３Ｆｅ_ｙ３のものであり、ここで、ｘ３＋ｙ３＝１００であり、５０＜ｙ３＜６０または１７．５＜ｙ３＜２２．５が有効である、請求項１から３０のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
32. 少なくとも１つの前記第１のスパッタ堆積ステーションの前記第１のターゲットはＦｅ_ｘ４Ｃｏ_ｙ４のものであり、少なくとも１つの前記第２のスパッタ堆積ステーションの前記第２のターゲットはＮｉ_ｘ５Ｆｅ_ｙ５のものであり、ｘ４＋ｙ４＝１００と、ｘ５＋ｙ５＝１００と、５＜ｙ４＜２０と、１７．５＜ｙ５＜２２．５または５０＜ｙ５＜６０とが有効である、請求項１に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
33. 少なくとも１つの第１のスパッタ堆積ステーションの前記第１のターゲットはＦｅ_ｘ６Ｃｏ_ｙ６Ｂ_ｚ６のものであり、少なくとも１つの前記第２のスパッタ堆積ステーションの前記第２のターゲットはＣｏ_ｘ７Ｔａ_ｙ７Ｚｒ_ｚ７のものであり、ここで、ｘ６＋ｙ６＋ｚ６＝１００およびｘ７＋ｙ７＋ｚ７＝１００である、請求項１に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
34. ｘ６＞ｙ６
    ４５≦ｘ６≦６０、
    ５０≦ｘ６≦５５、
    ｘ６＝５２、
    ｙ６≧ｚ６
    ２０≦ｙ６≦４０、
    ２５≦ｙ６≦３０、
    ｙ６＝２８、
    ｘ７＞ｙ７、
    ８５≦ｘ７≦９５、
    ９０≦ｘ７≦９３、
    ｘ７＝９１．５、
    ３≦ｙ７≦６、
    ４≦ｙ７≦５、
    ｙ７＝４．５、
    １０≦ｚ６≦３０、
    １５≦ｚ６≦２５、
    ｚ６＝２０
    ２≦ｚ７≦６、
    ３≦ｚ７≦５、
    ｚ７＝４、
    のうちの少なくとも１つが有効である、請求項３３に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
35. 前記制御ユニットは、少なくとも１つの前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび少なくとも１つの前記第２のスパッタ堆積ステーションの各々と、可能であれば少なくとも１つのさらなる層堆積ステーションとによって、それへの基板暴露につき、
    ０．１ｎｍ≦ｄ≦３ｎｍ
    ０．３ｎｍ≦ｄ≦２ｎｍ
    ０．５ｎｍ≦ｄ≦１．５ｎｍ
    のうちの少なくとも１つが有効であるそれぞれ厚さｄの層を堆積させるように、前記相対回転を、並びに／または、少なくとも前記第１のターゲットと前記第２のターゲットとに加えられる出力及び可能であれば処理ステーションの前記配置のうちのさらなる層堆積ステーションに加えられる出力を制御するように構成される、請求項１から３４のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
36. 前記第１の平面が、前記第２の平面と同じ平面である、請求項１から３５のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
37. 複数回の前記３６０°回転中に、複数の前記基板運搬装置を備える前記円形の配置が、少なくとも１つの前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび少なくとも１つの前記第２のスパッタ堆積ステーションを通過するように制御される、請求項１から３６のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
38. 誘導デバイスのためのコアを有する基板を製造するまたはコアを備える誘導デバイスを製造する方法であって、前記コアは、スパッタリングによって堆積させられた薄い層を備え、前記薄い層の少なくとも一部は、請求項１から３７のいずれか一項に記載の装置を用いて堆積させられる、方法。