JP7467261B2 - 異常検知装置、半導体製造装置及び異常検知方法 - Google Patents

異常検知装置、半導体製造装置及び異常検知方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7467261B2
JP7467261B2 JP2020113510A JP2020113510A JP7467261B2 JP 7467261 B2 JP7467261 B2 JP 7467261B2 JP 2020113510 A JP2020113510 A JP 2020113510A JP 2020113510 A JP2020113510 A JP 2020113510A JP 7467261 B2 JP7467261 B2 JP 7467261B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor manufacturing
value
correlation data
regression line
anomaly
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020113510A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022012018A (ja
Inventor
友香 中里
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2020113510A priority Critical patent/JP7467261B2/ja
Priority to KR1020210078716A priority patent/KR20220002103A/ko
Priority to US17/354,158 priority patent/US20210407835A1/en
Publication of JP2022012018A publication Critical patent/JP2022012018A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7467261B2 publication Critical patent/JP7467261B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B23/00Testing or monitoring of control systems or parts thereof
    • G05B23/02Electric testing or monitoring
    • G05B23/0205Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults
    • G05B23/0218Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults characterised by the fault detection method dealing with either existing or incipient faults
    • G05B23/0224Process history based detection method, e.g. whereby history implies the availability of large amounts of data
    • G05B23/0227Qualitative history assessment, whereby the type of data acted upon, e.g. waveforms, images or patterns, is not relevant, e.g. rule based assessment; if-then decisions
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B23/00Testing or monitoring of control systems or parts thereof
    • G05B23/02Electric testing or monitoring
    • G05B23/0205Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B23/00Testing or monitoring of control systems or parts thereof
    • G05B23/02Electric testing or monitoring
    • G05B23/0205Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults
    • G05B23/0218Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults characterised by the fault detection method dealing with either existing or incipient faults
    • G05B23/0224Process history based detection method, e.g. whereby history implies the availability of large amounts of data
    • G05B23/024Quantitative history assessment, e.g. mathematical relationships between available data; Functions therefor; Principal component analysis [PCA]; Partial least square [PLS]; Statistical classifiers, e.g. Bayesian networks, linear regression or correlation analysis; Neural networks
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B23/00Testing or monitoring of control systems or parts thereof
    • G05B23/02Electric testing or monitoring
    • G05B23/0205Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults
    • G05B23/0259Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults characterized by the response to fault detection
    • G05B23/0267Fault communication, e.g. human machine interface [HMI]
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B23/00Testing or monitoring of control systems or parts thereof
    • G05B23/02Electric testing or monitoring
    • G05B23/0205Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults
    • G05B23/0259Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults characterized by the response to fault detection
    • G05B23/0283Predictive maintenance, e.g. involving the monitoring of a system and, based on the monitoring results, taking decisions on the maintenance schedule of the monitored system; Estimating remaining useful life [RUL]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/45Nc applications
    • G05B2219/45031Manufacturing semiconductor wafers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Artificial Intelligence (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Testing And Monitoring For Control Systems (AREA)
  • General Factory Administration (AREA)

Description

本開示は、異常検知装置、半導体製造装置及び異常検知方法に関する。
半導体製造装置において、装置の異常を検出する技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1では、第1の監視対象とこれに影響を与える第2の監視対象との相関データに基づいて2軸座標系に正常領域と異常領域との境界を定めた境界データを作成し、両者の値で決まる相関データの位置が異常領域に入っていれば異常と判断している。
特開2006-186280号公報
本開示は、半導体製造装置の異常兆候を事前に検知できる技術を提供する。
本開示の一態様による異常検知装置は、半導体製造装置の異常を検知する異常検知装置であって、互いに相関関係を持つ第1の監視対象の値及び第2の監視対象の値に基づいて相関データを生成するデータ生成部と、前記相関データに基づいて該相関データの回帰直線の傾きを算出する算出部と、前記回帰直線の傾きに基づいて前記半導体製造装置の異常を判定する異常判定部と、を有前記第1の監視対象の値及び前記第2の監視対象の値は、それぞれ前記半導体製造装置の状態を検出するセンサにより検出されるセンサ値である
本開示によれば、半導体製造装置の異常兆候を事前に検知できる。
システムの全体構成の一例を示す図 群管理コントローラのハードウェア構成の一例を示す図 群管理コントローラの機能構成の一例を示す図 期間に関する情報を説明するための図 ポイントデータリストを説明するための図 第1の配管ヒータの出力と第2の配管ヒータの出力との関係の一例を示す図 第1の圧力制御バルブの開度と第2の圧力制御バルブの開度との関係の一例を示す図 異常検知方法の一例を示すフローチャート ポイントデータリストの別の一例を示す図(1) ポイントデータリストの別の一例を示す図(2)
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
〔システム〕
図1を参照し、システムの全体構成について説明する。図1は、システムの全体構成の一例を示す図である。
システム1は、3つの半導体製造装置10、群管理コントローラ40及び端末60を有する。各半導体製造装置10は、ネットワーク70を介して、群管理コントローラ40と通信可能に接続される。群管理コントローラ40は、ネットワーク90を介して、端末60と通信可能に接続される。なお、図1では、半導体製造装置10が3つの場合を示しているが、半導体製造装置は2つ以下であってもよく、4つ以上であってもよい。
〔半導体製造装置〕
半導体製造装置10は、各種の半導体製造プロセスを実行する装置である。半導体製造プロセスは、半導体装置を製造するための各種の処理、例えば成膜処理、エッチング処理、熱処理を含む。半導体製造装置10は、センサ群11及び装置コントローラ12を含む。
センサ群11は、半導体製造装置10の状態を検出する各種のセンサ、例えば配管ヒータの出力を検出するセンサ(以下「出力検出センサ」ともいう。)、圧力調整バルブの開度を検出するセンサ(以下「開度検出センサ」ともいう。)を含む。出力検出センサは、処理容器内にガスを供給する供給配管や処理容器内を排気する排気配管に取り付けられる配管ヒータの出力を検出する。開度検出センサは、処理容器内を排気する排気配管に設けられる圧力制御バルブの開度を検出する。
装置コントローラ12は、半導体製造装置10の各部の動作を制御することにより、半導体製造装置10において各種の半導体製造プロセスを実行する。装置コントローラ12は、例えばコンピュータであってよい。
半導体製造装置10は、例えば搬送室の周囲に複数の処理室(チャンバ)が配置されて構成されるクラスタ型装置であってもよく、1つの搬送室に1つの処理室が配置されて構成されるインライン型装置であってもよい。また、半導体製造装置10は、例えば枚葉式装置、セミバッチ式装置、バッチ式装置のいずれであってもよい。枚葉式装置は、例えば処理室内でウエハを1枚ずつ処理する装置である。セミバッチ式装置は、例えば処理室内の回転テーブルの上に配置した複数のウエハを回転テーブルにより公転させ、原料ガスが供給される領域と、原料ガスと反応する反応ガスが供給される領域とを順番に通過させてウエハの表面に成膜する装置である。バッチ式装置は、例えば複数のウエハを高さ方向に所定間隔を有して水平に保持したウエハボートを処理室内に収容し、複数のウエハに対して一度に処理を行う装置である。
半導体製造装置10は、ネットワークを介して、ホストコンピュータ(図示せず)と通信可能に接続されていてもよい。ホストコンピュータは、ネットワークを介して、半導体工場内の半導体製造装置10とは別の機器、例えば半導体製造装置10で製造された半導体装置を検査する検査装置と通信可能に接続されていてもよい。検査装置は、例えば膜厚測定装置、電気特性測定装置、光学特性測定装置、パーティクル測定装置を含む。
〔群管理コントローラ〕
群管理コントローラ40は、半導体製造装置10が半導体製造プロセスを実行しているときにセンサ群11により検出される複数のセンサ値を取得し、該複数のセンサ値に基づいて、後述する異常検知方法を実行する。
図2を参照し、群管理コントローラ40のハードウェア構成について説明する。図2は、群管理コントローラ40のハードウェア構成の一例を示す図である。
群管理コントローラ40は、CPU(Central Processing Unit)401、ROM(Read Only Memory)402及びRAM(Random Access Memory)403を有する。CPU401、ROM402及びRAM403は、いわゆるコンピュータを構成する。また、群管理コントローラ40は、補助記憶装置404、操作装置405、表示装置406、I/F(Interface)装置407及びドライブ装置408を有する。また、群管理コントローラ40の各ハードウェアは、バス409を介して相互に接続される。
CPU401は、補助記憶装置404にインストールされた各種のプログラムを実行する。
ROM402は、不揮発性メモリであり、主記憶装置として機能する。ROM402は、補助記憶装置404にインストールされた各種のプログラムをCPU401が実行するために必要な各種のプログラム、情報等を格納する。
RAM403は、DRAM(Dynamic Random Access Memory)やSRAM(Static Random Access Memory)等の揮発性メモリであり、主記憶装置として機能する。RAM403は、補助記憶装置404にインストールされた各種のプログラムがCPU401によって実行される際に展開される、作業領域を提供する。
補助記憶装置404は、各種のプログラムや、各種のプログラムがCPU401によって実行されたときにセンサ群11が検出するセンサ値を格納する。
操作装置405は、操作者が群管理コントローラ40に対して各種の指示を入力する際に用いる入力デバイスである。
表示装置406は、群管理コントローラ40の内部情報を表示する表示デバイスである。
I/F装置407は、ネットワーク70に接続し、半導体製造装置10と通信するための接続デバイスである。
ドライブ装置408は、記録媒体を読み書きするためのデバイスである。記録媒体は、例えばCD-ROM、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ROM、フラッシュメモリを含む。
なお、補助記憶装置404にインストールされる各種のプログラムは、例えば、配布された記録媒体がドライブ装置408に挿入され、該記録媒体に記録された各種のプログラムがドライブ装置408により読み出されることでインストールされる。
図3~図7を参照し、群管理コントローラ40の機能構成について説明する。図3は、群管理コントローラ40の機能構成の一例を示す図である。
群管理コントローラ40は、取得部41、データ生成部42、メンテナンス判定部43、データ処理部44、データ数判定部45、算出部46、決定係数判定部47、異常判定部48、出力部49及び格納部50を有する。
取得部41は、半導体製造装置10において半導体製造プロセスが実行されているときにセンサ群11により検出される複数のセンサ値を取得する。複数のセンサ値は、互いに相関関係を持つセンサ値を含む。互いに相関関係を持つセンサ値は、例えば同じ配管に互いに隣接して取り付けられる2つの配管ヒータの出力を各々検出する2つの出力検出センサのセンサ値であってよい。配管は、例えば処理容器内にガスを供給する供給配管、処理容器内を排気する排気配管を含む。また、互いに相関関係を持つセンサ値は、例えば同じ処理容器内に接続される異なる2つの排気配管の各々に設けられる2つの圧力制御バルブの開度を各々検出する2つの開度検出センサのセンサ値であってもよい。また、取得部41は、センサ値と対応付けられた期間に関する情報を取得する。
図4は、期間に関する情報を説明するための図である。期間に関する情報は、例えば図4に示されるように、半導体製造装置10においてメンテナンスが行われてから次のメンテナンスが行われるまでを1つの区切りとして定められる。例えば、「期間1」は、n回目のメンテナンスが行われてから(n+1)回目のメンテナンスが行われるまでの期間である。「期間2」は、(n+1)回目のメンテナンスが行われてから(n+2)回目のメンテナンスが行われるまでの期間である。「期間3」は、(n+2)回目のメンテナンスが行われてから(n+3)回目のメンテナンスが行われるまでの期間である。なお、「n」は1以上の整数である。例えば、「期間1」に半導体製造プロセスが実行されているときにセンサ群11により検出される複数のセンサ値は、「期間1」と対応付けされる。
データ生成部42は、取得部41が取得した複数のセンサ値のうち互いに相関関係を持つ少なくとも2つのセンサ値及び期間に関する情報に基づいて、該2つのセンサ値と該期間に関する情報とを対応付けしたポイントデータを生成する。また、データ生成部42は、生成したポイントデータを格納部50に格納されたポイントデータリストに追加する。
図5は、ポイントデータリストを説明するための図である。ポイントデータリストは、例えば図5(a)~図5(c)に示されるように、センサAのセンサ値とセンサBのセンサ値との相関関係を示す散布図であってよい。図5(a)~図5(c)に示される散布図は、センサAのセンサ値を横軸、センサBのセンサ値を縦軸とする散布図であり、複数のポイントデータが該散布図にプロットされている。また、図5(a)~図5(c)において、四角印は「期間1」におけるポイントデータを示し、丸印は「期間2」におけるポイントデータを示す。
メンテナンス判定部43は、ポイントデータリスト内に複数の期間のポイントデータが含まれているか否かを判定する。例えば、メンテナンス判定部43は、図5(b)に示されるように散布図に「期間1」及び「期間2」のポイントデータが含まれている場合、ポイントデータリスト内に複数の期間のポイントデータが含まれていると判定する。また例えば、メンテナンス判定部43は、図5(a)に示されるように散布図に「期間1」のポイントデータのみが含まれている場合、ポイントデータリスト内に複数の期間のポイントデータが含まれていないと判定する。また例えば、メンテナンス判定部43は、図5(c)に示されるように散布図に「期間2」のポイントデータのみが含まれている場合、ポイントデータリスト内に複数の期間のポイントデータが含まれていないと判定する。
データ処理部44は、ポイントデータリスト内に複数の期間のポイントデータが含まれている場合、最新の期間に属するポイントデータ以外のポイントデータをポイントデータリストから削除する処理(以下「ポイントデータリストのリセット」という。)を行う。例えば、データ処理部44は、図5(b)に示されるように、散布図に「期間1」に属するポイントデータ及び「期間2」に属するポイントデータが含まれている場合、図5(c)に示されるように、散布図から「期間1」に属するポイントデータを削除する。
データ数判定部45は、ポイントデータリスト内に所定のデータ数以上のポイントデータが含まれているか否かを判定する。所定のデータ数は、装置管理者等により定められる値であり、例えば5~10とすることができる。例えば、データ数判定部45は、ポイントデータリストが図5(a)に示される散布図の場合、ポイントデータのデータ数が13であるので、ポイントデータリスト内に所定のデータ数以上のポイントデータが含まれていると判定する。また例えば、データ数判定部45は、ポイントデータリストが図5(c)に示される散布図の場合、ポイントデータのデータ数が1であるので、ポイントデータリスト内に所定のデータ数以上のポイントデータが含まれていないと判定する。
算出部46は、ポイントデータリスト内に含まれる複数のポイントデータに基づいて、回帰直線の傾き及び回帰直線の決定係数を算出する。
決定係数判定部47は、算出部46が算出した回帰直線の決定係数が管理値以上であるか否かを判定する。管理値は、例えば0.01~0.99の範囲の値であり、例えば端末60を用いて装置管理者等により指定される。
異常判定部48は、算出部46が算出した回帰直線の傾きが管理値外であるか否かを判定する。また、異常判定部48は、回帰直線の傾きが管理値外である場合、半導体製造装置10が異常であると判断し、回帰直線の傾きが管理値外でない場合、半導体製造装置10が異常でないと判断する。
図6は、第1の配管ヒータの出力と第2の配管ヒータの出力との関係の一例を示す図である。図6(a)及び図6(b)は、第1の配管ヒータの出力と第2の配管ヒータの出力との相関関係を示す散布図であり、第1の配管ヒータの出力を横軸、第2の配管ヒータの出力を縦軸に示す。第1の配管ヒータ及び第2の配管ヒータが排気配管に正しく取り付けられている場合に2つの配管ヒータの出力が正の相関を示し、2つの配管ヒータのいずれかに施工不良等の異常がある場合に2つの配管ヒータの出力が負の相関を示すものとする。この場合、管理値を「正の値」に設定する。これにより、図6(a)に示されるように、散布図に基づいて算出される回帰直線の傾きが「正の値」である場合、異常判定部48は算出した回帰直線の傾きが管理値外ではないと判定し、半導体製造装置10が異常でないと判断する。一方、図6(b)に示されるように、散布図に基づいて算出される回帰直線の傾きが「負の値」である場合、異常判定部48は算出した回帰直線の傾きが管理値外であると判定し、半導体製造装置10が異常であると判断する。なお、第1の配管ヒータ及び第2の配管ヒータは、例えば同じ排気配管に互いに隣接して取り付けられる2つの配管ヒータである。
図7は、第1の圧力制御バルブの開度と第2の圧力制御バルブの開度との関係の一例を示す図である。図7(a)及び図7(b)は、第1の圧力制御バルブの開度と第2の圧力制御バルブの開度との相関関係を示す散布図であり、第1の圧力制御バルブの開度を横軸、第2の圧力制御バルブの開度を縦軸に示す。第1の圧力制御バルブ及び第2の圧力制御バルブが正常に動作している場合に2つの圧力制御バルブの開度の散布図に基づいて算出される回帰直線の傾きの絶対値が1以下を示すものとする。また、第1の圧力制御バルブ又は第2の圧力制御バルブのいずれかが異常である場合に該回帰直線の傾きの絶対値が1より大きい値を示すものとする。この場合、管理値を「絶対値が1以下」に設定する。これにより、図7(a)に示されるように、散布図に基づいて算出される回帰直線の傾きの絶対値が1以下である場合、異常判定部48は算出した回帰直線の傾きが管理値外ではないと判定し、半導体製造装置10が異常でないと判断する。一方、図7(b)に示されるように、散布図に基づいて算出される回帰直線の傾きの絶対値が1よりも大きい場合、異常判定部48は算出した回帰直線の傾きが管理値外であると判定し、半導体製造装置10が異常であると判断する。なお、第1の圧力調整バルブ及び第2の圧力調整バルブは、例えば同じ処理容器内に接続される2つの異なる排気配管の各々に設けられる2つの圧力制御バルブである。
出力部49は、半導体製造装置10に対してアラームを報知する。例えば、出力部49は、半導体製造装置10に対してアラーム信号を出力する。半導体製造装置10は、アラーム信号を受信すると、例えばアラームが発生していることを該半導体製造装置10の表示部(図示せず)に表示する。また、半導体製造装置10は、アラーム信号を受信すると、例えば実行中の半導体製造プロセスを停止する、又は実行中の半導体製造プロセスの終了後に半導体製造プロセスを停止する。
格納部50は、取得部41が取得した複数のセンサ値、データ生成部42が生成したポイントデータリスト、算出部46が算出した回帰直線の傾き及び回帰直線の決定係数を格納する。また、格納部50は、メンテナンス判定部43、データ数判定部45、決定係数判定部47及び異常判定部48による判定結果を格納する。
〔異常検知方法〕
図8を参照し、半導体製造装置10の異常を検知する方法(以下「異常検知方法」という。)について説明する。以下では、複数の半導体製造装置10のうち1つの半導体製造装置10に対して行う異常検知方法を例に挙げて説明する。図8は、異常検知方法の一例を示すフローチャートである。
ステップS11では、群管理コントローラ40は、半導体製造装置10に所定の処理条件で半導体製造プロセスを実行させる。所定の処理条件は、例えば処理レシピ等により予め定められている。このとき、センサ群11は、半導体製造装置10の状態を検出する。センサ群11により検出されるセンサ値には、互いに相関関係を持つセンサ値が含まれる。
ステップS12では、群管理コントローラ40は、ステップS11においてセンサ群11により検出された複数のセンサ値のうち、互いに相関関係を持つ2つのセンサ値を取得する。また、群管理コントローラ40は、センサ値と対応付けられた期間に関する情報を取得する。
ステップS13では、群管理コントローラ40は、ステップS12において取得された互いに相関関係を持つ2つのセンサ値及び期間に関する情報を対応付けしたポイントデータを生成する。また、群管理コントローラ40は、生成したポイントデータを格納部50に格納されたポイントデータリストに追加する。
ステップS14では、群管理コントローラ40は、ステップS13においてポイントデータが追加されたポイントデータリスト内に複数の期間のポイントデータが含まれているか否かを判定する。ステップS14において、ポイントデータリスト内に複数の期間のポイントデータが含まれていると判定した場合、群管理コントローラ40は処理をステップS15へ進める。一方、ステップS14において、ポイントデータリスト内に複数の期間のポイントデータが含まれていないと判定した場合、群管理コントローラ40は処理をステップS16へ進める。
ステップS15では、群管理コントローラ40は、ポイントデータリストをリセットし、その後、処理をステップS11へ戻す。
ステップS16では、群管理コントローラ40は、ポイントデータリスト内に所定のデータ数以上のポイントデータが含まれているか否かを判定する。ステップS16において、ポイントデータリスト内に所定のデータ数以上のポイントデータが含まれていると判定した場合、群管理コントローラ40は処理をステップS17へ進める。一方、ステップS16において、ポイントデータリスト内に所定のデータ数以上のポイントデータが含まれていないと判定した場合、群管理コントローラ40は処理をステップS11へ戻す。ステップS16において、ポイントデータリスト内に所定のデータ数以上のポイントデータが含まれているか否かを判定することにより、半導体製造装置10の異常判定の精度を高めることができる。
ステップS17では、群管理コントローラ40は、ポイントデータリスト内に含まれる複数のポイントデータに基づいて、回帰直線の傾き及び回帰直線の決定係数を算出する。
ステップS18では、群管理コントローラ40は、回帰直線の決定係数が管理値以上であるか否かを判定する。ステップS18において、回帰直線の決定係数が管理値以上であると判定した場合、群管理コントローラ40は処理をステップS19へ進める。一方、ステップS18において、回帰直線の決定係数が管理値未満であると判定した場合、群管理コントローラ40は処理をステップS11へ戻す。ステップS18において、回帰直線の決定係数が管理値以上であるか否かを判定することにより、半導体製造装置10の異常判定の精度を高めることができる。
ステップS19では、群管理コントローラ40は、回帰直線の傾きが管理値外であるか否かを判定する。ステップS19において、回帰直線の傾きが管理値外である判定した場合、群管理コントローラ40は処理をステップS20へ進める。一方、ステップS19において、回帰直線の傾きが管理値外でないと判定した場合、群管理コントローラ40は処理をステップS11へ戻す。
ステップS20では、群管理コントローラ40は、半導体製造装置10に異常があると判断し、半導体製造装置10に対してアラームを報知し、その後に処理を終了する。
以上に説明したように、実施形態によれば、群管理コントローラ40は、互いに相関関係を持つ2つのセンサ値に基づいてポイントデータリストを生成する。そして、群管理コントローラ40は、生成したポイントデータリストに基づいて回帰直線の傾きを算出し、該回帰直線の傾きに基づいて半導体製造装置10の異常を判定する。このように、センサ同士の相関関係の変化を捉えることにより、半導体製造装置10の異常兆候を事前に検知できる。
また、実施形態によれば、群管理コントローラ40は、ポイントデータリスト内に複数の期間のポイントデータが含まれていない場合に、半導体製造装置10に異常があるか否かを判定する。すなわち、群管理コントローラ40は、メンテナンスで区切った期間内で半導体製造装置10の異常を判定する。これにより、センサの検出値がメンテナンスの前後においてシフトした場合であっても、精度よく半導体製造装置10の異常を検知できる。
なお、上記の実施形態では、ステップS16において、群管理コントローラ40がポイントデータリスト内に所定のデータ数以上のポイントデータが含まれているか否かを判定する場合を説明したが、ステップS16は省略してもよい。また、上記の実施形態では、ステップS18において、群管理コントローラ40が回帰直線の決定係数が管理値以上であるか否かの判定を行う場合を説明したが、ステップS18は省略してもよい。ただし、半導体製造装置10の異常判定の精度を高めるという観点から、ステップS16及びステップS18の少なくとも一方を行うことが好ましい。
また、上記の実施形態では、互いに相関関係を持つ2つのセンサ値に基づいてポイントデータリストを生成し、該ポイントデータリストに基づいて回帰直線の傾きを算出し、該回帰直線の傾きに基づいて半導体製造装置10の異常を判定する場合を説明した。ただし、本開示はこれに限定されない。例えば、互いに相関関係を持つ3つ以上のセンサ値に基づいて複数のポイントデータリストを生成し、該複数のポイントデータリストの各々について回帰直線の傾きを算出し、該複数の回帰直線の傾きに基づいて半導体製造装置10の異常を判定してもよい。
例えば、互いに正の相関関係を持つ第1の配管ヒータの出力、第2の配管ヒータの出力及び第3の配管ヒータの出力がある場合、群管理コントローラ40は第1の配管ヒータ、第2の配管ヒータ及び第3の配管ヒータの出力に基づいて複数の散布図を生成する。
図9は、ポイントデータリストの別の一例を示す図であり、第1の配管ヒータの出力を検出するセンサ、第2の配管ヒータの出力を検出するセンサ及び第3の配管ヒータの出力を検出するセンサがすべて正常である場合を示す。図9(a)は、第1の配管ヒータの出力と第2の配管ヒータの出力との相関関係を示す散布図であり、第1の配管ヒータの出力を横軸、第2の配管ヒータの出力を縦軸に示す。図9(b)は、第1の配管ヒータの出力と第3の配管ヒータの出力との相関関係を示す散布図であり、第1の配管ヒータの出力を横軸、第3の配管ヒータの出力を縦軸に示す。図9(c)は、第2の配管ヒータの出力と第3の配管ヒータの出力との相関関係を示す散布図であり、第2の配管ヒータの出力を横軸、第3の配管ヒータの出力を縦軸に示す。また、図9(a)~図9(c)において、四角印は「期間1」におけるポイントデータを示し、丸印は「期間2」におけるポイントデータを示し、三角印は「期間3」におけるポイントデータを示す。
図9(a)に示されるように、第1の配管ヒータの出力と第2の配管ヒータの出力との相関関係を示す散布図に基づいて算出される回帰直線の傾きが「正の値」である。また、図9(b)に示されるように、第1の配管ヒータの出力と第3の配管ヒータの出力との相関関係を示す散布図に基づいて算出される回帰直線の傾きが「正の値」である。また、図9(c)に示されるように、第2の配管ヒータの出力と第3の配管ヒータの出力との相関関係を示す散布図に基づいて算出される回帰直線の傾きが「正の値」である。これらの3つの散布図により、第1の配管ヒータの出力を検出するセンサ、第2の配管ヒータの出力を検出するセンサ及び第3の配管ヒータの出力を検出するセンサが正常であると判断できる。
図10は、ポイントデータリストの別の一例を示す図であり、第1の配管ヒータの出力を検出するセンサが異常である場合を示す。図10(a)は、第1の配管ヒータの出力と第2の配管ヒータの出力との相関関係を示す散布図であり、第1の配管ヒータの出力を横軸、第2の配管ヒータの出力を縦軸に示す。図10(b)は、第1の配管ヒータの出力と第3の配管ヒータの出力との相関関係を示す散布図であり、第1の配管ヒータの出力を横軸、第3の配管ヒータの出力を縦軸に示す。図10(c)は、第2の配管ヒータの出力と第3の配管ヒータの出力との相関関係を示す散布図であり、第2の配管ヒータの出力を横軸、第3の配管ヒータの出力を縦軸に示す。また、図10(a)~図10(c)において、四角印は「期間1」におけるポイントデータを示し、丸印は「期間2」におけるポイントデータを示し、三角印は「期間3」におけるポイントデータを示す。
図10(a)に示されるように、第1の配管ヒータの出力と第2の配管ヒータの出力との相関関係を示す散布図に基づいて算出される回帰直線の傾きが「負の値」である。これにより、第1の配管ヒータの出力を検出するセンサ又は第2の配管ヒータの出力を検出するセンサが異常であると判断できる。また、図10(b)に示されるように、第1の配管ヒータの出力と第3の配管ヒータの出力との相関関係を示す散布図に基づいて算出される回帰直線の傾きが「負の値」である。これにより、第1の配管ヒータの出力を検出するセンサ又は第3の配管ヒータの出力を検出するセンサが異常であると判断できる。また、図10(c)に示されるように、第2の配管ヒータの出力と第3の配管ヒータの出力との相関関係を示す散布図に基づいて算出される回帰直線の傾きが「正の値」である。これにより、第2の配管ヒータの出力を検出するセンサ及び第3の配管ヒータの出力を検出するセンサが異常でないと判断できる。これらの結果から、第1の配管ヒータの出力を検出するセンサが異常であると特定できる。
このように、互いに相関関係を持つ3つのセンサ値に基づいてセンサの異常を判定することで、異常があるセンサを特定できる。
なお、上記の実施形態において、装置コントローラ12は制御部の一例であり、群管理コントローラ40は異常検知装置の一例である。また、ポイントデータリストは相関データの一例である。また、第1の配管ヒータ及び第1の圧力制御バルブは第1の監視対象の一例であり、第2の配管ヒータ及び第2の圧力制御バルブは第2の監視対象の一例であり、第3の配管ヒータは第3の監視対象の一例である。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
上記の実施形態では、監視対象として配管ヒータ及び圧力制御バルブを例に挙げて説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、監視対象はマスフローコントローラであってもよい。
上記の実施形態では、群管理コントローラ40が異常検知方法を実行する場合を例に挙げて説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、装置コントローラ12、端末60、ホストコンピュータが異常検知方法を実行してもよい。
40 群管理コントローラ
41 取得部
42 データ生成部
43 メンテナンス判定部
44 データ処理部
45 データ数判定部
46 算出部
47 決定係数判定部
48 異常判定部
49 出力部
50 格納部

Claims (17)

  1. 半導体製造装置の異常を検知する異常検知装置であって、
    互いに相関関係を持つ第1の監視対象の値及び第2の監視対象の値に基づいて相関データを生成するデータ生成部と、
    前記相関データに基づいて該相関データの回帰直線の傾きを算出する算出部と、
    前記回帰直線の傾きに基づいて前記半導体製造装置の異常を判定する異常判定部と、
    を有
    前記第1の監視対象の値及び前記第2の監視対象の値は、それぞれ前記半導体製造装置の状態を検出するセンサにより検出されるセンサ値である、
    異常検知装置。
  2. 前記異常判定部は、前記回帰直線の傾きが管理値外である場合に前記半導体製造装置が異常であると判定する、
    請求項1に記載の異常検知装置。
  3. 前記相関データに含まれる前記第1の監視対象の値と前記第2の監視対象の値とが対応付けされたポイントデータが予め定めたデータ数以上であるか否かを判定するデータ数判定部を更に有する、
    請求項1又は2に記載の異常検知装置。
  4. 前記算出部は、前記相関データに基づいて該相関データの回帰直線の決定係数を算出し、
    前記回帰直線の決定係数が管理値以上であるか否かを判定する決定係数判定部を更に有する、
    請求項1乃至3のいずれか一項に記載の異常検知装置。
  5. 前記半導体製造装置において半導体製造プロセスが実行されたときに前記第1の監視対象の値及び前記第2の監視対象の値を取得する取得部と、
    前記相関データを格納する格納部と、
    を更に有し、
    前記データ生成部は、前記半導体製造プロセスが実行されるごとに、前記格納部に格納された前記相関データに前記取得部が取得した前記第1の監視対象の値及び前記第2の監視対象の値を追加する、
    請求項1乃至4のいずれか一項に記載の異常検知装置。
  6. 前記データ生成部は、前記半導体製造装置のメンテナンスが実行されるごとに新たな相関データを生成する、
    請求項1乃至5のいずれか一項に記載の異常検知装置。
  7. 前記異常判定部により前記半導体製造装置が異常であると判定された場合に前記半導体製造装置が異常であることを出力する出力部を更に有する、
    請求項1乃至6のいずれか一項に記載の異常検知装置。
  8. 前記半導体製造装置は、処理容器と、前記処理容器に接続された配管と、前記配管に取り付けられた2つの配管ヒータと、を有し、
    前記第1の監視対象は前記2つの配管ヒータの一方であり、前記第2の監視対象は前記2つの配管ヒータの他方である、
    請求項1乃至7のいずれか一項に記載の異常検知装置。
  9. 前記配管は、前記処理容器内にガスを供給する供給配管である、
    請求項8に記載の異常検知装置。
  10. 前記配管は、前記処理容器内を排気する排気配管である、
    請求項8に記載の異常検知装置。
  11. 前記半導体製造装置は、処理容器と、前記処理容器に接続された2つの排気配管と、を有し、
    前記第1の監視対象は前記2つの排気配管の一方に取り付けられた圧力制御バルブであり、前記第2の監視対象は前記2つの排気配管の他方に取り付けられた圧力制御バルブである、
    請求項1乃至7のいずれか一項に記載の異常検知装置。
  12. 前記データ生成部は、互いに相関関係を有する第1の監視対象の値、第2の監視対象の値及び第3の監視対象の値に基づいて、複数の相関データを生成し、
    前記算出部は、前記複数の相関データの各々について回帰直線の傾きを算出し、
    前記異常判定部は、複数の前記回帰直線の傾きに基づいて前記半導体製造装置の異常を判定する、
    請求項1乃至11のいずれか一項に記載の異常検知装置。
  13. 半導体製造装置の異常を検知する異常検知装置であって、
    互いに相関関係を持つ第1の監視対象の値及び第2の監視対象の値に基づいて相関データを生成するデータ生成部と、
    前記相関データに基づいて該相関データの回帰直線の傾きを算出する算出部と、
    前記回帰直線の傾きに基づいて前記半導体製造装置の異常を判定する異常判定部と、
    を有
    前記半導体製造装置は、処理容器と、前記処理容器に接続された配管と、前記配管に取り付けられた2つの配管ヒータと、を有し、
    前記第1の監視対象は前記2つの配管ヒータの一方であり、前記第2の監視対象は前記2つの配管ヒータの他方である、
    異常検知装置。
  14. 半導体製造装置の異常を検知する制御部を備える半導体製造装置であって、
    前記制御部は、
    互いに相関関係を持つ第1の監視対象の値及び第2の監視対象の値に基づいて相関データを生成するデータ生成部と、
    前記相関データに基づいて該相関データの回帰直線の傾きを算出する算出部と、
    前記回帰直線の傾きに基づいて前記半導体製造装置の異常を判定する異常判定部と、
    を有
    前記第1の監視対象の値及び前記第2の監視対象の値は、それぞれ前記半導体製造装置の状態を検出するセンサにより検出されるセンサ値である、
    半導体製造装置。
  15. 半導体製造装置の異常を検知する制御部を備える半導体製造装置であって、
    前記制御部は、
    互いに相関関係を持つ第1の監視対象の値及び第2の監視対象の値に基づいて相関データを生成するデータ生成部と、
    前記相関データに基づいて該相関データの回帰直線の傾きを算出する算出部と、
    前記回帰直線の傾きに基づいて前記半導体製造装置の異常を判定する異常判定部と、
    を有
    前記半導体製造装置は、処理容器と、前記処理容器に接続された配管と、前記配管に取り付けられた2つの配管ヒータと、を有し、
    前記第1の監視対象は前記2つの配管ヒータの一方であり、前記第2の監視対象は前記2つの配管ヒータの他方である、
    半導体製造装置。
  16. 半導体製造装置の異常を検知する異常検知方法であって、
    互いに相関関係を持つ第1の監視対象の値及び第2の監視対象の値に基づいて相関データを生成するステップと、
    前記相関データに基づいて該相関データの回帰直線の傾きを算出するステップと、
    前記回帰直線の傾きに基づいて前記半導体製造装置の異常を判定するステップと、
    を有
    前記第1の監視対象の値及び前記第2の監視対象の値は、それぞれ前記半導体製造装置の状態を検出するセンサにより検出されるセンサ値である、
    異常検知方法。
  17. 半導体製造装置の異常を検知する異常検知方法であって、
    互いに相関関係を持つ第1の監視対象の値及び第2の監視対象の値に基づいて相関データを生成するステップと、
    前記相関データに基づいて該相関データの回帰直線の傾きを算出するステップと、
    前記回帰直線の傾きに基づいて前記半導体製造装置の異常を判定するステップと、
    を有
    前記半導体製造装置は、処理容器と、前記処理容器に接続された配管と、前記配管に取り付けられた2つの配管ヒータと、を有し、
    前記第1の監視対象は前記2つの配管ヒータの一方であり、前記第2の監視対象は前記2つの配管ヒータの他方である、
    異常検知方法。
JP2020113510A 2020-06-30 2020-06-30 異常検知装置、半導体製造装置及び異常検知方法 Active JP7467261B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020113510A JP7467261B2 (ja) 2020-06-30 2020-06-30 異常検知装置、半導体製造装置及び異常検知方法
KR1020210078716A KR20220002103A (ko) 2020-06-30 2021-06-17 이상 검지 장치, 반도체 제조 장치, 및 이상 검지 방법
US17/354,158 US20210407835A1 (en) 2020-06-30 2021-06-22 Abnormality detecting apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and abnormality detecting method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020113510A JP7467261B2 (ja) 2020-06-30 2020-06-30 異常検知装置、半導体製造装置及び異常検知方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022012018A JP2022012018A (ja) 2022-01-17
JP7467261B2 true JP7467261B2 (ja) 2024-04-15

Family

ID=79031425

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020113510A Active JP7467261B2 (ja) 2020-06-30 2020-06-30 異常検知装置、半導体製造装置及び異常検知方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20210407835A1 (ja)
JP (1) JP7467261B2 (ja)
KR (1) KR20220002103A (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023103123A (ja) * 2022-01-13 2023-07-26 株式会社Screenホールディングス 適正判定装置および適正判定方法
JP2023105744A (ja) * 2022-01-19 2023-07-31 株式会社Screenホールディングス 支援装置、支援方法および支援プログラム
KR20230140546A (ko) 2022-03-23 2023-10-06 주식회사 히타치하이테크 진단 장치, 반도체 제조 장치 시스템, 반도체 장치 제조 시스템 및 진단 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009111165A (ja) 2007-10-30 2009-05-21 Nec Electronics Corp 表面加工処理装置又は成膜処理装置の異物検査・解析のためのデータ処理及び管理装置及び方法
JP2018078271A (ja) 2016-10-31 2018-05-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置、監視プログラム及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4607576B2 (ja) 2004-12-28 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置
US7751921B2 (en) * 2004-12-28 2010-07-06 Tokyo Electron Limited Semiconductor manufacturing apparatus, method of detecting abnormality, identifying cause of abnormality, or predicting abnormality in the semiconductor manufacturing apparatus, and storage medium storing computer program for performing the method
JP4326570B2 (ja) * 2007-04-17 2009-09-09 東京エレクトロン株式会社 ヒータ素線の寿命予測方法,熱処理装置,記録媒体,ヒータ素線の寿命予測処理システム
JP4877397B2 (ja) * 2010-01-22 2012-02-15 株式会社デンソー 電流センサの異常診断装置、およびセンサの異常診断装置
JP6763520B2 (ja) * 2016-05-20 2020-09-30 三菱パワー株式会社 炭素含有固体燃料ガス化発電設備及びその炭素含有固体燃料の乾燥用ガスの調整方法
JP2018077764A (ja) * 2016-11-11 2018-05-17 東京エレクトロン株式会社 異常検知装置
JP7345353B2 (ja) * 2019-10-25 2023-09-15 東京エレクトロン株式会社 故障検知システム及び故障検知方法
JP7413159B2 (ja) * 2020-06-23 2024-01-15 東京エレクトロン株式会社 情報処理装置、プログラム及び監視方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009111165A (ja) 2007-10-30 2009-05-21 Nec Electronics Corp 表面加工処理装置又は成膜処理装置の異物検査・解析のためのデータ処理及び管理装置及び方法
JP2018078271A (ja) 2016-10-31 2018-05-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置、監視プログラム及び半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220002103A (ko) 2022-01-06
US20210407835A1 (en) 2021-12-30
JP2022012018A (ja) 2022-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7467261B2 (ja) 異常検知装置、半導体製造装置及び異常検知方法
US11526160B2 (en) Failure detection system and failure detection method
JP5901140B2 (ja) システムの高い可用性のためにセンサデータを補間する方法、コンピュータプログラム、システム。
JP6304767B2 (ja) センサ監視装置、センサ監視方法、及びセンサ監視プログラム
TWI417715B (zh) 用於製程真空環境之電子診斷之系統及方法
US20100332013A1 (en) Methods and apparatus to predict etch rate uniformity for qualification of a plasma chamber
JP2008021732A (ja) 圧力異常原因判定方法,圧力異常原因判定システム,真空処理装置,記録媒体
US7590465B2 (en) Method and apparatus for detecting abnormal characteristic values capable of suppressing detection of normal characteristic values
WO2011002804A2 (en) Methods and apparatus to predict etch rate uniformity for qualification of a plasma chamber
US11378426B2 (en) System and method for monitoring sensor linearity as part of a production process
CN111982245B (zh) 主蒸汽流量的校准方法、装置、计算机设备和存储介质
JP2006228911A (ja) 半導体製造装置、コンピュータプログラム及び記憶媒体
CN111951988A (zh) 主给水流量的异常检测方法、装置和计算机设备
JP2006157029A (ja) 半導体装置の製造システム
JP2010272797A (ja) 検査結果解析方法および検査結果解析装置、異常設備検出方法および異常設備検出装置、上記検査結果解析方法または異常設備検出方法をコンピュータに実行させるためのプログラム、並びに上記プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
CN115946154B (zh) 一种基于晶圆传输状态数据的损害性预测方法
US7636609B2 (en) Method and apparatus for detecting abnormal characteristic values capable of suppressing detection of normal characteristic values
JP5408975B2 (ja) 検査位置決定方法、検査情報管理システム及び検査支援方法
US7292959B1 (en) Total tool control for semiconductor manufacturing
US11929269B2 (en) Control method, measurement method, control device, and heat treatment apparatus
JP2006513561A (ja) パラレル欠陥検出
JPS59228726A (ja) 不良解析装置
JP7496932B2 (ja) 診断装置、半導体製造装置システム、半導体装置製造システムおよび診断方法
US8892389B1 (en) Determining a condition of a system based on plural measurements
JPH09119854A (ja) 精密加工装置または精密測定装置における環境監視装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221219

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20231017

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231128

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231211

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240305

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240403

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7467261

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150