JP7467261B2 - 異常検知装置、半導体製造装置及び異常検知方法 - Google Patents
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Description
図1を参照し、システムの全体構成について説明する。図1は、システムの全体構成の一例を示す図である。
半導体製造装置10は、各種の半導体製造プロセスを実行する装置である。半導体製造プロセスは、半導体装置を製造するための各種の処理、例えば成膜処理、エッチング処理、熱処理を含む。半導体製造装置10は、センサ群11及び装置コントローラ12を含む。
群管理コントローラ40は、半導体製造装置10が半導体製造プロセスを実行しているときにセンサ群11により検出される複数のセンサ値を取得し、該複数のセンサ値に基づいて、後述する異常検知方法を実行する。
図8を参照し、半導体製造装置10の異常を検知する方法(以下「異常検知方法」という。)について説明する。以下では、複数の半導体製造装置10のうち1つの半導体製造装置10に対して行う異常検知方法を例に挙げて説明する。図8は、異常検知方法の一例を示すフローチャートである。
41 取得部
42 データ生成部
43 メンテナンス判定部
44 データ処理部
45 データ数判定部
46 算出部
47 決定係数判定部
48 異常判定部
49 出力部
50 格納部
Claims (17)
- 半導体製造装置の異常を検知する異常検知装置であって、
互いに相関関係を持つ第1の監視対象の値及び第2の監視対象の値に基づいて相関データを生成するデータ生成部と、
前記相関データに基づいて該相関データの回帰直線の傾きを算出する算出部と、
前記回帰直線の傾きに基づいて前記半導体製造装置の異常を判定する異常判定部と、
を有し、
前記第1の監視対象の値及び前記第2の監視対象の値は、それぞれ前記半導体製造装置の状態を検出するセンサにより検出されるセンサ値である、
異常検知装置。 - 前記異常判定部は、前記回帰直線の傾きが管理値外である場合に前記半導体製造装置が異常であると判定する、
請求項1に記載の異常検知装置。 - 前記相関データに含まれる前記第1の監視対象の値と前記第2の監視対象の値とが対応付けされたポイントデータが予め定めたデータ数以上であるか否かを判定するデータ数判定部を更に有する、
請求項1又は2に記載の異常検知装置。 - 前記算出部は、前記相関データに基づいて該相関データの回帰直線の決定係数を算出し、
前記回帰直線の決定係数が管理値以上であるか否かを判定する決定係数判定部を更に有する、
請求項1乃至3のいずれか一項に記載の異常検知装置。 - 前記半導体製造装置において半導体製造プロセスが実行されたときに前記第1の監視対象の値及び前記第2の監視対象の値を取得する取得部と、
前記相関データを格納する格納部と、
を更に有し、
前記データ生成部は、前記半導体製造プロセスが実行されるごとに、前記格納部に格納された前記相関データに前記取得部が取得した前記第1の監視対象の値及び前記第2の監視対象の値を追加する、
請求項1乃至4のいずれか一項に記載の異常検知装置。 - 前記データ生成部は、前記半導体製造装置のメンテナンスが実行されるごとに新たな相関データを生成する、
請求項1乃至5のいずれか一項に記載の異常検知装置。 - 前記異常判定部により前記半導体製造装置が異常であると判定された場合に前記半導体製造装置が異常であることを出力する出力部を更に有する、
請求項1乃至6のいずれか一項に記載の異常検知装置。 - 前記半導体製造装置は、処理容器と、前記処理容器に接続された配管と、前記配管に取り付けられた2つの配管ヒータと、を有し、
前記第1の監視対象は前記2つの配管ヒータの一方であり、前記第2の監視対象は前記2つの配管ヒータの他方である、
請求項1乃至7のいずれか一項に記載の異常検知装置。 - 前記配管は、前記処理容器内にガスを供給する供給配管である、
請求項8に記載の異常検知装置。 - 前記配管は、前記処理容器内を排気する排気配管である、
請求項8に記載の異常検知装置。 - 前記半導体製造装置は、処理容器と、前記処理容器に接続された2つの排気配管と、を有し、
前記第1の監視対象は前記2つの排気配管の一方に取り付けられた圧力制御バルブであり、前記第2の監視対象は前記2つの排気配管の他方に取り付けられた圧力制御バルブである、
請求項1乃至7のいずれか一項に記載の異常検知装置。 - 前記データ生成部は、互いに相関関係を有する第1の監視対象の値、第2の監視対象の値及び第3の監視対象の値に基づいて、複数の相関データを生成し、
前記算出部は、前記複数の相関データの各々について回帰直線の傾きを算出し、
前記異常判定部は、複数の前記回帰直線の傾きに基づいて前記半導体製造装置の異常を判定する、
請求項1乃至11のいずれか一項に記載の異常検知装置。 - 半導体製造装置の異常を検知する異常検知装置であって、
互いに相関関係を持つ第1の監視対象の値及び第2の監視対象の値に基づいて相関データを生成するデータ生成部と、
前記相関データに基づいて該相関データの回帰直線の傾きを算出する算出部と、
前記回帰直線の傾きに基づいて前記半導体製造装置の異常を判定する異常判定部と、
を有し、
前記半導体製造装置は、処理容器と、前記処理容器に接続された配管と、前記配管に取り付けられた2つの配管ヒータと、を有し、
前記第1の監視対象は前記2つの配管ヒータの一方であり、前記第2の監視対象は前記2つの配管ヒータの他方である、
異常検知装置。 - 半導体製造装置の異常を検知する制御部を備える半導体製造装置であって、
前記制御部は、
互いに相関関係を持つ第1の監視対象の値及び第2の監視対象の値に基づいて相関データを生成するデータ生成部と、
前記相関データに基づいて該相関データの回帰直線の傾きを算出する算出部と、
前記回帰直線の傾きに基づいて前記半導体製造装置の異常を判定する異常判定部と、
を有し、
前記第1の監視対象の値及び前記第2の監視対象の値は、それぞれ前記半導体製造装置の状態を検出するセンサにより検出されるセンサ値である、
半導体製造装置。 - 半導体製造装置の異常を検知する制御部を備える半導体製造装置であって、
前記制御部は、
互いに相関関係を持つ第1の監視対象の値及び第2の監視対象の値に基づいて相関データを生成するデータ生成部と、
前記相関データに基づいて該相関データの回帰直線の傾きを算出する算出部と、
前記回帰直線の傾きに基づいて前記半導体製造装置の異常を判定する異常判定部と、
を有し、
前記半導体製造装置は、処理容器と、前記処理容器に接続された配管と、前記配管に取り付けられた2つの配管ヒータと、を有し、
前記第1の監視対象は前記2つの配管ヒータの一方であり、前記第2の監視対象は前記2つの配管ヒータの他方である、
半導体製造装置。 - 半導体製造装置の異常を検知する異常検知方法であって、
互いに相関関係を持つ第1の監視対象の値及び第2の監視対象の値に基づいて相関データを生成するステップと、
前記相関データに基づいて該相関データの回帰直線の傾きを算出するステップと、
前記回帰直線の傾きに基づいて前記半導体製造装置の異常を判定するステップと、
を有し、
前記第1の監視対象の値及び前記第2の監視対象の値は、それぞれ前記半導体製造装置の状態を検出するセンサにより検出されるセンサ値である、
異常検知方法。 - 半導体製造装置の異常を検知する異常検知方法であって、
互いに相関関係を持つ第1の監視対象の値及び第2の監視対象の値に基づいて相関データを生成するステップと、
前記相関データに基づいて該相関データの回帰直線の傾きを算出するステップと、
前記回帰直線の傾きに基づいて前記半導体製造装置の異常を判定するステップと、
を有し、
前記半導体製造装置は、処理容器と、前記処理容器に接続された配管と、前記配管に取り付けられた2つの配管ヒータと、を有し、
前記第1の監視対象は前記2つの配管ヒータの一方であり、前記第2の監視対象は前記2つの配管ヒータの他方である、
異常検知方法。
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