JP7455953B2 - 配線形成方法 - Google Patents
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Description
以下、本開示の好適な実施形態を、図面を参照しつつ詳細に説明する。図1に電子デバイス製造装置10を示す。電子デバイス製造装置10は、搬送装置20と、第1造形ユニット22と、第2造形ユニット24と、装着ユニット26と、第3造形ユニット29と、制御装置27(図2、図3参照)を備える。それら搬送装置20、第1造形ユニット22、第2造形ユニット24、装着ユニット26、第3造形ユニット29は、電子デバイス製造装置10のベース28の上に配置されている。ベース28は、平面視において概して長方形状をなしている。以下の説明では、ベース28の長手方向をX軸方向、ベース28の短手方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向の両方に直交する方向をZ軸方向と称して説明する。
本実施形態の電子デバイス製造装置10は、上記した構成によって、配線、接続端子及び電子部品を含んだ電子デバイスを造形物として製造する。以下の説明では、電子部品を実装した回路基板を電子デバイス(造形物)として製造する場合について説明する。尚、以下に説明する造形物の構造、製造手順等は、一例である。また、例えば、記憶装置124の制御プログラム126には、完成時の回路基板をスライスした各層の三次元のデータが設定されている。コントローラ120は、制御プログラム126のデータに基づいて第1造形ユニット22等を制御し、紫外線硬化樹脂等を吐出、硬化等させて、回路基板を形成する。
上記した説明では、本開示の金属部材として配線151を形成する場合について説明したが、金属部材は、配線151に限らない。例えば、金属部材として、外部の電子機器等と接続する外部電極を形成しても良い。図15は、外部電極173の形成工程を模式的に示しており、ビア穴155を平面視した状態を示している。図16は、図15に示すA-A線で切断した断面図である。図17は、図15のB-B線で切断した断面図である。尚、以下の説明では、上記した図4~図7に示す配線151,159の形成工程と同様の内容については、その説明を適宜省略する。
本実施形態の配線151,159の形成工程では、図4に示すように、導電性インクによって複数の配線151を形成する。次に、図5に示すように、上面153Aと、上面153Aから下方に傾斜する傾斜面157を有する樹脂層153を形成する。次に、図6に示すように、導電性インクによって複数の配線159を傾斜面157及び樹脂層153の上面153Aに形成する。また、複数の配線159の各々を複数の配線151の各々に傾斜面157の下方で接続させる。
例えば、上記実施例では、1層の配線151,159を形成する場合について説明したが、複数の樹脂層153を重ねて複数層の配線151,159を、ビア穴155を介して接続しても良い。
また、1つのビア穴155に対して、配線151と外部電極173を混ぜて形成しても良い。また、本開示の配線形成方法では、配線151だけを形成しても良く、あるいは外部電極173だけを形成しても良い。
また、樹脂層153は、電子部品163を実装しない基板でも良い。
また、電子部品163の複数の部品端子165の一部に、ビア穴155から引き出した配線159を接続し、他の部品端子165については、図9に示すような1つのビア穴155から1つの配線159だけを引き出して接続しても良い。
また、上記実施例では、紫外線の照射により硬化する紫外線硬化樹脂が採用されているが、熱により硬化する熱硬化樹脂等の種々の硬化性樹脂を採用することが可能である。
また、配線151,159、バンプ167、外部電極173に使用する金属粒子を含む流体の種類は特に限定されない。例えば、外部電極173に導電性インクを使用しても良く、配線151,159に導電性ペーストを使用しても良い。
また、本開示における3次元積層造形の方法としては、インクジェット方式や光造形法(SL:Stereo Lithography)に限らず、例えば、熱溶解積層法(FDM:Fused Deposition Molding)などの他の方法を採用できる。
Claims (3)
- 3次元積層造形により、金属粒子を含む流体によって複数の下層配線を形成する下層配線形成工程と、
上面と、前記上面から下方に傾斜する傾斜面を有する樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
3次元積層造形により、前記流体によって複数の接続配線を前記傾斜面及び前記樹脂層の前記上面に形成し、且つ複数の前記接続配線の各々を複数の前記下層配線の各々に前記傾斜面の下方で接続させるように前記接続配線を形成する接続配線形成工程と、
を含み、
前記樹脂層形成工程において、
前記下層配線形成工程で形成された前記下層配線の一端側の上部が露出するように、前記樹脂層を貫通し、前記傾斜面を内壁に有するビア穴を前記樹脂層に形成し、
前記接続配線形成工程において、
前記接続配線は、前記樹脂層形成工程において露出された前記下層配線の前記一端側の上部に接続され、
さらに、前記樹脂層形成工程において形成された前記樹脂層の前記上面から前記傾斜面を介して下方に下がった後、前記ビア穴の底部を通り、前記傾斜面を介して前記樹脂層の別の位置の前記上面に戻ってくる折り返し配線を、前記流体によって形成し、
前記ビア穴は、
穴径が一方向に長い穴で形成され、
複数の前記下層配線、複数の前記接続配線、及び前記折り返し配線は、
前記ビア穴の長手方向に並んで配置される、配線形成方法。 - 前記折り返し配線は、
前記樹脂層の前記上面から前記傾斜面を介して下方に下がった後、前記下層配線に接続されることなく、前記ビア穴の底部を通り、前記傾斜面を介して前記樹脂層の別の位置の前記上面に戻り、
複数の前記下層配線は、
互いに平行に配置され、
複数の前記接続配線及び前記折り返し配線は、
互いに平行に配置され、
前記下層配線、前記下層配線に接続される前記接続配線、及び前記折り返し配線は、
一方向に沿って配置される、請求項1に記載の配線形成方法。 - 前記樹脂層は、
前記上面に電子部品が配置される基板であり、
前記電子部品は、
一方向に並ぶ複数の部品端子を有し、
前記ビア穴は、
複数の前記部品端子が並ぶ方向に長い穴で形成され、
複数の前記接続配線及び前記折り返し配線は、
複数の前記部品端子の各々に接続される、請求項1又は請求項2に記載の配線形成方法。
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