JP7595085B2 - 集電体、該集電体を含む電気化学装置および電子装置 - Google Patents
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Description
(a)前記集電体のX-Y面内方向における電子抵抗率は50Ω・cm~1000Ω・cmであること、
(b)前記集電体のZ方向における電子抵抗率は0.01Ω・cm~1Ω・cmであること、
(c)前記集電体のX-Y面内方向における電子抵抗率と前記集電体のZ方向における電子抵抗率との比は100~1000であること、
(d)前記導電性材料と前記Z方向との夾角は0°~10°であること、
(e)前記集電体の厚さは5μm~50μmであること、
(f)前記導電性材料の質量は前記集電体の質量の20%~60%であること、
のうちの少なくとも1つを満たす。
(a)前記集電体のX-Y面内方向における電子抵抗率は100Ω・cm~1000Ω・cmであること、
(b)前記集電体のZ方向における電子抵抗率は0.01Ω・cm~0.05Ω・cmであること、
(c)前記集電体のX-Y面内方向における電子抵抗率と前記集電体のZ方向における電子抵抗率との比は200~600であること、
(d)前記集電体の厚さは5μm~20μmであること、
(e)前記導電性材料の質量は前記集電体の質量の40%~50%であること、
(f)前記集電体の引張強度は80MPa~100MPaであること、
のうちの少なくとも1つを満たす。
高分子材料層を製造するステップ:ステンレス鋼基材の表面に、高分子材料層の厚さが2μm~800μmとなるように、静電スプレー法によって高分子材料をスプレーして、高分子材料層を製造することと、
高分子材料層を加熱させるステップ:得られた高分子材料層を250℃~300℃まで加熱し、高分子材料層を軟化させることと、
導電性材料を植え付けるステップ:静電植毛加工によって一次元導電性材料または二次元導電性材料を高分子材料層の表面に垂直な方向に高分子材料層に植え付けて、高分子材料層の軟化状態を維持するステップと、
過熱の条件で高分子材料層のロールプレス:高分子材料層の表面が滑らかで厚さが均一にするように、得られた高分子材料層を過熱の条件でロールプレスによりプレスし、ここで、過熱温度とは前記加熱温度より10℃~20℃高い温度であり、ロールプレスによりプレスした後の高分子材料層の厚さは2μm~500μmであるステップと、
集電体の製造:得られた高分子材料層をドクターブレードでステンレス鋼基材から取り外し、巻き取って集電体を得るステップと、を含む。
実施例1
<バイポーラ集電体の製造>
ステップa:静電スプレー法によってステンレス鋼基材の表面にポリエチレンテレフタレート(PET)粒子をスプレーし、PET層の厚さが20μmである。
ステップb:得られたPET層を260℃まで加熱して軟化させる。
ステップc:静電植毛加工によって一次元導電性材料である多層カーボンナノチューブ(MWCNT)をPET層の表面に垂直な方向にPET層に植え付けて、温度260℃を維持することで、前記PET層が軟化状態にある。ここで、静電植毛加工における外部電界強度は50kVである。
ステップd:静電スプレー法を利用して、ステップcで得られた、導電性材料が植え付けられたPET層の表面にさらに一層のPET粒子をスプレーし、温度260℃を維持することで、前記PET層が軟化状態にある。ここで、再びスプレーした後で得られたPET層の厚さが30μmである。
ステップe:PET層の表面が滑らかで厚さが均一にするように、ステップdで得られたPET層を過熱の条件でロールプレスによりプレスし、ここで、過熱温度が270℃である。
ステップf:ステップeで得られたPET層をドクターブレードでステンレス鋼基材から取り外し、巻き取ってバイポーラ集電体を得た。集電体には、導電性材料の配向度が5°であり、導電性材料の質量が集電体の質量の30%であり、厚さが20μmである。
負極活物質である黒鉛(Graphite)、導電性カーボンブラック(Super P)、スチレンブタジエンゴム(SBR)を96:1.5:2.5の重量比で混合し、そして、溶媒としての脱イオン水(H2O)を加入し、固形分含有量が70%であるスラリーを調製し、均一に攪拌する。バイポーラ集電体の一方側の面にスラリーを均一に塗布し、110℃で乾燥させ、厚さが130μmである負極活物質層を得た。
正極活物質であるコバルト酸リチウム(LiCoO2)、導電性カーボンブラック(Super P)、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)を97.5:1.0:1.5の重量比で混合し、そして、溶媒としてのN-メチルピロリドン(NMP)を加入し、固形分含有量が75%であるスラリーを調製し、均一に攪拌する。バイポーラ集電体の他方側の面にスラリーを均一に塗布し、90℃で乾燥させ、厚さが110μmである正極活物質層を得た。
負極活物質である黒鉛(Graphite)、導電性カーボンブラック(Super P)、スチレンブタジエンゴム(SBR)を96:1.5:2.5の重量比で混合し、そして、溶媒としての脱イオン水を加入し、固形分含有量が70%であるスラリーを調製し、均一に攪拌する。厚さが10μmである銅箔の一方側の面にスラリーを均一に塗布し、110℃で乾燥させ、被覆層の厚さが150μmである片面に負極活物質層が塗布された負極シートを得て、そして、該負極シートの他方側の面に上記の塗布ステップを繰り返し、両面に負極活物質層が塗布された負極シートを得た。負極シートを41mm×61mm仕様にカットし、タブに溶接された。
正極活物質であるコバルト酸リチウム(LiCoO2)、導電性カーボンブラック(Super P)、PVDFを97.5:1.0:1.5の重量比で混合し、そして、溶媒としてのNMPを加入し、固形分含有量が75%であるスラリーを調製し、均一に攪拌する。厚さが12μmであるアルミ箔の一方側の面にスラリーを均一に塗布し、90℃で乾燥させ、被覆層の厚さが100μmである正極シートを得て、そして、該正極シートの他方側の面に上記ステップを繰り返し、両面に正極活物質層が塗布された正極シートを得た。正極シートを38mm×58mm仕様にカットし、タブに溶接された。
乾燥のアルゴンガス雰囲気において、有機溶媒であるエチレンカーボネート(EC)、メチルエチルカーボネート(EMC)およびジエチルカーボネート(DEC)を30:50:20の質量比で混合し、そして、ヘキサフルオロリン酸リチウム(LiPF6)を有機溶媒中に加入して溶解し、均一に混合させ、電解液を得た。ここで、電解液におけるLiPF6のモル濃度は1.15mol/Lである。
<第1の電極組立体の製造>
セパレータとして厚さが15μmであるポリエチレン(PE)膜を使用し、負極シートの両面にそれぞれ正極シート一枚を配置し、正極シートと負極シートとの間にセパレータを配置することにより、積層体を形成し、その後、積層体全体の四隅を固定し、第1の電極組立体を得た。
セパレータとして厚さが15μmであるポリエチレン(PE)膜を使用し、正極シートの両面にそれぞれ負極シート一枚を配置し、正極シートと負極シートとの間にセパレータを配置することにより、積層体を形成し、その後、積層体全体の四隅を固定し、第2の電極組立体を得た。
<バイポーラ電極組立体の製造>
ピットパンチング(pit punching)成形された厚さ90μmのアルミプラスチックフィルムをそのピット面が上になるように置いて、第1の電極組立体を、正極シートが上になるようにアルミプラスチックフィルムのピット内に配置し、そして、バイポーラ電極シートを、負極活物質層が下になるように第1の電極組立体の上に配置することで、第1の電極組立体の正極シートがバイポーラ電極シートの負極活物質層に合わせて、押し付けた後、第1の組立体を得た。
バイポーラ電極組立体は、2つのチャンバにそれぞれ電解液を注入した後封止された。第1のチャンバ内の正極タブと第2のチャンバ内の負極タブとは直列に接続されて導通することにより、バイポーラリチウムイオン電池を得た。該バイポーラリチウムイオン電池の2つのチャンバ間でイオン交換は行われない。
導電性材料の配向度はそれぞれ10°と20°であること以外、実施例1と同じにする。
導電性材料の配向度は30°であり、集電体に対する導電性材料の質量分率は10%であること以外、実施例1と同じにする。
導電性材料の配向度は3°であり、集電体に対する導電性材料の質量分率は70%であること以外、実施例1と同じにする。
導電性材料の配向度は3°であり、集電体に対する導電性材料の質量分率は10%であること以外、実施例1と同じにする。
導電性材料の配向度は30°であり、集電体に対する導電性材料の質量分率は70%であること以外、実施例1と同じにする。
導電性材料はグラフェンであること以外、実施例2と同じにする。
導電性材料はVGCFであること以外、実施例2と同じにする。
高分子材料はポリエチレンナフタレート(PEN)であること以外、実施例2と同じにする。
高分子材料はポリブチレンテレフタレート(PBT)であること以外、実施例2と同じにする。
バイポーラ集電体の厚さは500μmであること以外、実施例2と同じにする。
バイポーラ集電体の厚さは2μmであること以外、実施例2と同じにする。
バイポーラ集電体の厚さは10μmであること以外、実施例2と同じにする。
集電体に対する導電性材料の質量分率は50%であること以外、実施例14と同じにする。
バイポーラ電極シートに負極アンダーコートと正極アンダーコートとを配置すること以外、実施例15と同じにする。
導電性カーボンブラック(Super P)、スチレンブタジエンゴム(SBR)を95:5の重量比で混合し、溶媒としての脱イオン水(H2O)を加入し、固形分含有量が80%であるスラリーを調製し、均一に攪拌する。バイポーラ集電体の一方側の面にスラリーを均一に塗布し、110℃で乾燥させ、厚さが5μmである負極アンダーコートを得た。
負極活物質である黒鉛(Graphite)、導電性カーボンブラック(Super P)、スチレンブタジエンゴム(SBR)を96:1.5:2.5の重量比で混合し、そして、溶媒としての脱イオン水(H2O)を加入し、固形分含有量が70%であるスラリーを調製し、均一に攪拌する。負極アンダーコートにスラリーを均一に塗布し、110℃で乾燥させ、厚さが120μmである負極活物質層を得た。
導電性カーボンブラック(Super P)、スチレンブタジエンゴム(SBR)を97:3の重量比で混合し、溶媒としての脱イオン水(H2O)を加入し、固形分含有量が85%であるスラリーを調製し、均一に攪拌する。バイポーラ集電体の他方側の面にスラリーを均一に塗布し、110℃で乾燥させ、正極アンダーコートを得た。
正極活物質であるコバルト酸リチウム(LiCoO2)、導電性カーボンブラック(Super P)、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)を97.5:1.0:1.5の重量比で混合し、そして、溶媒としてのN-メチルピロリドン(NMP)を加入し、固形分含有量が75%であるスラリーを調製し、均一に攪拌する。正極アンダーコートにスラリーを均一に塗布し、90℃で乾燥させ、厚さが100μmである正極活物質層を得た。
負極アンダーコートと正極アンダーコートとの製造工程以外、実施例16と同じにする。
ポリピロール(PPy)、スチレンブタジエンゴム(SBR)を95:5の重量比で混合し、溶媒としての脱イオン水(H2O)を加入し、固形分含有量が80%であるスラリーを調製し、均一に攪拌する。バイポーラ集電体の一方側の面にスラリーを均一に塗布し、110℃で乾燥させ、厚さが3μmである負極アンダーコートを得た。
ポリピロール(PPy)、スチレンブタジエンゴム(SBR)を97:3の重量比で混合し、溶媒としての脱イオン水(H2O)を加入し、固形分含有量が85%であるスラリーを調製し、均一に攪拌する。バイポーラ集電体の他方側の面にスラリーを均一に塗布し、110℃で乾燥させ、正極アンダーコートを得た。
負極アンダーコートと正極アンダーコートとの製造工程以外、実施例16と同じにする。
物理気相成長(PVD)法により、バイポーラ集電体の一方側の面に一層のCuメッキ層を製造し、厚さが1μmである負極アンダーコートを得た。
PVD法により、バイポーラ集電体の他方側の面に一層のAlメッキ層を製造し、厚さが1μmである正極アンダーコートを得た。
バイポーラリチウムイオン電池の製造工程以外、実施例17と同じにする。
第1のバイポーラ電極シートの正極活物質層が第2のバイポーラ電極シートの負極活物質層に隣接するように、第1のバイポーラ電極シートと、第1のセパレータと、第2のバイポーラ電極シートと、第2のセパレータと、を順に積層した。そして、電極シートの周りにシール接着剤を塗布するとともに電解液の注入口を予めに設置し、次に積層された電極シートとセパレータとを電極組立体に巻回し、シール接着剤の固化及び上側の封止を行った後、電解液を電極組立体に注入し、注入が完了した後、予めに設置された電解液の注入口を封止し、バイポーラリチウムイオン電池を得た。
バイポーラ集電体としてCu/Al複合集電体を使用すること以外、実施例1と同じにする。
バイポーラ集電体としてステンレス鋼集電体を使用すること以外、実施例1と同じにする。
バイポーラ集電体は、ゼロ次元構造の導電性材料と高分子基材とを複合することによって得られたものであること以外、実施例1と同じにする。
バイポーラ集電体は、一次元構造の導電性材料と高分子基材とを複合することによって得られたものであること以外、実施例1と同じにする。
バイポーラ集電体は、二次元構造の導電性材料と高分子基材とを複合することによって得られたものであること以外、実施例1と同じにする。
下記の方法を使用して、各実施例および各比較例で製造されたバイポーラ集電体およびバイポーラリチウムイオン電池を測定した。
バイポーラ集電体の走査型電子顕微鏡(SEM)の断面画像を取得し、ここで、バイポーラ集電体の断面はプラズマ切断、研磨によって取得された。画像に基づいて繊維(一次元導電性材料)またはナノシート(二次元導電性材料)とZ方向との夾角を測定し、いずれの画像において、一次元導電性材料または二次元導電性材料の少なくとも半分が角度要件を満たしていればよい。
10cm×10cmのバイポーラ集電体サンプルを取得し、バイポーラ集電体のA面およびB面を、面積が固定である2つの金属製の挟み板で挟み込み、挟み板の面積はバイポーラ集電体の面積と同じであり、2つの挟み板の間に0.1Vの電圧を印加し、2つの挟み板の間の電流値を測定し、抵抗値Rを計算し、そして、下記の式ρ=RS/Lに基づいて電子抵抗率を算出した。ここで、Rは抵抗値を表し、Sはバイポーラ集電体の面積を表し、Lはバイポーラ集電体の厚さを表す。
図4に示すように、4探針法を使用してバイポーラ集電体のX-Y面内方向における電子抵抗率を測定した。該4探針法において、バイポーラ集電体の表面に4本の金属探針を直線に配列し、一定の圧力(通常2N)でサンプル表面に押し付け、a、dの2箇所で探針を通過した電流Iを測定し、探針bと探針cの間の電圧差Vを測定し、材料の電子抵抗率は、
式ρ=C×V/Iによって算出した。
ここで、探針係数Cは、以下の式により算出する。
ステップA:図5に示すように、バイポーラ集電体サンプルの両側の対向位置に、それぞれ1つの面積Sの金属円柱電極(図面の1の電極、Sは通常約1cm2)を配置し、マルチメータを使用して2つの電極間のインピーダンスを測定し、R0と表す。
ステップB:1つの金属円柱電極を距離L1(図面の2の電極の位置)の平行移動を行い、マルチメータを使用して2つの電極間のインピーダンスを測定し、R01と表し、ここで、L1>2000H、Hはサンプルの厚さである。
ステップC:前記金属円柱電極をステップBと同じ方向に沿って距離L2(図面の3の電極の位置)の平行移動を行い続けて、マルチメータを使用して2つの電極間のインピーダンスを測定し、R2と表し、ここで、L2>4000H、Hはサンプルの厚さであり、L2-L1>2000H。
ステップD:下記の式((R2-R1)×H)/(R0×(L2-L1))に基づいてバイポーラ集電体の単方向導通比を算出した。
ネジマイクロメーターを使用してバイポーラ集電体の厚さを測定した。
バイポーラ集電体サンプルを適切なサイズ(例えば、100mm×10mm)の小片にカットして、引張試験機でサンプルの引張強度を測定した。
集電体に対する導電性材料の質量分率の測定:
当該測定は、測定方法1または測定方法2を採用して行うことができる。
10cm×10cmのバイポーラ集電体サンプルを秤量した後、この時の重量をM0とする。適切な溶剤を選択し、バイポーラ集電体における高分子基材を溶解させ、その中の導電性材料粒子を濾過した。使用された溶剤はバイポーラ集電体における高分子基材を溶解させることができる限り、特に限定されない。濾過した導電性材料粒子を洗浄して乾燥させ、秤量した後、この時の重量をM1とし、この場合、集電体に対する導電性材料の質量分率は(M1/M0)×%である。
10cm×10cmのバイポーラ集電体サンプルを秤量した後、この時の重量をM0とする。王水でバイポーラ集電体における導電性材料を溶解させ、その中の高分子基材を濾過した。高分子基材を洗浄して乾燥させ、秤量した後、この時の重量をM2とし、この場合、集電体に対する導電性材料の質量分率は(M0-M2)/M0×%である。
比較例1におけるリチウムイオン電池に対し、0.5Cにて4.45Vまで充電した後、定電圧で0.025Cまで充電し、5分間静置した後、0.2Cにて3.0Vまで放電した。
比較例1におけるリチウムイオン電池に対し、測定温度が25℃である場合、0.5Cにて定電流で4.45Vまで充電し、定電圧で0.025Cまで充電し、5分間静置した後、0.5Cにて3.0Vまで放電し、この段階で得られた容量を初期容量とし、そして、0.5C充電/0.5C放電にてサイクルを50回行った後、初期容量に対するリチウムイオン電池の容量の比を算出した。
まず、上記の02Cの放電エネルギー密度の測定方法と同様の方法により02Cの放電エネルギー密度を測定し、そして、2Cの放電エネルギー密度を測定し、その後、2Cの放電エネルギー密度と02Cの放電エネルギー密度との比を算出した。
比較例1におけるリチウムイオン電池に対し、0.5Cにて4.45Vまで充電した後、定電圧で0.025Cまで充電し、5分間静置した後、2Cにて3.0Vまで放電した。
比較例1におけるリチウムイオン電池に対し、0.05Cのレートにて定電流で電圧が4.45Vになるまで充電し、定格電圧に達し、その後、電流が0.025Cになるまで定電圧で充電し、カットオフ電流に達することにより、電池が満充電の状態にあり、測定前の電池の外観を記録した。
Claims (11)
- 高分子基材と、導電性材料とを含む集電体であって、
前記集電体のX-Y面内方向における電子抵抗率は10Ω・cm~1000Ω・cmであり、前記集電体のZ方向における電子抵抗率は0.01Ω・cm~30Ω・cmであり、
前記導電性材料は、一次元導電性材料および二次元導電性材料のうちの少なくとも1種を含み、前記一次元導電性材料の長さ方向または前記二次元導電性材料の平面方向と集電体のZ方向との夾角は0°~30°であり、
前記集電体のX-Y面内方向における電子抵抗率と前記集電体のZ方向における電子抵抗率との比は、5~4000であり、
前記導電性材料は、炭素材料であり、
前記炭素材料は、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、導電性炭素繊維、導電性カーボンブラック、フラーレン、導電性黒鉛、およびグラフェンのうちの少なくとも1種を含む、集電体。 - 前記導電性材料の質量は、前記集電体の質量の10%~70%である、請求項1に記載の集電体。
- 前記集電体の厚さは、2μm~500μmである、請求項1に記載の集電体。
- 前記導電性材料の一端または両端は、前記高分子基材の表面に露出している、請求項1に記載の集電体。
- 前記一次元導電性材料は、長さが0.1μm~200μmであり、直径が2nm~500nmであり、比表面積が5m2/g~2000m2/gである、請求項1に記載の集電体。
- 前記二次元導電性材料は、長さが2μm~10μmであり、厚さが6nm~20μmであり、比表面積が0.5m2/g~1000m2/gである、請求項1に記載の集電体。
- 前記集電体は、
(a)前記集電体のX-Y面内方向における電子抵抗率は50Ω・cm~1000Ω・cmであること、
(b)前記集電体のZ方向における電子抵抗率は0.01Ω・cm~1Ω・cmであること、
(c)前記集電体のX-Y面内方向における電子抵抗率と前記集電体のZ方向における電子抵抗率との比は100~1000であること、
(d)前記導電性材料と前記Z方向との夾角は0°~10°であること、
(e)前記集電体の厚さは5μm~50μmであること、
(f)前記導電性材料の質量は前記集電体の質量の20%~60%であること、
のうちの少なくとも1つを満たす、請求項1に記載の集電体。 - 前記集電体は、
(a)前記集電体のX-Y面内方向における電子抵抗率は100Ω・cm~1000Ω・cmであること、
(b)前記集電体のZ方向における電子抵抗率は0.01Ω・cm~0.05Ω・cmであること、
(c)前記集電体のX-Y面内方向における電子抵抗率と前記集電体のZ方向における電子抵抗率との比は200~600であること、
(d)前記集電体の厚さは5μm~20μmであること、
(e)前記導電性材料の質量は前記集電体の質量の40%~50%であること、
(f)前記集電体の引張強度は80MPa~100MPaであること、
のうちの少なくとも1つを満たす、請求項1に記載の集電体。 - 前記高分子基材は、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエチレングリコール、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、環状ポリオレフィン、ポリフェニレンサルファイド、ポリ酢酸ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリメチレンナフタレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレンカーボネート、ポリ(フッ化ビニリデン-ヘキサフルオロプロピレン)、ポリ(フッ化ビニリデン-コ-クロロトリフルオロエチレン)、シリコーン樹脂、ビニロン、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリエーテルニトリル、ポリウレタン、ポリフェニレンエーテル、ポリスルホン、およびそれらの誘導体のうちの少なくとも1種を含む、請求項1に記載の集電体。
- 請求項1~9のいずれか1項に記載の集電体を備える、電気化学装置。
- 請求項10に記載の電気化学装置を備える、電子装置。
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