JP7468959B2 - ダイヤモンド薄膜の厚さ及び光学定数の検出方法 - Google Patents

ダイヤモンド薄膜の厚さ及び光学定数の検出方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7468959B2
JP7468959B2 JP2023524482A JP2023524482A JP7468959B2 JP 7468959 B2 JP7468959 B2 JP 7468959B2 JP 2023524482 A JP2023524482 A JP 2023524482A JP 2023524482 A JP2023524482 A JP 2023524482A JP 7468959 B2 JP7468959 B2 JP 7468959B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
diamond thin
optical constants
thickness
model
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2023524482A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2023546457A (ja
Inventor
長彩 崔
子清 李
静 陸
中偉 胡
西鵬 徐
輝 黄
国欽 黄
Original Assignee
華僑大学
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 華僑大学 filed Critical 華僑大学
Publication of JP2023546457A publication Critical patent/JP2023546457A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7468959B2 publication Critical patent/JP7468959B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0625Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0641Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of polarization
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/21Polarisation-affecting properties
    • G01N21/211Ellipsometry
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/21Polarisation-affecting properties
    • G01N21/211Ellipsometry
    • G01N2021/213Spectrometric ellipsometry

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Description

本発明は、光学的測定の技術分野に関し、特に、ダイヤモンド薄膜の厚さ及び光学定数の測定方法に関する。
既存の光学薄膜の超広帯域光学定数試験方法として、例えばCN06706521Aは以下の内容を開示している、S1:まず、所定の厚さの光学薄膜をシリコン基板上に堆積する。S2:堆積された光学薄膜の紫外から近赤外波長帯域の楕円偏光スペクトル、及び赤外波長帯域の透過スペクトルを測定する。S3:光学薄膜のスペクトルデータに基づいて、薄膜の透過領域を一段選択し、Cauchyモデルを用いて、その波長帯域における薄膜の屈折率n及び厚さd1を計算する。S4:紫外から赤外波長帯域の光学定数のスペクトル範囲の光学定数モデルを構築し、吸収スペクトル領域に誘電率振動子モデルを追加し、振動子の中心周波数が吸収の位置であり、振動子の振幅及び幅がスペクトルデータに基づいて調整される。S5:紫外から近赤外波長帯域の楕円偏光スペクトル及び赤外波長帯域の透過スペクトルを複合目標として、薄膜の光学定数の紫外から赤外までの全スペクトル範囲における逆算を行い、厚さの初期値をd1に設定し、測定値と理論モデル計算値との間の平均二乗差である評価関数MSEを設定し、MSEを小さいほどよいようにフィッティングさせる。S6:MSEフィッティングの結果に基づき、誘電率モデルの各パラメータを求め、さらに屈折率n、消衰係数k、膜物理膜厚dを含む紫外~赤外の超広帯域スペクトル領域における薄膜の光学定数が得られる。しかし、上記の試験方法は、単結晶ダイヤモンド薄膜または多結晶ダイヤモンド薄膜であるかを区別できず、得られたパラメータの正確さが不十分である一方、消衰係数を計算することができない。
本発明は、背景技術の光学薄膜の超広帯域光学定数試験方法の欠点を克服したダイヤモンド薄膜の厚さ及び光学定数の検出方法を提供する。
本発明の技術的課題を解決するために採用した技術的手段は、ダイヤモンド薄膜の厚さ及び光学定数の検出方法であって、
ダイヤモンド薄膜を基板上に堆積するステップS1と、
ダイヤモンド薄膜の楕円偏光スペクトルデータ及び吸収スペクトルデータを測定するステップS2と、
測定されたダイヤモンド薄膜の楕円偏光スペクトルデータ及び吸収スペクトルデータに基づいて、ダイヤモンド薄膜が単結晶ダイヤモンド薄膜又は多結晶ダイヤモンド薄膜であるかを判断し、単結晶ダイヤモンド薄膜である場合はステップS41を実行し、多結晶ダイヤモンド薄膜である場合はステップS42を実行するステップS3と、
Cauchyモデルを用いて、全波長帯域の薄膜光学定数及び膜厚dを計算し、該薄膜光学定数は少なくとも屈折率のnと消衰係数のkを含むステップS41と、
多結晶ダイヤモンド薄膜から透明域のセグメントを選択し、Cauchyモデルを用いて該波長帯域の範囲の薄膜光学定数及び膜厚を計算するステップS42と、
多結晶ダイヤモンド薄膜の吸収スペクトルデータに誘電率振動子モデルを加え、楕円偏光スペクトルデータに基づいて、少なくとも振動子の振幅及び薄膜の幅を調整するステップS5と、
ダイヤモンド薄膜の光学定数n、k及び膜厚dを決定するように、評価関数MSEを用いて実験値とフィッティング値との間の差を評価するステップS6と、を含んでいる。
一実施例において、前記S3において、吸収の差異に基づいてダイヤモンド薄膜が単結晶ダイヤモンド薄膜又は多結晶ダイヤモンド薄膜であるかを判断する。
一実施例において、前記S42において、Cauchyモデルの計算式は以下に示し、A、B及びCがCauchyモデルのパラメータであり、λが波長であり、消衰係数kがA、B及びEの3つのパラメータによって記述され、Eb=1240/λ、Eが基板材料と関連する。
一実施例において、前記S5において、前記誘電率振動子モデルはLorentz振動子であり、前記Lorentz振動子の計算式は以下に示し、そのうち、Aがモデルパラメータの振幅であり、Eがモデルパラメータの中心位置であり、Bがモデルパラメータの半波長幅である。
一実施例において、前記S6において、前記評価関数MSEの計算式は以下に示し、そのうち、modがフィッティング値、expが測定値、δが測定誤差、Nが同時にエリプソメータで測定されたψ、Δの総対数、Mが選択されたフィッティングパラメータの対数である。
一実施例において、該S1における基板は、Si、Al又はダイヤモンド基板である。
本発明の解決策は、背景技術と比較して以下の利点を有する。
まず楕円偏光スペクトルデータ及び吸収スペクトルデータに基づいて、ダイヤモンド薄膜が単結晶ダイヤモンド薄膜又は多結晶ダイヤモンド薄膜であるかを判断し、さらにスペクトルデータに基づいてそれぞれ異なる計算方式を選択して、光学定数及び薄膜の厚さを計算する。これにより、屈折率及び薄膜の厚さだけでなく、消衰係数も計算できる一方、単結晶ダイヤモンド薄膜の場合、Cauchyモデルを用いて光学定数及び薄膜の厚さを計算し、多結晶ダイヤモンド薄膜の場合、波長帯域を選定して、振動子モデル及び評価関数MSEに基づいて光学定数及び薄膜の厚さを計算する。従って、単結晶及び多結晶ダイヤモンド薄膜の光学定数の屈折率、消衰係数及び厚さを検出することができ、検出精度が高く、測定時間が短い。
Cauchyモデルの計算式は以下に示す。
Lorentz振動子の計算式は以下に示す。
価関数MSEの計算式は以下に示す。
検出精度が高い。
本発明のダイヤモンド薄膜の厚さ及び光学定数の測定方法は以下のステップを含んでいる。
S1:Si、Al、またはダイヤモンド基板などの基板上にダイヤモンド薄膜を堆積させるが、基板はこれらに限定されず、必要に応じて他の基板を選択することもできる。
S2:例えばエリプソメータ測定によって、ダイヤモンド薄膜の楕円偏光スペクトルデータ及び吸収スペクトルデータを測定する。
S3:測定により得られた楕円偏光スペクトルデータ及び吸収スペクトルデータに基づいて、ダイヤモンド薄膜が単結晶ダイヤモンド薄膜又は多結晶ダイヤモンド薄膜であるかを判断し、単結晶ダイヤモンド薄膜であればS41を実行し、多結晶ダイヤモンド薄膜であればS42を実行する。吸収の違いに基づいてダイヤモンド薄膜が単結晶ダイヤモンド薄膜又は多結晶ダイヤモンド薄膜であるかを判断するのは、具体的には吸収係数kの変化に基づいて、吸収kが0でない場合、単結晶ダイヤモンド薄膜であると判断し、吸収kが曲線である場合、多結晶ダイヤモンド薄膜であると判断する。
S41:Cauchyモデルを用いて、全波長帯域における薄膜光学定数および薄膜の厚さdを計算し、該薄膜光学定数は少なくとも屈折率のnと消衰係数のkを含む。
S42:Cauchyモデル(コーシー・モデル)を用いて、多結晶ダイヤモンド薄膜から選定された透明域のセグメントの光学定数および膜厚を計算する。
Cauchyモデルの計算式は、以下に示す。
、B、およびCはCauchyモデルのパラメータであり、λは波長であり、消衰係数kはA、B、およびEの3つのパラメータによって記述され、E=1240/λ、Eは基板材料と関連している。
S5:多結晶ダイヤモンド薄膜の吸収スペクトルデータに誘電率振動子モデルを加え、楕円偏光スペクトルデータに基づいて少なくとも振動子の振幅と薄膜の幅を調整する。
この誘電率振動子モデルはLorentz振動子であり、このLorentz振動子の計算式は以下に示す。
そのうち、Aはモデルパラメータの振幅であり、Eはモデルパラメータの中心位置であり、Bはモデルパラメータの半波長幅である。
S6:ダイヤモンド薄膜の薄膜光学定数n、k及び薄膜厚さdを決定するように、評価関数MSEを用い実験値とフィッティング値との間の差を評価して、MSEが小さいほど、フィッティング効果がよい。
評価関数MSEの計算式は以下に示す。
そのうち、modはフィッティング値、expは測定値、δは測定誤差、Nはエリプソメータで同時に測定されたψ、Δの総対数、Mは選択されたフィッティングパラメータの対数である。
以上の説明は、本発明の好ましい実施例に過ぎず、従って、本発明の実施範囲をこれらによって限定することはできず、即ち、本発明の特許請求の範囲及び明細書の内容に基づいた等価な変更及び修飾は、いずれも本発明の包括的な範囲内に含まれるべきである。
本発明は、ダイヤモンド薄膜の厚さ及び光学定数の検出方法を開示し、まず楕円偏光スペクトルデータ及び吸収スペクトルデータに基づいて、ダイヤモンド薄膜が単結晶ダイヤモンド薄膜又は多結晶ダイヤモンド薄膜であるかを判断し、さらにスペクトルデータに基づいてそれぞれ異なる計算方式を選択して、光学定数及び薄膜の厚さを計算する。これにより、屈折率及び薄膜の厚さだけでなく、消衰係数も計算できる一方、単結晶ダイヤモンド薄膜の場合、Cauchyモデルを用いて光学定数及び薄膜の厚さを計算し、多結晶ダイヤモンド薄膜の場合、波長帯域を選択して、振動子モデル及び評価関数MSEに基づいて光学定数及び薄膜の厚さを計算する。従って、単結晶及び多結晶ダイヤモンド薄膜の光学定数の屈折率、消衰係数及び厚さを検出することができ、検出精度が高く、測定時間が短く、産業上の実用性を有する。

Claims (5)

  1. ダイヤモンド薄膜の膜厚及び光学定数の検出方法であって、
    ダイヤモンド薄膜を基板上に堆積するステップS1と、
    ダイヤモンド薄膜の楕円偏光スペクトルデータ及び吸収スペクトルデータを測定するステップS2と、
    測定されたダイヤモンド薄膜の楕円偏光スペクトルデータ及び吸収スペクトルデータに基づいて、ダイヤモンド薄膜が単結晶ダイヤモンド薄膜又は多結晶ダイヤモンド薄膜であるかを判断し、単結晶ダイヤモンド薄膜である場合はステップS41を実行し、多結晶ダイヤモンド薄膜である場合はステップS42を実行するステップS3と、
    Cauchyモデルを用いて、全波長帯域の薄膜光学定数及び膜厚dを計算し、該薄膜光学定数は少なくとも屈折率のnと消衰係数のkを含むステップS41と、
    多結晶ダイヤモンド薄膜から透明域のセグメントを選択し、Cauchyモデルを用いて該波長帯域の範囲の薄膜光学定数及び膜厚を計算するステップS42と、
    多結晶ダイヤモンド薄膜の吸収スペクトルデータに誘電率振動子モデルを加え、楕円偏光スペクトルデータに基づいて、少なくとも振動子の振幅及び薄膜の幅を調整するステップS5と、
    ダイヤモンド薄膜の光学定数n、k及び膜厚dを決定するように、評価関数MSEを用いて実験値とフィッティング値との間の差を評価するステップS6と、を含み、
    前記S5において、前記誘電率振動子モデルはLorentz振動子であり、前記Lorentz振動子の計算式は以下に示し、そのうち、Aがモデルパラメータの振幅であり、E がモデルパラメータの中心位置であり、B がモデルパラメータの半波長幅であることを特徴とする検出方法。
  2. 前記S3において、吸収の差異に基づいてダイヤモンド薄膜が単結晶ダイヤモンド薄膜又は多結晶ダイヤモンド薄膜であるかを判断することを特徴とする請求項1に記載のダイヤモンド薄膜の厚さ及び光学定数の検出方法。
  3. 前記S42において、Cauchyモデルの計算式は以下に示し、A、B及びCがCauchyモデルのパラメータであり、λが波長であり、消衰係数kがA、B及びEの3つのパラメータによって記述され、E=1240/λ、Eが基板材料と関連することを特徴とする請求項1に記載のダイヤモンド薄膜の厚さ及び光学定数の検出方法。
  4. 前記S6において、前記評価関数MSEの計算式は以下に示し、そのうち、modがフィッティング値、expが測定値、δが測定誤差、Nが同時にエリプソメータで測定されたψ、Δの総対数、Mが選択されたフィッティングパラメータの対数であることを特徴とする請求項1に記載のダイヤモンド薄膜の厚さ及び光学定数の検出方法。
  5. 前記S1中の基板は、Si、Al又はダイヤモンド基板であることを特徴とする請求項1に記載のダイヤモンド薄膜の厚さ及び光学定数の検出方法。
JP2023524482A 2020-11-18 2021-06-30 ダイヤモンド薄膜の厚さ及び光学定数の検出方法 Active JP7468959B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011296380.X 2020-11-18
CN202011296380.XA CN112361973B (zh) 2020-11-18 2020-11-18 一种金刚石薄膜厚度及光学常数检测方法
PCT/CN2021/103742 WO2022105244A1 (zh) 2020-11-18 2021-06-30 一种金刚石薄膜厚度及光学常数检测方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023546457A JP2023546457A (ja) 2023-11-02
JP7468959B2 true JP7468959B2 (ja) 2024-04-16

Family

ID=74532969

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023524482A Active JP7468959B2 (ja) 2020-11-18 2021-06-30 ダイヤモンド薄膜の厚さ及び光学定数の検出方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230236007A1 (ja)
JP (1) JP7468959B2 (ja)
CN (1) CN112361973B (ja)
WO (1) WO2022105244A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112361972B (zh) * 2020-11-18 2022-11-01 华侨大学 一种多层膜厚度及光学特性检测方法
CN112361973B (zh) * 2020-11-18 2022-07-29 华侨大学 一种金刚石薄膜厚度及光学常数检测方法
CN114136896B (zh) * 2021-11-25 2023-07-21 天津津航技术物理研究所 一种光学薄膜光学常数工艺相关性的实验方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103575663A (zh) 2012-08-07 2014-02-12 中国科学院大连化学物理研究所 一种金属及半导体薄膜材料光学常数的标定方法
CN106706521A (zh) 2016-12-12 2017-05-24 天津津航技术物理研究所 一种光学薄膜超宽带光学常数测试方法
CN107462530A (zh) 2017-07-14 2017-12-12 天津津航技术物理研究所 含氢类金刚石薄膜的全光谱段光学常数表征方法
CN109752321A (zh) 2019-01-29 2019-05-14 华侨大学 一种抛光碳化硅衬底变质层厚度和光学常数椭偏检测方法
CN112361972A (zh) 2020-11-18 2021-02-12 华侨大学 一种多层膜厚度及光学特性检测方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2182245C (en) * 1996-07-29 2000-09-26 Michael J. Ulczynski Process for depositing adherent diamond thin films
JP2000352506A (ja) * 1999-06-11 2000-12-19 Sony Corp 膜厚測定装置およびその方法および薄膜製造装置およびその方法
TW200622226A (en) * 2004-12-28 2006-07-01 Grace Semiconductor Mfg Corp Optical method for detecting the surface structure on thin film of nano crystal
GB201000768D0 (en) * 2010-01-18 2010-03-03 Element Six Ltd CVD single crystal diamond material
CN209116974U (zh) * 2018-11-01 2019-07-16 上海市计量测试技术研究院 一种测量SiO2薄膜厚度用的等效物理结构模型
CN110823098A (zh) * 2019-12-17 2020-02-21 上海昌润极锐超硬材料有限公司 一种单晶金刚石生长过程的监测方法及监测设备
CN112361973B (zh) * 2020-11-18 2022-07-29 华侨大学 一种金刚石薄膜厚度及光学常数检测方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103575663A (zh) 2012-08-07 2014-02-12 中国科学院大连化学物理研究所 一种金属及半导体薄膜材料光学常数的标定方法
CN106706521A (zh) 2016-12-12 2017-05-24 天津津航技术物理研究所 一种光学薄膜超宽带光学常数测试方法
CN107462530A (zh) 2017-07-14 2017-12-12 天津津航技术物理研究所 含氢类金刚石薄膜的全光谱段光学常数表征方法
CN109752321A (zh) 2019-01-29 2019-05-14 华侨大学 一种抛光碳化硅衬底变质层厚度和光学常数椭偏检测方法
CN112361972A (zh) 2020-11-18 2021-02-12 华侨大学 一种多层膜厚度及光学特性检测方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Ziqing LI et al.,"Characterization of amorphous carbon films from 5 nm to 200 nm on single-side polished a-plane sapphire substrates by spectroscopic ellipsometry",Frontiers in Physics,2022年10月03日,Vol. 10

Also Published As

Publication number Publication date
CN112361973B (zh) 2022-07-29
CN112361973A (zh) 2021-02-12
WO2022105244A1 (zh) 2022-05-27
US20230236007A1 (en) 2023-07-27
JP2023546457A (ja) 2023-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7468959B2 (ja) ダイヤモンド薄膜の厚さ及び光学定数の検出方法
CN106706521B (zh) 一种光学薄膜超宽带光学常数测试方法
Hilfiker et al. Survey of methods to characterize thin absorbing films with spectroscopic ellipsometry
CN112595673B (zh) 一种单晶金刚石衬底光学常数测量方法
JP7519142B2 (ja) 多層膜の膜厚および光学特性の検出方法
CN109470154B (zh) 一种适用于光谱椭偏仪的薄膜厚度初值测量方法
KR102504761B1 (ko) 박막 특성 측정 방법
CN112345464A (zh) 一种椭偏仪优化校准方法
CN107462530A (zh) 含氢类金刚石薄膜的全光谱段光学常数表征方法
CN103674892B (zh) 一种基于全内反射偏振位相差测量来监控薄膜生长的方法
Urban III et al. Numerical ellipsometry: Analysis of thin metal layers using n–k plane methods with multiple incidence angles
JPH1038694A (ja) エリプソメーター
CN109001122B (zh) 梯度或渐变折射率薄膜的光学常数测量装置及方法
Barton et al. Comparison of three methods for ellipsometry characterization of thin absorbing films
CN106018342A (zh) 一种测量薄膜折射率的方法
JP3983093B2 (ja) 分光エリプソメータを用いた多結晶化合物半導体の組成決定方法
JP3937149B2 (ja) 分光エリプソメータを用いた極薄膜2層構造の解析方法
JPH07318321A (ja) 薄膜の膜厚評価方法および膜厚評価装置
Nevas et al. Determination of thin-film parameters from high accuracy measurements of spectral regular transmittance
RU2558645C1 (ru) Способ определения толщины металлических пленок
Gruska Ellipsometric analysis of polysilicon layers
RU2787807C1 (ru) Способ определения толщины пленки
Yen et al. Method of Determining Optical Constants of Thin Films Using an Infrared Ellipsometer
JP3007944B2 (ja) 薄膜の光学的性質を求める方法
Röseler et al. Applications of photometric ellipsometry in infrared spectroscopy

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230420

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231121

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240221

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240305

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240328

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7468959

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150