JP7659388B2 - 検出装置、検出方法、露光装置、露光システム、物品製造方法、およびプログラム - Google Patents

検出装置、検出方法、露光装置、露光システム、物品製造方法、およびプログラム Download PDF

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Description

本発明は、検出装置、検出方法、露光装置、露光システム、物品製造方法、およびプログラムに関する。
半導体露光装置における対象物の位置合わせ（アライメント）は通常、検出光学系を用いて対象物（例えば基板）上のアライメントマークを観察し、アライメントマークの位置を検出することにより行われる。検出光学系は、観察視野が広いプリアライメント光学系と、観察視野は狭いが計測精度が高いファインアライメント光学系とを含みうる。はじめにプリアライメント光学系を用いてプリアライメント計測を実施してマークの位置を仮合わせしてからファインアライメント光学系を用いてファインアライメント計測を行うことで、広い観察視野と精度を両立させることができる。昨今、イメージセンサの微細化、多画素化に伴い、プリアライメント光学系を使って、広い観察視野を維持したまま、高い精度を実現することが可能となってきた。
一方、検出光学系におけるアライメント計測に含まれうる誤差の要因として、デフォーカス特性がある。デフォーカス特性は、検出光学系の光軸方向（Ｚ方向）の位置であるフォーカス位置に依存して、光軸と垂直な方向（ＸＹ方向）に関して検出される位置（アライメントマークの計測値）が変動する現象を表す特性である。デフォーカス特性を持った状態でアライメントマークを計測すると、アライメントマークのＺ方向の位置のばらつきが計測方向のばらつきになってしまい、計測再現性が低下しうる。
特許文献１では、検出光軸の調整や照明光軸の調整などを行い、極力デフォーカス特性が発生しないようにしている。特許文献１では、基準となる調整マークに対しデフォーカス特性の調整を行い、実際に位置合わせをするマークに対しては調整マークと同等のデフォーカス特性を有するという前提で位置検出を行っている。
ファインアライメント計測では、デフォーカス特性の影響を最小限とするため、アライメントマークを検出光学系のベストフォーカス位置に合わせて計測するのが望ましい。しかし、広い観察視野を有するプリアライメント光学系でファインアライメント計測を実施しようとした場合、光学系の観察視野全体においてフォーカスを合わせることができない。そのため、観察視野中心ではフォーカスが合っていても光学系の観察視野端ではフォーカスが合っていない可能性がある。この場合、ベストフォーカスではない状態でファインアライメント計測を行うことになり、デフォーカス特性の影響で計測値がずれてしまうという問題が発生しうる。プロセスウエハで下地が存在する場合、下地の段差によって観察視野の中心と端とでフォーカス差が大きくなるため、デフォーカス特性の影響を顕著に受ける。そこで、特許文献２では、マークを一度計測した後、光学系の視野中心にマークを送り込んで、再度ファインアライメント計測を実施する方法をとっている。
特開平１０－０２２２１１号公報 特開２００５－２８５９１６号公報
特許文献１では、アライメントマークの位置の変化や観察視野端でのデフォーカス特性の変化に追従できないため、高精度に位置合わせができない問題が発生する。また、特許文献２の手法では、マークを一度視野中心に追い込む処理が必要であり、アライメント計測に長時間を要するという問題がある。
本発明は、例えば、検出処理の精度と速度の両立に有利な検出装置を提供する。
本発明の一側面によれば、基板に配置されたマークを検出する検出装置であって、前記基板の前記マークに光を照射して前記マークの像を検出する検出光学系と、前記検出光学系によって検出された前記マークの像に基づいて前記マークの検出処理を行う処理部と、を有し、前記処理部は、前記検出光学系によって検出された前記マークの像に基づいて前記検出光学系の観察視野内での前記マークの位置を特定し、前記基板の高さと前記検出光学系のフォーカスに関する特性とに基づいて、前記観察視野内の複数の位置毎に算出された補正値のうち、特定した前記マークの位置に対応する補正値を用いて前記基板の表面に沿う方向における前記マークの位置の検出結果を補正する、ことを特徴とする検出装置が提供される。
本発明によれば、例えば、検出処理の精度と速度の両立に有利な検出装置を提供することができる。
露光装置の構成を示す図。 検出光学系の構成を示す図。 プリアライメントマークの例を示す図。 ファインアライメントの例を示す図。 段差情報とデフォーカス特性の計測処理のフローチャート。 観察視野中心にファインアライメントマークが配置された状態を表す図。 複数の計測点でベストフォーカス位置の計測およびデフォーカス特性の計測を行う処理を説明する図。 補正テーブルの作成処理を説明する図。 ファインアライメント計測値の補正処理のフローチャート。 観察視野端にファインアライメントマークが配置された状態を表す図。 ファインアライメントマークが属する部分領域を特定する処理を説明する図。 ファインアライメント計測値の補正値の算出方法を説明する図。 装置間で段差情報を共有する露光システムの構成図。
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
＜第１実施形態＞
図１は、実施形態における露光装置の概略図である。本明細書および図面においては、水平面をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系において方向が示される。一般には、被露光対象である基板４はその表面が水平面（ＸＹ平面）と平行になるように基板ステージ６の上に置かれる。よって以下では、基板４の表面に沿う平面内で互いに直交する方向をＸ軸およびＹ軸とし、Ｘ軸およびＹ軸に垂直な方向をＺ軸とする。また、以下では、ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸にそれぞれ平行な方向をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向といい、Ｘ軸周りの回転方向、Ｙ軸周りの回転方向、Ｚ軸周りの回転方向をそれぞれθｘ方向、θｙ方向、θｚ方向という。
１．装置構成
図１は、実施形態に係る、検出装置が適用される露光装置の構成を示す図である。露光装置１は、原版２に形成されたパターン（例えば回路パターン）を投影する投影光学系３を有する。また、露光装置１は、基板４を保持する基板チャック５と、基板４を所定の位置に位置決めする基板ステージ６とを有する。露光装置１は、更に、基板ステージ６によって保持された基板４のアライメントマークに光を照射してアライメントマークの像を検出する検出光学系７を有する。基板４の上には、前工程で下地パターンおよびアライメントマークが形成されている。
制御部ＣＮは、露光装置の各部を統括的に制御する。記憶部ＳＵは、制御部ＣＮが露光処理を実行するためのプログラムや各種データを記憶する。制御部ＣＮおよび記憶部ＳＵは、ＣＰＵ及びメモリを含むコンピュータ装置として構成されうる。また、本実施形態においてはとりわけ、制御部ＣＮは、検出光学系７によって検出されたアライメントマークの像に基づいてアライメントマークの検出処理を行う処理部として機能しうる。
図２は、検出光学系７の構成を示す図である。光源８からの照明光は、ビームスプリッタ９で反射し、レンズ１０を通り、基板４上のプリアライメントマーク１１を照明する。プリアライメントマーク１１からの回折光はレンズ１０、ビームスプリッタ９、レンズ１３を通り、センサ１４で受光される。ここで、プリアライメントマーク１１は、レンズ１０およびレンズ１３により所定の倍率に拡大され、センサ１４に結像される。従来、広範囲を計測対象とするプリアライメント計測と高精度計測を行うファインアライメント計測とで異なる倍率が設定されていたが、本実施形態では、「所定の倍率」は、プリアライメント計測とファインアライメント計測を両立できる倍率とする。
図３は、プリアライメントマーク１１の例を示す図であり、図４は、ファインアライメントマーク１２の例を示す図である。なお、プリアライメントマーク１１およびファインアライメントマーク１２の形状は図示されたものに限られない。基板のプロセス等に応じて、各アライメントマークの形状は様々なものにされうる。
図２には具体的に表されてはいないが、検出光学系７にはＡＦ（オートフォーカス）系（以下、「ＯＡ－ＡＦ系」と呼ぶ）が構成されている。このＯＡ－ＡＦ系により、プリアライメントマーク１１またはファインアライメントマーク１２に対するベストフォーカス位置を算出することができる。
２．観察視野内の段差情報とデフォーカス特性の計測
図５は、ファインアライメントマークを検出可能な観察視野内の段差情報とデフォーカス特性を計測する処理を含む、露光処理のフローチャートである。このフローチャートに従う露光処理は例えば、各プロセスにおける１枚目の基板の露光時に実施されうる。
Ｓ５０１で、制御部ＣＮは、不図示の基板搬送装置を制御して基板を露光装置１内に搬入する。搬入された基板は基板チャック５によって保持される。
Ｓ５０２で、制御部ＣＮ（処理部）は、プリアライメント計測として基板上のプリアライメントマーク１１の位置を算出する。このとき、プリアライメントマーク１１の検出を基板内の複数のショット領域で行うことにより、基板全体のシフトと１次線形成分（倍率および／または回転）が算出される。
Ｓ５０２のプリアライメント計測に続き、Ｓ５０３で、制御部ＣＮは、ファインアライメント計測を行う。ここで制御部ＣＮは、プリアライメント計測の結果に基づき、検出光学系７でファインアライメントマーク１２を観察可能な位置に基板ステージ６を駆動し、複数のショット領域でファインアライメントマーク１２の位置を検出する。図４の例において、ファインアライメントマーク１２は、Ｘ方向に所定間隔を空けて複数の線が配置されたラインアンドスペースパターンと、Ｙ方向に所定間隔を空けて複数の先が配置されたラインアンドスペースパターンを含む。計測方向をＸ方向とする場合、検出光学系７によって取得されたアライメントマーク１２の像を非計測方向（Ｙ方向）に積算して１次元波形信号を生成し、この信号を処理することでアライメントマーク１２のＸ方向の位置を求める。計測方向をＹ方向とする場合、検出光学系７によって取得されたアライメントマーク１２の像を非計測方向（Ｘ方向）に積算して１次元波形信号を生成し、この信号を処理することでアライメントマーク１２のＹ方向の位置を求める。
その後、制御部ＣＮは、基板全体のシフトと１次線形成分（倍率および／または回転）を精密に算出する。この際、制御部ＣＮは、複数のショット領域でファインアライメントマーク１２の位置を計測することで、基板の高次変形成分を精密に算出してもよい。これにより、基板上の各ショット領域でのマークの精密な位置を算出することができる。
Ｓ５０４で、制御部ＣＮは、検出光学系７の観察視野中心で、ＯＡ－ＡＦ系を使用してファインアライメントマーク１２のベストフォーカス位置を計測する（基準ベストフォーカス計測）。図６は、ファインアライメントマーク１２が観察視野中心６１に配置された状態を示している。この観察視野中心６１で計測したベストフォーカス位置が段差の基準位置として決定される。以下ではこれを「基準ベストフォーカス位置」といい、この値は記憶部ＳＵに記憶される。
Ｓ５０５で、制御部ＣＮは、観察視野内の複数の計測点のそれぞれにおける、ベストフォーカス位置の計測およびデフォーカス特性の計測を行う。デフォーカス特性は、検出光学系７の光軸方向（Ｚ方向）の位置であるフォーカス位置に依存して（デフォーカス量に依存して）、光軸と垂直な方向（ＸＹ方向）に関して検出される位置（ファインアライメントマーク１２の計測値）が変動する現象を表す。Ｓ５０５において、制御部ＣＮは、図７に示すように、ファインアライメントマーク１２の中心が観察視野内の複数の計測点のうちの１つ（例えば計測点７１）に一致するように基板ステージ６を駆動させる。その後、制御部ＣＮは、ＯＡ－ＡＦ系を使用して、ファインアライメントマーク１２のベストフォーカス位置の計測およびデフォーカス特性の計測を行う。次に、制御部ＣＮは、ファインアライメントマーク１２の中心が次の計測点に一致するように、矢印７２の方向に基板ステージ６を移動させ、ファインアライメントマーク１２のベストフォーカス位置の計測およびデフォーカス特性の計測を行う。以下同様に、ベストフォーカス位置の計測およびデフォーカス特性の計測を、観察視野内の複数の計測点のそれぞれで行う。
Ｓ５０６では、制御部ＣＮは、各計測点でのベストフォーカス位置と基準ベストフォーカス位置との差である段差を計算し、各計測点の段差の値を有する段差情報を作成する。さらに、制御部ＣＮは、各計測点の段差とデフォーカス特性とに基づいて補正値を求める。例えば、制御部ＣＮは、図８に示すように、各計測点の段差とデフォーカス特性との積を補正値として求める。制御部ＣＮは、複数の計測点のそれぞれに対して求められた補正値から、複数の計測点の位置（ＸＹ座標値）と補正値との対応関係を表す補正テーブルを作成する。デフォーカス特性はファインアライメントマーク１２の計測方向（Ｘ方向、Ｙ方向）ごとに計測されるため、Ｘ方向の補正テーブル、Ｙ方向の補正テーブルが作成されうる。作成された補正テーブルは記憶部ＳＵに記憶される。以上のＳ５０２～Ｓ５０６が補正テーブルの作成処理である。
Ｓ５０７で、制御部ＣＮは、基板の各ショット領域を露光する。Ｓ５０８で、制御部ＣＮは、基板搬送装置（不図示）を制御して、基板を露光装置外へ搬出する。
上記したように、このフローチャートに従う露光処理は例えば、各プロセスにおける１枚目の基板の露光時に実施されるが、ファインアライメントマーク１２が変更された場合や計測点の位置が変わった場合に、補正テーブルの再作成が行われてもよい。
３．ファインアライメント計測値の補正処理
図９は、ファインアライメント計測値の補正処理を伴う露光処理のフローチャートである。このフローチャートに従う露光処理は、上記した段差情報とデフォーカス特性の計測を伴う露光処理以外の、基板の露光時に実施されうる。
Ｓ９０１で、制御部ＣＮは、不図示の基板搬送装置を制御して基板を露光装置１内に搬入する。搬入された基板は基板チャック５によって保持される。
Ｓ９０２では、制御部ＣＮは、プリアライメントを行うことなく、すなわちファインアライメントマーク１２を視野中心に追い込むことなく、ファインアライメントマーク１２の位置計測を行う。この位置計測により、検出光学系７の観察視野内でのファインアライメントマーク１２の位置を示す検出値（ファインアライメント計測値）が求められる。プリアライメントが行われないため、図６で示したようなファインアライメントマーク１２が検出光学系７の観察視野中心に配置されることは保証されない。そのため、図１０に示すような、ファインアライメントマーク１２が観察視野中心から外れた位置に配置された状態が発生しうる。
検出光学系７の観察視野は、複数の計測点のそれぞれを中心とする複数の部分領域に分割されうる。図１１の例では、観察視野は、Ｒ１～Ｒ１２で示される１２個の部分領域を有し、各部分領域には、補正値と計測点のＸＹ座標値が示されている。実施形態において、複数の部分領域のそれぞれは、ファインアライメントマーク１２を包含する大きさを有しうる。ただし、複数の部分領域それぞれの大きさはファインアライメントマーク１２に関連した特定の大きさに限定されるものではない。他の実施形態においては、複数の部分領域のそれぞれは、ファインアライメントマーク１２より小さくてもよい。Ｓ９０３では、制御部ＣＮは、Ｓ９０２で計測されたファインアライメントマーク１２のＸＹ座標値に基づいて、複数の部分領域Ｒ１～Ｒ１２のうち、ファインアライメントマーク１２が位置する部分領域を特定する。図１１の例では、ファインアライメントマーク１２が位置する部分領域は、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｒ８である。ファインアライメントマーク１２は、部分領域Ｒ１の計測点（ｘ１，ｙ１）、部分領域Ｒ２の計測点（ｘ２，ｙ２）、部分領域Ｒ７の計測点（ｘ７，ｙ７）、部分領域Ｒ８の計測点（ｘ８，ｙ８）の４点に囲まれている。
Ｓ９０４およびＳ９０５では、制御部ＣＮは、複数の部分領域のそれぞれに対して予め定められた補正値のうちＳ９０３で求められた部分領域に対する補正値に基づいてアライメント計測値を補正する。例えば、Ｓ９０４で、制御部ＣＮは、Ｓ９０３で特定された部分領域の計測点の補正値を用いてマークの検出結果であるファインアライメント計測値の補正値を算出する。
上記したように、実施形態において、複数の部分領域のそれぞれは、ファインアライメントマーク１２を包含する大きさを有する。ファインアライメントマーク１２の中心が１つの部分領域の中心と一致している場合には、ファインアライメントマーク１２の補正値は、その部分領域に予め設定されている補正値そのものとすることができる。ファインアライメントマーク１２の中心が１つの部分領域の中心と一致しない場合には、ファインアライメントマーク１２は２つ以上の部分領域にまたがって位置することになる。図１１に示した例はこの状況である。この場合、ファインアライメント計測値の補正値は、Ｓ９０３で特定された部分領域の計測点の補正値の重み付け平均により求められる。
このファインアライメント計測値の補正値の算出方法を、図１２を参照して説明する。ここで、ファインアライメントマーク１２の中心をＭ１とする。また、ファインアライメントマーク１２が属する部分領域Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｒ８の補正値１、２、７、８をそれぞれ、Ｃ１（ｘｃ１、ｙｃ１）、Ｃ２（ｘｃ２、ｙｃ２）、Ｃ７（ｘｃ７、ｙｃ７）、Ｃ８（ｘｃ８、ｙｃ８）とする。まず、制御部ＣＮは、ファインアライメントマーク１２の中心Ｍ１が位置する部分領域（第１部分領域）を求める。図１２の例においては、ファインアライメントマーク１２の中心Ｍ１が位置する部分領域は、部分領域Ｒ１である。次に、制御部ＣＮは、ファインアライメントマーク１２の中心Ｍ１と部分領域Ｒ１の中心との位置ずれ量に応じた重みで部分領域Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｒ８それぞれに対して予め定められた補正値を重み付け平均した修正補正値を求める。ファインアライメントマーク１２の中心Ｍ１と部分領域Ｒ１の中心との位置ずれ量から、中心Ｍ１を囲む計測点を頂点とする矩形領域におけるＭ１のＸ方向の位置の比ａとＹ方向の位置の比ｂが求められる。前述したように、補正テーブルは計測方向ごとに作成されるため、修正補正値もＸ方向とＹ方向のそれぞれに関して求める。ファインアライメントマーク１２に対するＸ方向に関する修正補正値は、次式により求められる。
（１－ｂ）＊（ｘｃ１＊（１－ａ）＋ｘｃ２＊ａ）＋ｂ＊（ｘｃ７＊ａ＋ｘｃ８＊（１－ａ））
また、ファインアライメントマーク１２に対するＹ方向に関する修正補正値は、次式により求められる。
（１－ａ）＊（ｙｃ１＊（１－ｂ）＋ｙｃ８＊ｂ）＋ａ＊（ｙｃ７＊ｂ＋ｙｃ２＊（１－ｂ））
次に、Ｓ９０５で、制御部ＣＮは、Ｓ９０４で算出された修正補正値を用いて、ファインアライメント計測値を補正する。なお、Ｓ９０４で算出される修正補正値は重み付け平均値に限定されない。例えば、各補正値の計測精度が低い場合は補正値テーブルにおける面近似を用いてもよい。ファインアライメント計測値の補正が完了した後、制御部ＣＮは、補正されたファインアライメント計測値から基板全体のシフトと１次線形成分（倍率および／または回転）を精密に算出する。
その後、Ｓ９０６で、制御部ＣＮは、基板の各ショット領域を露光する。Ｓ９０７で、制御部は、基板搬送装置（不図示）を制御して、基板を露光装置外へ搬出する。
上記した露光処理によれば、ファインアライメントマーク１２を視野中心に追い込む動作を行わず、検出光学系７の観察視野端においてファインアライメントマーク１２を計測した場合でも、デフォーカス特性の影響を受けずに高精度な計測を行うことができる。
なお、本実施形態は、画像検出方式においても、回折光検出方式においても適用可能である。
＜第２実施形態＞
上述の第１実施形態では、プロセス毎に補正テーブルを作成し、露光時に補正テーブルを用いてファインアライメント計測値を補正する方法について説明した。第２実施形態では、補正テーブルを作成する際の段差情報の装置間での共有について説明する。
図１３は、複数の露光装置間で段差情報を共有する露光システムの構成図である。露光システムは、それぞれが上述の検出装置を有する複数の露光装置を含む。ファインアライメントマーク１２周辺の段差情報は、同じプロセスであれば安定している場合がある。その場合、第１露光装置（装置Ａ）と第２露光装置（装置Ｂ）のそれぞれで同じように複数の計測点におけるベストフォーカス計測を行わなくても、装置Ａでの計測により得られた段差情報を装置Ｂでも流用することができる。装置Ａでの計測により生成された段差情報は、外部記憶装置に保存される。装置Ｂは、外部記憶装置にアクセスして、同じプロセスの段差情報を取得し使用することができる。
このように複数の露光装置間で段差情報を共有することにより、装置Ｂでは複数計測点でのベストフォーカス計測を省略することが可能となり、生産性の向上が見込める。
＜物品製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態に係る物品製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板を露光する工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
＜他の実施形態＞
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサがプログラムを読み出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。
１：露光装置、２：原版、３：投影光学系、４：基板、５：基板チャック、６：基板ステージ、７：検出光学系、Ｃ：制御部

Claims (12)

  1. 基板に配置されたマークを検出する検出装置であって、
    前記基板の前記マークに光を照射して前記マークの像を検出する検出光学系と、
    前記検出光学系によって検出された前記マークの像に基づいて前記マークの検出処理を行う処理部と、を有し、
    前記処理部は、
    前記検出光学系によって検出された前記マークの像に基づいて前記検出光学系の観察視野内での前記マークの位置を特定し、
    前記基板の高さと前記検出光学系のフォーカスに関する特性とに基づいて、前記観察視野内の複数の位置毎に算出された補正値のうち、特定した前記マークの位置に対応する補正値を用いて前記基板の表面に沿う方向における前記マークの位置の検出結果を補正する、
    ことを特徴とする検出装置。
  2. 前記観察視野内の複数の部分領域のうち２つ以上の部分領域にまたがって前記マークが位置しているとき、前記処理部は、
    前記マークの中心が位置する部分領域である第１部分領域を求め、
    前記マークの中心と前記第１部分領域の中心との位置ずれ量に応じた重みで前記２つ以上の部分領域のそれぞれに対して予め定められた補正値を重み付け平均した修正補正値を求め、
    前記修正補正値を用いて前記マークの位置を補正する、
    ことを特徴とする請求項１に記載の検出装置。
  3. 前記処理部は、
    前記観察視野内の複数の部分領域のそれぞれに設定された複数の計測点の位置と補正値との関係を表す補正テーブルを作成する作成処理を行い、
    前記作成処理により予め作成された前記補正テーブルに基づいて、前記複数の部分領域のそれぞれに対する補正値を求め、
    前記作成処理は、
    前記検出光学系の前記観察視野の中心でファインアライメントマークのベストフォーカス位置の計測を行い、該計測されたベストフォーカス位置を基準位置として決定し、
    前記複数の計測点のそれぞれで、前記ファインアライメントマークのベストフォーカス位置の計測および前記検出光学系の特性の計測を行い、
    前記計測されたベストフォーカス位置と前記基準位置との差である段差と、前記検出光学系の特性とに基づいて補正値を求めることを、前記複数の計測点のそれぞれに関して行い、
    前記複数の計測点のそれぞれに対して求められた補正値から前記補正テーブルを作成する、処理を含む、
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の検出装置。
  4. 前記基板を保持して移動するステージを有し、
    前記作成処理は、
    プリアライメント計測と、該プリアライメント計測に続くファインアライメント計測とを行う処理を更に含み、
    前記ファインアライメント計測の結果に基づいて前記ステージを駆動した後、前記検出光学系の前記観察視野の中心で前記ファインアライメントマークのベストフォーカス位置の計測が行われる、
    ことを特徴とする請求項３に記載の検出装置。
  5. 前記検出光学系の特性は、前記検出光学系のデフォーカス量に依存して、前記ファインアライメントマークの計測値が変動する特性を表す、ことを特徴とする請求項３または４に記載の検出装置。
  6. 基板に配置されたマークを検出する検出装置であって、
    前記基板を保持して移動するステージと、
    前記ステージによって保持された前記基板の前記マークに光を照射して前記マークの像を検出する検出光学系と、
    前記検出光学系によって検出された前記マークの像に基づいて前記マークの検出処理を行う処理部と、を有し、
    前記処理部は、
    前記検出光学系によって検出された前記マークの像に基づいて前記検出光学系の観察視野内での前記マークの位置を特定し、
    前記観察視野内の複数の部分領域のうち前記マークが位置する部分領域を特定し、
    前記複数の部分領域のそれぞれに設定された複数の計測点の位置と補正値との関係を表す補正テーブルを作成する作成処理を行い、
    前記作成処理により作成された前記補正テーブルに基づいて、前記複数の部分領域のそれぞれに対する補正値を求め、
    前記補正値のうち特定された前記部分領域に対する補正値に基づいて前記マークの位置の検出結果を補正し、
    前記作成処理は、
    前記検出光学系の前記観察視野の中心でファインアライメントマークのベストフォーカス位置の計測を行い、該計測されたベストフォーカス位置を基準位置として決定し、
    前記複数の計測点のそれぞれで、前記ファインアライメントマークのベストフォーカス位置の計測およびデフォーカス特性の計測を行い、
    前記計測されたベストフォーカス位置と前記基準位置との差である段差と、前記デフォーカス特性とに基づいて補正値を求めることを、前記複数の計測点のそれぞれに関して行い、
    前記複数の計測点のそれぞれに対して求められた補正値から前記補正テーブルを作成する、処理を含む、
    ことを特徴とする検出装置。
  7. 基板のマークに光を照射して前記マークの像を検出する検出光学系を用いて、前記マークの位置を検出する検出方法であって、
    前記検出光学系によって検出された前記マークの像に基づいて前記検出光学系の観察視野内での前記マークの位置を特定する工程と、
    前記基板の高さと前記検出光学系のフォーカスに関する特性とに基づいて、前記観察視野内の複数の位置毎に補正値を算出する工程と、
    前記観察視野内の複数の位置毎に算出された補正値のうち、特定した前記マークの位置に対応する補正値を用いて前記基板の表面に沿う方向における前記マークの位置の検出結果を補正する工程と、を有する
    ことを特徴とする検出方法。
  8. 基板のマークに光を照射して前記マークの像を検出する検出光学系を用いて、前記マークの位置を検出する検出方法であって、
    前記検出光学系によって検出された前記マークの像に基づいて前記検出光学系の観察視野内での前記マークの位置を特定する工程と、
    前記観察視野内の複数の部分領域のうち前記マークが位置する部分領域を特定する工程と、
    前記複数の部分領域のそれぞれに設定された複数の計測点の位置と補正値との関係を表す補正テーブルを作成する工程と、
    前記作成する工程により作成された前記補正テーブルに基づいて、前記複数の部分領域のそれぞれに対する補正値を求める工程と、
    前記補正値のうち特定された前記部分領域に対する補正値に基づいて前記マークの位置の検出結果を補正する工程と、を有し、
    前記作成する工程は、
    前記検出光学系の前記観察視野の中心でファインアライメントマークのベストフォーカス位置の計測を行い、該計測されたベストフォーカス位置を基準位置として決定する工程と、
    前記複数の計測点のそれぞれで、前記ファインアライメントマークのベストフォーカス位置の計測およびデフォーカス特性の計測を行う工程と、
    前記計測されたベストフォーカス位置と前記基準位置との差である段差と、前記デフォーカス特性とに基づいて補正値を求めることを、前記複数の計測点のそれぞれに関して
    行う工程と、
    前記複数の計測点のそれぞれに対して求められた補正値から前記補正テーブルを作成する工程と、を含む、
    ことを特徴とする検出方法。
  9. 基板を露光する露光装置であって、
    請求項１から６のうちいずれか１項に記載の検出装置を有し、
    前記検出装置によって前記基板に配置されたマークの検出結果を補正して前記基板を露光する、
    ことを特徴とする露光装置。
  10. それぞれが請求項３から６のうちいずれか１項に記載の検出装置を有する複数の露光装置を含む露光システムであって、前記複数の露光装置のうちのいずれか１つにおいて生成された前記段差の情報を前記複数の露光装置間で共有する、ことを特徴とする露光システム。
  11. 請求項９に記載の露光装置または請求項１０に記載の露光システムを用いて基板を露光する第１工程と、
    前記第１工程で露光された前記基板を現像する第２工程と、
    を含み、前記第２工程で現像された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
  12. 請求項７または８に記載の検出方法をコンピュータに実行させるプログラム。
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TW110142757A TW202238288A (zh) 2020-12-08 2021-11-17 檢測裝置、檢測方法、曝光裝置、曝光系統及物品製造方法
KR1020210163929A KR20220081284A (ko) 2020-12-08 2021-11-25 검출 장치, 검출 방법, 노광 장치, 노광 시스템 및 물품 제조 방법
US17/536,489 US11835470B2 (en) 2020-12-08 2021-11-29 Detection apparatus, detection method, exposure apparatus, exposure system, and article manufacturing method
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023527063A (ja) * 2020-06-01 2023-06-26 レコ コーポレーション 回転式投与デバイス
JP7659388B2 (ja) * 2020-12-08 2025-04-09 キヤノン株式会社 検出装置、検出方法、露光装置、露光システム、物品製造方法、およびプログラム
CN117560576B (zh) * 2023-11-13 2024-05-07 四川新视创伟超高清科技有限公司 一种焦平面区域的曝光方法及曝光系统
CN118584763A (zh) * 2024-06-05 2024-09-03 苏州天准科技股份有限公司 一种套刻误差的量测装备和套刻误差量测方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003156322A (ja) 2001-09-05 2003-05-30 Nikon Corp 位置計測方法及び装置、位置決め方法、露光装置、並びにマイクロデバイスの製造方法
JP2005032889A (ja) 2003-07-10 2005-02-03 Nikon Corp Ｅｕｖ露光方法及びｅｕｖ露光装置
JP2008003504A (ja) 2006-06-26 2008-01-10 Orc Mfg Co Ltd 描画システム
JP2013026994A (ja) 2011-07-26 2013-02-04 Canon Inc 画像計測装置、画像計測方法、プログラム及び記録媒体
JP2015026738A (ja) 2013-07-26 2015-02-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 位置決め装置、位置決め方法および描画装置
JP2019090885A (ja) 2017-11-13 2019-06-13 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、決定方法及び物品の製造方法
US20190369504A1 (en) 2018-05-29 2019-12-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Lithographic overlay correction and lithographic process

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3003990B2 (ja) 1988-04-25 2000-01-31 株式会社ニコン 投影露光方法、投影露光装置及び回路製造方法
US5521036A (en) * 1992-07-27 1996-05-28 Nikon Corporation Positioning method and apparatus
JPH1022211A (ja) 1996-06-28 1998-01-23 Canon Inc 位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP2004006527A (ja) * 2002-05-31 2004-01-08 Canon Inc 位置検出装置及び位置検出方法、露光装置、デバイス製造方法並びに基板
JP2005285916A (ja) 2004-03-29 2005-10-13 Nikon Corp アライメントマークの位置測定方法
JP2010098143A (ja) * 2008-10-16 2010-04-30 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP2016015470A (ja) 2014-06-12 2016-01-28 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
JP7041489B2 (ja) * 2017-10-19 2022-03-24 キヤノン株式会社 評価方法、決定方法、リソグラフィ装置、およびプログラム
JP7114277B2 (ja) * 2018-03-07 2022-08-08 キヤノン株式会社 パターン形成装置及び物品の製造方法
JP7186531B2 (ja) * 2018-07-13 2022-12-09 キヤノン株式会社 露光装置、および物品製造方法
JP6861693B2 (ja) 2018-12-06 2021-04-21 キヤノン株式会社 形成方法、システム、リソグラフィ装置、物品の製造方法、およびプログラム
JP7171468B2 (ja) 2019-02-20 2022-11-15 キヤノン株式会社 情報処理装置、プログラム、リソグラフィ装置、物品の製造方法、物品の製造システム、及び出力方法
JP7659388B2 (ja) * 2020-12-08 2025-04-09 キヤノン株式会社 検出装置、検出方法、露光装置、露光システム、物品製造方法、およびプログラム

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003156322A (ja) 2001-09-05 2003-05-30 Nikon Corp 位置計測方法及び装置、位置決め方法、露光装置、並びにマイクロデバイスの製造方法
JP2005032889A (ja) 2003-07-10 2005-02-03 Nikon Corp Ｅｕｖ露光方法及びｅｕｖ露光装置
JP2008003504A (ja) 2006-06-26 2008-01-10 Orc Mfg Co Ltd 描画システム
JP2013026994A (ja) 2011-07-26 2013-02-04 Canon Inc 画像計測装置、画像計測方法、プログラム及び記録媒体
JP2015026738A (ja) 2013-07-26 2015-02-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 位置決め装置、位置決め方法および描画装置
JP2019090885A (ja) 2017-11-13 2019-06-13 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、決定方法及び物品の製造方法
US20190369504A1 (en) 2018-05-29 2019-12-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Lithographic overlay correction and lithographic process

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