JP7462977B2 - パージ制御システム - Google Patents

パージ制御システム Download PDF

Info

Publication number
JP7462977B2
JP7462977B2 JP2022130588A JP2022130588A JP7462977B2 JP 7462977 B2 JP7462977 B2 JP 7462977B2 JP 2022130588 A JP2022130588 A JP 2022130588A JP 2022130588 A JP2022130588 A JP 2022130588A JP 7462977 B2 JP7462977 B2 JP 7462977B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
door assembly
air curtain
curtain unit
flow rate
gas flow
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2022130588A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2023031283A (ja
Inventor
古震維
胡瀚承
李旻哲
Original Assignee
華景電通股▲分▼有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from TW111111308A external-priority patent/TWI812114B/zh
Application filed by 華景電通股▲分▼有限公司 filed Critical 華景電通股▲分▼有限公司
Publication of JP2023031283A publication Critical patent/JP2023031283A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7462977B2 publication Critical patent/JP7462977B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F9/00—Use of air currents for screening, e.g. air curtains
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F9/00—Use of air currents for screening, e.g. air curtains
    • F24F2009/005—Use of air currents for screening, e.g. air curtains combined with a door
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67775—Docking arrangements

Description

本発明は、半導体技術の分野に関し、特にウェハーボックスを利用してウェハーを運ぶ際に、層流方式または均一なエアフローの方式でガス流量を制御し、ウェハー搬送装置を清潔にするパージ制御システムに関するものである。
既存の半導体製造工場には、ウェハーボックスを搬送するための様々な種類の装置があり、これらの装置のほとんどは異なるメーカーによって製造されている。このため、異なるメーカーが製造した装置でウェハーボックスを搬送する場合、ウェハーボックスのドアを開けたときに、ウェハーボックス内部が外部の環境と直接接触したり、繋がったりする状態になることがある。それによって、ウェハーボックス外部の汚れや粒子がウェハーボックスに入りやすくなり、ウェハーボックス内のウェハーの汚染に繋がることがある。
背景技術の欠点に鑑み、本発明の主な目的は、制御モジュールを利用し、エアカーテンユニットを制御し、ウェハー搬送装置のドアアセンブリの変位値の大きさに応じてクリーンガスの流量を調整することによって、ウェハーボックスを膨張させる際に大流量のクリーンガスが乱流を発生されることで、環境中の汚れや粒子がガスの乱流によってウェハーボックス内に持ち込まれ、ウェハーボックス内の半導体コンポーネントが汚染されることを回避することである。
本発明のもう一つの目的は、エアカーテンユニットへ進入するクリーンガスの流量と圧力を制御し、エアカーテンユニットからのクリーンガスの流れを層流状態にすることで、クリーンガスの流れの乱れがウェハーボックスに汚れを持ち込みウェハーボックス内の半導体コンポーネントを汚染するという技術的課題を解決することである。
本発明のさらにもう一つの目的は、ウェハー搬送装置上のセンシングユニットを用いてドアアセンブリの変位値の大きさを検出し、ドアアセンブリの変位値の大きさに応じてエアカーテンユニットに供給するクリーンガスのガスフローを調整することにより、背景技術におけるウェハー搬送装置のドアアセンブリの開放後の変位の大きさにかかわらずエアカーテンユニットが同じガスフローのクリーンガスを供給し、クリーンガスの無駄使いにより使用コストが増加してしまう問題を解決することである。
本発明のさらにもう一つの目的は、エアカーテン装置の通気パネルが複数の通気孔を有し、通気孔はステンレス鋼または超高分子量ポリエチレン（ＵＰＥ、ｕｌｔｒａ－ｈｉｇｈ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｗｅｉｇｈｔ ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ）であることができ、通気パネルの耐圧性を高め、クリーンガスのガス流量を増加させることである。
上記の目的によれば、本発明は、ウェハー搬送装置に接続された一種のパージ制御システムを提供し、パージ制御システムは以下を含む：パージモジュールと制御モジュールであって、パージモジュールはウェハー搬送装置内に配置され、制御モジュールはパージモジュールに電気的に接続されている。パージモジュールは、エアカーテンユニットおよび流量制御ユニットおよびセンシングユニットで構成されている。エアカーテンユニットは、ウェハー搬送装置のドアアセンブリの上方に位置決め配置され；流量制御ユニットはエアカーテンユニットに接続されており；制御モジュールはパージモジュールに電気的に接続され、制御モジュールはドアアセンブリの変位値に応じてパージモジュールを制御し、対応するクリーンガスの流量をエアカーテンユニットに提供する。
本発明の一つ好ましい実施形態において、パージモジュールはセンシングユニットを備え、ウェハー搬送装置上に配置され、センシングユニットがウェハー搬送装置のゲートアセンブリの変位状態を検出することで、制御モジュールが供給するクリーンガスの流量を判断する。
本発明のもう一つ好ましい実施形態では、エアカーテンユニットは以下を含む。
本体と通気パネルであり、ここで本体の上端および／または側面には少なくとも１つの空気吸入口が設けられており、空気吸入口はパイプを介してパージモジュールに接続されており、エアカーテンユニットのクリーンガスはパイプおよび空気入口を介して本体に入る。
また、少なくとも１枚の通気パネルであり、本体内に設けられており、通気パネルは複数の通気孔を備え、通気パネルの複数の通気孔を介してクリーンガスを本体から外部に放出することで、エアカーテンユニットとウェハー搬送装置のドアアセンブリの間に気流壁が形成される。
本発明のさらにもう一つ好ましい実施形態では、通気パネルの材料は、ステンレス鋼、帯電防止および耐食性繊維材料または複合材料、セラミック、樹脂、または超高分子量ポリエチレンであり得る。
本発明のさらにもう一つ好ましい実施形態では、通気パネルがステンレス鋼の場合、複数の通気孔を有する通気パネルの製造は金属焼結によって形成されることができる。
本発明のさらにもう一つ好ましい実施形態では、複数の通気孔は、機械的なドリル加工またはレーザードリル加工によって形成されることができる。
本発明のさらにもう一つ好ましい実施形態では、通気パネルは多層の通気パネルであり、各層の通気パネルは複数の通気孔を有し、これら通気パネルは本体内に少なくとも一つの閉じた空間を形成する。
本発明のさらにもう一つ好ましい実施形態では、エアカーテンユニットによって吹き付けられるクリーンガスの流量は、０．１ｍ／ｓ～２ｍ／ｓ（メートル／毎秒）の範囲である。
本発明のさらにもう一つ好ましい実施形態では、ガス供給装置はパージ制御システムに接続されており、ガス供給装置はクリーンガスを提供するために使用され、クリーンガスは、クリーンドライエア（ＣＤＡ、ｃｌｅａｎ ｄｒｙ ａｉｒ）、またはエクストリームクリーンドライエア（Ｘ－ＣＤＡ、ｅｘｔｒｅｍｅ ｃｌｅａｎ ｄｒｙ ａｉｒ）、または不活性ガスである。
本発明のさらにもう一つ好ましい実施形態では、ガス供給装置からパージ制御システムに供給されるクリーニングガスのガス流量は、０～８００ＬＰＭ（リットル／分）の範囲である。
本発明で開示する技術によるパージ制御システムを表すブロック図である。 本発明で開示する技術によるパージ制御システムの各ユニットを表すブロック図である。 本発明で開示する技術による制御されたパージシステムを備えたウェハー搬送装置の側面図である。 本発明で開示する技術によるパージモジュール内のエアカーテンユニットの構造を示す概略図である。
まず、図１を参照されたい。図１は、本発明で開示されたパージ制御システムを示すブロック図である。図１では、パージ制御システム１がウェハー搬送装置５００に接続されており、ここでパージ制御システム１は少なくとも制御モジュール２とパージモジュール４から構成されており、制御モジュール２は、パージモジュール４を制御して、ウェハー搬送装置５００上に配置されたウェハーボックス３００の開口部の外部に気流壁ＡＦを形成するために用い、半導体コンポーネント（図示せず）の洗浄の目的を達成する。

次に、図２を参照されたい。図２は、本発明が開示するパージ制御システムを示す詳細ブロック図である。図２において、パージ制御システム１におけるパージモジュール４は、少なくともエアカーテンユニット４２、センシングユニット４４、流量制御ユニット４６で構成されており、ここで流量制御ユニット４６はエアカーテンユニット４２と制御モジュール２にそれぞれ接続されており、センシングユニット４４はウェハー搬送装置５００のドアアセンブリ５０２の変位値を検出し、ドアアセンブリ５０２の変位値に対応するセンシング信号を制御モジュール２に送り、制御モジュール２は、センシング信号によって、流量制御ユニット４６によってエアカーテンユニット４２に送られるガスの流量または圧力を調整することができ、したがって、ウェハー搬送装置５００のドアアセンブリ５０２の上方のエアカーテンユニット４２によってウェハーボックス３００の開口側に向かって吹き付けられるガス流量が制御される。ここで、本発明のガスフローの制御方法は、例えば、各ガスフローが比率（レシピ）で制御モジュール２に書き込まれるように制御されており、例えば、レシピＡ、レシピＢ、レシピＣ、・・・、レシピＺのように各レシピがガスフローに対応しており、また各ガスフロー値はドアアセンブリ５０２の変位値に対応していることに留意されたい。したがって、センシングユニット４４が、ドアアセンブリ５０２の変位値が変化したことを検知すると、制御モジュール２は、ドアアセンブリ５０２の変位値と対応するレシピに応じて流量制御ユニット４６を調節し、このレシピに従って、エアカーテンユニット４２はレシピに対応するガス流量を提供し、本発明における制御モジュール２は、多段階調節方式でエアカーテンユニット４２のガスフローを制御する。例えば、レシピＡ、レシピＢ、レシピＣ、・・・、レシピＺに対応するガス流量は、小から大まであり、ドアアセンブリ５０２の変位値が小さい（小変位）場合、エアカーテンユニット４２は、レシピＡに対応するガスフローを吹き出し；ドアアセンブリ５０２の変位値が一定範囲まで大きくなる（大変位）と、エアカーテンユニット４２はレシピＣに対応するガスフローを吹き出す。本発明では、変位値の計算は、ドアアセンブリ５０２が開放されていない時間を基準として算出する。すなわち、ドアアセンブリ５０２の変位値が徐々に増加するとき、ドアアセンブリ５０２の変位値がある一定の変化区間にある間は、クリーンガスのガス流量を予め決められた流量に固定することができる。
さらに、本発明においてさらに詳しく説明すると、ドアアセンブリ５０２の変位値の計算方式は、本発明中のドアアセンブリ５０２の未開放時をＰ０とし、ドアアセンブリ５０２が未開放時Ｐ０から第１位置決め点Ｐ１まで移動する際に、この時のドアアセンブリ５０２の第１変位値の大きさがＰ１－Ｐ０であるとする；ドアアセンブリ５０２が第１の位置決め点Ｐ１から第２の位置決め点Ｐ２まで移動すると、このときのドアアセンブリ５０２の第２の変位値の大きさはＰ２－Ｐ０とする。
より具体的な例では、ドアアセンブリ５０２が第１の位置決め点Ｐ１まで開かれると、エアカーテンユニット４２は、レシピＡに対応する第１のガス流量を吹き付ける。ドアアセンブリ５０２が第２の位置決め点Ｐ２まで開かれると、エアカーテンユニット４２はレシピＢに対応する第２のガス流量を吹き出し、ドアアセンブリ５０２が第３の位置決め点Ｐ３まで開かれると、エアカーテンユニット４２はレシピＣに対応する第３のガス流量を吹き出す、等々と続く。第２の位置決め点Ｐ２におけるドアアセンブリ５０２の第２の変位値（Ｐ２－Ｐ０）が第１の位置決め点Ｐ１におけるドアアセンブリ５０２の第１の変位値（Ｐ１－Ｐ０）より大きい場合、第２のガス流量は第１のガス流量より大きくなる。別の例では、第２の位置決め点Ｐ２におけるドアアセンブリ５０２の第２の変位値（Ｐ２－Ｐ０）が第１の位置決め点Ｐ１におけるドアアセンブリ５０２の第１の変位値（Ｐ１－Ｐ０）より小さいとき、第２のガス流量は第１のガス流量より小さくなる。もちろん、本発明は前述した多段階調節方式に限定されず、他の実施例では、ガス流量の無段階連続調節であっても良く、例えば、ドアアセンブリ５０２の変位値が徐々に大きくなると、すなわち、ウェハーボックス３００の開口側の開口が徐々に大きくなり、クリーンガスのガス流量も徐々に大きくなる。逆に、ドアアセンブリ５０２の変位値が徐々に小さくなると、すなわちウェハーボックス３００の開口側の開口部が徐々に小さくなり、クリーニングガスのガス流量も徐々に小さくなる。本発明は、クリーンガスの使用量を節約し、クリーンガスの使用コストを削減するために有効な方法である。
次に、図３を参照されたい。図３は、パージ制御システムを備えたウェハー搬送装置の側面図である。図３において、ウェハー搬送装置５００は、ウェハーボックス３００を運ぶためのキャリアトレイ５１０を備えており、 ウェハー搬送装置５００はドアアセンブリ５０２とドアフレーム（図示せず）を備えており、このドアアセンブリ５０２は、キャリアトレイ５１０上のウェハーボックス３００のドア３０２を開き、ドア３０２をウェハーボックス３００から離し１変位値だけ下方に移動させ、ウェハーボックス３００の内部と外部環境を接続させ、このとき、ウェハーボックス３００は開口部を現出させ、従って、外部のロボットアームまたは作業者が、必要に応じてその開口部を通して、ウェハーボックス３００にウェハー等の半導体コンポーネント（図示せず）を配置したり、ウェハーボックス３００から半導体コンポーネント（図示せず）を取り出したりすることができる。
引き続き、図３を参照されたい。本発明のパージ制御システム１におけるエアカーテンユニット４２は、ウェハー搬送装置５００のドアアセンブリ５０２の上方に設置され、ドアアセンブリ５０２との間に分離距離が設けられており、この分離距離は、エアカーテンユニット４２がドアアセンブリ５０２の方向にクリーンガスを連続的かつ均一に放出する際に、クリーンガスがこの分離距離で気流壁ＡＦを形成し、気流壁ＡＦは層流であることが好まく、外部の汚れや粒子が気流によってウェハーボックス３００に運ばれることを低減する。さらに、エアカーテンユニット４２によって吹き出されるガス流量は、ドアアセンブリ５０２の変位値によって変化する。さらに、ドアアセンブリ５０２の周囲（例えば上部５０２２及び／又は下部５０２４）又はドアフレーム（図示せず）にセンシングユニット４６を設けることができ、このセンシングユニット４６は、ドアアセンブリ５０２の変位状態（オフからオンへの変化）を検知するか、または所定の変位値を移動するために用いられ、この変位値に対応するセンシング信号が制御モジュール２（図２に示すように）に送られて、制御モジュール２はエアカーテンユニット４２によって吹き付けられるガス流量を調整する。
したがって、制御モジュール２（図２に示す）は、センシングユニット４４によって検出されたウェハー搬送装置５００のドアアセンブリ５０２の変位値に応じてガス供給装置（図示せず）を制御し、この変位値に対応するガス流量のクリーンガスをパージモジュール４のエアカーテンユニット４２内に提供し、同時に制御モジュール２は、エアカーテンユニット４２へのクリーンガスの流量又は圧力に応じて、好ましくは層流状態で流れるようにエアカーテンユニット４２からのクリーンガス流を調節することができる。また、ドアアセンブリ５０２の変位値の変化は、必ずしもセンシングユニット４６で検知する必要はなく、別の実施形態では、ドアアセンブリ５０２の開放時間を直接計算して変位値の変化量を決定することができ、本発明は、ドアアセンブリ５０２の変位値を知る方法を限定するものではない。
次に、図４を参照されたい。図４は、パージモジュール内のエアカーテンユニットの構造を示す模式図である。図４において、エアカーテンユニット４２は、本体４２０、カバー４２０ａ、通気パネル４２２、空気吸入口４２０２、４２０４で構成されており、このうち本体４２０の外観輪郭は長方形であり、本体４２０とカバー４２０ａで囲まれた内部空間には、多数の通気孔４２２２を有する通気パネル４２２が設けられており、通気パネル４２２の形状は、エアカーテンユニット４２の本体４２０に合わせて設定することができる。通気パネル４２２はエアカーテンユニット４２内に閉鎖空間を形成し、閉鎖空間は通気孔４２０２および４２０４と連絡することができる。通気パネル４２２の細孔４２２２の細孔は、０．００１ミクロン（μｍ）～１０ミリメートル（ｍｍ）、好ましくは０．００１ミクロン（μｍ）～１ミクロン（μｍ）の範囲の細孔径を有していてもよい。 本実施形態において、細孔４２２２の数や分布は限定されず、例えば、規則的に分布していてもよいし、不規則に分布していてもよい。本発明の好ましい実施形態では、複数の通気孔４２２２を備えた通気パネル４２２の材料は、ステンレス鋼、ガラス繊維、エポキシガラス繊維、テフロン（登録商標）（ＰＴＦＥ）、セラミック、樹脂などの、ただしこれらに限定されない、帯電防止および耐食性繊維材料または複合材料、または超高分子量ポリエチレン（ＵＰＥ、ｕｌｔｒａ－ｈｉｇｈ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｗｅｉｇｈｔ ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ）とすることができ、これにより、元の流量０～４００ＬＰＭから０～８００ＬＰＭに増加し、ガス圧に対する耐性が増加し、大流量のガスにより通気パネルが破裂することを避ける。
本発明の別の好ましい実施形態では、本体４２０内の通気パネル４２２は、１枚、２枚またはそれ以上の複数枚とすることができ、ユーザーの必要性に応じて本体４２０内の通気パネル４２２の枚数を変更することができる。例えば、図示しない実施形態では、２つの通気パネルが間隔を空けて設けられ、エアカーテンユニット４２内に２つの密閉空間を形成している。 図示しない別の例では、２枚の通気パネルが積み重なれられ、エアカーテンユニット４２内に閉空間を形成している。さらに、長方形の本体４２０の上側および／または長辺には、空気吸入口４２０２、４２０４が設けられており、別の実施形態では、空気吸入口４２０２、４２０４は長方形の本体４２０の短辺側にも配置されてよく、空気吸入口４２０２、４２０４はそれぞれ短辺および長辺に配置することもでき、かつ空気吸入口４２０２、４２０４の数に制限はない。また、本体４２０に設けられた空気吸入口４２０２、４２０４は、チューブ７を介してガス供給装置（図示せず）に接続されている。なお、ガス供給装置（図示せず）は、クリーンドライエア（ＣＤＡ、ｃｌｅａｎ ｄｒｙ ａｉｒ）、エクストリームクリーンドライエア（Ｘ－ＣＤＡ、Ｅｘｔｒｅｍｅ ｃｌｅａｎ ｄｒｙ ａｉｒ）、または不活性ガス等の様々なクリーンガスを、チューブ７を介してエアカーテンユニット４２に供給することを注意されたい。さらに、本発明のこの実施形態では、通気パネル４２２の材料がステンレスである場合、複数の通気孔４２２２を有する通気パネル４２２の金属焼結で製造することができ、すなわち、焼結金属粉末を用いて、焼結によってステンレス製の通気パネル４２２を形成することができる。これらの通気孔４２２２は、レーザードリルや機械的なドリル加工により形成することができる。なお、通気孔４２２２は、規則的に配置されていても不規則に配置されていても特に制限はない。
次に、本発明のパージ制御システムの一実施形態であるウェハー搬送装置のパージ手順について例を挙げて説明する。ウェハー搬送装置用のパージ制御システムの実施形態のパージ手順を説明するときは、同時に図２から４を参照されたい。まず、センシングユニットは、ウェハー搬送装置のゲートアセンブリの変位値を検出する。この工程では、ウェハー搬送装置５００のドアアセンブリ５０２が閉状態から開状態になり、ドアアセンブリ５０２周囲（例えば上部５０２２及び／または下部５０２４）又はドアフレーム（図示せず）に設置されたセンシングユニット４４が、ウェハー搬送装置５００のドアアセンブリ５０２の状態の変化を検知すると、ドアアセンブリ５０２の移動距離を第１の変位値として定義し、このとき、センシングユニット４４は、ウェハー搬送装置５００のゲートアセンブリ５０２で検出された第１の変位値に対応する第１の信号を制御モジュール２へ送信し、制御モジュール２は、第１の信号に従ってガス供給装置（図示せず）を制御して、パージモジュール４へ第１の変位値に対応するガス流のクリーンガスを提供し、そして、流量制御ユニット４６は、ドアアセンブリ５０２の第１の変位値および対応するガス流量に対応するクリーンガスをエアカーテンユニット４２に送り、そして、エアカーテンユニット４２からウェハー搬送装置５００のドアアセンブリ５０２の方向に第１のガス流量のクリーンガスを吹きつけ。
本発明の好ましい実施形態では、ガス供給装置（図示せず）が空気吸入口４２０２、４２０４を介してクリーンガス（図示せず）をエアカーテンユニット４２に供給した後、エアカーテンユニット４２内の複数の通気孔４２２２によって通気パネル４２２を通る流れは均一化され、さらに小さな粒子の濾過が行われ、エアカーテンユニット４２から放出される際のガスの清浄度と均一度を向上させることができ、第１のガス流量を有するクリーンガスは、カバー４２０ａの反対側の本体４２０から、ウェハー搬送装置５００のドアアセンブリ５０２に向かって均一に吹き出すことができる。
次に、ドアアセンブリ５０２の移動距離が第２の変位値である場合、センシングユニット４４は第２の変位値に対応する第２の信号を制御モジュール２に送信し、制御モジュール２は、第２の信号に従って流量制御ユニット４６を調整して、エアカーテンユニット４２に第２の信号に対応するガス流量を有するクリーンガスを供給し、エアカーテンユニット４２からウェハー搬送装置５００のドアアセンブリ５０２の方向に第２のガス流量のクリーンガスを供給する。なお、流量制御ユニット４６から供給されるクリーンガスのガス流量は、ドアアセンブリ５０２の変位値によって変化するが、そのクリーンガスは、エアカーテンユニット４２によってウェハー搬送装置５００のドアアセンブリ５０２に方向へ噴出され。本発明では、エアカーテンユニット４２によって吹き付けられるクリーンガスは、ドアユニット５０２の変位値に関わらず層流状態で流れることが好ましく、エアカーテンユニット４２によって吹き付けられるクリーンガスの流量は、０．１ｍ／ｓ～２ｍ／ｓ（メートル／秒）であることが好ましい。
以上から分かるように、ウェハー搬送装置５００のドアアセンブリ５０２の変位値は、エアカーテンユニット４２（又は形成された気流壁ＡＦ）により噴出されるガス流量に関連するものである。本発明では、エアカーテンユニット４２に供給するクリーンガスの流量または／および圧力を調整して、エアカーテンユニット４２から吹き出すクリーンガスの流れを層流状態に制御することができ、ドアユニット５０２の変位値に応じてエアカーテンユニット４２から吹き出すクリーンガスの流量を調整できるので、ウェハー搬送装置５００のドアアセンブリ５０２の近くで乱流ガスが発生することを回避することができ、またドアアセンブリ５０２付近の汚れやパーティクルがウェハーボックス３００に持ちこまれ汚染される問題を回避することができる。
また、エアカーテンユニット４２の通気パネル４２２の材料は、ステンレス鋼、帯電防止耐食繊維または複合材料、セラミック、樹脂、または超高分子量ポリエチレンがあり、通気パネル４２２の材料の特性を使って、ガス圧力を０～８００ＬＰＭ（リットル／分）に高め、つまりガス供給装置がパージ制御システムへ供給するガス流量の範囲を０～８００ＬＰＭに制御でき、ガス圧への耐性がさらに高く、エアカーテンユニット４２全体の耐用年数が長くすることができる。
１ パージ制御システム ２ 制御モジュール
４ パージモジュール ４２ エアカーテンユニット
４２０ 本体 ４２０ａ カバー
４２２ 通気パネル ４２０２、４２０４ 空気吸入口
４２２２ 通気孔
４４ センシングユニット ４６ 流量制御ユニット
３００ ウェハーボックス ３０２ ドア
５００ ウェハー搬送装置 ５０２ ドアアセンブリ
５０２２ ドアアセンブリの上部 ５０２４ ドアアセンブリの下部
５１０ キャリアトレイ ＡＦ 気流壁

Claims (3)

  1. ウェハー搬送装置に接続されており、さらに前記ウェハー搬送装置はウェハーボックスを運ぶために利用され、パージ制御システムであって、
    前記ウェハー搬送装置に設けられたパージモジュールと、
    流量制御ユニットと、
    制御モジュールを含み、
    前記パージモジュールは、
    前記ウェハー搬送装置のドアアセンブリの上部に配置されたエアカーテンユニットと、
    前記エアカーテンユニットに接続されている流量制御ユニットとをさらに含み、
    前記制御モジュールは、前記パージモジュールに電気的に接続され、さらに前記ドアアセンブリの変位値に応じて、対応するクリーンガスでガス流量を吹き出すように前記エアカーテンユニットを制御し、
    前記変位値が増加すると、前記ガス流量は増加し、
    前記ウェハー搬送装置に接続された前記エアカーテンユニットは、前記ウェハーボックスの開口部の上部に配置されて、前記ウェハーボックスの開口部の外部にクリーンガスを吹き出し、
    前記パージモジュールは、前記ウェハー搬送装置上に配置されたセンシングユニットを含み、
    前記センシングユニットは、前記ウェハー搬送装置の前記ドアアセンブリの変位状態を検出して、前記制御モジュールがクリーンガスに供給する前記ガス流量を決定し、
    前記ドアアセンブリが第１の位置決め点に移動すると、前記エアカーテンユニットは前記クリーンガスの第１のガス流を吹き出し、前記ドアアセンブリが第２の位置決め点に移動すると、エアカーテンユニットは前記クリーンガスの第２のガス流を吹き出し、
    前記第２の位置決め点での前記ドアアセンブリの第２の変位値が前記第１の位置決め点での前記ドアアセンブリの第１の変位値よりも大きい場合、前記第２のガス流の流量は前記第１のガス流の流量よりも大きく、
    前記第２の位置決め点での前記ドアアセンブリの前記第２の変位値が前記第１の位置決め点での前記ドアアセンブリの前記第１の変位値よりも小さい場合、前記第２のガス流の流量は前記第１のガス流の流量よりも小さい、
    パージ制御システム。
  2. 前記エアカーテンユニットは、
    本体と、
    前記本体に配置された通気パネルを含み、
    前記本体の上部および／または側面に少なくとも一つの空気吸入口をさらに含み、前記空気吸入口と前記パージモジュール内のパイプが接続され、前記エアカーテンユニットの前記クリーンガスが前記パイプおよび前記空気吸入口を介して前記本体に入れ、
    前記通気パネルは複数の通気孔を有し、前記クリーンガスは前記通気パネルの前記通気孔を通して前記本体から外部に排出され、これにより、前記エアカーテンユニットと前記ウェハー搬送装置の前記ドアアセンブリの間に気流壁が形成される、
    請求項１に記載のパージ制御モジュール。
  3. 前記通気パネルの材質は、ステンレス鋼、帯電防止および耐食性繊維または複合材料、セラミック、樹脂または超高分子量ポリエチレンであり、また前記通気パネルが前記ステンレス鋼の場合、前記通気パネルは金属焼結により形成される、
    請求項２に記載のパージ制御モジュール。
JP2022130588A 2021-08-23 2022-08-18 パージ制御システム Active JP7462977B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110131008 2021-08-23
TW110131008 2021-08-23
TW111111308 2022-03-25
TW111111308A TWI812114B (zh) 2021-08-23 2022-03-25 吹淨控制系統

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023031283A JP2023031283A (ja) 2023-03-08
JP7462977B2 true JP7462977B2 (ja) 2024-04-08

Family

ID=85229470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022130588A Active JP7462977B2 (ja) 2021-08-23 2022-08-18 パージ制御システム

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20230054047A1 (ja)
JP (1) JP7462977B2 (ja)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3076991U (ja) 2000-10-13 2001-04-27 株式会社ダルトン ドラフトチャンバ
JP2013058734A (ja) 2011-08-15 2013-03-28 Tdk Corp パージ装置及び該パージ装置を有するロードポート装置
JP2015023037A (ja) 2013-07-16 2015-02-02 シンフォニアテクノロジー株式会社 Ｅｆｅｍ、ロードポート
JP2015026806A (ja) 2012-12-04 2015-02-05 Tdk株式会社 密閉容器の蓋開閉システム及び当該システムを用いた基板処理方法
JP2016164927A (ja) 2015-03-06 2016-09-08 シンフォニアテクノロジー株式会社 ドア開閉装置
JP2017183408A (ja) 2016-03-29 2017-10-05 シンフォニアテクノロジー株式会社 ロードポート
JP2017535949A (ja) 2014-10-24 2017-11-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ファクトリインターフェースで基板キャリアをパージするシステム、装置及び方法
JP2017228678A (ja) 2016-06-23 2017-12-28 Tdk株式会社 ガスパージユニット及びロードポート装置
JP2020061538A (ja) 2018-10-12 2020-04-16 國立臺北科技大學 層流装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0197579A (ja) * 1987-10-12 1989-04-17 Nippon Ika Kikai Seisakusho:Kk プッシュプル型遮断作業台

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3076991U (ja) 2000-10-13 2001-04-27 株式会社ダルトン ドラフトチャンバ
JP2013058734A (ja) 2011-08-15 2013-03-28 Tdk Corp パージ装置及び該パージ装置を有するロードポート装置
JP2015026806A (ja) 2012-12-04 2015-02-05 Tdk株式会社 密閉容器の蓋開閉システム及び当該システムを用いた基板処理方法
JP2015023037A (ja) 2013-07-16 2015-02-02 シンフォニアテクノロジー株式会社 Ｅｆｅｍ、ロードポート
JP2017535949A (ja) 2014-10-24 2017-11-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ファクトリインターフェースで基板キャリアをパージするシステム、装置及び方法
JP2016164927A (ja) 2015-03-06 2016-09-08 シンフォニアテクノロジー株式会社 ドア開閉装置
JP2017183408A (ja) 2016-03-29 2017-10-05 シンフォニアテクノロジー株式会社 ロードポート
JP2017228678A (ja) 2016-06-23 2017-12-28 Tdk株式会社 ガスパージユニット及びロードポート装置
JP2020061538A (ja) 2018-10-12 2020-04-16 國立臺北科技大學 層流装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023031283A (ja) 2023-03-08
US20230054047A1 (en) 2023-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5261935A (en) Clean air apparatus
US7635244B2 (en) Sheet-like electronic component clean transfer device and sheet-like electronic component manufacturing system
US6283143B1 (en) System and method for providing an integrated gas stick
JP2006216710A (ja) 半導体製造装置
KR102346977B1 (ko) 용기 수납 설비
US5413527A (en) Environmental control apparatus
JP7394203B2 (ja) 基板処理装置
CN106409731A (zh) 一种炉管的氮气冷却系统及晶圆和晶舟的冷却方法
JP7462977B2 (ja) パージ制御システム
JP2807150B2 (ja) 環境制御装置
CN101026085A (zh) 具有真空系统的半导体器件制造设备
JP4187069B2 (ja) 基板処理装置
TWI802384B (zh) 氣簾裝置及透氣組件
TWI812114B (zh) 吹淨控制系統
JPH11340301A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI408245B (zh) 用於塗覆設備之溢流室
CN1850347A (zh) 一种供气均匀性可调的进气喷嘴
CN115709205A (zh) 吹净控制系统
JP2007049093A (ja) 基板処理装置
JP4656296B2 (ja) 局所清浄化装置及びクリーンルーム
KR102442234B1 (ko) 기류 균일화 장치를 구비한 efem
JP2003264219A (ja) 局所クリーン装置
JP6683442B2 (ja) 柱状層流生成装置ならびに柱状層流生成方法
TWI839717B (zh) 設備前端模組緩衝腔室裝置及具有此裝置的半導體製程裝置
CN117086056A (zh) 气帘装置及透气组件

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220819

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230831

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231003

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231207

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240305

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240319

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7462977

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150