JP7476315B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

半導体デバイスの製造においては、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」と称する）等の基板を水平に保持した状態で鉛直軸線周りに回転させ、当該基板の周縁部に薬液等の処理液を供給することで、当該周縁部に存在する酸化膜等の薄膜を局所的に取り除くベベルカット処理が行われる。

特許文献１には、基板の周縁部におけるベベルカット処理のカット幅の変動を抑制することができる基板処理装置が開示されている。基板処理装置は、変動幅取得部と吐出制御部とを備えている。変動幅取得部が、基板の周縁部の歪み量の変動幅に関する情報を取得する。変動幅取得部が取得した上記の情報に応じて、吐出制御部が、処理液吐出部からの処理液の周縁部に対する吐出角度及び吐出位置を制御する。

特開２０１８－４６１０５号公報

本開示は、周縁部の膜を液処理するにあたり、所望のプロセス性能を達成することができる基板処理技術を提供する。

本開示の一実施形態によれば、基板の表面の周縁部を処理液により液処理する基板処理装置であって、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部を回転軸線回りに回転させる回転駆動部と、前記基板の表面の周縁部に設定された着液点に向けて前記処理液を吐出する吐出部と、を備え、前記着液点から前記回転軸線に引いた垂線の足を中心とし、前記垂線の足と前記着液点とを結ぶ線分を半径とし、かつ前記回転軸線に直交する平面上にある円を定義し、前記着液点における前記円の接線を定義し、前記処理液の吐出点から前記基板の表面に引いた垂線の足と前記着液点とを結ぶ直線と、前記着液点における前記円の接線とが成す角度を第１角度θとし、前記処理液の吐出点から前記基板の表面に引いた前記垂線の足と前記着液点とを結ぶ直線と、前記吐出点と前記着液点とを結ぶ直線とが成す角度を第２角度φとしたときに、前記吐出部は、前記処理液として、同じ第１処理液を吐出することができる複数のノズルを含み、前記複数のノズルのうちのある一つのノズルと他の一つのノズルは、前記第１角度θおよび前記第２角度φのうちの少なくとも一方が互いに異なるように構成されている、基板処理装置が提供される。

上記実施形態によれば、周縁部の膜を液処理するにあたり、所望のプロセス性能を達成することができる。

基板処理装置の一実施形態に係るベベルエッチング装置の概略縦断面図である。 処理液の吐出に関連する各種パラメータについて説明する図である。 ウエハの表面状態に応じて変化する処理液の着液直後の挙動について説明する概略図である。 ウエハの表面状態に応じて変化する処理液の着液直後の挙動について説明する概略図である。 ウエハの表面状態に応じて変化する処理液の着液直後の挙動について説明する概略図である。 スロープ幅について説明する概略図である。 カット精度の向上手法について説明する概略図である。 カット精度の向上手法について説明する概略図である。 ノズル姿勢変更機構の構成の一例を示す概略図である。 具体例におけるノズルの配置を示す概略斜視図である。

基板処理装置の一実施形態を、添付図面を参照して説明する。

以下に、基板処理装置の一実施形態としてのベベルエッチング装置について、添付図面を参照して説明する。ベベルエッチング装置とは、半導体装置が形成される円形の基板である半導体ウエハＷ（以下単に「ウエハ」と呼ぶ）の周縁部にある不要な膜を、ウエットエッチング処理により除去する装置である。ベベルエッチング処理におけるエッチング対象である周縁部とは、通常は、ウエハＷのＡＰＥＸ（エッジ湾曲部の最外周）から概ね５ｍｍ程度内側までの領域を意味している（但し、この範囲に限定されるわけではない）。

図１に示すように、ウエットエッチング装置（以下、単に「エッチング装置」と呼ぶ）１は、スピンチャック（基板保持回転部）２と、処理カップ４と、処理流体吐出部６（以下、単に「吐出部」と呼ぶ）とを備えている。スピンチャック２は、処理対象の基板ここではウエハＷを水平姿勢で保持して、鉛直軸周りに回転させる。処理カップ４は、スピンチャック２に保持されたウエハＷの周囲を囲み、ウエハＷから飛散した処理液を受ける（回収する）。吐出部６は、スピンチャック２により保持されたウエハＷに処理液、処理ガス等の処理流体を吐出する。

スピンチャック２、処理カップ４および吐出部６は１つのハウジング１０内に収容されている。ハウジング１０の天井部付近には清浄ガス導入ユニット１２(以下、「ＦＦＵ（ファンフィルタユニット）」と呼ぶ）が設けられている。処理カップ４の底部には、回収した処理液をエッチング装置１の外部に排出するための排液口４１と、処理カップ４の内部空間を排気するための排気口４２が設けられている。排気口４２を介して処理カップ４の内部空間を排気することによりＦＦＵ１２から導入された清浄ガス（例えばクリーンエア）が処理カップ４内に引き込まれる。清浄ガスはウエハＷの周縁部付近を概ね半径方向外向きに通過しながら処理カップ４内に引き込まれ、これによりウエハＷから飛散した処理液の液滴のウエハＷへの再付着が抑制されている。

スピンチャック２は、バキュームチャックとして構成されたチャック部（基板保持部）２１と、チャック部２１を鉛直軸線周りに回転させる回転駆動部２２とを有する。チャック部２１の上面にウエハＷの下面（裏面）が吸着される。

吐出部６は、処理流体を吐出するノズル６１と、ノズル６１を移動させるノズル移動機構６２と、ノズル６１に処理流体を供給する処理流体供給機構（処理液供給機構）６３とを有している。処理流体供給機構６３は、タンク、工場用力等の処理流体供給源と、処理流体供給源からノズル６１に処理流体を供給する管路、管路に設けられた流量計、開閉弁、および流量制御弁等の流量調節機器などから構成することができる。処理流体としては、薬液（エッチング液）、リンス液、乾燥補助用の有機溶剤例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、低湿度ガス（例えばドライエア、窒素ガス等）が例示される。しかしながら、以下においては、ノズル６１から吐出される処理流体として液体（特に薬液、リンス液）のみについて説明を行うものとする。

ノズル移動機構６２は、ノズル６１から吐出された処理液のウエハＷ表面における着液点の半径方向位置を少なくとも調節できるように構成されている。着液点とは、ノズル６１から吐出された処理液の液柱の中心軸線とウエハＷの表面との交点を意味し、図２では参照符号Ｐ _Ｆ で示されている。

吐出部６は、ウエハＷの円周方向の異なる位置に設けられた２つ以上（例えば４つ）のノズル６１から構成される。なお、図１においてノズル６１から斜め下方に延びている矢印はノズル６１から吐出されている処理液を意味している。

吐出部６の基本的構成では、１つのノズル６１と、この１つのノズルに付設された１つのノズル移動機構６２および１つの処理液供給機構６３とからなる吐出機構セットが複数セット設けられている。後述するエッチング装置１の作用の説明は、この基本的構成が採用されている前提でなされる。しかしながら、後述した作用を実現する上で支障が無いのであれば、１つのノズル６１に２つ以上の処理液供給機構６３（例えば薬液供給用の処理液供給機構とリンス液供給用の処理液供給機構）が接続されていてもよい。具体的には、エッチング処理時に短スロープ幅を実現するために必要なノズル６１からの処理液の吐出角度とおよびリンス処理時に良好なリンスパーティクル性能（詳細後述）を実現するために必要なノズル６１からの処理液の吐出角度は同じである。この場合、同じノズル６１からエッチング液とリンス液とを選択的に吐出する構成を採用してもよい。また同様に、後述する作用を実現する上で支障が無いのであれば、２つ以上のノズル６１が共通の１つのノズル移動機構６２により移動させられるようになっていてもよい。この場合、２つ以上のノズル６１は共通の１つのノズルホルダにより保持される。なお、同じ処理液を供給する複数のノズル６１に対して、共通の処理液供給源に接続された複数の処理液供給機構６３を介して各ノズル６１に同じ処理液を供給しても勿論構わない。

エッチング装置１の詳細な構成として、本件出願人の先行出願である日本国特許出願第２０１２－２３５９７４号の出願公開公報である特開２０１４－０８６６３８号（ＪＰ２０１４－０８６６３８Ａ）に開示されたものを用いることが可能である。この先行出願では、３つのノズルは共通の１つのノズルホルダにより保持され共通の１つのノズル移動機構により移動させられるようになっているが、この先行出願において上記の基本的構成を採用してもよいことは勿論である。

次に、ノズル６１が処理液として薬液ＣＨＭ（エッチング液）を吐出する場合を例にとって、ノズル６１からウエハＷの表面への薬液ＣＨＭの吐出条件を説明するための各種パラメータについて、図２を参照して説明する。

図２において、各符号の定義は以下の通りである。
Ａ _Ｘ ：ウエハＷの回転軸線
ＷＣ：ウエハＷの表面と回転軸線Ａ _Ｘ との交点（ウエハＷの表面上におけるウエハＷの回転中心）
Ｐ _Ｅ ：薬液ＣＨＭの吐出点（ノズル６１の吐出口）
Ｐ _Ｆ ：薬液ＣＨＭのウエハＷ表面上の着液点（ノズル６１から吐出された処理液により形成される液柱の中心軸線がウエハＷの表面と交わる交点）
ω：ウエハＷの角速度
ｒ：回転中心ＷＣから着液点Ｐ _Ｆ までの距離
Ｌ _Ｔ ：回転中心ＷＣを中心として半径「ｒ」を有する円（これはウエハＷの表面と同一平面上にある）の円周上の着液点Ｐ _Ｆ における接線
Ｖ _Ｔ ：着液点Ｐ _Ｆ におけるウエハＷの接線方向速度（＝ωｒ）
Ｖ _Ｃ ：吐出点Ｐ _Ｅ から着液点Ｐ _Ｆ に向かう薬液ＣＨＭの速度（速度ベクトルの大きさ）
Ｆ _１ ：吐出点Ｐ _Ｅ からウエハＷの表面に引いた垂線Ｌ _Ｐ１ の足
Ｆ _２ ：足Ｆ _１ から接線Ｌ _Ｔ に引いた垂線Ｌ _Ｐ２ の足
第２角度φ：線分Ｐ _Ｅ Ｐ _Ｆ と線分Ｆ _１ Ｐ _Ｆ とが成す角度（ウエハＷの表面を含む平面と、ノズル６１から吐出された処理液により形成される液柱とが成す角度。
第１角度θ：線分Ｆ _１ Ｐ _Ｆ と線分Ｆ _２ Ｐ _Ｆ とが成す角度
なお、薬液ＣＨＭの速度ベクトルの接線方向成分（Ｖ _Ｔ 方向成分）の向きは、ウエハＷの回転方向と同じであることが好ましい。ウエハＷの回転方向と逆であると、薬液ＣＨＭの飛散（液はね）を制御するのが困難となる。但し、薬液ＣＨＭの飛散の制御に問題が生じないのならば、薬液ＣＨＭの速度ベクトルの接線方向成分とウエハＷの回転方向とは逆であってもよい。

上記の各パラメータは、ノズル６１から吐出される処理液が薬液である場合に限らず、他の処理液、例えばリンス液である場合も同様に定義される。

着液点Ｐ _Ｆ が半径方向に沿って移動するようにノズル移動機構６２がノズル６１を移動させるのであれば、着液点Ｐ _Ｆ の半径方向位置に関わらず、第１角度θおよび第２角度φを実質的に一定にすることができる。

後述する具体例では、同じ処理液（ここではＨＦ）を吐出するために少なくとも２つ、例えば４つのノズル６１が用意される。好ましくは、複数のノズル６１から選択された任意の２つのノズル６１は、少なくとも第１角度θおよび第２角度φのうちの一方が互いに異なる。なお、ここで「同じ処理液」とは、濃度、温度も含め完全に同じ処理液であることを意味している。

処理液の着液点Ｐ _Ｆ およびその近傍の「ウエハＷそれ自体またはウエハＷの表面に形成された膜の属性（以下、簡便のため「着液部属性」と呼ぶ）」と、「重視するプロセス性能」とに基づいて、重視するプロセス性能を達成しうる第１角度θおよび第２角度φによる処理液の吐出を行うことができるノズル６１が選択される。

上記の着液部属性として以下のものが例示される。例えば、ウエハＷの表面に１層以上の膜が形成されている場合には、最表面側にある膜（例えばＳｉＯｘ）それ自体またはその表面の性質ないし状態を意味する。「膜の表面の性質ないし状態」として、例えば、処理液に対する親和性（濡れ性）、表面粗さ（モフォロジー）などが例示される。また、「膜それ自体の性質」として、処理液がエッチング液である場合におけるエッチング液によるエッチングレートが例示される。ウエハ（シリコンウエハ）Ｗの表面に何も膜が形成されていないときには、ウエハＷの表面の性質（上述した濡れ性など）、あるいはウエハＷの自体の性質（上述したエッチングレートなど）が、着液部属性として考慮される。

プロセス性能としては、パーティクル量が少ないこと（少パーティクル）（これは「パーティクル性能」とよく呼ばれる）、高いカット精度でベベルエッチングがなされること（高カット精度）、ベベルエッチング時にエッチングされずに残された膜の最外周のスロープ幅が小さいこと（短スロープ幅）などが例示される。「重視するプロセス性能」としては、ここに例示列挙されたプロセス性能のうちから、最も重要と考えられるものを選択することができる。

なお、パーティクルに関しては、ベベルエッチング時に生じるもの（以下「薬液パーティクル」と呼ぶ）、リンス処理時に生じるもの（以下「リンスパーティクル」と呼ぶ）、ノッチスプラッシュに起因して生じるもの（以下「ノッチスプラッシュパーティクル」と呼ぶ）があるが、詳細は後述する。

ウエハＷのベベル液処理（周縁部処理）において、プロセス性能同士はしばしばトレードオフの関係にあり、異なるプロセス性能を同時に達成できる第１角度θおよび第２角度φを決定することは難しい場合がある。ここでは、「重視するプロセス性能」を第一に満足するような第１角度θおよび第２角度φを決定する。

本実施形態では、例えば、第１角度θおよび第２角度φの組み合わせの標準値を（θ，φ）＝（１０°，２０°）として、重視するプロセス性能以外のプロセス性能の劣化が許容範囲内に収まるように、第１角度θおよび第２角度φのうちの少なくとも一方を変更している。（θ，φ）＝（１０°，２０°）は、評価対象であるプロセス性能の全ての項目において許容範囲内の結果が得られる条件である。

第１角度θおよび第２角度φを標準値から大幅に外れた値に設定すると、重視するプロセス性能以外のプロセス性能が許容範囲外となる可能性が高いため、本実施形態では第１角度θを標準値に対して－１０°～＋１０°、第２角度φを標準値に対して－５°～０°の範囲で変更することとしている。しかしながら、プロセス性能上問題が無いのであれば（着液部属性に依存する）、角度変更範囲を広げてもよい。

ここで、図３～図５を参照して、処理液が着液するウエハＷの表面（ウエハＷ自体の表面あるいはウエハＷの表面に形成された膜の表面の両方を意味する。）が疎水面である場合と親水面である場合の着液直後の処理液の挙動について説明しておく。

ウエハＷの表面が疎水面である場合には、図３に示すように、ノズル６１から吐出された処理液は表面上に広がり難い。このため着液点Ｐ _Ｆ より半径方向内側および外側ともに、処理液により濡らされる領域の半径方向幅は狭い。なお、「着液点」とは、前述したようにノズル６１から吐出された処理液の液柱（図３および図４では参照符号「Ｌ１」を付けた）の中心点を意味する。また、疎水面上に着液した処理液は、着液直後に液跳ねによりウエハＷの表面から離脱するか、あるいは着液から短時間でウエハＷの表面から離脱する傾向にある。このため、処理液の微小液滴が多数生じる傾向にある。ウエハＷの周囲を浮遊する微小液滴は、パーティクルの発生原因になり得る。

ウエハＷの表面が親水面である場合には、図４に示すように、ノズル６１から吐出された処理液は表面上に容易に広がる。このため着液点Ｐ _Ｆ より半径方向内側および外側ともに、処理液により濡らされる領域の半径方向幅が広い。また、処理液は、着液後に（疎水面である場合と比較して）比較的長時間にわたってウエハＷの表面上に存在しつつＡＰＥＸの側に広がった後に、遠心力によりウエハＷから離脱する傾向にある。このため、処理液の微小液滴はあまり生じない。一方、処理液の半径方向内側への広がりを十分に制御することは難しく、半径方向内側への広がりを抑制しないと、カット精度、スロープ幅等に問題が生じる可能性がある。処理液の半径方向内側への広がりを抑制するには、処理液の運動の半径方向外向き成分を増やせばよく、これは前述した第１角度θおよび第２角度φ（特に第１角度θ）を調節することにより実現することができる。

なお、図５に示すように、半径方向位置Ｑよりも外側が疎水性の表面で、内側が親水性の表面の場合には、半径方向外側への処理液の広がりが疎水性の表面により抑制されるので、半径方向内側領域への処理液の広がりがより大きくなる。

上記のことを踏まえて、重視するプロセス性能に対応する第１角度θおよび第２角度φの設定について説明する。

薬液パーティクル性能（薬液パーティクルが少ないこと）を重視する場合には、第１角度θは標準値のままで第２角度φを小さくする。薬液処理時（ベベルエッチング時）に生じるパーティクルは、主に、薬液（エッチング液）がウエハＷの表面に着液した直後に液跳ねすることにより生じる。このため、液跳ねに影響を与える第２角度φを標準値より小さくすることにより、液跳ねを抑制する。特に、ウエハＷの表面が液跳ねが生じ易い疎水面であるとき、第２角度φを小さくすることによる液跳ね抑制効果が大きい。第２角度φを小さくすることは、薬液が着液点よりも半径方向内側の領域に広がることを抑制する効果もある。

薬液パーティクル性能を重視する場合には、第１角度θを０°≦θ≦２０°の範囲内で、第２角度φを５°≦φ≦２０°の範囲内で適宜決定してもよい。

なお、処理液がリンス液である場合でも、処理液が着液する表面が疎水面である場合には、液跳ねが生じ得る。もし、リンス液の液跳ねが問題となるならば、リンス処理時にも第２角度φを標準値より小さくすることも考えられる。

リンスパーティクル性能（リンスパーティクルが少ないこと）を重視する場合には、第２角度φを標準値のままで第１角度θを大きくする。主に液跳ねを原因として生じる薬液パーティクルと異なり、リンスパーティクルは、リンス処理中のリンス液の気液界面（リンス液の液膜の最内周縁）にパーティクルが集まり、集まったパーティクルがウエハＷ表面に残留することにより生じる。

リンスパーティクル性能を評価するときには、特にエッジエクスクルージョン領域が考慮される。当該技術分野において周知の通り、エッジエクスクルージョン領域とは、パーティクル等の欠陥の評価の対象とならない領域であり、例えばＡＰＥＸから、ＡＰＥＸから半径方向内側に２mm離れた位置までの間に広がるリング状の領域である。薬液処理（エッチング処理）で用いられた薬液（エッチング液）を確実に洗い流すために、リンス液の着液点は薬液の着液点よりも０．５mm程度半径方向内側に設定される。上記の通り、リンスパーティクルが最も多く生じるのはリンス液の気液界面付近であるので、リンス処理時の気液界面の位置を可能な限り半径方向外側に位置させることが好ましく、さらにはエッジエクスクルージョン領域内に位置させることがより好ましい。なお、気液界面とは、図３～図５に示すように、着液直後の処理液の断面（図３～図５において参照符号Ｌ２が付けられた半楕円部分）の半径方向内側端を意味している。

先に図３～図５を参照して説明したように、リンス液が着液する表面が親水面である場合には、着液したリンス液が着液後直ちに平坦化して着液点の周囲に広がり易い。疎水面の場合には、表面張力によりリンス液が平坦化し難いので、着液点の周囲に広がり難い。第１角度θが小さい場合（ゼロ度に近い場合）には、ノズルから吐出されたリンス液の半径方向外向きの速度成分が小さくなるため、リンス液が着液する表面が親水面である場合には、リンス液が着液点よりも半径方向内側の領域に広がり易い。リンス液の半径方向内側への広がりを抑制するには、第１角度θを大きくして、リンス液の半径方向外向きの速度成分を大きくすることが効果的である。これにより、リンス処理中のリンス液の気液界面を着液点に近い位置に維持して、リンス液の気液界面をエッジエクスクルージョン領域内に位置させることが可能となる。ここでは、第１角度θを２０°としている。

一方、リンス液が着液する表面が疎水面である場合には、リンス液はウエハＷの中心側に向けては殆ど広がらず、着液後すぐに遠心力によってウエハＷの周縁に向けて流れる。このため、表面が疎水面である場合には、リンス液の半径方向内側の領域への広がりの抑制の観点からは、第１角度θを大きくする意味は殆ど無い。

リンスパーティクル性能を重視する場合には、第１角度θを１５°≦θ≦３０°の範囲内で、第２角度φを５°≦φ≦３０°の範囲内で適宜決定してもよい。

短スロープ幅を重視する場合には、第２角度φを標準値のままで第１角度θを大きくする。スロープ幅は、図６において参照符号「ＳＷ」で示す幅である。第１角度θが小さい場合、エッチング液が着液点よりも半径方向内側の領域に広がり易くなる。その理由は、リンスパーティクル性能のところで説明したものと同じである。エッチング液が着液点（図６における点Ｐ _Ｆ ）よりも半径方向内側の領域に広がると、着液点よりも半径方向内側の膜が多少エッチングされる。このとき、エッチング量は着液点に近いほど大きく、着液点から半径方向内側に離れるほど小さくなる。従って、エッチング液の着液点から半径方向内側の領域への広がりが大きくなると、比較的なだらかなスロープが形成されやすい（つまりスロープ幅が大きくなる）。これに対して、第１角度θを大きくすることにより、着液後にエッチング液が殆ど半径方向内側の領域に広がらないため、スロープは殆ど形成されないか、されたとしてもスロープ幅は小さい（スロープの角度が９０度に近い）。なお、第２角度φが多少変動してもスロープ幅は殆ど変化しない。

短スロープ幅を重視する場合には、第１角度θを１０°≦θ≦４０°の範囲内で、第２角度φを５°≦φ≦３０°の範囲内で適宜決定してもよい。

ギザギザカット防止を重視する場合には、第２角度φを標準値のままで第１角度θを大きくする。「ギザギザカット」とは、エッチング対象面が粗い場合（すなわち、表面モフォロジーが大きいあるいは表面に凹凸がある場合）にカット界面（エッチング後に残る膜の最外周縁）がギザギザな形状となることを意味する。なお、ギザギザカット防止は、高カット精度の達成に含まれているとも言えるが、ここでは、後述の「高カット精度」と「ギザギザカット防止」とは別項目として記載することとする。

前述したように、第１角度θを大きくすると、着液直後にエッチング液が着液点よりも半径方向内側に広がり難くなる。粗い表面の場合、エッチング液が着液点よりも半径方向内側の領域に広がるときに、ミクロ的に見て広がりが不均一となる。つまり、ミクロ的に見ると、凹部に侵入するエッチング液が多くなるため凹部近傍のエッチング量が大きくなり、凸部に侵入するエッチング液の量は少なくなるため凸部近傍のエッチング量が小さくなり、その結果としてギザギザなカット界面が生じる。これに対して、第１角度θを大きくすることにより、着液直後のエッチング液の殆どが着液点よりも半径方向内側に広がらなくなる。つまり、エッチング液が直接着液するところがカット界面になるため、カット界面の形状が粗い表面の影響を受け難くなり、ギザギザなカット界面が形成され難くなる。

ギザギザカット防止を重視する場合には、第１角度θを１０°≦θ≦４０°の範囲内で、第２角度φを５°≦φ≦３０°の範囲内で適宜決定してもよい。

なお、上述したリンスパーティクル性能、短スロープ幅およびギザギザカット防止については、いずれも、処理液が着液点よりも半径方向内側に広がることを防止ないし抑制することにより実現されている。これら３つのプロセス性能は両立させることができる。

ノッチスプラッシュパーティクル性能（ノッチスプラッシュに起因するパーティクルが少ないこと）を重視する場合には、第２角度φを標準値のままで第１角度θを大きくする。ノッチの深さ（半径方向長さ）は通常１～１．３mm程度であり、着液点の半径方向位置次第では、ノズルから吐出された処理液が直接的に（あるいは着液直後に）ノッチの縁に衝突する。この衝突に起因してスプラッシュが生じ、そしてこのスプラッシュに起因してパーティクルが生じ得るため、ノッチスプラッシュの抑制は、パーティクル性能の向上に寄与する。第１角度θを大きくした方が、ノッチの縁に対する処理液の入射角が小さくなるため、ノッチの縁との衝突による処理液の飛散を抑制することができる。なお、平面視で、ノッチの縁とノズルからの処理液の吐出方向との成す角度が９０度付近のときノッチスプラッシュが特に抑制される傾向にあるため、通常の形状のノッチの場合には第１角度θは概ね２０度～２５度の角度であることが好ましい。

ノッチスプラッシュパーティクル性能を重視する場合には、第１角度θを２０°≦θ≦２５°の範囲内で、第２角度φを５°≦φ≦３０°の範囲内で適宜決定しても構わない。

高いカット精度（ベベルエッチング時にエッチングされずに残された膜の最外周縁の位置精度）を重視する場合には、第２角度φを標準値のままで第１角度θを小さくする。ウエハＷの裏面中心部をバキュームチャックにより保持した場合、ウエハＷが回転すると、ウエハＷの反りあるいはウエハＷの垂直方向振動により、ウエハＷの表面上のエッチング液の着液点の高さが変化する。このとき、第１角度θが標準値程度であるかそれよりも大きい場合には、図７に示すように、ウエハＷの垂直方向振動（ＶＯ）に伴う処理液（Ｌ）の着液点（Ｐ _Ｆ ）の半径方向位置が比較的大きく変化し、カット精度が低くなる。一方で、第１角度θがゼロ（または概ねゼロ）であるならば、図８に示すように、ウエハＷの垂直方向振動（ＶＯ）に伴う処理液（Ｌ）の着液点（Ｐ _Ｆ ）の半径方向位置の変化はわずかであり、高いカット精度が得られることになる。

なお、第２角度φを小さくすると、着液直後の着液点付近の処理液の広がり（平面視で吐出方向への広がり）が大きくなり、ウエハＷの周縁部の垂直方向の変位またはノズルからの処理液の吐出流量の変動に起因して、カット精度は悪化する傾向にある。従って、上述したように、第２角度φは比較的大きな角度、例えば２０度程度とすることが好ましい。

カット精度を重視する場合には、第１角度θを－１０°≦θ≦１０°の範囲内で、第２角度φを５°≦φ≦３０°の範囲内で適宜決定しても構わない。

上述した６種類の異なる要求プロセス性能に対して（θ，φ）の組み合わせは必ずしも６種類必要ではなく、２種類以上の要求プロセス性能に対応する（θ，φ）の組み合わせが同じであってもよい。具体的には例えば、ノッチスプラッシュパーティクルの抑制に対応する（θ，φ）の組み合わせと、短いスロープ幅に対応する（θ，φ）の組み合わせとが同じであってもよい。

異なる要求プロセス性能ごとに最適の（θ，φ）の組み合わせを設定すると、組み合わせの数に応じた数のノズル６１を設ける必要がある（ノズル姿勢変更機構（後述）が設けられていない場合）。そうすると、ベベルエッチング装置の部品点数が増大し、ベベルエッチング装置の製造コストが増大してしまう。このため、ある一つの要求プロセス性能に対応する最適の（θ，φ）値と、他の一つの要求プロセス性能に対応する最適の（θ，φ）値が近似している場合には、これらの要求プロセス性能に対して（θ，φ）の組み合わせを同じにしてもよい。言い換えれば、ある一つの要求プロセス性能を満足させることができる（θ，φ）値を用いた処理により、他の一つの要求プロセス性能をも満足させることができるのであれば、これらの要求プロセス性能に対して（θ，φ）の組み合わせを同じにしてもよい。具体的には例えば、ノッチスプラッシュパーティクルの抑制、短いスロープ幅、リンスパーティクルの抑制およびギザギザカット防止を重視する場合の第１角度θおよび第２角度φの最適値の組み合わせは比較的近似しているため、これらの要求プロセス性能に対応する（θ，φ）の組み合わせを互いに同じにしてもよい。そうすることにより、１つのノズル６１により、複数の要求プロセス性能に対応させることができ、装置コストを低減することができる。装置構成および装置コストの観点から許容されるのであれば、要求プロセス性能ごとに（θ，φ）の組み合わせを個別に設定しても構わない。

ノズル６１の姿勢を無段階または多段階に変更することができるノズル姿勢変更機構６４を設けてもよい。具体的には例えば、図９に示すように、ノズル姿勢変更機構６４は、ノズル６１を保持するノズルホルダ６２１をノズル移動機構６２の進退可能なロッド６２２に対して水平軸線回りに回転させる第１回転機構６４１と、ノズル６１をノズルホルダ６２１に対して鉛直軸線周りに回転させる第２回転機構６４２とから構成することができる。第１回転機構６４１に代えて、ロッド６３１自体を水平軸線回りに回転させる機構を設けてもよい。ノズル移動機構６２全体を、水平揺動軸線周りに揺動させる揺動機構を設けてもよい。このようなノズル姿勢変更機構６４を設けることにより、第１角度θおよび第２角度φのうちの少なくとも一方を変更することができる。上述したようにノズル姿勢変更機構６４が２軸の回転機構を有していれば、第１角度θおよび第２角度φの両方を変更することができる。ノズル姿勢変更機構６４を設けることにより、ノズル６１の数を減らすことが可能となる。なお、ノズル６１から斜め下方に延びている矢印はノズル６１から吐出される処理液を意味している。

次に、処理ユニット１６を用いたベベルエッチングの具体例について説明する。以下に説明する具体例では、４つのノズル６１を備えたエッチング装置１が用いられる。４つのノズル６１を、ノズルＡ，ノズルＢ，ノズルＣ，ノズルＤと呼び区別することとする。ノズルＡ，ノズルＢ，ノズルＣおよびノズルＤは、図１０に概略的に示すように、ウエハＷの周縁部の上方に位置している。

図１０は、ノズルＡから処理液が吐出されている状態を示しており、ウエハＷの表面に着液した処理液の挙動が概略的に示されている。処理液はウエハＷの表面に着液した後、半径方向に広がりながら流れ（親水性の場合）、最終的には遠心力によりウエハの外方に離脱する。この場合、ウエハＷ周縁と平行に延びる処理液の帯が観察される。ウエハＷの表面が疎水性の場合は、処理液はウエハＷの表面に着液直後あるいは着液後短時間でウエハＷから離脱するので、ウエハＷ周縁と平行に延びる処理液の帯は観察されないか、観察されても非常にその長さは短い。

ノズルＡ，ノズルＢ，ノズルＣ，ノズルＤにおいて、第１角度θおよび第２角度φの組み合わせは下記の通りである。
ノズルＡ：（θ，φ）＝（５°，２０°）
ノズルＢ：（θ，φ）＝（１０°，１０°）
ノズルＣ：（θ，φ）＝（２５°，２０°）
ノズルＤ：（θ，φ）＝（２５°，２０°）

ノズル６１（Ａ～Ｄ）には、各々に付設されたノズル移動機構６２により、各ノズル６１を、当該ノズルから吐出された処理液の着液点Ｐ _Ｆ の位置がウエハＷの半径方向に移動するように移動させることができるようになっている。各ノズル６１は、ノズル６１の半径方向位置に関わらず第１角度θおよび第２角度φの値が実質的に一定となるように、ノズル移動機構６２により支持されている。

以下の説明では、ウエハＷの表面上の点の半径方向位置（例えば処理液の着液点の半径方向位置）は、ウエハＷのＡＰＥＸからその点までのウエハ半径方向（半径方向内向きが負）で表す。例えばある点のＤｒ＝－１．０mmと記載したら、その点はＡＰＥＸから半径方向内向きに１．０mm離れた位置にあることを意味している。

以下の具体例では、各ノズル６１の姿勢は固定されており、第１角度θおよび第２角度φはノズル６１に固有の値であるものとする。

［第１の具体例］
第１の具体例は、疎水面（例えばベアシリコンの表面）の上に、親水性膜（例えばシリコン酸化膜）が形成されている場合において、ウエハＷの周縁部の親水性膜を薬液（フッ酸）により除去するものである。

まず、ウエハＷを回転させる。ウエハＷの回転は処理の終了まで継続する。

次いで、ノズルＡから、着液点Ｐ _Ｆ の位置Ｄｒ＝－１．０mmとなるようにＨＦ（フッ酸）の吐出を開始する。ノズルＡでは（θ，φ）＝（５°，２０°）であり、これはカット精度重視の条件に合致する。なお、ＨＦが着液する面が親水面の場合には第１角度θを変化させても液跳ね状況に殆ど変化は無く、薬液パーティクル性能については問題にならない。

その後、ノズルＡを移動させて着液点Ｐ _Ｆ を徐々に半径方向外側に移動させてゆく。着液点Ｐ _Ｆ の位置Ｄｒが－０．８mmよりも半径方向外側に進んだら、ノズルＢから着液点Ｐ _Ｆ の位置Ｄｒ＝－０．８mmとなるようにＨＦの吐出を開始するとともにノズルＡからのＨＦの吐出を停止する。位置Ｄｒ＝－０．８mmの付近では、ノズルＡから吐出されたＨＦにより親水性膜がすでに除去されているため、ノズルＢから吐出されたＨＦは、疎水面に着液する。ノズルＢでは（θ，φ）＝（１０°，１０°）であり、これは薬液パーティクル性能（特に疎水面に対する薬液パーティクル性能）を重視する場合に対応している。疎水面に着液したＨＦの液跳ねが防止されるため、パーティクルの発生を抑制することができる。

その後、ノズルＡを移動させて着液点を徐々に半径方向外側に移動させてゆく。所望の領域（ＡＰＥＸよりやや下側の位置まで）において疎水表面が露出したら、ノズルＤから着液点Ｐ _Ｆ の位置Ｄｒ＝－１．５mmとなるようにリンス液（ＤＩＷ）の吐出を開始し、ノズルＢからのＨＦの吐出を停止する。ノズルＤでは（θ，φ）＝（２５°，２０°）であり、これはリンスパーティクル性能を重視する条件に対応する。その後、ノズルＤを移動させて着液点を徐々に半径方向外側に移動させてゆく。必要な領域のリンス処理が終了したら、ノズルＤからのリンス液の吐出を停止して、ウエハＷの振り切り乾燥を行う。

［第２の具体例］
第２の具体例は、ウエハＷの表面に形成された親水性膜の上に、さらに疎水性膜が形成されている場合において、ウエハＷの周縁部の親水性膜および疎水性膜を薬液（フッ酸）により除去するものである。

まず、ウエハＷを回転させる。ウエハＷの回転は処理の終了まで継続する。

次いで、ノズルＢから着液点Ｐ _Ｆ の位置Ｄｒが－１．０mmとなるようにＨＦ（フッ酸）の吐出を開始する。ノズルＢでは（θ，φ）＝（１０°，１０°）であり、これは薬液パーティクル性能を重視する条件に対応する。疎水面に着液したＨＦの液跳ねが防止されるため、パーティクルの発生を抑制することができる。

その後、ノズルＢを移動させて着液点Ｐ _Ｆ を徐々に半径方向外側に移動させてゆく。そして、所望の領域（ＡＰＥＸよりやや下側の位置まで）において疎水性膜が除去されたら、ノズルＡから着液点の位置Ｄｒが－１．０mmとなるようにＨＦ（フッ酸）の吐出を開始し、ノズルＢからのＨＦの吐出を停止する。ノズルＡでは（θ，φ）＝（５°，２０°）であり、これはカット精度重視の条件に合致する。ノズルＡから吐出したＨＦは親水面に着液するため、液跳ねは考慮しなくてよい。

その後、ノズルＡを移動させて着液点を徐々に半径方向外側に移動させてゆく。所望の領域（ＡＰＥＸよりやや下側の位置まで）において親水性膜が除去されたら、ノズルＤから着液点の位置Ｄｒが－１．５mmとなるようにリンス液（ＤＩＷ）の吐出を開始し、ノズルＡからのＨＦの吐出を停止する。ノズルＤでは（θ，φ）＝（２５°，２０°）であり、これはリンスパーティクル性能重視の条件に合致する。その後、ノズルＤを移動させて着液点を徐々に半径方向外側に移動させてゆく。必要な領域のリンス処理が終了したら、ノズルＤからのリンス液の吐出を停止して、ウエハＷの振り切り乾燥を行う。

［第３の具体例］
第３の具体例は、ウエハＷの表面に形成された低エッチングレートの膜（「低ＥＲ膜」と呼ぶ）の上に、さらに高エッチングレートの膜（「高ＥＲ膜」と呼ぶ）が形成されている場合において、ウエハＷの周縁部の低ＥＲ膜および高ＥＲ膜を薬液（フッ酸）により除去するものである。

まず、ウエハＷを回転させる。ウエハＷの回転は処理の終了まで継続する。

次いで、ノズルＣから、着液点Ｐ _Ｆ の位置Ｄｒ＝－１．０mmとなるようにＨＦ（フッ酸）の吐出を開始する。ノズルＣでは（θ，φ）＝（２５°，２０°）であり、これは短スロープ幅を重視する条件に対応する。低ＥＲ膜はわずかにエッチング液に触れただけでエッチングされるので、半径方向内側に広かったエッチング液によりスロープ幅が大きくなる傾向がある。スロープ幅の拡大を防止するため、上記条件を採用する。

その後、ノズルＣを移動させて着液点を徐々に半径方向外側に移動させてゆく。そして、所望の領域（ＡＰＥＸよりやや下側の位置まで）において低ＥＲ膜が除去されたら、ノズルＡから着液点Ｐ _Ｆ の位置Ｄｒ＝－１．０mmとなるようにＨＦ（フッ酸）の吐出を開始し、ノズルＣからのＨＦの吐出を停止する。ノズルＡでは（θ，φ）＝（５°，２０°）であり、これはカット精度重視の条件に対応する。高ＥＲ膜はスロープ幅が比較的小さくなる傾向があるため、スロープ幅を考慮しないで、カット精度を重視した条件でエッチングを行う。

その後、ノズルＡを移動させて着液点を徐々に半径方向外側に移動させてゆく。所望の領域（ＡＰＥＸよりやや下側の位置まで）において親水性膜が除去されたら、ノズルＤから着液点の位置Ｄｒ＝－１．５mmとなるようにリンス液（ＤＩＷ）の吐出を開始し、ノズルＡからのＨＦの吐出を停止する。ノズルＤでは（θ，φ）＝（２５°，２０°）であり、これはリンスパーティクル性能重視の条件に対応する。その後、ノズルＤを移動させて着液点を徐々に半径方向外側に移動させてゆく。必要な領域のリンス処理が終了したら、ノズルＤからのリンス液の吐出を停止して、ウエハＷの振り切り乾燥を行う。

［第４の具体例］
第４の具体例は、ウエハＷの表面に形成された表面モフォロジーが小さい膜（ミクロ的に見て表面が平坦な膜（平坦表面膜））の上に、さらに表面モフォロジーが大きい膜（ミクロ的に見て表面が粗い膜（粗表面膜））が形成されている場合において、ウエハＷの周縁部の平坦表面膜および粗表面膜を薬液（フッ酸）により除去するものである。

まず、ウエハＷを回転させる。ウエハＷの回転は処理の終了まで継続する。

次いで、ノズルＣから、着液点の位置Ｄｒ＝－１．０mmとなるようにＨＦ（フッ酸）の吐出を開始する。ノズルＣでは（θ，φ）＝（２５°，２０°）であり、これはギザギザカット防止を重視する条件に対応する。

その後、ノズルＣを移動させて着液点を徐々に半径方向外側に移動させてゆく。そして、所望の領域（ＡＰＥＸよりやや下側の位置まで）において粗表面膜が除去されたら、ノズルＡから、着液点の位置Ｄｒ＝－１．０mmとなるようにＨＦ（フッ酸）の吐出を開始し、ノズルＣからのＨＦの吐出を停止する。ノズルＡにおいて、（θ，φ）＝（５°，２０°）であり、これはカット精度を重視する条件に対応する。平坦表面膜は、ギザギザカットの問題は無いため、カット精度を重視した条件でエッチングを行う。

その後、ノズルＡを移動させて着液点を徐々に半径方向外側に移動させてゆく。所望の領域（ＡＰＥＸよりやや下側の位置まで）において平坦表面膜が除去されたら、ノズルＤから着液点の位置Ｄｒ＝－１．５mmとなるようにリンス液（ＤＩＷ）の吐出を開始し、ノズルＡからのＨＦの吐出を停止する。ノズルＤでは（θ，φ）＝（２５°，２０°）であり、これはリンスパーティクル性能を重視する条件に対応する。その後、ノズルＤを移動させて着液点を徐々に半径方向外側に移動させてゆく。必要な領域のリンス処理が終了したら、ノズルＤからのリンス液の吐出を停止して、ウエハＷの振り切り乾燥を行う。

上記の各具体例において、使用するノズルの選択は、予め定められたプロセスレシピに従い行うことができる。つまりこの場合、プロセスレシピでは、処理ステップごとに「ウエハ回転数：ＸＸｒｐｍ； 使用ノズル：ノズルＡ； 吐出する処理液：ＨＦ； 着液点：Ｄｒ＝－１．０mm～ＡＰＥＸまで移動； 移動速度：ＹＹmm／sec」等の各種プロセス条件に対応するパラメータ値が予め定められている。そして、プロセスレシピに定義されたプロセス条件が実現されるように、制御部１４が回転駆動部２２、ノズル移動機構６２、処理液供給機構６３等を制御することによりベベル部の液処理が行われる。

全てのプロセス条件を予めプロセスレシピで定めておくことに代えて、プロセス条件の少なくとも一部をウエハＷの処理対象面の状態の検査結果に応じて決定する機能を上述した基板処理装置１、あるいは処理ユニットとしての上記基板処理装置１を備えた基板処理システムが有していてもよい。具体的には例えば、ウエハＷの処理対象面の状態を検査する検査部が設けられる。この検査部は、スタンドアローンの検査装置であってもよく、上述した基板処理システムのハウジング内に組み込まれた検査ユニットであってもよい。検査部が検査するウエハＷの処理対象面の状態として、例えば表面モフォロジー、ノッチ形状、反り状態、接触角（これは液処理時に例えば高速度カメラ等により観察する）等が例示される。

検査部による検査結果は制御部１４（図１を参照）に入力される。また、制御部１４に、求められる処理結果（重視するプロセス性能）が入力される。制御部１４への求められる処理結果の入力は、上位コンピュータからの通信を介して行ってもよく、オペレータが、基板処理装置１または基板処理システムのユーザーインターフェース（タッチパネル、キーボード等）を介して手動で行ってもよい。制御部１４の演算部１４２は、例えば記憶部１４１に格納された角度テーブル（求められる処理結果に対応するノズルの吐出角度（第１角度θ、第２角度φ）が記憶されたデータベース）を参照して、第１角度θおよび第２角度φの適切な値を求め、その値を有するノズル６１を選択する。ノズル６１の選択以外は、プロセスレシピに従って実行することができる。

上述したように、ノズル６１からの処理液の吐出角度（第１角度θ、第２角度φ）を適宜変更することにより、最も重視するプロセス性能が実現された望ましい処理結果を得ることができる。

なお、上記の説明では専らウエハＷの表面側の処理についてだけ言及したが、ウエハＷの裏面側の処理をウエハＷの表面側の処理と同時に行っても構わない。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

６ 吐出部
１４ 制御部
２１ 基板保持部
２２ 回転駆動部

Claims (13)

1. 基板の表面の周縁部を処理液により液処理する基板処理装置であって、
   基板を保持する基板保持部と、
   前記基板保持部を回転軸線回りに回転させる回転駆動部と、
   前記基板の表面の周縁部に設定された着液点に向けて前記処理液を吐出する吐出部と、
   少なくとも前記吐出部の動作を制御する制御部と、
   を備え、
   前記着液点から前記回転軸線に引いた垂線の足を中心とし、前記垂線の足と前記着液点とを結ぶ線分を半径とし、かつ前記回転軸線に直交する平面上にある円を定義し、前記着液点における前記円の接線を定義し、
   前記処理液の吐出点から前記基板の表面に引いた垂線の足と前記着液点とを結ぶ直線と、前記着液点における前記円の接線とが成す角度を第１角度θとし、
   前記処理液の吐出点から前記基板の表面に引いた前記垂線の足と前記着液点とを結ぶ直線と、前記吐出点と前記着液点とを結ぶ直線とが成す角度を第２角度φとしたときに、
   前記吐出部は、前記処理液として、同じ第１処理液を吐出することができる複数のノズルを含み、前記複数のノズルのうちのある一つのノズルと他の一つのノズルは、前記第１角度θおよび前記第２角度φのうちの少なくとも一方が互いに異なるように構成され、
   前記制御部は、前記吐出部から吐出される前記第１処理液が着液する前記基板または前記基板上に形成された膜の属性と、重視するプロセス性能に基づいて、前記複数のノズルから選択された前記重視するプロセス性能を達成しうるノズルを用いて前記第１処理液の吐出が行われるように前記吐出部を制御する、基板処理装置。
2. 前記制御部は、前記基板の処理条件および使用すべきノズルを規定する処理レシピに従って、前記複数のノズルから選択された前記重視するプロセス性能を達成しうるノズルを用いて前記第１処理液の吐出が行われるように前記吐出部を制御する、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記制御部は、前記吐出部から吐出される前記第１処理液が着液する前記基板または前記基板上に形成された膜の属性と、前記重視する処理結果とに基づいて、前記複数のノズルから前記重視するプロセス性能を達成しうるノズルを選択する機能を有し、選択されたノズルを用いて前記第１処理液の吐出がなされるように前記吐出部を制御する、請求項１記載の基板処理装置。
4. 前記制御部は、同じ基板に対して、前記複数のノズルのうちの前記ある一つのノズルから前記第１処理液が吐出された後に、前記他の一つのノズルから前記第１処理液が吐出されるように前記吐出部を制御する、請求項１に記載の基板処理装置。
5. 前記吐出部は、前記処理液として、前記第１処理液とは異なる第２処理液を吐出することができる前記複数のノズルとは異なる他のノズルを有しているか、あるいは、前記第１処理液を吐出することができる前記複数のノズルのうちの一つのノズルが前記第２処理液をも吐出することができるように構成されている、請求項１から請求項４のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 基板の表面の周縁部を処理液により液処理する基板処理装置であって、
   基板を保持する基板保持部と、
   前記基板保持部を回転軸線回りに回転させる回転駆動部と、
   前記基板の表面の周縁部に設定された着液点に向けて前記処理液を吐出する吐出部と、
   少なくとも前記吐出部の動作を制御する制御部と、
   を備え、
   前記制御部は、前記吐出部から吐出される前記処理液が着液する前記基板または前記基板上に形成された膜の属性と、重視するプロセス性能に基づいて、前記重視するプロセス性能を達成しうる第１角度θおよび第２角度φが実現されるように前記吐出部を制御するように構成され、
   前記着液点から前記回転軸線に引いた垂線の足を中心とし、前記垂線の足と前記着液点とを結ぶ線分を半径とし、かつ前記回転軸線に直交する平面上にある円を定義し、前記着液点における前記円の接線を定義した場合、
   前記第１角度θは、前記処理液の吐出点から前記基板の表面に引いた垂線の足と前記着液点とを結ぶ直線と、前記着液点における前記円の接線とが成す角度であり、
   前記第２角度φは、前記処理液の吐出点から前記基板の表面に引いた前記垂線の足と前記着液点とを結ぶ直線と、前記吐出点と前記着液点とを結ぶ直線とが成す角度である、
   基板処理装置。
7. 前記吐出部は、同じ処理液を吐出することができる複数のノズルを含み、前記複数のノズルのうちのある一つのノズルと他の一つのノズルは、前記第１角度θおよび前記第２角度φのうちの少なくとも一方が互いに異なるように構成されている、請求項６に記載の基板処理装置。
8. 前記吐出部は、前記処理液を吐出するノズルと、前記ノズルの姿勢を変更することにより当該ノズルの前記第１角度θおよび前記第２角度φのうちの少なくとも一方を変化させることができるノズル姿勢変更機構とを有している、請求項６に記載の基板処理装置。
9. 前記基板または前記基板上に形成された膜の属性には、
   － 前記処理液に対する親和性、
   － 表面荒さ、および
   － 前記処理液に対するエッチングレート
   のうちの少なくとも１つが含まれ、
   前記重視するプロセス性能には、
   － 少ないパーティクル量、
   － 短いスロープ幅、および
   － 高いカット精度
   のうちの少なくとも１つが含まれる
   請求項１から請求項８のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
10. 基板の表面の周縁部を処理液により液処理する基板処理方法であって、
    基板を回転軸線回りに回転させる工程と、
    吐出部から、回転する前記基板の表面の周縁部に設定された着液点に向けて前記処理液を吐出する工程と、
    を備え、
    前記処理液を吐出する工程において、前記吐出部から吐出される前記処理液が着液する前記基板または前記基板上に形成された膜の属性と、重視するプロセス性能に基づいて、前記重視するプロセス性能を達成しうる第１角度θおよび第２角度φが実現されるように前記吐出部が制御され、
    前記着液点から前記回転軸線に引いた垂線の足を中心とし、前記垂線の足と前記着液点とを結ぶ線分を半径とし、かつ前記回転軸線に直交する平面上にある円を定義し、前記着液点における前記円の接線を定義した場合、
    前記第１角度θは、前記処理液の吐出点から前記基板の表面に引いた垂線の足と前記着液点とを結ぶ直線と、前記着液点における前記円の接線とが成す角度であり、
    前記第２角度φは、前記処理液の吐出点から前記基板の表面に引いた前記垂線の足と前記着液点とを結ぶ直線と、前記吐出点と前記着液点とを結ぶ直線とが成す角度である、
    基板処理方法。
11. 前記吐出部は、同じ処理液を吐出することができる複数のノズルを含み、前記複数のノズルのうちのある一つのノズルと他の一つのノズルは、前記第１角度θおよび前記第２角度φのうちの少なくとも一方が互いに異なるように構成され、前記重視するプロセス性能を達成しうる第１角度θおよび第２角度φの実現は、複数のノズルから、前記重視するプロセス性能を達成しうる第１角度θおよび第２角度φを実現しうるノズルを選択することにより行われる、請求項１０に記載の基板処理方法。
12. 前記吐出部は、前記処理液を吐出するノズルと、前記ノズルの姿勢を変更することにより当該ノズルの前記第１角度θおよび前記第２角度φのうちの少なくとも一方を変化させることができるノズル姿勢変更機構とを有し、前記重視するプロセス性能を達成しうる第１角度θおよび第２角度φの実現は、前記ノズルの姿勢を、前記重視するプロセス性能を達成しうる第１角度θおよび第２角度φが実現されるように調節することにより行われる、請求項１０に記載の基板処理方法。
13. 前記基板または前記基板上に形成された膜の属性には、
    － 前記処理液に対する親和性、
    － 表面荒さ、および
    － 前記処理液に対するエッチングレート
    のうちの少なくとも１つが含まれ、
    前記重視するプロセス性能には、
    － 少ないパーティクル量、
    － 短いスロープ幅、および
    － 高いカット精度
    のうちの少なくとも１つが含まれる
    請求項１０から請求項１２のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法。