JP7461191B2 - 銀ペースト - Google Patents
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Description
また、近年では、電子機器の小型化および高性能化の観点から、SiC半導体やGaN半導体の普及が始まっている。このような半導体は、180℃以上の高温で使用されることが想定されており、上記のような樹脂成分を含む導電性ペーストにも高い耐熱性が要求されている。高い耐熱性を有する樹脂成分としては、例えばポリイミド樹脂、ポリテトラフルオロエチレンおよびPEEK(ポリエーテルエーテルケトン)樹脂に代表されるスーパーエンプラ(スーパーエンジニアリングプラスチック)が知られている。このようなスーパーエンプラのなかでも、特に高い耐熱性を有するポリイミド樹脂の使用について、研究開発が精力的に行われている(例えば特許文献1~5参照)。
上記銀粒子は、タップ密度が3g/cm3未満であり、比表面積(surface area:SA)が1m2/g以上であり、かつ、平均粒子径が3μm以上である、第1の銀粒子(A1)を含む。上記銀粒子の全量を100質量%としたときに、上記第1の銀粒子(A1)の含有割合は5%以上60%以下である。
上記樹脂成分は、5%の重量が減少する熱分解温度(Td5)が300℃以上であり、かつ、重量平均分子量が30,000以上である、ポリイミド樹脂(B1)を含む。上記樹脂成分の全量を100質量%としたときに、上記ポリイミド樹脂(B1)の含有割合は50質量%以上100質量%以下である。
ここで、上記銀粒子を100質量部としたとき、上記樹脂成分は5質量部以上20質量部以下の割合で含まれる。
本明細書において「比表面積」とは、ガス吸着法によって測定された銀粒子のガス分子吸着等の特性を、BET法に基づき解析して得られる比表面積である。この比表面積は、JIS Z8830:2013(ISO 9277:2010)に規定されるガス吸着による粉体(固体)の比表面積測定方法に準じて測定することができる。
タップ密度が比較的小さく、比表面積と平均粒子径が上記範囲を満たす第1の銀粒子(A1)はペースト材料中で沈殿しにくい。導電性膜の表面における銀粒子の露出面積を増加することができる。これによって、当該表面上に、例えばメッキによって金属層を形成させやすくなり、導電性膜との接着性も顕著に向上し得る。また、第1の銀粒子(A1)の含有割合を所定範囲内とすることによって、銀ペーストに好適なレオロジー特性を実現することができる。
樹脂成分として上記ポリイミド樹脂(B1)を所定量含ませると、第1の銀粒子(A1)を含む構成であっても、銀ペーストのレオロジー特性を好適なものとすることができる。また、ポリイミド樹脂の使用により、高い耐熱性(例えば180℃以上300℃以下程度)を実現することができる。
タップ密度が相対的に大きい第2の銀粒子(A2)は、銀ペーストにおける好適なレオロジー特性の実現に寄与し得る。かかる第2の銀粒子(A2)を所定量含むことによって、好適な導体膜の形成が容易になり得る。
かかる構成によると、上記の効果に加えて、導電性膜の、より容易な形成が実現され得る。
かかる構成によると、銀ペーストに、より好ましいレオロジー特性を付与することができ、導電性膜のより容易な形成が実現され得る。また、導電性膜表面における銀粒子の露出を大きくすることができ、導電性膜と金属層との接着性を向上させることができる。
なお、本明細書において数値範囲を示す「A~B」の表記は、A以上B以下を意味し、Aを上回るもので、Bを下回るものを包含する。
ここで開示される導電性銀ペースト(以下、単に「銀ペースト」あるいは「ペースト」ということがある。)は、乾燥させることによって導電性粒子として銀粒子を含む導電性膜を形成することができる。ここで開示される銀ペーストは、銀粒子(A)と、樹脂成分(B)と、有機溶剤(C)と、を含んでいる。なお、本明細書において「ペースト」とは、組成物、インク、スラリー、サスペンション等を包含する用語である。以下、各成分について順に説明する。
銀粒子は、典型的には粉末の形態で用意される。銀粒子は、乾燥後に得られる導電性膜に電気伝導性を付与する成分である。
銀(Ag)は、金(Au)ほど高価ではなく、酸化され難くかつ導電性に優れるため好ましい。銀粒子は、銀を主成分としていれば、その組成は特に制限されず、所望の導電性やその他の物性を備える銀粒子を用いることができる。ここで主成分とは、銀粒子を構成する成分のうちの最大成分であることを意味する。銀粒子としては、例えば、銀および銀合金ならびにそれらの混合物または複合体等から構成されたものが一例として挙げられる。銀合金としては、例えば、銀-パラジウム(Ag-Pd)合金、銀-白金(Ag-Pt)合金、銀-銅(Ag-Cu)合金等が好ましい例として挙げられる。例えば、コアが銀以外の銅や銀合金等の金属から構成され、コアを覆うシェルが銀からなるコアシェル粒子等を用いることもできる。銀粒子は、その純度(含有量)が高いほど導電性が高くなる傾向があることから、純度の高いものを使用することが好ましい。銀粒子は、純度95%以上が好ましく、97%以上がより好ましく、99%以上が特に好ましい。ここに開示される技術によると、例えば、純度が99.5%程度以上(例えば99.8%程度以上)の銀粒子を使用することでも、好適な導電性膜を形成することが可能とされる。なお、かかる観点において、ここに開示される技術においては、例えば、純度99.99%以下(99.9%以下)の銀粒子を用いても、好適な導電性膜を形成することが可能である。
銀粒子を構成する粒子の性状、例えば粒子のサイズや形状等は、所望の導電性膜の断面における最小寸法(典型的には、導電性膜の厚みおよび/または幅)に収まる限りにおいて、特に限定されない。銀粒子の平均粒子径(レーザ回折式の粒度分布測定装置により求められる体積基準の粒度分布において、小粒子径側から累積50%に相当する粒子径。以下同じ。)は、概ね数10nm~数十μm程度、例えば0.1μm~10μmであるとよい。
なお、第1の銀粒子(A1)は下記に詳述される性質を有する銀粒子1種類のみで構成されてもよく、2以上の種類で構成されてもよい。
銀粒子のタップ密度が低いと、基材上に供給したときの銀粒子の配列が空隙の大きいものとなりやすく、充填性が高まり難くなる傾向がある。そのため、従来では、この種の銀ペーストを作製する際には、タップ密度が比較的高い銀粒子が用いられている。しかしながら、基材上では、このような銀粒子は銀ペースト中で沈澱する傾向があり、導電性膜と金属層との接着性を低下させる要因となり得た。
ここで開示される技術においては、銀粒子が真球でなくてもよく、表面に凸凹があってもよい。第1の銀粒子(A1)の比表面積は、1m2/g以上(例えば1.1m2/g以上)であることが好ましい。これにより、導電性膜表面における銀粒子の露出が増加する傾向がある。
第2の銀粒子(A2)は、銀ペーストのレオロジー特性を好適な状態に調整するための一成分であり得る。第2の銀粒子(A2)については、タップ密度および含有量が所定の範囲となるように定められている。
なお、第2の銀粒子(A2)は下記に詳述される性質を有する銀粒子1種類のみで構成されてもよく、2以上の種類で構成されてもよい。
一方、第2の銀粒子(A2)の比表面積は特に限定されず、例えば0.1m2/g以上6m2/g以下の範囲において適宜設定することができる。
第2の銀粒子(A2)の平均粒子径については特に限定されず、上記のような範囲から適宜設定すればよい。
樹脂成分は、ポリイミド樹脂を含む。
ポリイミド樹脂は、繰返し単位にイミド結合を含む高分子である。高分子とは、分子量が大きい(例えば、重量平均分子量が1000以上の)分子で、分子量が小さい(例えば、重量平均分子量が500以下の)分子から実質的または概念的に得られる単位(繰返し単位と同意)の多数回(例えば5回以上)の繰り返しで構成した構造を有する。ポリイミド樹脂は、典型的には、以下の式(1)で表される繰り返し単位構造を含む。ここで、式中のR,R’は独立して、任意の有機官能基、または酸素原子である。
上記任意の有機官能基は、特に限定されない。上記任意の有機官能基は、例えば、Siを含まないものであってよい。ここで開示される銀ペーストは、樹脂成分としてポリイミドシリコーン樹脂を含まなくてもよい。
熱硬化型ポリイミド樹脂は、まず酸無水物とジアミンとを出発原料としてポリアミック酸を得て、次いで該ポリアミック酸を加熱することによって脱水縮合反応を起こすことによって得られるポリイミド樹脂である。
溶剤可溶型ポリイミド樹脂は、典型的には、テトラカルボン酸二無水物とジイソシアナートを反応溶液中で反応させることによって得られるポリイミド樹脂である。溶剤可溶型ポリイミド樹脂は、有機溶媒(例えば下記の(C)有機溶剤に記載する種々の有機溶剤)に溶解可能であるため、比較的容易に取り扱うことができる。
熱分解温度は、例えば示差熱分析(Differential Thermal Analysis: DTA)により求めることができる。導電性膜に含まれるポリイミド樹脂(B1)として、熱分解温度(Td5)が300℃以上の樹脂を用いることにより、使用温度が180℃以上(約200℃以上、かつ、約350℃以下または約300℃以下)の電子部品の製造にも適用することが可能となる。
ポリイミド樹脂(B2)の種類は特に限定されず、熱硬化型ポリイミド樹脂であってもよく、溶剤可溶型ポリイミド樹脂であってもよい。ポリイミド樹脂(B2)のTd5の好適範囲は、ポリイミド樹脂(B1)のTd5の好適範囲と同様である。ポリイミド樹脂(B2)の重量平均分子量は必ずしも上記範囲を満たす必要はなく、上記範囲を満たさないポリイミド樹脂をポリイミド樹脂(B2)としてもよい。
シリコーン樹脂(B3)としては、ケイ素(Si)と酸素(O)とからなるシロキサン結合(Si-O-Si)による主骨格を有する高分子有機化合物のうち、分岐鎖を含む高分子有機化合物を用いることができる。すなわち、いわゆるシリコーンオイル、シリコーンラバー、シリコーンレジンと呼ばれるシロキサン化合物のうち、直鎖型のシリコーンオイルを除く、シリコーンラバーおよび/またはシリコーンレジンであってよい。シリコーンゴムは、分岐度(架橋度)が低く、室温(例えば25℃)でゴム弾性を有するエラストマーである。シリコーンレジンは、分岐度(架橋度)が高く、三次元ポリマー構造が発達している。シリコーンラバーとシリコーンレジンのうち、シリコーン樹脂(B3)としてはシリコーンレジンを用いることがより好ましい。シリコーン樹脂(B3)は、室温(例えば25℃)において、固体状であってもよいし、液体状であってもよい。
有機溶剤としては、上記のポリイミド樹脂を好適に溶解し得る溶剤を特に制限なく用いることができる。有機溶剤は、成膜時の作業性や保存安定性等の観点からは、沸点が概ね200℃以上、例えば200~300℃の高沸点有機溶剤を主成分(50体積%以上を占める成分。)とするとよい。有機溶剤の一好適例としては、ターピネオール、テキサノール、ジヒドロターピネオール、ベンジルアルコール等の、-OH基を有するアルコール系溶剤;エチレングリコール、ジエチレングリコール等の、グリコール系溶剤;ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ブチルカルビトール(ジエチレングリコールモノブチルエーテル)、トリエチレングリコールジメチルエーテル等の、グリコールエーテル系溶剤;イソボルニルアセテート、エチルジグリコールアセテート、ブチルグリコールアセテート、ブチルジグリコールアセテート、ブチルセロソルブアセテート、ブチルカルビトールアセテート(ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセタート)、γ-ブチロラクトン、安息香酸メチル等の、エステル結合基(R-C(=O)-O-R’)を有するエステル系溶剤;トルエン、キシレン等の炭化水素系溶剤;N-メチルピロリドン(NMP)等の非プロトン性極性溶媒、ミネラルスピリット等が挙げられる。なかでも、上記樹脂成分を好適に溶解するとの観点から、NMPやγ-ブチロラクトン等の有機溶剤を好ましく用いることができる。これらは1種を単独で用いてもよいし、2種以上を適宜混合して用いることができる。
ここで開示されるペーストは、上記(A)~(C)の成分のみで構成されていてもよく、上記(A)~(C)の成分に加えて、必要に応じて種々の添加成分を含んでいてもよい。添加成分としては、ここに開示される技術の効果を著しく損なわない限りにおいて、一般的な導電性ペーストに使用し得ることが知られているものを適宜用いることができる。
(1)耐熱性
ここで開示される銀ペーストは、耐熱性が向上されている。ここで開示される銀ペーストの耐熱性は、例えば下記実施例に記載のとおり、市販の熱重量測定装置を用いて試料の重量減少率(%)を測定し、この結果に基づいて評価することができる。
ここで開示される銀ペーストは、その乾燥膜を試料としたときに、重量減少率が0%以上30%未満であることが好ましい。
ここで開示される銀ペーストは、導電性膜の形成にとって好適なレオロジー特性を有している。ここで開示される銀ペーストのレオロジー特性を示す指標として、例えば当該銀ペーストの粘度が挙げられる。具体的な粘度の測定方法の一例としては、下記実施例に記載しているとおり、回転粘度計(ブルックフィールド粘度計)を用いた方法が挙げられる。
25℃の環境下において、回転粘度計を用いて回転速度1rpmで測定される銀ペーストの粘度V1(Pa・s)と、回転速度100rpmで測定される銀ペーストの粘度V2(Pa・s)の比(V1/V2)は、1以上18以下であることが好ましい。上記比(V1/V2)は、9以下であることがより好ましい。ここで開示される銀ペーストはこのようなレオロジー特性を実現するように調製されており、かかるレオロジー特性を有することによって、成膜時の作業性が向上されている。
上記のようなレオロジー特性を有する銀ペーストは、特に、導電性膜をディップ法によって形成する場合において好適である。ディップ法によって導電性膜を形成する場合、ペーストのレオロジー特性が適当でないと、例えばツノの発生等、フラットな導電性膜が形成されないことがある。
ここで開示される銀ペーストは、該銀ペーストを用いて形成した導電性膜と、金属層(典型的には、金属電極層、メッキ層)との接着性が向上されている。金属層との接着性は、例えば下記実施例に記載しているとおり、導電性膜の表面における樹脂浮き率(%)あるいは銀粒子の露出面積率(%)を測定することによって評価することができる。
基材の表面に銀ペーストを塗膜して熱処理を行うことによって得られた導電性膜の表面について、電界放出型走査電子顕微鏡(FE―SEM)を用いた観察(例えば倍率2,000倍)を行い、観察画像を取得する。当該観察画像における樹脂の面積率と銀粒子の面積率を算出する。そして、複数(例えば5以上、10以上、15以上、20以上、25以上、またはそれ以上)の観察画像を取得して上記面積率をそれぞれ算出し、その平均値を得る。当該平均値を樹脂浮き率(%)あるいは銀粒子の露出面積率(%)とする。
上記樹脂浮き率(%)は、70%以下(0%以上70%以下)であることが好ましく、50%以下であることがより好ましく、50%未満であることがさらに好ましい。換言すれば、銀粒子の露出面積率(%)は30%以上(例えば30%超)であることが好ましく、50%以上であることが好ましく、50%より大きいことがさらに好ましい。銀粒子の露出面積率(%)は、典型的には100%以下である。ここで開示される銀ペーストはこのような樹脂浮き率(%)あるいは銀粒子の露出面積率(%)を実現するように調製されており、かかる銀ペーストは、金属層との接着性が顕著に向上されている。
ここに開示される銀ペーストによれば、任意の基材上に耐熱性と接着性とに優れた導電性膜を形成することができる。この導電性膜は、乾燥によって硬化され、未焼成の状態で導電性膜を構成する。そのため、ここで開示されるペーストは、焼成などの温度変化に弱いセラミック電子部品の樹脂電極層等を形成するための銀ペースト等として好ましく用いることができる。その他、セラミック電子部品を基板実装する際に、半田に代わる接着のためのボンディング用導電性樹脂を形成するために用いることもできる。
第3の金属電極層38は、SnあるいはSn合金を主成分として含む。第3の金属電極層38は、第2の金属電極層36の表面をSnまたはSn合金でめっき処理することによって形成されている。第3の金属電極層38の厚みは、例えば、1~5μmである。
なお、かかる銀ペーストは、セラミック電子部品1(積層セラミック部品、MLCC)を基板2に実装する場合のボンディングペーストとしても利用できる。
下記実施例および比較例に係る銀ペーストを作製するための材料として、銀粒子と、樹脂成分と、有機溶剤とを準備した。
銀粒子としては、表1に示す7種類の銀粒子を用意した。なお、銀粒子のタップ密度、比表面積、平均粒子径(D50)は、下記の手順で測定した。
各銀粒子を20g(20.00±0.02g)ずつ秤量し、容量20mLのメスシリンダーに投入したのち、タッピング装置(セイシン企業社製、タップデンサーKYT-4000)によりタップした。タッピングの条件は、タップ高さ:5cm、タップ速度:120回/min、タップ回数:1000回とした。そしてタップ後の粉末体積を測定し、銀粒子の質量をタップ後の粉末体積(見かけ体積)で除することでタップ密度を算出した。なお、タップ密度の測定は、JIS Z2512:2012に規定される金属粉-タップ密度測定方法に準じて行った。
各銀粒子の比表面積を、自動比表面積・細孔分布測定装置((株)マウンテック製、Macsorb HM model-1210)を用いて測定した。吸着ガスとしては、窒素ガスを用いた。また、比表面積は、BET1点法により算出した。
[平均粒子径]
各銀粒子の平均粒子径を、レーザ回折・散乱式粒度分布測定装置(株式会社堀場製作所製、LA-920)を用いて測定した。平均粒子径は、粒度分布測定により得られた体積基準の粒度分布における累積50%粒子径とした。
「ポリイミド樹脂1」:溶剤可溶型フッ素含有ポリイミド樹脂(Td5:460℃、Mw:33,000)
「ポリイミド樹脂2」:溶剤可溶型ポリエーテルイミド樹脂(Td5:450℃、Mw:63,000)
「ポリイミド樹脂3」:熱硬化型ポリイミド樹脂(Td5:440℃、Mw:950)
「シリコーン樹脂」:付加硬化型シリコーンレジン(Mw:2500)
「ブチラール樹脂」:ブチラール樹脂(Mw:200,000)
溶剤としては、γ-ブチロラクトンを用意した。
表2に示す配合で、導電性粒子と、樹脂成分とを混合し、実施例1~12に係る銀ペーストをそれぞれ作製した。
比較例1~9
表2に示す配合で、導電性粒子と、樹脂成分とを混合し、比較例1~9に係る銀ペーストをそれぞれ作製した。
なお、実施例1~12および比較例1~9に係る銀ペーストの調製において、有機溶剤としてγ-ブチロラクトンを使用した。各例におけるγ-ブチロラクトンの使用量は、銀ペーストの粘度に合わせて調整した。
上記各実施例および比較例に係る銀ペーストの導電性膜と金属層との接着性を、導電性膜の表面における銀粒子の露出度に基づいて評価した。
具体的には、用意した各例の銀ペーストを、硬化後の膜厚(即ち、乾燥膜の膜厚)が30μm程度となるようにアプリケータで基材の表面に塗膜した。銀ペーストを塗膜した基材を、130℃で15分間乾燥させた。
次いで、実施例1~12および比較例1~8に係る銀ペーストを塗膜した基材については、180℃で30分間、次いで、280℃で45分間の熱処理を行い、銀ペーストを硬化させ、乾燥膜(硬化膜)を得た。比較例9に係る銀ペーストを塗膜した基材については、200℃で30分間の熱処理を行い、銀ペーストを硬化させ乾燥膜を得た。
このようして得られた硬化膜を、2cm×2cm程度に切り出し、FE-SEM観察を行った。観察条件は、加速電圧1kV、倍率2000倍であった。画像解析ソフトを用いて、観察画像における銀の露出面積、および銀の露出面積を除く部分の面積(樹脂部分の面積)をそれぞれ算出した。全体の面積を100%としたときの樹脂部分の面積率(%)を「樹脂浮き率(%)」として算出した。20視野のFE-SEM観察を行い、その平均値を得た。
「◎」:樹脂浮き率(%)が50%以下であった。
「〇」:樹脂浮き率(%)が50%より大きく、かつ、70%以下であった。
「△」:樹脂浮き率(%)が70%より大きく、かつ、80%以下であった。
「×」:樹脂浮き率(%)が80%より大きかった。
なお、「◎」と評価されたFE-SEM観察画像の例を図2に示す。「〇」と評価されたFE-SEM観察画像の例を図3に示す。「△」と評価されたFE-SEM観察画像の例を図4に示す。「×」と評価されたFE-SEM観察画像の例を図5に示す。
上記各実施例および比較例に係る銀ペーストのレオロジー特性を評価した。
具体的には、ブルックフィールド粘度計(ブルックフィールド社製、DV-III ULTRA スピンドルSC4-14)を用いて、各々の銀ペーストについて、25℃の環境下において、銀ペースト中で回転子を回転速度1rpmで回転させたときの粘度V1(mPa.s)および回転速度100rpmで回転させたときの粘度V2(mPa.s)を測定し、比(V1/V2)を算出した。
「◎」:比(V1/V2)が1以上9以下であった。
「〇」:比(V1/V2)が9より大きく、かつ、18以下であった。
「△」:比(V1/V2)が18より大きく、かつ、26以下であった。
「×」:比(V1/V2)が26より大きかった。
上記各実施例および比較例に係る銀ペーストを用いて作製した導電性膜(乾燥膜)の耐熱性を評価した。
具体的には、上記「接着性の評価」に記載の方法で各例に係る銀ペーストの乾燥膜を得た。熱重量測定装置(リガク社製品、TG-DTA/H)を用い、約15mgの該乾燥膜を試料として、300℃で2時間保持した時の重量減少率(%)を測定した。
「〇」:重量減少率が0%以上30%未満であった。
「△」:重量減少率が30%以上40%未満であった。
「×」:重量減少率が40%以上であった。
実施例1~12の銀ペーストを用いて得られる導電性膜は、例えば300℃まで加熱保持した時の重量減少率が30%未満と少なく、少なくとも300℃における耐熱性を備えることが確認された。実施例1~12の銀ペーストはレオロジー特性に優れていた。実施例1~12の銀ペーストを用いて作製した乾燥膜では、樹脂浮き率が減少しており、適度に銀粒子が露出していることがわかった。
銀ペーストに、タップ密度が3g/cm3以上の銀粒子(Ag4~Ag7)を含ませ、その含有割合を大きくしていくと、乾燥膜において好適な銀粒子の露出度を維持しつつ、銀ペーストのレオロジー特性を向上させることができるとわかった。
さらに、樹脂成分や銀粒子の組成を調製することで、導電性膜の接着性が向上することが確認された(実施例12)。
2 基板
3 配線
4 半田付け層
10 部品本体
20 内部電極
30 外部電極
32 第1の金属電極層
34 導電性膜
36 第2の金属電極層
38 第3の金属電極層
Claims (7)
- 銀粒子と、樹脂成分と、有機溶剤とを含む銀ペーストであって、
前記銀粒子は、タップ密度が3g/cm3未満であり、比表面積が1m2/g以上であり、かつ、平均粒子径が3μm以上である、第1の銀粒子(A1)を含み、
前記銀粒子の全量を100質量%としたときに、前記第1の銀粒子(A1)の含有割合は5%以上60%以下であり、
前記樹脂成分は、5%の重量が減少する熱分解温度(Td5)が300℃以上であり、かつ、重量平均分子量が30,000以上である、ポリイミド樹脂(B1)を含み、
前記ポリイミド樹脂(B1)は、溶剤可溶型ポリイミド樹脂であり、
前記樹脂成分の全量を100質量%としたときに、前記ポリイミド樹脂(B1)の含有割合は50質量%以上100質量%以下であり、
ここで、前記銀粒子を100質量部としたとき、前記樹脂成分は5質量部以上20質量部以下の割合で含まれる、銀ペースト。 - 銀粒子と、樹脂成分と、有機溶剤とを含む銀ペーストであって、
180℃以上300℃以下の環境下で使用されるものであり、
前記銀粒子は、タップ密度が3g/cm 3 未満であり、比表面積が1m 2 /g以上であり、かつ、平均粒子径が3μm以上である、第1の銀粒子(A1)を含み、
前記銀粒子の全量を100質量%としたときに、前記第1の銀粒子(A1)の含有割合は5%以上60%以下であり、
前記樹脂成分は、5%の重量が減少する熱分解温度(Td 5 )が300℃以上であり、かつ、重量平均分子量が30,000以上である、ポリイミド樹脂(B1)を含み、
前記樹脂成分の全量を100質量%としたときに、前記ポリイミド樹脂(B1)の含有割合は50質量%以上100質量%以下であり、
ここで、前記銀粒子を100質量部としたとき、前記樹脂成分は5質量部以上20質量部以下の割合で含まれる、銀ペースト。 - 前記銀粒子は、タップ密度が3g/cm3以上である第2の銀粒子(A2)を含み、
前記銀粒子の全量を100質量%としたときに、前記第2の銀粒子(A2)の含有割合は40質量%以上である、請求項1または2に記載の銀ペースト。 - 前記樹脂成分は、シリコーン樹脂を含む、請求項1~3のいずれか一項に記載の銀ペースト。
- セラミック電子部品の外部電極を形成するために用いられる、請求項1~4のいずれか一項に記載の銀ペースト。
- セラミック素地と前記セラミック素地内に配設された内部電極とを含む部品本体と、
前記部品本体の表面に備えられる外部電極と、
を備え、
前記外部電極は、請求項5に記載の銀ペーストの乾燥膜を少なくとも一部に含む、積層セラミック電子部品。 - セラミック素地と前記セラミック素地内に配設された内部電極とを含む部品本体と、
前記部品本体の表面に備えられる外部電極と、
を備え、
前記外部電極は、セラミック電子部品の外部電極を形成するために用いられる銀ペーストの乾燥膜を少なくとも一部に含み、
前記銀ペーストは、銀粒子と、樹脂成分と、有機溶剤とを含み、
前記銀粒子は、タップ密度が3g/cm 3 未満であり、比表面積が1m 2 /g以上であり、かつ、平均粒子径が3μm以上である、第1の銀粒子(A1)を含み、
前記銀粒子の全量を100質量%としたときに、前記第1の銀粒子(A1)の含有割合は5%以上60%以下であり、
前記樹脂成分は、5%の重量が減少する熱分解温度(Td 5 )が300℃以上であり、かつ、重量平均分子量が30,000以上である、ポリイミド樹脂(B1)を含み、
前記樹脂成分の全量を100質量%としたときに、前記ポリイミド樹脂(B1)の含有割合は50質量%以上100質量%以下であり、
ここで、前記銀粒子を100質量部としたとき、前記樹脂成分は5質量部以上20質量部以下の割合で含まれる、積層セラミック電子部品。
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