JP7635387B2 - 多極高周波アブレーションカテーテルによるrf操作リマインダー方法、装置、システム及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
多極高周波アブレーションカテーテル上の複数のプローブによりRF操作対象の操作位置の物理特性データを随時に獲得するステップと、
随時に獲得した前記物理特性データにより前記RF操作対象の物理特性フィールドを獲得するステップと、
前記RF操作対象の目標操作区域の最初の範囲と前記物理特性フィールド中の物理特性データの値の変化により前記目標操作区域中の操作待機区域の範囲の変化を獲得し、かつその範囲の変化を三次元モデルにして表示するステップとを含み、
前記多極高周波アブレーションカテーテルは、近端及び遠端を具備する取っ手と、近端及び遠端を具備する外管モジュールと、近端及び遠端を具備する内管モジュールとを含み、
前記外管モジュールの近端は前記取っ手の遠端に連結され、
前記内管モジュールの近端は前記取っ手の遠端に連結され、
前記内管モジュールは枝型電極モジュールを含み、前記枝型電極モジュールは前記取っ手の駆動により前記外管モジュールに相対して回転し、前記枝型電極モジュールはその円周面に間隔を空けて配置されている複数の枝型電極を含み、前記枝型電極は前記プローブを含む。
前記記憶装置には実行可能なプログラムコードが記憶され、
前記処理装置は、前記多極高周波アブレーションカテーテルと記憶装置に電気接続され、かつ前記記憶装置に記憶されている実行可能なプログラムコードを用いることにより前記実施例に係る多極高周波アブレーションカテーテルによるRF操作リマインダー方法を実施する。
Claims (12)
- 電子装置であって、
前記電子装置は、記憶装置と処理装置を含み、
前記記憶装置には実行可能なプログラムコードが記憶され、
前記処理装置は、多極高周波アブレーションカテーテルと前記記憶装置に電気接続され、かつ前記記憶装置に記憶されている実行可能なプログラムコードを用いることにより、前記多極高周波アブレーションカテーテルによるRF操作リマインダー方法中の各ステップを実施し、
前記多極高周波アブレーションカテーテルによるRF操作リマインダー方法は、
前記多極高周波アブレーションカテーテル上の複数のプローブがRF操作対象の操作位置の物理特性データを随時に獲得するステップと、
随時に獲得した前記物理特性データにより前記RF操作対象の物理特性フィールドを獲得するステップと、
前記RF操作対象の目標操作区域の最初の範囲と前記物理特性フィールド中の物理特性データの値の変化により前記目標操作区域中の操作待機区域の範囲の変化を獲得し、かつその範囲の変化を三次元モデルにして表示するステップと、を含み、
前記多極高周波アブレーションカテーテルは、近端及び遠端を具備する取っ手と、近端及び遠端を具備する外管モジュールと、近端及び遠端を具備する内管モジュールとを含み、
前記外管モジュールの近端は前記取っ手の遠端に連結され、
前記内管モジュールの近端は前記取っ手の遠端に連結され、
前記内管モジュールは枝型電極モジュールを含み、前記枝型電極モジュールは前記取っ手の駆動により前記外管モジュールに相対して回転し、前記枝型電極モジュールはその円周面に間隔を空けて配置されている複数の枝型電極を含み、前記枝型電極は前記プローブを含み、
前記RF操作対象の目標操作区域の最初の範囲と前記物理特性フィールド中の物理特性データの値の変化により前記目標操作区域中の操作待機区域の範囲の変化を獲得するステップは、
前記物理特性フィールド中の各点の物理特性データの値と事前設定閾値を比較するステップと、
前記物理特性データの値が前記事前設定閾値より大きい点により前記操作待機区域の範囲の境界を確定するステップと、を含むことを特徴とする電子装置。 - 前記RF操作対象の目標操作区域の最初の範囲と前記物理特性フィールド中の物理特性データの値の変化により前記目標操作区域中の操作待機区域の範囲の変化を獲得するステップは、
前記操作位置の物理特性データの値が前記事前設定閾値より大きいとき、前記操作位置の物理特性データの値、前記操作位置に対応する前記プローブの測定角度及び事前設定の輻射距離により前記操作位置の輻射区域の範囲を確定するステップであって、前記輻射区域内の前記物理特性データの値は前記事前設定閾値より大きいステップと、
前記輻射区域の範囲により前記操作待機区域の境界を確定するステップとを含むことを特徴とする請求項1に記載の電子装置。 - 前記物理特性データは温度データ及び/或いは抵抗データを含み、前記物理特性フィールドは温度フィールド及び/或いは抵抗フィールドを含むことを特徴とする請求項2に記載の電子装置。
- 前記物理特性データは温度データとは抵抗データを含み、前記物理特性フィールドは温度フィールドと抵抗フィールドを含むとき、前記RF操作対象の目標操作区域の最初の範囲と前記物理特性フィールド中の物理特性データの値の変化により前記目標操作区域中の操作待機区域の範囲の変化を獲得するステップは、
前記温度フィールド中の各点の温度データの値と事前設定温度閾値を比較し、前記温度データの値が前記事前設定温度閾値より大きい点により前記操作待機区域の第一境界を確定するステップと、
事前設定時間が過ぎると、前記抵抗フィールド中の各点の抵抗データの値と事前設定抵抗閾値を比較し、前記抵抗データの値が前記事前設定抵抗閾値より大きい点により前記操作待機区域の第一境界を修正することにより第二境界を獲得し、かつ前記第二境界を前記操作待機区域の境界に確定するステップとを含むことを特徴とする請求項3に記載の電子装置。 - 前記処理装置は、前記実行可能なプログラムコードにより、
前記操作待機区域の範囲の変化により前記操作待機区域の単位変化量を定期的に確定するステップと、
前記単位変化量と前記操作待機区域の現在の体積により現在のRF操作が終わることにかかる剰余時間を確定し、かつその剰余時間をリマインダー情報として表示インターフェイスに表示するステップとを更に実施することを特徴とする請求項4に記載の電子装置。 - 前記物理特性データに抵抗データが含まれているとき、随時に獲得した前記物理特性データにより前記RF操作対象の物理特性フィールドを獲得するステップを実施する前に、前記処理装置は、前記実行可能なプログラムコードにより、
随時に獲得した抵抗データと予め設定した基準抵抗の範囲を比較するステップと、
前記抵抗データに少なくとも1つの目標抵抗が存在すると、リマインダー情報を出力することにより、前記プローブの挿入位置が間違っていることと前記目標抵抗の値が前記基準抵抗の範囲に入っていないことを使用者にリマインダーするステップと、
前記抵抗データに前記目標抵抗が存在しないと、随時に獲得した前記物理特性データにより前記RF操作対象の物理特性フィールドを獲得するステップを実施するステップとを更に実施することを特徴とする請求項1に記載の電子装置。 - 随時に獲得した前記物理特性データにより前記RF操作対象の物理特性フィールドを獲得するステップを実施する前に、前記処理装置は、前記実行可能なプログラムコードにより、
X射線走査装置で前記RF操作対象を走査することにより前記目標操作区域の最初の範囲を獲得するステップを更に実施することを特徴とする請求項1に記載の電子装置。 - 前記内管モジュールは前記枝型電極モジュールを支持する支持部品を更に含み、前記枝型電極モジュールの複数の枝型電極は前記支持部品の外周面に間隔を空けて配置され、前記支持部品は前記外管モジュールに回転可能に連結されることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。
- 前記取っ手は近端及び遠端を具備するケースと前記ケースの遠端に回転可能に連結される端部蓋とを含み、前記外管モジュールの近端は前記端部蓋に回転可能に連結され、前記ケースは前記端部蓋に相対して回転することにより前記内管モジュールが前記外管モジュールに相対して回転するように駆動することを特徴とする請求項1~8のうちいずれか一項に記載の電子装置。
- 前記取っ手は、近端及び遠端を具備するケースと、前記ケースの遠端に連結される端部蓋と、前記端部蓋内に回転可能に収納される回転球体と、前記回転球体に回転しないように連結されるプッシュプルロッドとを含み、前記外管モジュールの近端は前記端部蓋に連結され、前記プッシュプルロッドは前記内管モジュールに連結され、前記回転球体が前記端部蓋に相対して回転するとき、前記プッシュプルロッドは前記内管モジュールが前記外管モジュールに相対して回転するように駆動することを特徴とする請求項1~8のうちいずれか一項に記載の電子装置。
- RF操作リマインダーシステムであって、
前記RF操作リマインダーシステムは、RFホストと多極高周波アブレーションカテーテルを含み、
前記RFホストは、前記多極高周波アブレーションカテーテルによるRF操作リマインダー方法中の各ステップを実施し、
前記多極高周波アブレーションカテーテルによるRF操作リマインダー方法は、
前記多極高周波アブレーションカテーテル上の複数のプローブがRF操作対象の操作位置の物理特性データを随時に獲得するステップと、
随時に獲得した前記物理特性データにより前記RF操作対象の物理特性フィールドを獲得するステップと、
前記RF操作対象の目標操作区域の最初の範囲と前記物理特性フィールド中の物理特性データの値の変化により前記目標操作区域中の操作待機区域の範囲の変化を獲得し、かつその範囲の変化を三次元モデルにして表示するステップと、を含み、
前記多極高周波アブレーションカテーテルは、近端及び遠端を具備する取っ手と、近端及び遠端を具備する外管モジュールと、近端及び遠端を具備する内管モジュールとを含み、
前記外管モジュールの近端は前記取っ手の遠端に連結され、
前記内管モジュールの近端は前記取っ手の遠端に連結され、
前記内管モジュールは枝型電極モジュールを含み、前記枝型電極モジュールは前記取っ手の駆動により前記外管モジュールに相対して回転し、前記枝型電極モジュールはその円周面に間隔を空けて配置されている複数の枝型電極を含み、前記枝型電極は前記プローブを含み、
前記RF操作対象の目標操作区域の最初の範囲と前記物理特性フィールド中の物理特性データの値の変化により前記目標操作区域中の操作待機区域の範囲の変化を獲得するステップは、
前記物理特性フィールド中の各点の物理特性データの値と事前設定閾値を比較するステップと、
前記物理特性データの値が前記事前設定閾値より大きい点により前記操作待機区域の範囲の境界を確定するステップとを含むことを特徴とするRF操作リマインダーシステム。 - コンピュータプログラムが記憶されている不揮発性コンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムが、実行されると処理装置に、
多極高周波アブレーションカテーテル上の複数のプローブがRF操作対象の操作位置の物理特性データを随時に獲得することと、
随時に獲得した前記物理特性データにより前記RF操作対象の物理特性フィールドを獲得することと、
前記RF操作対象の目標操作区域の最初の範囲と前記物理特性フィールド中の物理特性データの値の変化により前記目標操作区域中の操作待機区域の範囲の変化を獲得し、かつその範囲の変化を三次元モデルにして表示することと、を行わせ、
前記多極高周波アブレーションカテーテルは、近端及び遠端を具備する取っ手と、近端及び遠端を具備する外管モジュールと、近端及び遠端を具備する内管モジュールとを含み、
前記外管モジュールの近端は前記取っ手の遠端に連結され、
前記内管モジュールの近端は前記取っ手の遠端に連結され、
前記内管モジュールは枝型電極モジュールを含み、前記枝型電極モジュールは前記取っ手の駆動により前記外管モジュールに相対して回転し、前記枝型電極モジュールはその円周面に間隔を空けて配置されている複数の枝型電極を含み、前記枝型電極は前記プローブを含み、
前記RF操作対象の目標操作区域の最初の範囲と前記物理特性フィールド中の物理特性データの値の変化により前記目標操作区域中の操作待機区域の範囲の変化を獲得することは、
前記物理特性フィールド中の各点の物理特性データの値と事前設定閾値を比較することと、
前記物理特性データの値が前記事前設定閾値より大きい点により前記操作待機区域の範囲の境界を確定することと、を含むことを特徴とする不揮発性コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
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