JP7471175B2 - 露光装置および露光方法 - Google Patents
露光装置および露光方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7471175B2 JP7471175B2 JP2020139243A JP2020139243A JP7471175B2 JP 7471175 B2 JP7471175 B2 JP 7471175B2 JP 2020139243 A JP2020139243 A JP 2020139243A JP 2020139243 A JP2020139243 A JP 2020139243A JP 7471175 B2 JP7471175 B2 JP 7471175B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- light modulation
- modulation element
- scanning
- element array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 13
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2057—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using an addressed light valve, e.g. a liquid crystal device
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
19 ステージ駆動機構(走査部)
22 DMD(光変調素子アレイ)
30 コントローラ(露光制御部、走査部)
100 露光装置
Claims (12)
- 複数の光変調素子を2次元配列させた光変調素子アレイと、
フォトレジスト層を表面に形成した露光対象物に対し、前記光変調素子アレイの露光エリアを、主走査方向に沿って一定速度で相対移動させる走査部と、
前記光変調素子アレイおよび前記走査部を制御し、前記露光対象物に対して、各光変調素子の微小露光エリアが互いにオーバラップするように所定の露光ピッチで多重露光する露光制御部とを備え、
前記露光制御部が、一度の走査で積算露光量が前記フォトレジスト層のフォトレジストの露光感度を超えない未達成露光を、所定の時間間隔を空けて複数回行うことを特徴とする露光装置。 - 前記露光制御部が、所定の露光対象箇所に対し、同一のパターンで、未達多重露光を複数回行うことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記露光制御部が、所定の露光対象箇所に対し、同一方向に走査させて、未達多重露光を複数回行うことを特徴とする請求項1または2に記載の露光装置。
- 前記露光制御部が、所定の露光対象箇所に対し、同一の動作制御手順で複数の光変調素子を変調するように前記光変調素子アレイを制御して、各走査の未達多重露光を行うことを特徴とする請求項3に記載の露光装置。
- 複数の光変調素子アレイを備え、
前記走査部が、各光変調素子アレイの露光エリアを、往路と復路で異なる走査バンドを通過させる往復走査を行うことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の露光装置。 - 前記露光制御部が、所定の露光対象箇所に対し、未達多重露光の1回の露光時間または走査速度を調整して、未達多重露光を、前記フォトレジストの露光感度を超える回数分だけ行うことを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の露光装置。
- 前記露光制御部が、所定の露光対象箇所に対し、未達多重露光の1回の露光時の照度を調整して、未達多重露光を、前記フォトレジストの露光感度を超える回数分だけ行うことを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の露光装置。
- 複数の光変調素子を2次元配列させた光変調素子アレイと、
フォトレジスト層を表面に形成した露光対象部に対し、前記光変調素子アレイの露光エリアを、主走査方向に沿って一定速度で相対移動させる走査部と、
前記光変調素子アレイおよび前記走査部を制御し、前記露光対象物に対して、各光変調素子の微小露光エリアが互いにオーバラップするように所定の露光ピッチで多重露光する露光制御部とを備え、
前記露光制御部が、所定の露光対象箇所に対し、複数回の走査によって多重露光を複数回行うことを特徴とする露光装置。 - 走査部によって、フォトレジスト層を表面に形成した露光対象物に対し、複数の光変調素子を2次元配列させた光変調素子アレイの露光エリアを、主走査方向に沿って一定速度で相対移動させ、
前記光変調素子アレイおよび前記走査部を制御し、前記露光対象物に対して、各光変調素子の微小露光エリアが互いにオーバラップするように所定の露光ピッチで多重露光する露光方法であって、
所定の露光対象箇所に対し、一度の走査による多重露光を、所定時間間隔をおいて繰り替えし行うことを特徴とする露光方法。 - 走査部によって、フォトレジスト層を表面に形成した露光対象物に対し、複数の光変調素子を2次元配列させた光変調素子アレイの露光エリアを、主走査方向に沿って一定速度で相対移動させ、
前記光変調素子アレイおよび前記走査部を制御し、前記露光対象物に対して、各光変調素子の微小露光エリアが互いにオーバラップするように所定の露光ピッチで多重露光する露光方法であって、
一度の走査で積算露光量が前記フォトレジスト層のフォトレジストの露光感度を超えない未達成露光を、所定の時間間隔を空けて複数回行うことを特徴とする露光方法。 - 請求項9または10に記載された露光方法によって、基板の表面上のフォトレジスト層にパターンを形成する基板の製造方法であって、
パターン形成後の前記フォトレジスト層が、その断面において、表面に沿った方向に縞模様を形成していることを特徴とする基板の製造方法。 - 前記フォトレジスト層のフォトレジストの露光感度に応じた必要露光エネルギー量が、300mJ/cm2以上であることを特徴とする請求項11に記載の基板の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020139243A JP7471175B2 (ja) | 2020-08-20 | 2020-08-20 | 露光装置および露光方法 |
KR1020210022385A KR20220023285A (ko) | 2020-08-20 | 2021-02-19 | 노광 장치 및 노광 방법 |
TW110106647A TWI847015B (zh) | 2020-08-20 | 2021-02-25 | 曝光裝置以及曝光方法 |
CN202110265072.9A CN114077165A (zh) | 2020-08-20 | 2021-03-11 | 曝光装置和曝光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020139243A JP7471175B2 (ja) | 2020-08-20 | 2020-08-20 | 露光装置および露光方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022035137A JP2022035137A (ja) | 2022-03-04 |
JP7471175B2 true JP7471175B2 (ja) | 2024-04-19 |
Family
ID=80283018
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020139243A Active JP7471175B2 (ja) | 2020-08-20 | 2020-08-20 | 露光装置および露光方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7471175B2 (ja) |
KR (1) | KR20220023285A (ja) |
CN (1) | CN114077165A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115268223A (zh) * | 2022-07-15 | 2022-11-01 | 广东工贸职业技术学院 | 微流控芯片的阳模光刻方法、系统、装置及芯片制作方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005338667A (ja) | 2004-05-31 | 2005-12-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | パターン形成方法 |
JP2007501431A (ja) | 2003-08-04 | 2007-01-25 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | 基板にパターン形成するための改善された方法 |
JP2007316473A (ja) | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Orc Mfg Co Ltd | 描画システム |
JP2016009120A (ja) | 2014-06-25 | 2016-01-18 | 日立化成株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、半導体装置及びレジストパターンの形成方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120049433A (ko) | 2010-11-08 | 2012-05-17 | 한국전자통신연구원 | 대역폭 특성을 향상시키는 제한 증폭기 |
JP6818393B2 (ja) | 2016-09-01 | 2021-01-20 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置 |
-
2020
- 2020-08-20 JP JP2020139243A patent/JP7471175B2/ja active Active
-
2021
- 2021-02-19 KR KR1020210022385A patent/KR20220023285A/ko active Search and Examination
- 2021-03-11 CN CN202110265072.9A patent/CN114077165A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007501431A (ja) | 2003-08-04 | 2007-01-25 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | 基板にパターン形成するための改善された方法 |
JP2005338667A (ja) | 2004-05-31 | 2005-12-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | パターン形成方法 |
JP2007316473A (ja) | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Orc Mfg Co Ltd | 描画システム |
JP2016009120A (ja) | 2014-06-25 | 2016-01-18 | 日立化成株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、半導体装置及びレジストパターンの形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114077165A (zh) | 2022-02-22 |
TW202208997A (zh) | 2022-03-01 |
JP2022035137A (ja) | 2022-03-04 |
KR20220023285A (ko) | 2022-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW200400421A (en) | Pattern writing apparatus and pattern writing method | |
JP2006128732A (ja) | リソグラフィ走査露光投影装置 | |
US20120050705A1 (en) | Photolithography system | |
JP2007140166A (ja) | 直接露光装置および照度調整方法 | |
JP7471175B2 (ja) | 露光装置および露光方法 | |
TWI688830B (zh) | 曝光裝置及曝光方法 | |
JP2008203506A (ja) | マスクレス露光方法及び装置 | |
JP2006319098A (ja) | 描画装置 | |
JP4235972B2 (ja) | パターン描画装置およびパターン描画方法 | |
JP4344162B2 (ja) | パターン描画装置及びパターン描画方法 | |
JP6215560B2 (ja) | 露光装置 | |
TWI847015B (zh) | 曝光裝置以及曝光方法 | |
JP2008046457A (ja) | 描画装置 | |
JP4081606B2 (ja) | パターン描画装置およびパターン描画方法 | |
CN109725503B (zh) | 一种多波段分时段光学曝光装置及方法 | |
JP4801931B2 (ja) | 描画装置 | |
JP2007316473A (ja) | 描画システム | |
JP2012084616A (ja) | 走査型露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法 | |
JP4250052B2 (ja) | パターン描画方法、及びパターン描画装置 | |
JP4463537B2 (ja) | パターン露光装置 | |
JP7432418B2 (ja) | 露光装置および露光方法 | |
TWI833033B (zh) | 曝光裝置及曝光方法 | |
JP4929444B2 (ja) | パターン描画装置および方法 | |
JP2004509456A (ja) | 画像品質を向上し、かつ感光性層の露光の際における描画速度を増加するための方法 | |
JP2006190776A (ja) | 描画装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230602 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240318 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240402 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240409 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7471175 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |