JP7453435B2 - 薬液、キット、パターン形成方法、薬液の製造方法及び薬液収容体 - Google Patents
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- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims description 445
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 177
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 63
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title description 92
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 204
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 134
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 134
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 133
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 108
- -1 organic acid ester Chemical class 0.000 claims description 69
- 150000002894 organic compounds Chemical group 0.000 claims description 69
- 229940079593 drug Drugs 0.000 claims description 66
- 239000003814 drug Substances 0.000 claims description 66
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 55
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 48
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims description 44
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 44
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 38
- XUPYJHCZDLZNFP-UHFFFAOYSA-N butyl butanoate Chemical group CCCCOC(=O)CCC XUPYJHCZDLZNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 claims description 29
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 28
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 claims description 27
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 26
- 239000003957 anion exchange resin Substances 0.000 claims description 25
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 25
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 20
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N undecane Chemical group CCCCCCCCCCC RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000003729 cation exchange resin Substances 0.000 claims description 19
- VAMFXQBUQXONLZ-UHFFFAOYSA-N icos-1-ene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCC=C VAMFXQBUQXONLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N isoamyl acetate Chemical compound CC(C)CCOC(C)=O MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 18
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 claims description 16
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical group COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 15
- RXGUIWHIADMCFC-UHFFFAOYSA-N 2-Methylpropyl 2-methylpropionate Chemical group CC(C)COC(=O)C(C)C RXGUIWHIADMCFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical group CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims description 13
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000013522 chelant Substances 0.000 claims description 12
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N ethylcyclohexane Chemical group CCC1CCCCC1 IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- XAOGXQMKWQFZEM-UHFFFAOYSA-N isoamyl propanoate Chemical group CCC(=O)OCCC(C)C XAOGXQMKWQFZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- SJWFXCIHNDVPSH-UHFFFAOYSA-N octan-2-ol Chemical compound CCCCCCC(C)O SJWFXCIHNDVPSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 12
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 claims description 10
- 229940117955 isoamyl acetate Drugs 0.000 claims description 9
- WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-pentanol Chemical compound CC(C)CC(C)O WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- BEPAFCGSDWSTEL-UHFFFAOYSA-N dimethyl malonate Chemical compound COC(=O)CC(=O)OC BEPAFCGSDWSTEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- DLHQZZUEERVIGQ-UHFFFAOYSA-N 3,7-dimethyl-3-octanol Chemical group CCC(C)(O)CCCC(C)C DLHQZZUEERVIGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LOMVENUNSWAXEN-UHFFFAOYSA-N Methyl oxalate Chemical compound COC(=O)C(=O)OC LOMVENUNSWAXEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001408 amides Chemical group 0.000 claims description 6
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Chemical group CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 6
- CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N methyl pyruvate Chemical compound COC(=O)C(C)=O CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- TWSRVQVEYJNFKQ-UHFFFAOYSA-N pentyl propanoate Chemical group CCCCCOC(=O)CC TWSRVQVEYJNFKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical class OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000000565 sulfonamide group Chemical group 0.000 claims description 5
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N urethane group Chemical group NC(=O)OCC JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000003949 imides Chemical group 0.000 claims description 4
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N urea group Chemical group NC(=O)N XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000005541 phosphonamide group Chemical group 0.000 claims description 3
- 150000002148 esters Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000003021 phthalic acid derivatives Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 418
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 143
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 143
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 107
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 102
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 96
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 78
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 78
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 62
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 57
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 56
- 239000000047 product Substances 0.000 description 56
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 55
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 50
- 230000008569 process Effects 0.000 description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 description 44
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 44
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 42
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 36
- 150000002596 lactones Chemical group 0.000 description 36
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 31
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 30
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 25
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 25
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 22
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 22
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 21
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 20
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 19
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 19
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 18
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 18
- 239000002585 base Substances 0.000 description 17
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 17
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 17
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 17
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 16
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 16
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 16
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 15
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 15
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 15
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 15
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 14
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 230000009471 action Effects 0.000 description 13
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 13
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 12
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 12
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 11
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 11
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 11
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 11
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 11
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 11
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 11
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 10
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 10
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 10
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 9
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 9
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 9
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 9
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 9
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 9
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 8
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 8
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 8
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical group [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 7
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 7
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 7
- 229920001429 chelating resin Polymers 0.000 description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 7
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 7
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 7
- 239000012264 purified product Substances 0.000 description 7
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N Lactic Acid Natural products CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004813 Perfluoroalkoxy alkane Substances 0.000 description 6
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 6
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 6
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 6
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 6
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 6
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920011301 perfluoro alkoxyl alkane Polymers 0.000 description 6
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 6
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 6
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical compound C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 5
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 5
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 5
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 5
- 229940023913 cation exchange resins Drugs 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 5
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 5
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 5
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 5
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 5
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IPRJXAGUEGOFGG-UHFFFAOYSA-N N-butylbenzenesulfonamide Chemical compound CCCCNS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 IPRJXAGUEGOFGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZFOZVQLOBQUTQQ-UHFFFAOYSA-N Tributyl citrate Chemical compound CCCCOC(=O)CC(O)(C(=O)OCCCC)CC(=O)OCCCC ZFOZVQLOBQUTQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004699 Ultra-high molecular weight polyethylene Substances 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M acrylate group Chemical group C(C=C)(=O)[O-] NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 150000004292 cyclic ethers Chemical group 0.000 description 4
- 150000003997 cyclic ketones Chemical group 0.000 description 4
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N diethyl phthalate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MGWAVDBGNNKXQV-UHFFFAOYSA-N diisobutyl phthalate Chemical compound CC(C)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(C)C MGWAVDBGNNKXQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 4
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 4
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 4
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 4
- 125000002868 norbornyl group Chemical group C12(CCC(CC1)C2)* 0.000 description 4
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000785 ultra high molecular weight polyethylene Polymers 0.000 description 4
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XMKLTEGSALONPH-UHFFFAOYSA-N 1,2,4,5-tetrazinane-3,6-dione Chemical compound O=C1NNC(=O)NN1 XMKLTEGSALONPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N Di-n-octyl phthalate Natural products CCCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical class CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002292 Nylon 6 Polymers 0.000 description 3
- 229920002302 Nylon 6,6 Polymers 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 3
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 3
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- HBGGXOJOCNVPFY-UHFFFAOYSA-N diisononyl phthalate Chemical compound CC(C)CCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCC(C)C HBGGXOJOCNVPFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 3
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004029 hydroxymethyl group Chemical group [H]OC([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 3
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical class OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 3
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 3
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- FMEBJQQRPGHVOR-UHFFFAOYSA-N (1-ethylcyclopentyl) 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC1(CC)CCCC1 FMEBJQQRPGHVOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NMRPBPVERJPACX-UHFFFAOYSA-N (3S)-octan-3-ol Natural products CCCCCC(O)CC NMRPBPVERJPACX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JAMNSIXSLVPNLC-UHFFFAOYSA-N (4-ethenylphenyl) acetate Chemical compound CC(=O)OC1=CC=C(C=C)C=C1 JAMNSIXSLVPNLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical group CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WOFPPJOZXUTRAU-UHFFFAOYSA-N 2-Ethyl-1-hexanol Natural products CCCCC(O)CCC WOFPPJOZXUTRAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CUEJHYHGUMAGBP-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(1h-indol-5-yl)phenyl]acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC=C1C1=CC=C(NC=C2)C2=C1 CUEJHYHGUMAGBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-ol Chemical compound CCCCC(CC)CO YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenol Chemical group OC=CC1=CC=CC=C1 XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SIXWIUJQBBANGK-UHFFFAOYSA-N 4-(4-fluorophenyl)-1h-pyrazol-5-amine Chemical compound N1N=CC(C=2C=CC(F)=CC=2)=C1N SIXWIUJQBBANGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QZCLKYGREBVARF-UHFFFAOYSA-N Acetyl tributyl citrate Chemical compound CCCCOC(=O)CC(C(=O)OCCCC)(OC(C)=O)CC(=O)OCCCC QZCLKYGREBVARF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical group [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KCXZNSGUUQJJTR-UHFFFAOYSA-N Di-n-hexyl phthalate Chemical compound CCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCC KCXZNSGUUQJJTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PYGXAGIECVVIOZ-UHFFFAOYSA-N Dibutyl decanedioate Chemical compound CCCCOC(=O)CCCCCCCCC(=O)OCCCC PYGXAGIECVVIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZVFDTKUVRCTHQE-UHFFFAOYSA-N Diisodecyl phthalate Chemical compound CC(C)CCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC(C)C ZVFDTKUVRCTHQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002656 Distearyl thiodipropionate Substances 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical group C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical group [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical group [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical group [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical group [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YSMRWXYRXBRSND-UHFFFAOYSA-N TOTP Chemical compound CC1=CC=CC=C1OP(=O)(OC=1C(=CC=CC=1)C)OC1=CC=CC=C1C YSMRWXYRXBRSND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DOOTYTYQINUNNV-UHFFFAOYSA-N Triethyl citrate Chemical compound CCOC(=O)CC(O)(C(=O)OCC)CC(=O)OCC DOOTYTYQINUNNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 239000007877 V-601 Substances 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical group [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical group [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003172 aldehyde group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O ammonium group Chemical group [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- 238000005349 anion exchange Methods 0.000 description 2
- 125000004653 anthracenylene group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 2
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 2
- RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N benzarone Chemical compound CCC=1OC2=CC=CC=C2C=1C(=O)C1=CC=C(O)C=C1 RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 2
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 2
- SAOKZLXYCUGLFA-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) adipate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)CCCCC(=O)OCC(CC)CCCC SAOKZLXYCUGLFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZFMQKOWCDKKBIF-UHFFFAOYSA-N bis(3,5-difluorophenyl)phosphane Chemical compound FC1=CC(F)=CC(PC=2C=C(F)C=C(F)C=2)=C1 ZFMQKOWCDKKBIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MPQAQJSAYDDROO-VMAIWCPRSA-N bis[(1r,3r,4s,5r)-4,6,6-trimethyl-3-bicyclo[3.1.1]heptanyl]boron Chemical compound C([C@H]([C@@H]1C)[B][C@@H]2C[C@@H]3C[C@@H](C3(C)C)[C@H]2C)[C@H]2C(C)(C)[C@@H]1C2 MPQAQJSAYDDROO-VMAIWCPRSA-N 0.000 description 2
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 2
- 235000010354 butylated hydroxytoluene Nutrition 0.000 description 2
- 125000001951 carbamoylamino group Chemical group C(N)(=O)N* 0.000 description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000005341 cation exchange Methods 0.000 description 2
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 2
- 230000004087 circulation Effects 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 2
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- JBSLOWBPDRZSMB-FPLPWBNLSA-N dibutyl (z)-but-2-enedioate Chemical compound CCCCOC(=O)\C=C/C(=O)OCCCC JBSLOWBPDRZSMB-FPLPWBNLSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OEIWPNWSDYFMIL-UHFFFAOYSA-N dioctyl benzene-1,4-dicarboxylate Chemical compound CCCCCCCCOC(=O)C1=CC=C(C(=O)OCCCCCCCC)C=C1 OEIWPNWSDYFMIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- PWWSSIYVTQUJQQ-UHFFFAOYSA-N distearyl thiodipropionate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOC(=O)CCSCCC(=O)OCCCCCCCCCCCCCCCCCC PWWSSIYVTQUJQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019305 distearyl thiodipropionate Nutrition 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000001523 electrospinning Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 2
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000012065 filter cake Substances 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 238000002290 gas chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 238000010559 graft polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-N heptanoic acid Chemical compound CCCCCCC(O)=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 2
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 2
- NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N iminodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CNCC(O)=O NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-N isocaproic acid Chemical compound CC(C)CCC(O)=O FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Natural products C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UOBSVARXACCLLH-UHFFFAOYSA-N monomethyl adipate Chemical compound COC(=O)CCCCC(O)=O UOBSVARXACCLLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHRXPBUFQGUINE-UHFFFAOYSA-N n-(2-hydroxypropyl)benzenesulfonamide Chemical compound CC(O)CNS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 DHRXPBUFQGUINE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N norbornane Chemical group C1C[C@H]2CC[C@@H]1C2 UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 2
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N pimelic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCC(O)=O WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 238000012552 review Methods 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000007614 solvation Methods 0.000 description 2
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical compound OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000101 thioether group Chemical group 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005628 tolylene group Chemical group 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- STCOOQWBFONSKY-UHFFFAOYSA-N tributyl phosphate Chemical compound CCCCOP(=O)(OCCCC)OCCCC STCOOQWBFONSKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WEAPVABOECTMGR-UHFFFAOYSA-N triethyl 2-acetyloxypropane-1,2,3-tricarboxylate Chemical compound CCOC(=O)CC(C(=O)OCC)(OC(C)=O)CC(=O)OCC WEAPVABOECTMGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001069 triethyl citrate Substances 0.000 description 2
- VMYFZRTXGLUXMZ-UHFFFAOYSA-N triethyl citrate Natural products CCOC(=O)C(O)(C(=O)OCC)C(=O)OCC VMYFZRTXGLUXMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000013769 triethyl citrate Nutrition 0.000 description 2
- TUUQISRYLMFKOG-UHFFFAOYSA-N trihexyl 2-acetyloxypropane-1,2,3-tricarboxylate Chemical compound CCCCCCOC(=O)CC(C(=O)OCCCCCC)(OC(C)=O)CC(=O)OCCCCCC TUUQISRYLMFKOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005591 trimellitate group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- APVVRLGIFCYZHJ-UHFFFAOYSA-N trioctyl 2-hydroxypropane-1,2,3-tricarboxylate Chemical compound CCCCCCCCOC(=O)CC(O)(C(=O)OCCCCCCCC)CC(=O)OCCCCCCCC APVVRLGIFCYZHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M (2r)-2-ethylhexanoate Chemical compound CCCC[C@@H](CC)C([O-])=O OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M 0.000 description 1
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- LGAQJENWWYGFSN-PLNGDYQASA-N (z)-4-methylpent-2-ene Chemical compound C\C=C/C(C)C LGAQJENWWYGFSN-PLNGDYQASA-N 0.000 description 1
- RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N -2,3-Dihydroxypropanoic acid Natural products OCC(O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-ol Chemical group FC(F)(F)C(O)C(F)(F)F BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEVRKKOYEFPFMN-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,3,3,3-hexafluoroprop-1-ene;1,1,2,2-tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F.FC(F)=C(F)C(F)(F)F PEVRKKOYEFPFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGUHFDPGDQDVGX-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-thiadiazole Chemical group C1=CSN=N1 UGUHFDPGDQDVGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OLAQBFHDYFMSAJ-UHFFFAOYSA-L 1,2-bis(7-methyloctyl)cyclohexane-1,2-dicarboxylate Chemical compound CC(C)CCCCCCC1(C([O-])=O)CCCCC1(CCCCCCC(C)C)C([O-])=O OLAQBFHDYFMSAJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxolane Chemical compound C1COCO1 WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBYHSSAVUBIJMK-UHFFFAOYSA-N 1,4-oxathiane Chemical compound C1CSCCO1 JBYHSSAVUBIJMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 1-benzofuran Chemical group C1=CC=C2OC=CC2=C1 IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DFUYAWQUODQGFF-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane Chemical compound CCOC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F DFUYAWQUODQGFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AACILMLPSLEQMF-UHFFFAOYSA-N 2,2-dichloroethenyl 2-ethylsulfinylethyl methyl phosphate Chemical compound CCS(=O)CCOP(=O)(OC)OC=C(Cl)Cl AACILMLPSLEQMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPSPIUSUWPLVKD-UHFFFAOYSA-N 2,3-dibutyl-6-methylphenol Chemical compound CCCCC1=CC=C(C)C(O)=C1CCCC SPSPIUSUWPLVKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUVCFHHAEHNCFT-INIZCTEOSA-N 2-[(1s)-1-[4-amino-3-(3-fluoro-4-propan-2-yloxyphenyl)pyrazolo[3,4-d]pyrimidin-1-yl]ethyl]-6-fluoro-3-(3-fluorophenyl)chromen-4-one Chemical compound C1=C(F)C(OC(C)C)=CC=C1C(C1=C(N)N=CN=C11)=NN1[C@@H](C)C1=C(C=2C=C(F)C=CC=2)C(=O)C2=CC(F)=CC=C2O1 IUVCFHHAEHNCFT-INIZCTEOSA-N 0.000 description 1
- DLKDEVCJRCPTLN-UHFFFAOYSA-N 2-butylisoindole-1,3-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)N(CCCC)C(=O)C2=C1 DLKDEVCJRCPTLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXXSZECYGWVEBO-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-4-hexylisoindole-1,3-dione Chemical compound CCCCCCC1=CC=CC2=C1C(=O)N(CC)C2=O AXXSZECYGWVEBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLAMNBDJUVNPJU-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutyric acid Chemical compound CCC(C)C(O)=O WLAMNBDJUVNPJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CVKMFSAVYPAZTQ-UHFFFAOYSA-N 2-methylhexanoic acid Chemical compound CCCCC(C)C(O)=O CVKMFSAVYPAZTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPLDXHDOGVIETL-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-ylisoindole-1,3-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)N(C(C)C)C(=O)C2=C1 VPLDXHDOGVIETL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFANXOISJYKQRP-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-4-[1-(5-tert-butyl-4-hydroxy-2-methylphenyl)butyl]-5-methylphenol Chemical compound C=1C(C(C)(C)C)=C(O)C=C(C)C=1C(CCC)C1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C=C1C PFANXOISJYKQRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPNYZBKIGXGYNU-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-6-[(3-tert-butyl-5-ethyl-2-hydroxyphenyl)methyl]-4-ethylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(CC)=CC(CC=2C(=C(C=C(CC)C=2)C(C)(C)C)O)=C1O GPNYZBKIGXGYNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MLMQPDHYNJCQAO-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethylbutyric acid Chemical compound CC(C)(C)CC(O)=O MLMQPDHYNJCQAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 3-propoxypropan-1-ol Chemical compound CCCOCCCO LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLDMPODMCFGWAA-UHFFFAOYSA-N 3a,4,5,6,7,7a-hexahydroisoindole-1,3-dione Chemical compound C1CCCC2C(=O)NC(=O)C21 WLDMPODMCFGWAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWPICVVBGZBXNA-BGYRXZFFSA-N Bis(2-ethylhexyl) terephthalate Natural products CCCC[C@H](CC)COC(=O)C1=CC=C(C(=O)OC[C@H](CC)CCCC)C=C1 RWPICVVBGZBXNA-BGYRXZFFSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005653 Brownian motion process Effects 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical compound NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100033635 Collectrin Human genes 0.000 description 1
- RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N D-glyceric acid Chemical compound OC[C@@H](O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQZGPSLYZOOYQP-UHFFFAOYSA-N Diisoamyl ether Chemical compound CC(C)CCOCCC(C)C AQZGPSLYZOOYQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001780 ECTFE Polymers 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000181 Ethylene propylene rubber Polymers 0.000 description 1
- DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N Etidronic acid Chemical compound OP(=O)(O)C(O)(C)P(O)(O)=O DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000033962 Fontaine progeroid syndrome Diseases 0.000 description 1
- 101000945075 Homo sapiens Collectrin Proteins 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005909 Kieselgur Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000792 Monel Inorganic materials 0.000 description 1
- JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N N-(2-hydroxyethyl)iminodiacetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CC(O)=O JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBBZMMPHUWSWHV-BDVNFPICSA-N N-methylglucamine Chemical compound CNC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO MBBZMMPHUWSWHV-BDVNFPICSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N Nonanedioid acid Natural products OC(=O)CCCCCCCC(O)=O BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZTPOMIFAFKKSK-UHFFFAOYSA-N O-phosphonohydroxylamine Chemical compound NOP(O)(O)=O JZTPOMIFAFKKSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Co] Chemical compound [Cr].[Co] WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N [Nitrilotris(methylene)]trisphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYXHVKAPLIVOAH-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxocopper oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[O-2].[Zn+2].[Cu]=O JYXHVKAPLIVOAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000963 austenitic stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical group N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- RWPICVVBGZBXNA-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) benzene-1,4-dicarboxylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=C(C(=O)OCC(CC)CCCC)C=C1 RWPICVVBGZBXNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYFOJKCBVRPKFI-UHFFFAOYSA-N bis(2-nonylphenyl) hydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1OP(O)(=O)OC1=CC=CC=C1CCCCCCCCC CYFOJKCBVRPKFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTYUOIVEVPTXFX-UHFFFAOYSA-N bis(2-propylheptyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound CCCCCC(CCC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CCC)CCCCC MTYUOIVEVPTXFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HORIEOQXBKUKGQ-UHFFFAOYSA-N bis(7-methyloctyl) cyclohexane-1,2-dicarboxylate Chemical compound CC(C)CCCCCCOC(=O)C1CCCCC1C(=O)OCCCCCCC(C)C HORIEOQXBKUKGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005537 brownian motion Methods 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001733 carboxylic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- SFZULDYEOVSIKM-UHFFFAOYSA-N chembl321317 Chemical group C1=CC(C(=N)NO)=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C(=N)NO)O1 SFZULDYEOVSIKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N cycloheptanone Chemical compound O=C1CCCCCC1 CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940099371 diacetylated monoglycerides Drugs 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- UCVPKAZCQPRWAY-UHFFFAOYSA-N dibenzyl benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)OCC=2C=CC=CC=2)C=1C(=O)OCC1=CC=CC=C1 UCVPKAZCQPRWAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTXUVYOABGUBMX-UHFFFAOYSA-N didodecyl hydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOP(O)(=O)OCCCCCCCCCCCC JTXUVYOABGUBMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004806 diisononylester Substances 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- FRXGWNKDEMTFPL-UHFFFAOYSA-N dioctadecyl hydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOP(O)(=O)OCCCCCCCCCCCCCCCCCC FRXGWNKDEMTFPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTDKEJXHILZNPP-UHFFFAOYSA-N dioctyl hydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCOP(O)(=O)OCCCCCCCC HTDKEJXHILZNPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N edtmp Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- UAUDZVJPLUQNMU-KTKRTIGZSA-N erucamide Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCCCCC(N)=O UAUDZVJPLUQNMU-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M ethanesulfonate Chemical compound CCS([O-])(=O)=O CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N fluoroethene Chemical compound FC=C XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 239000011491 glass wool Substances 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 108010021519 haematoporphyrin-bovine serum albumin conjugate Proteins 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEEPBTVZSYQUDP-UHFFFAOYSA-N heptatriacontanediamide Chemical compound NC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O FEEPBTVZSYQUDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 1
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229940072395 n-butylphthalimide Drugs 0.000 description 1
- NATWUQFQFMZVMT-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-2-methylbenzenesulfonamide Chemical compound CCNS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1C NATWUQFQFMZVMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHPZPBNDOVQJMH-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-4-methylbenzenesulfonamide Chemical compound CCNS(=O)(=O)C1=CC=C(C)C=C1 OHPZPBNDOVQJMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006574 non-aromatic ring group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- LYRFLYHAGKPMFH-UHFFFAOYSA-N octadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O LYRFLYHAGKPMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- FATBGEAMYMYZAF-KTKRTIGZSA-N oleamide Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(N)=O FATBGEAMYMYZAF-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005328 phosphinyl group Chemical group [PH2](=O)* 0.000 description 1
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 description 1
- PTMHPRAIXMAOOB-UHFFFAOYSA-N phosphoramidic acid Chemical compound NP(O)(O)=O PTMHPRAIXMAOOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 150000003022 phthalic acids Chemical class 0.000 description 1
- XKJCHHZQLQNZHY-UHFFFAOYSA-N phthalimide Chemical compound C1=CC=C2C(=O)NC(=O)C2=C1 XKJCHHZQLQNZHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical group N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOKSLPVRUOBDEW-UHFFFAOYSA-N pinane of uncertain configuration Natural products CC1CCC2C(C)(C)C1C2 XOKSLPVRUOBDEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000011045 prefiltration Methods 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000005266 side chain polymer Substances 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 235000012424 soybean oil Nutrition 0.000 description 1
- 239000003549 soybean oil Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 1
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940124530 sulfonamide Drugs 0.000 description 1
- 150000003456 sulfonamides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000008053 sultones Chemical group 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea group Chemical group NC(=S)N UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UAXOELSVPTZZQG-UHFFFAOYSA-N tiglic acid Natural products CC(C)=C(C)C(O)=O UAXOELSVPTZZQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N triflic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMMPRZCMKXDUNE-UHFFFAOYSA-N trihexyl 2-hydroxypropane-1,2,3-tricarboxylate Chemical compound CCCCCCOC(=O)CC(O)(C(=O)OCCCCCC)CC(=O)OCCCCCC AMMPRZCMKXDUNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical group CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 235000015112 vegetable and seed oil Nutrition 0.000 description 1
- 239000008158 vegetable oil Substances 0.000 description 1
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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Description
例えば、特許文献1には、蒸留方法等を工夫して、酸成分及びアルカリ金属の含有量を低減させたエステル系溶剤を得る方法が開示されている。また、特許文献2には、蒸留及び陰イオン交換樹脂等の処理によって、硫酸の含有量を低減させた酢酸ブチルの製造方法が開示されている。
本発明者らが、特許文献1及び2に記載されたような方法を参考にして薬液を製造し、これを容器に収容した薬液収容体の形態で長期間保存した後、薬液収容体から薬液を取り出して、半導体デバイスの製造工程に適用したところ、基材(例えばウェハ)に欠陥が発生する場合があることを明らかとした。
すなわち、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
有機溶剤と、酸成分と、金属成分と、を含有する薬液であって、
上記酸成分の含有量が、上記薬液の全質量に対して、1質量ppt以上15質量ppm以下であり、
上記金属成分の含有量が、上記薬液の全質量に対して、0.001~100質量pptである、薬液。
[2]
上記金属成分の含有量に対する、上記酸成分の含有量の質量割合が、10-2~106である、[1]に記載の薬液。
[3]
上記酸成分が有機酸を含み、
上記有機酸の含有量が、上記薬液の全質量に対して、1質量ppm以下である、[1]または[2]に記載の薬液。
[4]
上記有機酸のうち、上記有機溶剤の沸点以上の有機酸の含有量が、上記有機酸の全質量に対して、20質量%以下である、[3]に記載の薬液。
[5]
上記酸成分が無機酸を含み、
上記無機酸の含有量が、上記薬液の全質量に対して、1質量ppb以下である、[1]~[4]のいずれかに記載の薬液。
[6]
上記金属成分が、金属原子を含有する金属含有粒子を含み、
上記金属含有粒子の含有量が、上記薬液の全質量に対して、0.00001~10質量pptである、[1]~[5]のいずれかに記載の薬液。
[7]
上記金属含有粒子のうち、粒子径が0.5~17nmの金属ナノ粒子の、上記薬液の単位体積あたりの含有粒子数が1.0×10-2~1.0×106個/cm3である、[6]に記載の薬液。
[8]
上記金属成分が、金属イオンを含み、
上記金属イオンの含有量が、上記薬液の全質量に対して、0.01~100質量pptである、[1]~[7]のいずれかに記載の薬液。
[9]
上記金属成分が、金属含有粒子と、金属イオンと、を含み、
上記金属イオンの含有量に対する、上記金属含有粒子の含有量の質量割合が、0.00001~1である、[1]~[8]のいずれかに記載の薬液。
[10]
更に、水を含有し、
上記水の含有量が、上記薬液の全質量に対して、1質量ppm以下である、[1]~[9]のいずれかに記載の薬液。
[11]
更に、アミド構造を有する化合物、スルホンアミド構造を有する化合物、ホスホンアミド構造を有する化合物、イミド構造を有する化合物、ウレア構造を有する化合物、ウレタン構造を有する化合物、及び、有機酸エステルからなる群より選択される少なくとも1種の有機化合物を含有し、
上記有機化合物の含有量が、上記薬液の全質量に対して、1質量ppm以下である、[1]~[10]のいずれかに記載の薬液。
[12]
上記有機化合物が、沸点が300℃以上の有機化合物である、[11]に記載の薬液。
[13]
上記有機酸エステルが、フタル酸エステル及びクエン酸エステルからなる群より選択される少なくとも1種を含む、[11]又は[12]に記載の薬液。
[14]
上記有機溶剤のうち、沸点が250℃以下の有機溶剤の含有量が、上記有機溶剤の全質量に対して、90質量%以上である、[1]~[13]のいずれかに記載の薬液。
[15]
上記有機溶剤のSP値が21以下である、[1]~[14]のいずれかに記載の薬液。
[16]
上記有機溶剤がエステル構造を有する、[1]~[15]のいずれかに記載の薬液。
[17]
上記有機溶剤が酢酸ブチルを含み、かつ、上記酸成分が酢酸を含み、
上記酢酸の含有量が、上記薬液の全質量に対して、0.01~15質量ppmである、[1]~[16]のいずれかに記載の薬液。
[18]
上記有機溶剤が酢酸ブチルを含み、かつ、上記酸成分がn-ブタン酸を含み、
上記n-ブタン酸の含有量が、上記薬液の全質量に対して、1質量ppt以上1質量ppm以下である、[1]~[17]のいずれかに記載の薬液。
[19]
[17]または[18]に記載の薬液である薬液Xと、
有機溶剤を含有する薬液である薬液Yと、を備え、
上記薬液Yに含まれる上記有機溶剤が、酪酸ブチル、イソ酪酸イソブチル、プロピオン酸ペンチル、プロピオン酸イソペンチル、エチルシクロヘキサン、メシチレン、デカン、ウンデカン、3,7-ジメチル-3-オクタノール、2-エチル-1-ヘキサノール、1-オクタノール、2-オクタノール、アセト酢酸エチル、マロン酸ジメチル、ピルビン酸メチル、及び、シュウ酸ジメチルからなる群から選択される少なくとも1種の有機溶剤Yを含む、キット。
[20]
上記薬液Xが現像液であり、上記薬液Yがリンス液である、[20]に記載のキット。
[21]
上記有機溶剤Yが、エイコセンに対するハンセン溶解度パラメータの距離が3~20MPa0.5である有機溶剤Y1を含み、
上記有機溶剤Y1の含有量が、上記薬液Yの全質量に対して、20~80質量%である、[19]又は[20]に記載のキット。
[22]
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
上記レジスト膜を露光する露光工程と、
露光された前記レジスト膜を、[17]または[18]に記載の薬液である薬液Xを用いて現像する現像工程と、
上記現像工程の後に、有機溶剤を含有する薬液Yを用いて洗浄するリンス工程と、を有し、
上記薬液Yに含まれる前記有機溶剤が、酪酸ブチル、イソ酪酸イソブチル、プロピオン酸ペンチル、プロピオン酸イソペンチル、エチルシクロヘキサン、メシチレン、デカン、ウンデカン、3,7-ジメチル-3-オクタノール、2-エチル-1-ヘキサノール、1-オクタノール、2-オクタノール、アセト酢酸エチル、マロン酸ジメチル、ピルビン酸メチル、及び、シュウ酸ジメチルからなる群から選択される少なくとも1種の有機溶剤Yを含む、パターン形成方法。
[23]
上記有機溶剤Yが、エイコセンに対するハンセン溶解度パラメータの距離が3~20MPa0.5である有機溶剤Y1を含み、
上記有機溶剤Y1の含有量が、上記薬液Yの全質量に対して、20~80質量%である、[22]に記載のパターン形成方法。
[24]
有機溶剤を含有する被精製物を精製して[1]~[18]のいずれかに記載の薬液を得る薬液の製造方法であって、
上記被精製物をろ過するろ過工程、上記被精製物にイオン交換法又はキレート基によるイオン吸着を施すイオン除去工程、及び、上記被精製物を蒸留する蒸留工程を含む、薬液の製造方法。
[25]
上記イオン交換法において、陽イオン交換樹脂を使用する、[24]に記載の薬液の製造方法。
[26]
上記イオン交換法において、陽イオン交換樹脂及び陰イオン交換樹脂を使用する、[24]に記載の薬液の製造方法。
[27]
容器と、上記容器内に収容された[1]~[18]のいずれかに記載の薬液と、を有する、薬液収容体。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施形態に基づいてなされる場合があるが、本発明はそのような実施形態に限定されるものではない。
なお、本明細書において、「~」を用いて表される数値範囲は、「~」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
また、本発明において、「ppm」は「parts-per-million(10-6)」を意味し、「ppb」は「parts-per-billion(10-9)」を意味し、「ppt」は「parts-per-trillion(10-12)」を意味し、「ppq」は「parts-per-quadrillion(10-15)」を意味する。
また、本発明における基(原子群)の表記において、置換及び無置換を記していない表記は、本発明の効果を損ねない範囲で、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「炭化水素基」とは、置換基を有さない炭化水素基(無置換炭化水素基)のみならず、置換基を有する炭化水素基(置換炭化水素基)をも包含するものである。このことは、各化合物についても同義である。
また、本発明における「放射線」とは、例えば、遠紫外線、極紫外線(EUV;Extreme ultraviolet)、X線、又は、電子線等を意味する。また、本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味する。本発明中における「露光」とは、特に断らない限り、遠紫外線、X線又はEUV等による露光のみならず、電子線又はイオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。
また、本発明における「沸点」は、標準沸点を意味する。
本発明の薬液(以下、「本薬液」ともいう。)は、有機溶剤と、酸成分と、金属成分と、を含有する薬液である。
また、本薬液において、上記酸成分の含有量が、本薬液の全質量に対して、1質量ppt以上15質量ppm以下である。
また、本薬液において、上記金属成分の含有量が、本薬液の全質量に対して、0.001~100質量pptである。
本薬液により上記課題が解決される機序は必ずしも明確ではないが、本発明者らはその機序について以下のとおり推測する。なお、以下の機序は推測であり、異なる機序により本発明の効果が得られる場合であっても本発明の範囲に含まれる。
金属イオンが薬液中の酸成分(特に、有機酸)と錯体を形成した場合、および/または、金属イオンと酸成分との相互作用によって1個以上の金属イオンと1個以上の酸成分とが複合構造体を形成した場合、錯体または複合構造体と基板(例えば、ウェハ)表面との間における相互作用が増大する傾向にある。その結果、錯体および複合構造体は、薬液中の溶媒和よりも基板表面への付着の方が安定化するので、薬液をウェハの処理に使用した後において、ウェハ表面の残留物として残存しやすくなるという問題がある。
また、上記錯体および複合構造体がウェハ表面に残存している場合、ウェハをドライエッチングする際に、上記錯体および複合構造体がエッチングマスクとして作用して、ドライエッチング後にコーン状欠陥(円錐状の欠陥)として、サイズが増大した状態でウェハ表面に残存するという問題がある。
ここで、従来のウェハ表面の欠陥検査方法の1つとして、薬液をウェハ上にコーティングした後に、ウェハ表面に残存する欠陥数を測定する方法が挙げられる。しかしながら、近年における欠陥検査の精度向上に伴って、従来方法では検出できなかった欠陥がコーン状欠陥として増幅された形で検出可能になっている。つまり、従来では検出されなかった微小なサイズの付着物が、欠陥として検出されるという問題がある。
このような問題に対して、薬液に対する酸成分及び金属成分の含有量を上記の上限値以下にすることで、薬液収容体を長期間保存した場合であっても、錯体および複合構造体の形成を抑制できたと推測される。その結果、長期間保存した場合の薬液の欠陥抑制性能が優れたものになったと考えられる。
薬液中には、微量の塩基性不純物が含まれる場合がある。塩基性不純物は、環境から移行(いわゆるコンタミネーション)したアミン成分、可塑剤の分解物、薬液収容体の容器を構成する樹脂の合成時における不純物等が挙げられる。
塩基性不純物が薬液中に微量含まれていると、薬液中に存在する微量の水分とともに、薬液収容体の容器の接液面を構成する樹脂部材の分解反応を少しずつ進行させてしまう場合がある。樹脂部材の分解による接液面の劣化によって、樹脂部材の分解物、および、樹脂部材の製造過程で樹脂部材内部に含まれる金属成分等が薬液中に溶出して、これが薬液中に経時的に蓄積されることで、薬液を容器に長期間保存した場合に欠陥が検出されやすくなると考えられる。
このような問題に対して、薬液中の酸成分の含有量が上記下限値以上であれば、塩基性不純物に起因する容器の接液面を構成する材料の分解反応の抑制できると想定される。これにより、薬液を容器に長期間保存した場合の欠陥発生を抑制できたと推定される。
本薬液は有機溶剤を含有する。本薬液中における有機溶剤の含有量としては特に制限されないが、一般に本薬液の全質量に対して、98.0質量%以上が好ましく、99.0質量%以上がより好ましく、99.9質量%以上が更に好ましく、99.99質量%以上が特に好ましい。上限は特に制限されないが、100質量%未満の場合が多い。
有機溶剤は1種を単独で用いても、2種以上を併用してもよい。2種以上の有機溶剤を併用する場合には、合計含有量が上記範囲内である。
なお、本明細書において液状とは、25℃、大気圧下において、液体であることを意味する。
また、有機溶剤としては、例えば、特開2016-57614号公報、特開2014-219664号公報、特開2016-138219号公報、及び、特開2015-135379号公報に記載のものを用いてもよい。
なお、有機溶剤は1種を単独で用いても、2種以上を併用してもよい。
なお、薬液中における有機溶剤の種類及び含有量は、ガスクロマトグラフ質量分析計を用いて測定できる。
エステル構造を有する有機溶剤の具体例としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、酢酸アルキルエステル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトンが挙げられ、本発明の効果がより発揮される点から、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、乳酸エチル(EL)、酢酸ブチル(nBA)及び酢酸イソアミル(iAA)からなる群より選択される少なくとも1種が好ましい。
有機溶剤のSP値が小さい系(疎水的な系)では、有機溶剤における溶媒和の作用が小さくなるため、相対的に酸成分(特に有機酸)と金属成分との相互作用が高くなり、錯体の形成による欠陥が生じやすいという問題がある。この問題に対して、酸成分(特に有機酸)の含有量を低減させた本薬液を使用すれば、錯体の形成を抑制できるので、SP値が小さい有機溶剤を使用しても、欠陥抑制性能の効果が充分に発現する。
有機溶剤のSP値の下限値は、本発明の効果がより発揮される点から、14.5以上が好ましく、15.0以上がより好ましい。
SP値は、「Properties of Polymers、第二版、1976出版」に記載のFedors法を用いて計算されたものである。なお、SP値の単位は特に記載が無い限りはMPa1/2である。
沸点が250℃以下の有機溶剤の含有量は、本発明の効果がより発揮される点から、有機溶剤の全質量に対して、90質量%以上が好ましく、95質量%以上がより好ましく、99質量%以上が更に好ましく、100質量%が特に好ましい。
有機溶剤の沸点は、250℃以下が好ましく、170℃以下がより好ましい。
ここで、有機溶剤の沸点が170℃以上である場合、基板上に塗布した薬液の乾燥速度は低下するが、スピン塗布での液膜の乾燥前に、金属成分及び酸成分等により形成される粒子が溶剤とともに基板の外に飛ばされて、除去しやすくなる。一方で、有機溶剤の沸点が170℃以下である場合、粒子が基板に残留しやすくなるという問題がある。この問題に対して、本薬液を使用すれば、粒子の形成を抑制できるので、沸点が低い有機溶剤を使用しても、欠陥抑制性能の効果が充分に発現する。
したがって、沸点が170℃以下であり、かつ、上述のSP値が21以下の有機溶剤(例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸ブチル及び酢酸イソアミル)を使用する場合であっても、本薬液を使用すれば、欠陥抑制性能の効果が充分に発揮される。
なお、有機溶剤の沸点の下限値は、特に限定されないが、80℃以上が好ましく、90℃以上がより好ましい。
本薬液は、酸成分を含有する。
酸成分は、薬液の製造工程において意図的に添加されてもよいし、もともと被精製物に含有されていてもよいし、又は、薬液の製造過程において、薬液の製造装置等から移行(いわゆるコンタミネーション)したものであってもよい。
酸成分の含有量は、特に限定されず、pHが所望の範囲内になるように適宜設定すればよい。
酸成分は1種を単独で用いても、2種以上を併用してもよい。2種以上の酸成分を含有する場合には、合計含有量が上記範囲内である。
有機酸としては、有機カルボン酸、有機スルホン酸、有機リン酸及び有機ホスホン酸等が挙げられ、有機カルボン酸が好ましい。
有機カルボン酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、n-ブタン酸、ペンタン酸、乳酸、アジピン酸、マレイン酸、フマル酸、2-メチル酪酸、n-ヘキサン酸、3,3-ジメチル酪酸、2-エチル酪酸、4-メチルペンタン酸、n-ヘプタン酸、2-メチルヘキサン酸、n-オクタン酸、2-エチルヘキサン酸、安息香酸、グリコール酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、ピメリン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸、イミノ二酢酸等が挙げられる。
有機スルホン酸としては、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、及び、p-トルエンスルホン酸等が挙げられる。
有機リン酸としては、モノ又はジオクチルリン酸、モノ又はジドデシルリン酸、モノ又はジオクタデシルリン酸、及び、モノ又はジ-(ノニルフェニル)リン酸等が挙げられる。
有機ホスホン酸としては、1-ヒドロキシエタン-1,1-ジホスホン酸、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)等が挙げられる。
有機酸のpKaの下限値は、本発明の効果がより発揮される点から、-11以上が好ましく、-9以上がより好ましい。
ここで、pKa(酸解離定数)とは、水溶液中でのpKaを意味し、例えば、化学便覧(II)(改訂4版、1993年、日本化学会編、丸善株式会社)に記載のものであり、この値が低いほど酸強度が大きいことを示している。水溶液中でのpKaは、具体的には、無限希釈水溶液を用い、25℃での酸解離定数を測定することにより実測することができ、また、下記ソフトウェアパッケージ1を用いて、ハメットの置換基定数及び公知文献値のデータベースに基づいた値を、計算により求めることもできる。本明細書中に記載したpKaの値は、全て、このソフトウェアパッケージを用いて計算により求めた値を示している。
(ソフトウェアパッケージ1)Advanced Chemistry Development (ACD/Labs) Software V8.14 for Solaris (1994-2007 ACD/Labs)
有機酸の沸点の下限値は、特に限定されないが、100℃以上が好ましく、110℃以上がより好ましい。
酸成分が有機酸を含む場合、有機酸の含有量の下限値は、本発明の効果がより発揮される点から、本薬液の全質量に対して、5質量ppt以上が好ましく、10質量ppt以上がより好ましい。
有機酸は1種を単独で用いても、2種以上を併用してもよい。2種以上の有機酸を含有する場合には、合計含有量が上記範囲内であるのが好ましい。
有機溶剤の沸点以上の有機酸の含有量の下限は、本発明の効果がより発揮される点から、有機酸の全質量に対して、0質量%以上が好ましく、0.01質量%以上がより好ましい。
無機酸としては、ホウ酸、硝酸、塩酸、硫酸及びリン酸が挙げられる。
酸成分が無機酸を含む場合、無機酸の含有量は、欠陥抑制性能がより優れる点から、本薬液の全質量に対して、120質量ppb以下が好ましく、1質量ppb以下がより好ましく、0.6質量ppb以下が特に好ましい。
無機酸の含有量の下限値は、本発明の効果がより発揮される点から、本薬液の全質量に対して、0質量ppb以上が好ましく、0.001質量ppb以上がより好ましい。
本薬液は、金属成分を含有する。金属成分としては、金属含有粒子及び金属イオンが挙げられ、例えば、金属成分の含有量という場合、金属含有粒子及び金属イオンの合計含有量を意味する。
薬液の製造方法の好適形態は後述するが、一般に薬液は、既に説明した溶剤と、有機化合物とを含有する被精製物を精製して製造できる。金属成分は、薬液の製造工程において意図的に添加されてもよいし、もともと被精製物に含有されていてもよいし、又は、薬液の製造過程において、薬液の製造装置等から移行(いわゆるコンタミネーション)したものであってもよい。
金属成分の含有量は、後述のICP-MS法によって測定される。
本薬液は、金属原子を含有する金属含有粒子を含有してもよい。
金属原子としては特に制限されないが、Pb(鉛)原子、Na(ナトリウム)原子、K(カリウム)原子、Ca(カルシウム)原子、Fe(鉄)原子、Cu(銅)原子、Mg(マグネシウム)原子、Mn(マンガン)原子、Li(リチウム)原子、Al(アルミニウム)原子、Cr(クロム)原子、Ni(ニッケル)原子、Ti(チタン)原子、Zn(亜鉛)原子、及び、Zr(ジルコニウム)原子が挙げられる。なかでも、Fe原子、Al原子、Cr原子、Ni原子、Pb原子、Zn原子、及び、Ti原子等が好ましい。
特に、Fe原子、Al原子、Pb原子、Zn原子、及び、Ti原子を含有する金属含有粒子の薬液中の含有量を厳密に制御すると、より優れた欠陥抑制性能が得られやすく、Pb原子、及び、Ti原子を含有する金属含有粒子の薬液中における含有量を厳密に制御すると、更に優れた欠陥抑制性能が得られやすい。
すなわち、金属原子としては、Fe原子、Al原子、Cr原子、Ni原子、Pb原子、Zn原子、及び、Ti原子等からなる群より選択される少なくとも1種が好ましく、Fe原子、Al原子、Pb原子、Zn原子、及び、Ti原子からなる群より選択される少なくとも1種がより好ましく、Pb原子、及び、Ti原子からなる群より選択される少なくとも1種が更に好ましく、金属含有粒子は、Pb原子、及び、Ti原子のいずれをも含有するのが特に好ましい。
なお、金属含有粒子は、上記金属原子を、1種を単独で含有しても、2種以上を併せて含有してもよい。
なかでも本発明者らの検討によれば、特にEUV(極紫外線)露光のフォトレジストプロセスに適用される薬液においては、その粒子径が、0.5~17nmの金属含有粒子(以下、「金属ナノ粒子」ともいう。)の薬液中における含有量を制御することにより、優れた欠陥抑制性能を有する薬液が得られやすいことがわかった。EUV露光のフォトレジストプロセスにおいては、微細なレジスト間隔、レジスト幅、及び、レジストピッチが求められる場合が多い。このような場合、従来のプロセスではあまり問題とならなかった、より微細な粒子をその個数単位で制御することが求められるのである。
言い換えれば、粒子径が5~17nmの範囲には極大値を有しないのが好ましい。粒子径が5~17nmの範囲には極大値を有さないことにより、薬液はより優れた欠陥抑制性能、特に、より優れたブリッジ欠陥抑制性能を有する。ここで、ブリッジ欠陥とは、配線パターン同士の架橋様の不良を意味する。
また、更に優れた本発明の効果を有する薬液が得られる点で、個数基準の粒子径分布において、粒子径が0.5nm以上、5nm未満の範囲に極大値を有するのが特に好ましい。上記により、薬液は更に優れたブリッジ欠陥抑制性能を有する。
ここで、SP-ICP-MS法とは、通常のICP-MS法(誘導結合プラズマ質量分析法)と同様の装置を使用し、データ分析のみが異なる。SP-ICP-MS法のデータ分析は、市販のソフトウェアにより実施できる。
一方、SP-ICP-MS法では、金属含有粒子の含有量が測定できる。したがって、試料中の金属成分の含有量から、金属含有粒子の含有量を引くと、試料中の金属イオンの含有量が算出できる。
SP-ICP-MS法の装置としては、例えば、アジレントテクノロジー社製、Agilent 8800 トリプル四重極ICP-MS(inductively coupled plasma mass spectrometry、半導体分析用、オプション#200)が挙げられ、実施例に記載した方法により測定できる。上記以外の他の装置としては、PerkinElmer社製 NexION350Sのほか、アジレントテクノロジー社製、Agilent 8900も使用できる。
金属ナノ粒子は、金属含有粒子のうち、その粒子径が0.5~17nmのものをいう。
薬液の単位体積あたりの金属ナノ粒子の含有粒子数は、1.0×10-2~1.0×106個/cm3が好ましく、本発明の効果がより発揮される点から、1.0×10-1個/cm3以上が好ましく、5.0×10-1個/cm3以上がより好ましく、1.0×105個/cm3以下が好ましく、1.0×104個/cm3以下がより好ましく、1.0×103個/cm3以下が更に好ましい。
特に、薬液の単位体積あたりの金属ナノ粒子の含有粒子数が、5.0×10-1~1.0×103個/cm3であると、薬液はより優れた欠陥抑制性能を有する。
なお、薬液中における金属ナノ粒子の含有量は、実施例に記載した方法により測定でき、金属ナノ粒子の薬液の単位体積あたりの粒子数(個数)は、有効数字が2桁となるように四捨五入して求める。
Pbナノ粒子とTiナノ粒子は、例えば、薬液をウェハ上に塗布した際等に会合しやすく、レジスト膜の現像の際に欠陥の原因(特にブリッジ欠陥の原因)になりやすいことを、本発明者らは知見している。
Pb/Tiが1.0×10-3~2.0であると、驚くべきことに、欠陥の発生がより抑制されやすい。なお、本明細書においてPb/Ti及び後述するA/(B+C)は有効数字が2桁となるように四捨五入して求める。
なお、薬液の単位体積あたりの、金属ナノ粒子の含有粒子数における、粒子Aの含有粒子数、粒子Bの含有粒子数、及び、粒子Cの含有粒子数の関係としては特に制限されないが、より優れた本発明の効果を有する薬液が得られる点で、粒子Bの含有粒子数と粒子Cの含有粒子数との合計に対する、粒子Aの含有粒子数の含有粒子数比(以下、「A/(B+C)」ともいう。)が、1.5以下が好ましく、1.0未満がより好ましく、2.0×10-1以下が更に好ましく、1.0×10-1以下が特に好ましく、1.0×10-3以上が好ましく、1.0×10-2以上がより好ましい。
A/(B+C)が1.0未満であると、薬液は、より優れたブリッジ欠陥抑制性能、より優れたパターン幅の均一性能、及び、シミ状欠陥抑制性能を有する。なお、シミ状欠陥とは、金属原子が検出されなかった欠陥を意味する。
また、A/(B+C)が0.1以下であると、薬液は、より優れた欠陥抑制性能を有する。
本薬液は、金属イオンを含有してもよい。
金属イオンとしては、Pb(鉛)、Na(ナトリウム)、K(カリウム)、Ca(カルシウム)、Fe(鉄)、Cu(銅)、Mg(マグネシウム)、Mn(マンガン)、Li(リチウム)、Al(アルミニウム)、Cr(クロム)、Ni(ニッケル)、Ti(チタン)、Zn(亜鉛)、及び、Zr(ジルコニウム)などの金属原子のイオンが挙げられる。
薬液中の金属イオンの含有量は、上述の通り、ICP-MS法で測定した薬液中の金属成分の含有量から、SP-ICP-MS法で測定した金属含有粒子の含有量を引くことで求められる。
薬液は、上記以外の他の成分を含有してもよい。他の成分としては、例えば、有機溶剤以外の有機化合物(特に、沸点が300℃以上の有機化合物)、水、及び、樹脂等が挙げられる。
薬液は、有機溶剤以外の有機化合物(以下、「特定有機化合物」ともいう。)を含有してもよい。本明細書において、特定有機化合物とは、薬液に含有される有機溶剤とは異なる化合物であって、本薬液の全質量に対して、10000質量ppm以下の含有量で含有される有機化合物を意味する。つまり、本明細書においては、本薬液の全質量に対して10000質量ppm以下の含有量で含有される有機化合物は、特定有機化合物に該当し、有機溶剤には該当しないものとする。
なお、複数種の特定有機化合物が薬液に含有される場合であって、各特定有機化合物が上述した10000質量ppm以下の含有量で含有される場合には、それぞれが特定有機化合物に該当する。
上記副生成物等としては、例えば、下記の式I~Vで表される化合物等が挙げられる。
上記アルキル基は、鎖中にエーテル結合を有していてもよく、ヒドロキシ基等の置換基を有していてもよい。
なお、R8、R9及びLは、式Vで表される化合物の炭素数が8以上となる関係を満たす。
特に制限されないが、有機溶剤が、アミド化合物、イミド化合物及びスルホキシド化合物である場合は、一形態において、炭素数が6以上のアミド化合物、イミド化合物及びスルホキシド化合物が挙げられる。また、特定有機化合物としては、例えば、下記化合物も挙げられる。
これらの特定有機化合物は、精製工程で触れるフィルター、配管、タンク、O-ring、及び、容器等から被精製物又は薬液へと混入するものと推定される。特に、アルキルオレフィン以外の化合物は、ブリッジ欠陥の発生に関連する。
本薬液は、特定有機化合物のうち、以下の特定の極性構造を有する有機化合物を含有してもよい。特定の極性構造を有する有機化合物は、アミド構造を有する化合物、スルホンアミド構造を有する化合物、ホスホンアミド構造を有する化合物、イミド構造を有する化合物、ウレア構造を有する化合物、ウレタン構造を有する化合物、及び、有機酸エステルからなる群より選択される少なくとも1種の有機化合物を含むのが好ましい。
スルホンアミド構造を有する化合物としては、N-エチル-o-トルエンスルホンアミド、N-エチル-p-トルエンスルホンアミド、N-(2-ヒドロキシプロピル)ベンゼンスルホンアミド、N-ブチルベンゼンスルホンアミド等が挙げられる。
イミド構造を有する化合物としては、フタルイミド(366℃)、ヘキサヒドロフタルイミド、N-2-エチルヘキシルフタルイミド、N-ブチルフタルイミド、N-イソプロピルフタルイミド等が挙げられる。
ウレア構造を有する化合物としては、脂肪族ジウレア、脂環族ジウレア、芳香族ジウレアが挙げられる。
有機酸エステルとしては、本発明の効果がより発揮される点から、フタル酸ジオクチル(沸点385℃)、フタル酸ジイソノニル(沸点403℃)、及び、フタル酸ジブチル(沸点340℃)等のフタル酸エステル、ならびに、テレフタル酸ビス(2-エチルヘキシル)(沸点416℃/101.3kPa)、からなる群より選択される少なくとも1種を含むのが好ましい。
特定の極性構造を有する有機化合物の含有量の下限値は、本発明の効果がより発揮される点から、本薬液の全質量に対して、0.0001質量ppm以上が好ましく、0.001質量ppm以上がより好ましい。
本薬液は、上記特定の極性構造を有する有機化合物のうち、沸点が300℃以上の有機化合物(以下、「高沸点有機化合物」ともいう。)を含有してもよい。本薬液が高沸点有機化合物を含有する場合、沸点が高く、フォトリソグラフィのプロセス中には揮発し難い。そのため、優れた欠陥抑制性能を有する薬液を得るためには、高沸点有機化合物の薬液中における含有量、及び、存在形態等を厳密に管理するのが好ましい。
高沸点有機化合物の含有量の下限値は、本発明の効果がより発揮される点から、本薬液の全質量に対して、0.0001質量ppm以上が好ましく、0.001質量ppm以上がより好ましい。
この理由は必ずしも明らかではないが、粒子Uは、極性構造を有する有機化合物または高沸点有機化合物を含有しない金属ナノ粒子(粒子V)と比較して、相対的に表面自由エネルギーが小さくなりやすい。このような粒子Uは、薬液で処理した基板上に残存しにくく、また、残存したとしても、再度薬液に接触した際に、除去されやすい。例えば、薬液を現像液及びリンス液として用いるような場合には、現像時には、基板上に粒子Uがより残存しにくく、更に、リンス等により除去されやすい。すなわち、結果として、高沸点有機化合物、及び、金属原子を含有する粒子の両方がより除去されやすくなる。
また、一般にレジスト膜は、撥水的であることが多いため、表面エネルギーがより低い粒子Uは基板上に残りにくいと推測される。
本薬液は、水を含有してもよい。水としては特に制限されず、例えば、蒸留水、イオン交換水、及び、純水等が挙げられる。
水は、薬液中に添加されてもよいし、薬液の製造工程において意図せずに薬液中に混合されるものであってもよい。薬液の製造工程において意図せずに混合される場合としては、例えば、水が、薬液の製造に用いる原料(例えば、有機溶剤)に含有されている場合、及び、薬液の製造工程で混合する(例えば、コンタミネーション)等が挙げられるが、上記に制限されない。
本薬液中における水の含有量は、カールフィッシャー水分測定法を測定原理とする装置を用いて、測定される水分含有量を意味する。
本薬液は、樹脂を含有してもよい。樹脂としては、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する樹脂Pがより好ましい。上記樹脂としては、酸の作用により有機溶剤を主成分とする現像液に対する溶解性が減少する樹脂である、後述する式(AI)で表される繰り返し単位を有する樹脂がより好ましい。後述する式(AI)で表される繰り返し単位を有する樹脂は、酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる基(以下、「酸分解性基」ともいう)を有する。
極性基としては、アルカリ可溶性基が挙げられる。アルカリ可溶性基としては、例えば、カルボキシ基、フッ素化アルコール基(好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基)、フェノール性水酸基、及びスルホ基が挙げられる。
樹脂Pは、式(AI)で表される繰り返し単位を含有することが好ましい。
Xa1は、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
Tは、単結合又は2価の連結基を表す。
Ra1~Ra3は、それぞれ独立に、アルキル基(直鎖状又は分岐鎖状)又はシクロアルキル基(単環又は多環)を表す。
Ra1~Ra3の2つが結合して、シクロアルキル基(単環又は多環)を形成してもよい。
Xa1は、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基が好ましい。
Tは、単結合又は-COO-Rt-基が好ましい。Rtは、炭素数1~5のアルキレン基が好ましく、-CH2-基、-(CH2)2-基、又は、-(CH2)3-基がより好ましい。
Ra1~Ra3の2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、若しくはシクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、又は、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、若しくはアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5~6の単環のシクロアルキル基がより好ましい。
また、樹脂Pは、ラクトン構造を有する繰り返し単位Qを含有することが好ましい。
ラクトン構造を有する繰り返し単位Qは、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用していてもよいが、1種単独で用いることが好ましい。
ラクトン構造を有する繰り返し単位Qの含有量は、樹脂P中の全繰り返し単位に対して、3~80モル%が好ましく、3~60モル%がより好ましい。
ラクトン構造としては、下記式(LC1-1)~(LC1-17)のいずれかで表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を有することが好ましい。ラクトン構造としては式(LC1-1)、式(LC1-4)、式(LC1-5)、又は式(LC1-8)で表されるラクトン構造が好ましく、式(LC1-4)で表されるラクトン構造がより好ましい。
また、樹脂Pは、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位を含有していてもよい。
フェノール性水酸基を有する繰り返し単位としては、例えば、下記一般式(I)で表される繰り返し単位が挙げられる。
R41、R42及びR43は、各々独立に、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。但し、R42はAr4と結合して環を形成していてもよく、その場合のR42は単結合又はアルキレン基を表す。
L4は、単結合又はアルキレン基を表す。
Ar4は、(n+1)価の芳香環基を表し、R42と結合して環を形成する場合には(n+2)価の芳香環基を表す。
nは、1~5の整数を表す。
(n+1)価の芳香環基は、更に置換基を有していてもよい。
樹脂Pは、極性基を有する有機基を含有する繰り返し単位、特に、極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位を更に含有していてもよい。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。
極性基で置換された脂環炭化水素構造の脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基又はノルボルナン基が好ましい。極性基としては、水酸基又はシアノ基が好ましい。
樹脂Pは、下記一般式(VI)で表される繰り返し単位を含有していてもよい。
R61、R62及びR63は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基を表す。但し、R62はAr6と結合して環を形成していてもよく、その場合のR62は単結合又はアルキレン基を表す。
X6は、単結合、-COO-、又は-CONR64-を表す。R64は、水素原子又はアルキル基を表す。
L6は、単結合又はアルキレン基を表す。
Ar6は、(n+1)価の芳香環基を表し、R62と結合して環を形成する場合には(n+2)価の芳香環基を表す。
Y2は、n≧2の場合には各々独立に、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、Y2の少なくとも1つは、酸の作用により脱離する基を表す。
nは、1~4の整数を表す。
Mは、単結合又は2価の連結基を表す。
Qは、アルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいシクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいアリール基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基又はアルデヒド基を表す。
Q、M、L1の少なくとも2つが結合して環(好ましくは、5員若しくは6員環)を形成してもよい。
Ar3は、芳香環基を表す。
R3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アシル基又はヘテロ環基を表す。
M3は、単結合又は2価の連結基を表す。
Q3は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はヘテロ環基を表す。
Q3、M3及びR3の少なくとも二つが結合して環を形成してもよい。
樹脂Pは、更に、側鎖に珪素原子を有する繰り返し単位を含有していてもよい。側鎖に珪素原子を有する繰り返し単位としては、例えば、珪素原子を有する(メタ)アクリレート系繰り返し単位、及び、珪素原子を有するビニル系繰り返し単位などが挙げられる。側鎖に珪素原子を有する繰り返し単位は、典型的には、側鎖に珪素原子を有する基を有する繰り返し単位であり、珪素原子を有する基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリシクロヘキシルシリル基、トリストリメチルシロキシシリル基、トリストリメチルシリルシリル基、メチルビストリメチルシリルシリル基、メチルビストリメチルシロキシシリル基、ジメチルトリメチルシリルシリル基、ジメチルトリメチルシロキシシリル基、及び、下記のような環状若しくは直鎖状ポリシロキサン、又はカゴ型あるいははしご型若しくはランダム型シルセスキオキサン構造などが挙げられる。式中、R、及び、R1は各々独立に、1価の置換基を表す。*は、結合手を表す。
また、本薬液中において、樹脂Pは、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。
本薬液は、半導体デバイスの製造に用いられることが好ましい。特に、ノード10nm以下の微細パターンを形成するため(例えば、EUVを用いたパターン形成を含む工程)に用いられることがより好ましい。
本薬液は、パターン幅、及び/又は、パターン間隔が17nm以下(好ましくは15nm以下、より好ましくは、12nm以下)、及び/又は、得られる配線幅、及び/又は、配線間隔が17nm以下であるレジストプロセスに使用される薬液(プリウェット液、現像液、リンス液、レジスト液の溶剤、及び、剥離液等)、言いかえれば、パターン幅、及び/又は、パターン間隔が17nm以下であるレジスト膜を用いて製造される半導体デバイスの製造用として、特に好ましく用いられる。
また、本薬液は、レジスト液に含有される樹脂の希釈液、レジスト液に含有される溶剤としても用いることができる。また、他の有機溶剤、及び/又は、水等により希釈してもよい。
また、本薬液は、医療用途又は洗浄用途の溶媒としても用いることができる。特に、容器、配管、及び、基板(例えば、ウェハ、及び、ガラス等)等の洗浄に好適に用いることができる。
本薬液の製造方法としては特に制限されず、公知の製造方法が使用できる。なかでも、本発明の効果がより発揮される点から、本薬液は、有機溶剤を含有する被精製物を精製して得るが好ましく、具体的には、本薬液の製造方法の好適態様としては、被精製物をろ過するろ過工程、被精製物にイオン交換法又はイオン吸着を施すイオン除去工程、及び、被精製物を蒸留する蒸留工程を含む態様が挙げられる。
より具体的には、例えば、酢酸とn-ブタノールとを硫酸の存在下で反応させ、酢酸ブチルを得る方法;エチレン、酸素、及び、水をAl(C2H5)3の存在下で反応させ、1-ヘキサノールを得る方法;シス-4-メチル-2-ペンテンをIpc2BH(Diisopinocampheylborane)の存在下で反応させ、4-メチル-2-ペンタノールを得る方法;プロピレンオキシド、メタノール、及び、酢酸を硫酸の存在下で反応させ、PGMEA(プロピレングリコール1-モノメチルエーテル2-アセタート)を得る方法;アセトン、及び、水素を酸化銅-酸化亜鉛-酸化アルミニウムの存在下で反応させて、IPA(isopropyl alcohol)を得る方法;乳酸、及び、エタノールを反応させて、乳酸エチルを得る方法;等が挙げられる。
ろ過工程は、フィルターを用いて上記被精製物をろ過する工程である。ろ過工程による除去される成分としては、これに限定されないが、例えば、金属成分に含まれ得る金属含有粒子が挙げられる。
フィルターを用いて被精製物をろ過する方法としては特に制限されないが、ハウジングと、ハウジングに収納されたフィルターカートリッジと、を有するフィルターユニットに、被精製物を加圧又は無加圧で通過させる(通液する)のが好ましい。
フィルターの細孔径としては特に制限されず、被精製物のろ過用として通常使用される細孔径のフィルターが使用できる。中でも、フィルターの細孔径は、薬液が含有する粒子(金属含有粒子等)の数を所望の範囲により制御しやすい点で、200nm以下が好ましく、20nm以下がより好ましく、10nm以下が更に好ましく、5nm以下が特に好ましく、3nm以下が最も好ましい。下限値としては特に制限されないが、一般に1nm以上が、生産性の観点から好ましい。
なお、本明細書において、フィルターの細孔径、及び、細孔径分布とは、イソプロパノール(IPA)又は、HFE-7200(「ノベック7200」、3M社製、ハイドロフロオロエーテル、C4F9OC2H5)のバブルポイントによって決定される細孔径及び細孔径分布を意味する。
なお、微小孔径フィルターは単独で用いてもよいし、他の細孔径を有するフィルターと使用してもよい。中でも、生産性により優れる観点から、より大きな細孔径を有するフィルターと使用するのが好ましい。この場合、予めより大きな細孔径を有するフィルターによってろ過した被精製物を、微小孔径フィルターに通液させれば、微小孔径フィルターの目詰まりを防げる。
すなわち、フィルターの細孔径としては、フィルターを1つ用いる場合には、細孔径は5.0nm以下が好ましく、フィルターを2つ以上用いる場合、最小の細孔径を有するフィルターの細孔径が5.0nm以下が好ましい。
フィルターの材料としては特に制限されず、フィルターの材料として公知の材料が使用できる。具体的には、樹脂である場合、ナイロン(例えば、6-ナイロン及び6,6-ナイロン)等のポリアミド;ポリエチレン、及び、ポリプロピレン等のポリオレフィン;ポリスチレン;ポリイミド;ポリアミドイミド;ポリ(メタ)アクリレート;ポリテトラフルオロエチレン、パーフルオロアルコキシアルカン、パーフルオロエチレンプロペンコポリマー、エチレン・テトラフルオロエチレンコポリマー、エチレン-クロロトリフロオロエチレンコポリマー、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、及び、ポリフッ化ビニル等のポリフルオロカーボン;ポリビニルアルコール;ポリエステル;セルロース;セルロースアセテート等が挙げられる。中でも、より優れた耐溶剤性を有し、得られる薬液がより優れた欠陥抑制性能を有する点で、ナイロン(中でも、6,6-ナイロンが好ましい)、ポリオレフィン(中でも、ポリエチレンが好ましい)、ポリ(メタ)アクリレート、及び、ポリフルオロカーボン(中でも、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、パーフルオロアルコキシアルカン(PFA)が好ましい。)からなる群から選択される少なくとも1種が好ましい。これらの重合体は単独で又は二種以上を組み合わせて使用できる。
また、樹脂以外にも、ケイソウ土、及び、ガラス等であってもよい。
他にも、ポリオレフィン(後述するUPE等)にポリアミド(例えば、ナイロン-6又はナイロン-6,6等のナイロン)をグラフト共重合させたポリマー(ナイロングラフトUPE等)をフィルターの材料としてもよい。
すなわち、フィルターとしては、上記で挙げた各材料を基材として、上記基材にイオン交換基を導入したフィルターが好ましい。典型的には、上記基材の表面にイオン交換基を含有する基材を含む層を含むフィルターが好ましい。表面修飾された基材としては特に制限されず、製造がより容易な点で、上記重合体にイオン交換基を導入したフィルターが好ましい。
イオン交換基を含有するフィルターの細孔径としては特に制限されないが、1~30nmが好ましく、5~20nmがより好ましい。イオン交換基を含有するフィルターは、既に説明した最小の細孔径を有するフィルターを兼ねてもよいし、最小の細孔径を有するフィルターとは別に使用してもよい。中でもより優れた本発明の効果を示す薬液が得られる点で、ろ過工程は、イオン交換基を含有するフィルターと、イオン交換基を有さず、最小の細孔径を有するフィルターとを使用する形態が好ましい。
既に説明した最小の細孔径を有するフィルターの材料としては特に制限されないが、耐溶剤性等の観点から、一般に、ポリフルオロカーボン、及び、ポリオレフィンからなる群より選択される少なくとも1種が好ましく、ポリオレフィンがより好ましい。
フィルターの細孔構造としては特に制限されず、被精製物中の成分に応じて適宜選択すればよい。本明細書において、フィルターの細孔構造とは、細孔径分布、フィルター中の細孔の位置的な分布、及び、細孔の形状等を意味し、典型的には、フィルターの製造方法により制御可能である。
例えば、樹脂等の粉末を焼結して形成すれば多孔質膜が得られ、及び、エレクトロスピニング、エレクトロブローイング、及び、メルトブローイング等の方法により形成すれば繊維膜が得られる。これらは、それぞれ細孔構造が異なる。
なお、本明細書で使用される「非ふるい」による保持機構は、フィルターの圧力降下、又は、細孔径に関連しない、妨害、拡散及び吸着等の機構によって生じる保持を指す。
ふるい膜の典型的な例としては、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)膜とUPE膜が含まれるが、これらに制限されない。
なお、「ふるい保持機構」とは、除去対象粒子が多孔質膜の細孔径よりも大きいことによる結果の保持を指す。ふるい保持力は、フィルターケーキ(膜の表面での除去対象となる粒子の凝集)を形成することによって向上させられる。フィルターケーキは、2次フィルターの機能を効果的に果たす。
多孔質膜における細孔の大きさの分布とその膜中における位置の分布は、特に制限されない。大きさの分布がより小さく、かつ、その膜中における分布位置が対称であってもよい。また、大きさの分布がより大きく、かつ、その膜中における分布位置が非対称であってもよい(上記の膜を「非対称多孔質膜」ともいう。)。非対称多孔質膜では、孔の大きさは膜中で変化し、典型的には、膜一方の表面から膜の他方の表面に向かって孔径が大きくなる。このとき、孔径の大きい細孔が多い側の表面を「オープン側」といい、孔径が小さい細孔が多い側の表面を「タイト側」ともいう。
また、非対称多孔質膜としては、例えば、細孔の大きさが膜の厚さ内のある位置においてで最小となる膜(これを「砂時計形状」ともいう。)が挙げられる。
中でも、多孔質膜の材料としては、超高分子量ポリエチレンが好ましい。超高分子量ポリエチレンは、極めて長い鎖を有する熱可塑性ポリエチレンを意味し、分子量が百万以上、典型的には、200~600万が好ましい。
未洗浄のフィルター(又は十分な洗浄がされていないフィルター)を使用する場合、フィルターが含有する不純物が薬液に持ち込まれやすい。
フィルターが含有する不純物としては、例えば、上述の有機化合物が挙げられ、未洗浄のフィルター(又は十分な洗浄がされていないフィルター)を使用してろ過工程を実施すると、薬液中の有機化合物の含有量が、本発明の薬液としての許容範囲を超える場合もある。
例えば、UPE等のポリオレフィン及びPTFE等のポリフルオロカーボンをフィルターに用いる場合、フィルターは不純物として炭素数12~50のアルカンを含有しやすい。
また、ナイロン等のポリアミド、ポリイミド、及び、ポリオレフィン(UPE等)にポリアミド(ナイロン等)をグラフト共重合させたポリマーをフィルターに用いる場合、フィルターは不純物として炭素数12~50のアルケンを含有しやすい。
フィルターの洗浄の方法は、例えば、不純物含有量の少ない有機溶剤(例えば、蒸留精製した有機溶剤(PGMEA等))に、フィルターを1週間以上浸漬する方法が挙げられる。この場合、上記有機溶剤の液温は30~90℃が好ましい。
洗浄の程度を調整したフィルターを用いて被精製物をろ過し、得られる薬液が所望の量のフィルター由来の有機化合物を含有するように調整してもよい。
また、同一のフィルターに被精製物を複数回通過させてもよく、同種のフィルターの複数に、被精製物を通過させてもよい。
非金属材料としては、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン-ポリプロピレン樹脂、並びに、フッ素系樹脂(例えば、四フッ化エチレン樹脂、四フッ化エチレン-パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、四フッ化エチレン-六フッ化プロピレン共重合樹脂、四フッ化エチレン-エチレン共重合体樹脂、三フッ化塩化エチレン-エチレン共重合樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、三フッ化塩化エチレン共重合樹脂、及び、フッ化ビニル樹脂等)からなる群から選択される少なくとも1種が挙げられるが、これに制限されない。
金属材料としては、例えば、クロム及びニッケルの含有量の合計が金属材料全質量に対して25質量%超である金属材料が挙げられ、中でも、30質量%以上がより好ましい。金属材料におけるクロム及びニッケルの含有量の合計の上限値としては特に制限されないが、一般に90質量%以下が好ましい。
金属材料としては例えば、ステンレス鋼、及びニッケル-クロム合金等が挙げられる。
ニッケル-クロム合金としては、例えば、ハステロイ(商品名、以下同じ。)、モネル(商品名、以下同じ)、及びインコネル(商品名、以下同じ)等が挙げられる。より具体的には、ハステロイC-276(Ni含有量63質量%、Cr含有量16質量%)、ハステロイ-C(Ni含有量60質量%、Cr含有量17質量%)、ハステロイC-22(Ni含有量61質量%、Cr含有量22質量%)等が挙げられる。
また、ニッケル-クロム合金は、必要に応じて、上記した合金の他に、更に、ホウ素、ケイ素、タングステン、モリブデン、銅、及びコバルト等を含有していてもよい。
なお、金属材料はバフ研磨されていてもよい。バフ研磨の方法は特に制限されず、公知の方法を使用できる。バフ研磨の仕上げに用いられる研磨砥粒のサイズは特に制限されないが、金属材料の表面の凹凸がより小さくなりやすい点で、#400以下が好ましい。なお、バフ研磨は、電解研磨の前に行われるのが好ましい。
イオン除去工程は、有機溶剤を含有する被精製物に対してイオン交換法、又は、キレート基によるイオン吸着を施す工程である。イオン除去工程によって除去される成分としては、これに限定されないが、例えば、酸成分、及び、金属成分に含まれる金属イオンが挙げられる。
イオン除去工程は、同一のイオン交換樹脂に被精製物を複数回通過させてもよく、異なるイオン交換樹脂に被精製物を通過させてもよい。
陽イオン交換樹脂及び陰イオン交換樹脂の両方を使用する場合、両樹脂を含む混合樹脂が充填された充填部を通液させてもよいし、樹脂毎に充填された複数の充填部を通液させてもよい。
陽イオン交換樹脂として、具体的には、スルホン酸型陽イオン交換樹脂及びカルボン酸型陽イオン交換樹脂が挙げられる。
陽イオン交換樹脂としては、市販品を使用でき、例えば、アンバーライトIR-124、アンバーライトIR-120B、アンバーライトIR-200CT、ORLITE DS-1、ORLITE DS-4(以上、オルガノ社製)、デュオライトC20J、デュオライトC20LF、デュオライトC255LFH、デュオライトC-433LF(以上、住化ケムテックス製)、DIAION SK-110、DIAION SK1B、及び、DIAION SK1BH(以上、三菱ケミカル社製)、ピュロライトS957、及び、ピュロライトS985(以上、ピュロライト社製)等が挙げられる。
ここで、被精製物中でイオンとして存在する酸成分としては、被精製物の製造時の触媒を由来する無機酸、及び、被精製物の製造時の反応後に生じる有機酸(例えば、反応原料、異性体、及び副生成物)等が挙げられる。このような酸成分は、HSAB(Hard and Soft Acids and Bases)則の点からは、硬い酸から中程度の硬さの酸に分類される。そのため、陰イオン交換樹脂との相互作用よって、これらの酸成分を除去する際の除去効率を上げる目的で、硬い塩基から中程度の硬さの塩基を含む陰イオン交換樹脂を用いるのが好ましい。
このような硬い塩基から中程度の硬さの塩基を含む陰イオン交換樹脂は、トリメチルアンモニウム基を有する強塩基型のI型の陰イオン交換樹脂、ジメチルエタノールアンモニウム基を有するやや弱い強塩基型のII型の陰イオン交換樹脂、ならびに、ジメチルアミン及びジエチレントリアミン等の弱塩基型の陰イオン交換樹脂からなる群より選択される少なくとも1種の陰イオン交換樹脂が好ましい。
酸成分のうち、例えば有機酸は硬い酸であり、無機酸のうち硫酸イオンは中程度の硬さの酸であるので、上述の強塩基型又はやや弱い強塩基型の陰イオン交換樹脂と、中程度の片さの弱塩基型の陰イオン交換樹脂と、を併用すれば、酸成分の含有量を好適な範囲まで低減することが容易となる。
この中でも、上述の硬い塩基から中程度の硬さの塩基を含む陰イオン交換樹脂としては、例えば、ORLITE DS-6、ORLITE DS-4(以上、オルガノ社製)、DIAION SA12A、DIAION SA10A、DIAION SA10AOH、DIAION SA20A、DIAION WA10(以上、三菱ケミカル社製)、ピュロライトA400、ピュロライトA500、ピュロライトA850(以上、ピュロライト社製)等が挙げられる。
キレート樹脂としては、アミドオキシム基、チオ尿素基、チオウロニウム基、イミノジ酢酸、アミドリン酸、ホスホン酸、アミノリン酸、アミノカルボン酸、N-メチルグルカミン、アルキルアミノ基、ピリジン環、環状シアニン、フタロシアニン環、および、環状エーテル等の、キレート基またはキレート能を有する樹脂が挙げられる。
キレート樹脂としては、市販品を使用でき、例えば、デュオライトES371N、デュオライトC467、デュオライトC747UPS、スミキレートMC760、スミキレートMC230、スミキレートMC300、スミキレートMC850、スミキレートMC640、及び、スミキレートMC900(以上、住化ケムテックス社製)、ピュロライトS106、ピュロライトS910、ピュロライトS914、ピュロライトS920、ピュロライトS930、ピュロライトS950、ピュロライトS957、及び、ピュロライトS985(以上、ピュロライト社製)等が挙げられる。
イオン除去工程は、同一のキレート樹脂に被精製物を複数回通過させてもよく、異なるキレート樹脂に被精製物を通過させてもよい。
容器としては、カラム、カートリッジ、及び、充填塔などが挙げられるが、上記イオン交換樹脂が充填された後に被精製物が通液できるものであれば上記で例示した以外のものでもよい。
蒸留工程は、有機溶剤を含有する被精製物を蒸留して、蒸留済み被精製物を得る工程である。蒸留工程によって除去される成分としては、これに限定されないが、例えば、酸成分、他の有機化合物、及び、水分が挙げられる。
被精製物を蒸留する方法としては特に制限されず、公知の方法が使用できる。典型的には、ろ過工程に供される精製装置の一次側に、蒸留塔を配置し、蒸留された被精製物を製造タンクに導入する方法が挙げられる。
このとき、蒸留塔の接液部としては特に制限されないが、既に説明した耐腐食材料で形成されるのが好ましい。
異なる蒸留塔に被精製物を通過させる場合、例えば、蒸留塔に被精製物を通過させて低沸点の酸成分等を除去する粗蒸留処理を施した後、粗蒸留処理とは異なる蒸留塔を通過させて酸成分及び他の有機化合物等を除去する精留処理を施す方法挙げられる。このとき、粗蒸留処理における蒸留塔としては、棚段式蒸留塔が挙げられ、精留処理における蒸留塔としては、棚段式蒸留塔及び減圧棚段式の少なくとも一方を含む蒸留塔が挙げられる。
また、蒸留時の熱的な安定性と精製の精度とを両立する目的で、減圧蒸留を選択することもできる。
薬液の製造方法は、上記以外の工程を更に有していてもよい。ろ過工程以外の工程としては、例えば、反応工程、及び、除電工程等が挙げられる。
反応工程は、原料を反応させて、反応物である有機溶剤を含有する被精製物を生成する工程である。被精製物を生成する方法としては特に制限されず、公知の方法が使用できる。典型的には、ろ過工程に供される精製装置の製造タンク(又は、蒸留塔)の一次側に反応槽を配置し、反応物を製造タンク(又は蒸留塔)に導入する方法が挙げられる。
このとき、製造タンクの接液部としては特に制限されないが、既に説明した耐腐食材料で形成されるのが好ましい。
除電工程は、被精製物を除電して、被精製物の帯電電位を低減させる工程である。
除電方法としては特に制限されず、公知の除電方法を使用できる。除電方法としては、例えば、被精製物を導電性材料に接触させる方法が挙げられる。
被精製物を導電性材料に接触させる接触時間は、0.001~60秒が好ましく、0.001~1秒がより好ましく、0.01~0.1秒が特に好ましい。導電性材料としては、ステンレス鋼、金、白金、ダイヤモンド、及びグラッシーカーボン等が挙げられる。
被精製物を導電性材料に接触させる方法としては、例えば、導電性材料からなる接地されたメッシュを管路内部に配置し、ここに被精製物を通す方法等が挙げられる。
本薬液は、容器に収容されて使用時まで保管してもよい。このような容器と、容器に収容された本薬液とをあわせて薬液収容体という。保管された薬液収容体からは、本薬液が取り出され使用される。
使用可能な容器としては、具体的には、アイセロ化学(株)製の「クリーンボトル」シリーズ、及び、コダマ樹脂工業製の「ピュアボトル」等が挙げられるが、これらに制限されない。
本発明のキットは、以下に示す薬液Xと、以下に示す薬液Yと、を備える。本発明のキットを後述するパターン形成方法に用いた場合(特に、薬液Xを現像液に用いて、薬液Yをリンス液に用いた場合)、薬液Xの作用によって欠陥発生が抑制されたパターンを得ることができるとともに、薬液X及び薬液Yの相乗効果によって、得られるパターンの解像度にも優れる。
キットの形態としては特に制限されないが、容器Xと、上記容器Xに収容された薬液Xとを有する薬液収容体Xと、容器Yと、上記容器Yに収容された薬液Yとを有する薬液収容体Yと、を有する形態が挙げられる。容器X及び容器Yとしては、薬液収容体の容器として既に説明したものを使用することが好ましい。
上述した本薬液以外の薬液とは、酸成分の含有量が薬液の全質量に対して1質量ppt未満又は15質量ppm超であること、及び、金属成分の含有量が薬液の全質量に対して0.001質量ppt未満又は100質量ppt超であること、の少なくとも一方を満たすことを意味する。
薬液Yに含まれる有機溶剤の全質量に対する、有機溶剤Yの含有量の好適範囲は、上述の薬液Y中の有機溶剤Yの含有量と同じである。
有機溶剤Yは1種を単独で用いても、2種以上を併用してもよい。2種以上の有機溶剤Yを併用する場合には、合計含有量が上記範囲内である。
薬液Yが有機溶剤Y以外の有機溶剤を含有する場合、有機溶剤Y以外の有機溶剤の含有量は、薬液Yの全質量に対して、60質量%以下が好ましく、50質量%以下がより好ましく、10質量%以下が更に好ましい。薬液Yが有機溶剤Y以外の有機溶剤を含有する場合、有機溶剤Y以外の有機溶剤の含有量の下限値は、0質量%超であり、0.1質量%以上が好ましく、1質量%以上がより好ましい。
薬液Yが有機溶剤Y以外の有機溶剤を含有する場合、薬液Yに含まれる有機溶剤の全質量に対する、有機溶剤Y以外の有機溶剤の含有量の好適範囲は、上述の薬液Y中の有機溶剤Y以外の有機溶剤の含有量と同じである。
薬液Y中に2種以上の有機溶剤Yが含まれる場合は、少なくとも1種が有機溶剤Y1であるのが好ましい。
薬液Y中に2種以上の有機溶剤Yが含まれる場合は、各有機溶剤の含有量のモル比に基づいた、ハンセン溶解度パラメータの加重平均値が、上記ハンセン溶解度パラメータの範囲を満たすのが好ましい。
この場合、有機溶剤Y1の含有量は、薬液Yの全質量に対して、20~90質量%が好ましく、パターンの解像度がより優れる点から、20~80質量%がより好ましく、30~70質量%が更に好ましい。
また、有機溶剤Y以外の有機溶剤の含有量は、薬液Yの全質量に対して、10~80質量%が好ましく、パターンの解像度がより優れる点から、20~80質量%がより好ましく、30~70質量%が更に好ましい。
この場合、有機溶剤Y1の含有量は、薬液Yの全質量に対して、20~90質量%が好ましく、パターンの解像度がより優れる点から、20~80質量%がより好ましく、30~70質量%が更に好ましい。
また、有機溶剤Y2の含有量は、薬液Yの全質量に対して、10~80質量%が好ましく、パターンの解像度がより優れる点から、20~80質量%がより好ましく、30~70質量%が更に好ましい。
有機溶剤Y1の含有量と上有機溶剤Y2の含有量が、それぞれ一定の範囲内である場合、有機溶剤Y2の含有量が過剰又は過少である場合に比べて、薬液Yの、有機系素材に対する親和性を適度な範囲に調整でき、パターンの解像度がより優れると推測される。
なお、有機溶剤Y2の、エイコセンに対するハンセン溶解度パラメータの距離は、0MPa0.5以上3MPa0.5未満(好ましくは0MPa0.5超3MPa0.5未満)、又は、20MPa0.5超(好ましくは20MPa0.5超50MPa0.5以下)である。
ハンセン溶解度パラメータの距離とは、2種の化合物のハンセン空間における距離であり、ハンセン溶解度パラメータの距離は以下の式によって求められる。
(Ra)2=4(δd2-δd1)2+(δp2-δp1)2+(δh2-δh1)2
Ra:第1の化合物と第2の化合物とのハンセン溶解度パラメータの距離(単位:MPa0.5)
δd1:第1の化合物の分散項(単位:MPa0.5)
δd2:第2の化合物の分散項(単位:MPa0.5)
δp1:第1の化合物の双極子間項(単位:MPa0.5)
δp2:第2の化合物の双極子間項(単位:MPa0.5)
δh1:第1の化合物の水素結合項(単位:MPa0.5)
δh2:第2の化合物の水素結合項(単位:MPa0.5)
本明細書において、化合物のハンセン溶解度パラメータは、具体的には、HSPiP(Hansen Solubility Parameter in Practice)を用いて計算する。
本薬液は、半導体製造用に用いられるレジストパターン(以下、単に「パターン」という。)の形成に用いることが好ましい。本薬液を用いたパターン形成方法としては特に制限されず、公知のパターン形成方法が挙げられる。
(A)感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程
(B)レジスト膜を露光する露光工程
(C)露光された前記レジスト膜を、薬液Xを用いて現像する現像工程
(D)現像工程の後に、薬液Yを用いて洗浄するリンス工程
以下では、上記工程ごとにその形態を説明する。なお、薬液X及び薬液Yについては、上述した通りであるので、その説明を省略する。
レジスト膜形成工程は、感活性光線又は感放射線性樹脂組成物を用いてレジスト膜を形成する工程である。
以下では、まず、感活性光線又は感放射線性樹脂組成物の形態についてする。
上記レジスト膜形成工程において用いることができる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物としては特に制限されず、公知の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いることができる。
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物(以下、「レジスト組成物」ともいう。)としては、酸の作用により分解して極性基(カルボキシル基、及び、フェノール性水酸基等)を生じる基を含有する繰り返し単位を含有する樹脂(以下、本明細書において「酸分解性樹脂」ともいう。)と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(以下、本明細書において「光酸発生剤」ともいう。)と、を含有することが好ましい。
なかでも、より優れた本発明の効果が得られる点で、以下のレジスト組成物が好ましい。
・後述する式(I)で表される樹脂を含有するレジスト組成物
・後述するフェノール性水酸基を有する酸分解性樹脂を含有するレジスト組成物
・後述する疎水性樹脂と、酸分解性樹脂とを含有するレジスト組成物
以下では、レジスト組成物の各成分について説明する。
酸分解性基において、極性基は酸で脱離する基(酸脱離性基)によって保護されている。酸脱離性基としては、例えば、-C(R36)(R37)(R38)、-C(R36)(R37)(OR39)、及び、-C(R01)(R02)(OR39)等が挙げられる。
式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。
R01及びR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。
Xa1は、水素原子、又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
Tは、単結合又は2価の連結基を表す。
Ra1~Ra3は、それぞれ独立に、アルキル基(直鎖状又は分岐鎖状)又はシクロアルキル基(単環又は多環)を表す。
Ra1~Ra3の2つが結合して、シクロアルキル基(単環又は多環)を形成してもよい。
Xa1は、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基が好ましい。
Tは、単結合又は-COO-Rt-基が好ましい。Rtは、炭素数1~5のアルキレン基が好ましく、-CH2-基、-(CH2)2-基、又は、-(CH2)3-基がより好ましい。
Ra1~Ra3の2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、若しくはシクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、又は、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、若しくはアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5~6の単環のシクロアルキル基がより好ましい。
また、樹脂Pは、ラクトン構造を有する繰り返し単位Qを含有することが好ましい。
ラクトン構造を有する繰り返し単位Qは、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用していてもよいが、1種単独で用いることが好ましい。
上記樹脂Pの全繰り返し単位に対する、ラクトン構造を有する繰り返し単位Qの含有量は、例えば、3~80モル%が挙げられ、3~60モル%が好ましい。
ラクトン構造としては、下記式(LC1-1)~(LC1-17)のいずれかで表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を有することが好ましい。ラクトン構造としては式(LC1-1)、式(LC1-4)、式(LC1-5)、又は式(LC1-8)で表されるラクトン構造が好ましく、式(LC1-4)で表されるラクトン構造がより好ましい。
下記式(I)で表される樹脂は、酸の作用により有機溶剤を主成分とする現像液(後述する薬液)に対する溶解性が減少する樹脂であり、酸分解性基を含有する。上記薬液は、式(I)で表されるような樹脂に対する優れた溶解性を有するため、より少ないレジスト組成物を用いて均一なレジスト膜が得られやすい。以下、式(I)で表される樹脂について説明する。
Rx1~Rx5は、それぞれ独立に、水素原子、又は、置換基を含有してもよいアルキル基を表す。
R1~R4は、それぞれ独立に、1価の置換基を表し、p1~p4は、それぞれ独立に、0、又は、正の整数を表す。
Raは、直鎖状、又は、分岐鎖状のアルキル基を表す。
T1~T5は、それぞれ独立に、単結合、又は、2価の連結基を表す。
R5は1価の有機基を表す。
a~eは、モル%を表し、それぞれ独立に、0≦a≦100、0≦b≦100、0≦c<100、0≦d<100、及び、0≦e<100の範囲内の数を表す。ただし、a+b+c+d+e=100であり、a+b≠0である。
ただし、式(I)中、上記繰り返し単位(e)は、上記繰り返し単位(a)~(d)のいずれとも異なる構造を有する。
Rx1~Rx5は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、又は、ヒドロキシメチル基が好ましい。
T1~T5は、それぞれ独立に、単結合又は-COO-Rt-基が好ましい。Rtは、炭素数1~5のアルキレン基が好ましく、-CH2-基、-(CH2)2-基、又は、-(CH2)3-基がより好ましい。
式(I)中、R1~R4は、それぞれ独立に、1価の置換基を表す。R1~R4としては、特に限定されないが、例えば、水酸基、シアノ基、及び、水酸基又はシアノ基等を有する直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又はシクロアルキル基が挙げられる。
式(I)中、p1~p4は、各々独立に、0又は正の整数を表す。なお、p1~p4の上限値は、各繰り返し単位において置換し得る水素原子の数に相当する。
式(I)中、R5は、1価の有機基を表す。R5としては、特に限定されないが、例えば、スルトン構造を有する1価の有機基、及び、テトラヒドロフラン、ジオキサン、1,4-チオキサン、ジオキソラン、及び2,4,6-トリオキサビシクロ[3.3.0]オクタン等の環状エーテルを有する1価の有機基、又は酸分解性基(例えば、-COO基と結合する位置の炭素がアルキル基で置換されて4級化されたアダマンチル基等)が挙げられる。
また、式(I)中、c+d(全繰り返し単位に対する、ラクトン構造を有する繰り返し単位の含有量)は、3~80モル%が好ましく、3~60モル%がより好ましい。
また、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中、上記式(I)で表される樹脂の含有量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、通常30~99質量%が好ましく、50~95質量%がより好ましい。
また、樹脂Pは、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位を含有していてもよい。
フェノール性水酸基を有する繰り返し単位としては、例えば、下記一般式(I)で表される繰り返し単位が挙げられる。
R41、R42及びR43は、各々独立に、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。但し、R42はAr4と結合して環を形成していてもよく、その場合のR42は単結合又はアルキレン基を表す。
樹脂Pは、極性基を有する有機基を含有する繰り返し単位、特に、極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位を更に含有していてもよい。
これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。極性基で置換された脂環炭化水素構造の脂環炭化水素構造としてはアダマンチル基、ジアマンチル基又はノルボルナン基が好ましい。極性基としては、水酸基又はシアノ基が好ましい。
樹脂Pは、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基(光酸発生基)を有する繰り返し単位を含有していてもよい。
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基(光酸発生基)を有する繰り返し単位としては、例えば、下記式(4)で表される繰り返し単位が挙げられる。
R61、R62及びR63は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基を表す。但し、R62はAr6と結合して環を形成していてもよく、その場合のR62は単結合又はアルキレン基を表す。
X6は、単結合、-COO-、又は-CONR64-を表す。R64は、水素原子又はアルキル基を表す。
L6は、単結合又はアルキレン基を表す。
Ar6は、(n+1)価の芳香環基を表し、R62と結合して環を形成する場合には(n+2)価の芳香環基を表す。
Y2は、n≧2の場合には各々独立に、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、Y2の少なくとも1つは、酸の作用により脱離する基を表す。
nは、1~4の整数を表す。
Ar3は、芳香環基を表す。
R3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アシル基又はヘテロ環基を表す。
M3は、単結合又は2価の連結基を表す。
Q3は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はヘテロ環基を表す。
Q3、M3及びR3の少なくとも二つが結合して環を形成してもよい。
R41、R42及びR43は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。R42はL4と結合して環を形成していてもよく、その場合のR42はアルキレン基を表す。
L4は、単結合又は2価の連結基を表し、R42と環を形成する場合には3価の連結基を表す。
R44及びR45は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アシル基又はヘテロ環基を表す。
M4は、単結合又は2価の連結基を表す。
Q4は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はヘテロ環基を表す。
Q4、M4及びR44の少なくとも二つが結合して環を形成してもよい。
L4は、前述の式(AI)中のTと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
R44及びR45は、前述の式(3)中のR3と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
M4は、前述の式(3)中のM3と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Q4は、前述の式(3)中のQ3と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
R1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表す。
R6及びR7は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルコキシ基又はアシロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、ハロゲン原子、エステル基(-OCOR又は-COOR:Rは炭素数1~6のアルキル基又はフッ素化アルキル基)、又はカルボキシル基を表す。
n3は0~6の整数を表す。
n4は0~4の整数を表す。
X4はメチレン基、酸素原子又は硫黄原子である。
また、感活性光線性又は感放射線性組成物において、樹脂Pは、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。
上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、光酸発生剤を含有することが好ましい。光酸発生剤としては特に制限されず、公知の光酸発生剤を用いることができる。
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中における光酸発生剤の含有量としては特に制限されないが、一般に、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対して、0.1~20質量%が好ましく。0.5~20質量%がより好ましい。光酸発生剤は、1種を単独で用いても、2種以上を併用してもよい。2種以上の光酸発生剤を併用する場合には、合計含有量が上記範囲内であることが好ましい。
上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、クエンチャーを含有してもよい。クエンチャーとしては特に制限されず、公知のクエンチャーを用いることができる。
クエンチャーとは、塩基性化合物であって、未露光領域において、露光領域から拡散した酸によって、酸分解性樹脂が意図せず分解するのを抑制する機能を有する。
上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、疎水性樹脂を含有していてもよい。
疎水性樹脂はレジスト膜の表面に偏在するように設計されることが好ましいが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性物質及び非極性物質を均一に混合することに寄与しなくてもよい。
疎水性樹脂を添加することの効果として、水に対するレジスト膜表面の静的及び動的な接触角の制御、並びに、アウトガスの抑制等が挙げられる。
フッ素原子を有するアルキル基(好ましくは炭素数1~10、より好ましくは炭素数1~4)は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であり、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。
フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環又は多環のシクロアルキル基であり、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。
フッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、及び、ナフチル基等のアリール基の少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられ、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。
フッ素原子又は珪素原子を有する繰り返し単位の例としては、US2012/0251948A1の段落[0519]に例示されたものが挙げられる。
ここで、疎水性樹脂中の側鎖部分が有するCH3部分構造は、エチル基、及び、プロピル基等が有するCH3部分構造を含むものである。
一方、疎水性樹脂の主鎖に直接結合しているメチル基(例えば、メタクリル酸構造を有する繰り返し単位のα-メチル基)は、主鎖の影響により疎水性樹脂の表面偏在化への寄与が小さいため、本発明におけるCH3部分構造に含まれないものとする。
上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、溶剤を含有してもよい。溶剤としては特に制限されず、公知の溶剤を用いることができる。
また、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、必要に応じて更に、界面活性剤、酸増殖剤、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、上記以外のアルカリ可溶性樹脂、及び/又は、溶解阻止剤等を含有してもよい。
露光工程は、レジスト膜を露光する工程である。レジスト膜を露光する方法としては特に制限されず、公知の方法を用いることができる。
レジスト膜を露光する方法としては、例えばレジスト膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射する方法が挙げられる。また、レジスト膜に電子ビームを照射する方法の場合は、マスクを介さないで照射してもよい(これを、「直描」ともいう。)。
上記パターン形成方法は、露光工程と、現像工程の前に、露光後のレジスト膜をベーク(PEB:Post Exposure Bake)する、PEB工程を更に含有することが好ましい。ベークにより露光部の反応が促進され、感度、及び/又は、パターン形状がより良好となる。
加熱温度は80~150℃が好ましく、80~140℃がより好ましく、80~130℃が更に好ましい。
加熱時間は30~1000秒が好ましく、60~800秒がより好ましく、60~600秒が更に好ましい。
加熱は通常の露光・現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行ってもよい。
現像工程は、露光されたレジスト膜(以下、「露光後のレジスト膜」ともいう。)を現像液によって現像する工程である。なお、本実施態様においては、現像液として薬液Xを用いる。
現像方法としては、特に制限されず、公知の現像方法を用いることができる。現像方法としては、例えば、ディップ法、パドル法、スプレー法、及び、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。
また、上記パターン形成方法は、現像工程の後に、現像液を他の溶剤に置換し、現像を停止する工程を更に含有してもよい。
現像時間はとしては、特に制限されないが、一般に10~300秒が好ましく、10~120秒がより好ましい。現像液の温度としては、0~50℃が好ましく、15~35℃がより好ましい。パターン形成方法は、現像工程を少なくとも1回含有していればよく、複数回含有してもよい。
なお、現像工程においては、薬液Xを用いた現像と、アルカリ現像液による現像を両方行ってもよい(いわゆる二重現像を行ってもよい)。
リンス工程は、現像後のレジスト膜を備えるウェハを、リンス液を用いて洗浄する工程である。なお、本実施態様においては、現像液として薬液Yを用いる。
洗浄方法としては特に制限されず、公知の洗浄方法を用いることできる。洗浄方法としては、例えば、回転吐出法、ディップ法、及び、スプレー法等が挙げられる。
なかでも回転吐出法で洗浄し、洗浄後にウェハを2000~4000rpmの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。
リンス時間としては、一般に10~300秒が好ましく、10~180秒がより好ましく、20~120秒が更に好ましい、リンス液の温度としは0~50℃が好ましく、15~35℃がより好ましい。
上記パターン形成方法は、既に説明した工程に加えて、その他の工程を含有してもよい。その他の工程としては例えば、プリウェット工程、超臨界流体による洗浄工程、及び、加熱工程等が挙げられる。
プリウェット工程は、レジスト膜形成工程前において、レジスト膜を形成するための基板上に薬液を塗布する工程である。プリウェット工程は、公知の方法を採用できる。また、プリウェット工程に使用する薬液としては、本薬液を用いてもよいし、本薬液以外の薬液を用いてもよい。
基板としては特に制限されず、半導体製造用として用いられる公知の基板を用いることができる。基板としては、例えば、シリコン、SiO2、若しくはSiN等の無機基板、又は、SOG(Spin On Glass)等の塗布系無機基板等が挙げられるがこれに制限されない。
また、基板は、反射防止膜を備える、反射防止膜付き基板であってもよい。反射防止膜としては、特に制限されず、公知の有機系又は無機系の反射防止膜を用いることができる。
なお、第1の速度V1の上限値としては特に制限されないが3000rpm以下が好ましい。
こうして、レジスト膜形成工程が開始される。このレジスト膜形成工程では、ウェハの回転速度が第1の速度V1から、高速の例えば2000~4000rpm程度の第2の速度V2まで上げられる。レジスト膜形成工程の開始前に第1の速度V1であったウェハの回転は、その後速度が連続的に滑らかに変動するように徐々に加速される。このとき、ウェハの回転の加速度は、例えば零から次第に増加する。そして、レジスト膜形成工程の終了時には、ウェハの回転の加速度が次第に減少され、ウェハWの回転速度が第2の速度V2に滑らかに収束する。こうして、レジスト膜形成工程時においては、ウェハの回転速度が第1の速度V1から第2の速度V2にS字状に推移するように変動する。レジスト膜形成工程では、ウェハの中心部に供給されたレジスト液が遠心力によりウェハの表面の全面に拡散されて、ウェハの表面にレジスト液が塗布される。
なお、このようなレジスト塗布時のウェハ回転速度の変動による省レジスト技術については、特願2008-131495号公報、特開2009-279476号公報に詳細に記載されている。
薬液を再利用する場合、回収した薬液中に含有される、不純物金属、有機不純物、及び、水等の含有量を調製することが好ましい。
超臨界流体による除去工程は、現像工程、及び/又は、リンス工程の後に、パターン上に付着している現像液、及び/又は、リンス液を超臨界流体により除去する工程である。
加熱工程は、現像工程、リンス工程、又は、超臨界流体による除去工程の後に、パターン中に残存する溶剤を除去するためにレジスト膜を加熱する工程である。
加熱温度は、特に制限されないが、一般に40~160℃が好ましく、50~150℃がより好ましく、50~110℃が更に好ましい。
加熱時間は、特に制限されないが、一般に15~300秒が好ましく、15~180秒がより好ましい。
有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)を含有する被精製物(市販品)を準備した。
次に、減圧機構を備えない第1棚段式蒸留塔を有する第1蒸留部(粗蒸留のための蒸留工程)、陽イオン交換樹脂を充填した充填塔を3つ直列に接続した第1充填部(イオン除去工程)、陰イオン交換樹脂を充填した充填塔を2つ直列に接続した第2充填部(イオン除去工程)、及び減圧機構を備えない第2棚段式蒸留塔と減圧機構を備えた第3棚段式蒸留塔とをこの順に直列に接続した第2蒸留部(精留処理のための蒸留工程)、第1フィルターと第2フィルターとをこの順に直列に接続したろ過部(ろ過工程)を、上流側からこの順に接続した精製装置を準備した。
そして、上記精製装置を用いて上記被精製物を精製して、薬液を製造した。なお、被精製物の精製は、精製装置を一回通液させるのを1回とカウントして、合計2回行った(表中、循環回数2回と示した。)。
以下において、精製装置における各部材の詳細を上流側(一次側)から順に示す。
・第1棚段式蒸留塔(理論段数:10段)
・陽イオン交換樹脂(ORLITE DS-4、オルガノ社製)
・陰イオン交換樹脂(ORLITE DS-6、オルガノ社製)
・第2棚段式蒸留塔(理論段数:23段)
・第3棚段式蒸留塔(理論段数:23段、減圧蒸留)
・第1フィルター(Purasol SP/SN溶剤用ピューリファイヤー、インテグリス社製、UPE(超高分子量ポリエチレン)フィルター)
・第2フィルター(製品名「トレント」、インテグリス社製、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)フィルター)
表1に記載した条件で、表1に記載した有機溶剤を含有する被精製物を精製して得た。なお、各薬液は、被精製物を表1に記載した各部材に上流側から順に通液し(なお、空欄の薬液は、その部材を用いなかったことを表す。)、これを「循環回数」に記載した回数繰り返して得た。
ただし、比較例NA2については、イオン除去工程に使用した第1充填部および第2充填部の代わりに、吸着樹脂(製品名「デュオライト 874」、スチレン系樹脂)を充填した第3充填部を用いて、イオン除去工程を行った。
なお、第1棚段式蒸留塔、第2棚段式蒸留塔及び第3棚段式蒸留塔については、表1に記載の理論段数の蒸留塔を用いた。また、陽イオン交換樹脂の段数は、陽イオン交換樹脂を充填した充填塔を直列に接続した個数を意味し、陰イオン交換樹脂の段数についても、陰イオン交換樹脂を充填した充填塔を直列に接続した個数を意味し、吸着樹脂の段数についても、吸着樹脂を充填した充填塔を直列に接続した個数を意味する。
また、表1中に記載された被精製物は、それぞれロットの異なるものを調達したものである。従って、各被精製物に当初含有されている有機溶剤以外の成分は異なる場合がある。
・PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(沸点:146℃、SP値:17.86)
・nBA:n-酢酸ブチル(沸点:126℃、SP値:17.80)
・iAA:酢酸イソアミル(沸点:142℃、SP値:17.42)
・CHN:シクロヘキサノン(沸点:155.6℃、SP値:20.05)
・PGME:プロピレングリコールモノエチルエーテル(沸点:132.8℃、SP値:23.05)
・MIBC:4-メチル-2-ペンタノール(沸点:131.6℃、SP値:21.15)
・EL:乳酸エチル(沸点:154℃、SP値:24.41)
・PC:炭酸プロピレン(沸点:242℃、SP値:20.26)
薬液の中の各成分の含有量等の測定には、以下の方法を用いた。なお、以下の測定は、全てISO(国際標準化機構)クラス2以下を満たすレベルのクリーンルームで行った。測定精度向上のため、各成分の測定において、通常の測定で検出限界以下である場合は体積換算で100分の1に濃縮して測定を行い、濃縮前の有機溶剤の含有量に換算して含有量を算出した。結果はまとめて表2に示した。
なお、薬液中の各成分の含有量の測定は、薬液の調製直後に行った。
各薬液中の酸成分及び有機化合物の含有量は、ガスクロマトグラフ質量分析装置(製品名「GCMS-2020」、島津製作所社製、測定条件は以下のとおり)を用いて測定した。
キャピラリーカラム:InertCap 5MS/NP 0.25mmI.D. ×30m df=0.25μm
試料導入法:スプリット 75kPa 圧力一定
気化室温度 :230℃
カラムオーブン温度:80℃(2min)-500℃(13min)昇温速度15℃/min
キャリアガス:ヘリウム
セプタムパージ流量:5mL/min
スプリット比:25:1
インターフェイス温度:250℃
イオン源温度:200℃
測定モード:Scan m/z=85~500
試料導入量:1μL
薬液中の金属成分(金属イオン及び金属含有粒子)の含有量は、ICP-MS及びSP-ICP-MSを用いる方法により測定した。
装置は以下の装置を使用した。結果を表2に示す。
・メーカー:PerkinElmer
・型式:NexION350S
解析には以下の解析ソフトを使用した。
・“SP-ICP-MS”専用Syngistix ナノアプリケーションモジュール
・Syngistix for ICP-MS ソフトウェア
薬液中における金属ナノ粒子(粒子径0.5~17nmの金属含有粒子)の含有粒子数は、以下の方法により測定した。
まず、シリコン基板上に一定量の薬液を塗布して薬液層付き基板を形成し、薬液層付き基板の表面をレーザ光により走査し、散乱光を検出した。これにより、薬液層付き基板の表面に存在する欠陥の位置及び粒子径を特定した。次に、その欠陥の位置を基準にEDX(エネルギー分散型X線)分析法により元素分析し、欠陥の組成を調べた。この方法により、金属ナノ粒子の基板上における粒子数を求め、それを薬液の単位体積あたりの含有粒子数(個/cm3)に換算した。
なお、分析には、KLA-Tencor社製のウェハ検査装置「SP-5」と、アプライドマテリアル社の全自動欠陥レビュー分類装置「SEMVision G6」を組み合わせて使用した。
また、測定装置の分解能等の都合で、所望の粒子径の粒子が検出できなかった試料については、特開2009-188333号公報の0015~0067段落に記載の方法を用いて検出した。すなわち、基板上に、CVD(化学気相成長)法によりSiOX層を形成し、次に、上記層上を覆うように薬液層を形成した。次に、上記SiOX層とその上に塗布された薬液層とを有する複合層をドライエッチングして、得られた突起物に対して光照射して、散乱光を検出し、上記散乱光から、突起物の体積を計算し、上記突起物の体積から粒子の粒子径を計算する方法を用いた。
得られた薬液をプリウェット液として用いて、欠陥抑制性能を評価した。
ここで、欠陥抑制性能は、製造直後の薬液(表中、「直後」と示した。)を用いた場合と、薬液を容器(接液部の材料:高密度ポリエチレン(HDPE)樹脂)に収容した薬液収容体を40℃で45日間保管した後(表中、「経時」と示した。)の薬液を用いた場合と、の両方について実施した。
なお、使用したレジスト組成物は以下のとおりである。
レジスト組成物1は、各成分を以下の組成で混合して得た。
・樹脂(A-1):0.77g
・酸発生剤(B-1):0.03g
・塩基性化合物(E-3):0.03g
・PGMEA:67.5g
・EL:75g
(合成例1)樹脂(A-1)の合成
2Lフラスコにシクロヘキサノン600gを入れ、100mL/minの流量で一時間窒素置換した。その後、重合開始剤V-601(和光純薬工業(株)製)4.60g(0.02mol)を加え、内温が80℃になるまで昇温した。次に、以下のモノマーと重合開始剤V-601(和光純薬工業(株)製)4.60g(0.02mol)とを、シクロヘキサノン200gに溶解し、モノマー溶液を調製した。モノマー溶液を上記80℃に加熱したフラスコ中に6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に80℃で2時間反応させた。
4-アセトキシスチレン 48.66g(0.3mol)
1-エチルシクロペンチルメタクリレート 109.4g(0.6mol)
モノマー1 22.2g(0.1mol)
光酸発生剤としては、以下のものを用いた。
塩基性化合物としては、以下のものを用いた。
以下の方法により、薬液の欠陥抑制性能を評価した。なお、試験には、SOKUDO社製コータデベロッパ「RF3S」を用いた。
まず、シリコンウエハ上にAL412(Brewer Science社製)を塗布し、200℃で60秒間ベークを行い、膜厚20nmのレジスト下層膜を形成した。その上にプリウェット液(薬液1)を塗布し、その上からレジスト組成物1を塗布し、100℃で60秒間ベーク(PB:Prebake)を行い、膜厚30nmのレジスト膜を形成した。
なお、測定装置の分解能等の都合で、所望の粒子径の粒子が検出できなかった試料については、特開2009-188333号公報の0015~0067段落に記載の方法を用いて検出した。すなわち、基板上に、CVD(化学気相成長)法によりSiOX層を形成し、次に、上記層上を覆うように薬液層を形成した。次に、上記SiOX層とその上に塗布された薬液層とを有する複合層をドライエッチングして、得られた突起物に対して光照射して、散乱光を検出し、上記散乱光から、突起物の体積を計算し、上記突起物の体積から粒子の粒子径を計算する方法を用いた。
結果は以下の基準により評価し、表2に示した。
B:欠陥数が50個以上、70個未満だった。
C:欠陥数が70個以上、90個未満だった。
D:欠陥数が90個以上、110個未満だった。
E:欠陥数が110個以上、130個未満だった。
F:欠陥数が130個以上だった。
例えば、実施例A1とA2との対比によれば、有機酸の含有量が薬液の全質量に対して1質量ppm以下であれば(実施例A2)、製造直後および長期間保存後における薬液の欠陥抑制性能がより優れるのが示された。
例えば、実施例A2とA3との対比によれば、有機溶剤の沸点以上の有機酸の含有量が、有機酸の全質量に対して20質量%以下であれば(実施例A2)、長期間保存後における薬液の欠陥抑制性能がより優れるのが示された。
例えば、実施例A1とA4との対比によれば、無機酸の含有量が、薬液の全質量に対して1質量ppb以下であれば(実施例A1)、製造直後および長期間保存後における薬液の欠陥抑制性能がより優れるのが示された。
例えば、実施例A15とA16との対比によれば、水の含有量が、薬液の全質量に対して1質量ppm以下であれば(実施例A15)、長期間保存後における薬液の欠陥抑制性能がより優れるのが示された。
例えば、実施例A8とA17との対比によれば、金属含有粒子の含有量が、薬液の全質量に対して0.00001~10質量pptの範囲内にあれば(実施例A8)、長期間保存後における薬液の欠陥抑制性能がより優れるのが示された。
例えば、実施例A8とA18との対比によれば、金属ナノ粒子の薬液の単位体積あたりの含有粒子数が1.0×10-2~1.0×106個/cm3の範囲内にあれば(実施例A8)、長期間保存後における薬液の欠陥抑制性能がより優れるのが示された。
例えば、実施例A8とA19との対比によれば、金属イオンの含有量が、薬液の全質量に対して0.01~100質量pptの範囲内であれば(実施例A8)、長期間保存後における薬液の欠陥抑制性能がより優れるのが示された。
文献(1)Journal of photopolymer science and technology, Vol28, No.1(2015)17-24 (Renesus)
文献(2)”Development of Novel Purifiers with Approproate Functional Groups Based on Solvent Polarities at Bulk Filtration” Enteglis News letter (May 2017)
現像液である薬液Xとして、上述の薬液B1を準備した。
また、リンス液である薬液Yとして、酪酸ブチルを準備した。ここで、薬液Yとして用いた酪酸ブチルは、上述のろ過処理等を行わずに、購入品をそのまま使用した。
なお、以下の実施例及び比較例で使用した薬液Yとして用いた有機溶剤についても、上述のろ過処理等を行わずに、購入品をそのまま使用した。
薬液Y(リンス液)として、表3の薬液Yの欄に示す有機溶剤を用いた以外は、実施例X1と同様にして、表3の組み合わせになるように、薬液X及び薬液Yを準備した。
薬液Y(リンス液)として、酪酸ブチルとウンデカンとの混合溶剤A1(酪酸ブチル:ウンデカン=1:1(質量基準))を準備した。
これ以外は、実施例X1と同様にして、表3の組み合わせになるように、薬液X及び薬液Yを準備した。
現像液である薬液Xとして、上述の薬液B2を準備した。
薬液Y(リンス液)として、酪酸ブチルとメタノールとの混合溶剤B1(酪酸ブチル:メタノール=1:1(質量基準))を準備した。
薬液Y(リンス液)として、酪酸ブチルとウンデカンとの混合溶剤A2(酪酸ブチル:ウンデカン=9:1(質量基準))を準備した。
これ以外は、実施例X1と同様にして、表3の組み合わせになるように、薬液X及び薬液Yを準備した。
薬液Y(リンス液)として、酪酸ブチルとメタノールとの混合溶剤B2(酪酸ブチル:メタノール=9:1(質量基準))を準備した。
これ以外は、実施例X1と同様にして、表3の組み合わせになるように、薬液X及び薬液Yを準備した。
薬液Y(リンス液)として、表3に示す有機溶剤を用いた以外は、実施例X1と同様にして、表3の組み合わせになるように、薬液X及び薬液Yを準備した。
ただし、実施例X26では、薬液Y(リンス液)を使用しなかった。
薬液X(現像液)として上述の薬液NB1を用い、薬液Y(リンス液)として表3に示す有機溶剤を用いて、表3の組み合わせになるように薬液X及び薬液Yを準備した。
薬液Y(リンス液)として、上述した混合溶剤A1、A2、B1又はB2を用いた以外は、比較例NX1と同様にして、表3の組み合わせになるように、薬液X及び薬液Yを準備した。
薬液Y(リンス液)として表3に示す有機溶剤を用いた以外は、実施例NX1と同様にして、表3の組み合わせになるように、薬液X及び薬液Yを準備した。
ただし、比較例NX26では、薬液Y(リンス液)を使用しなかった。
プリウェット液としてPGMEAを用い、表3の組み合わせの現像液及びリンス液を用い、レジスト膜の露光条件、及び、リンス液による洗浄条件を以下のように変更した以外は、上述の欠陥抑制性能の評価と同様にして、実施例X1~X26及び比較例NX1~NX26のそれぞれについて、欠陥抑制性能の評価を実施した。評価基準についても、上述の欠陥抑制性能の評価と同様にした。
なお、プリウェット液として用いたPEGMEAは、上述のろ過処理等を行わずに、購入品をそのまま使用した。
また、欠陥抑制性能は、薬液X(現像液)を容器(接液部の材料:高密度ポリエチレン(HDPE)樹脂)に収容した薬液収容体を40℃で45日間保管した後(表中、「経時」と示した。)の薬液X(現像液)を用いた場合について実施した。なお、プリウェット液及び薬液Y(リンス液)については、保存せずに、調製直後又は市販品を開封した直後のものを用いた。
作製したレジスト膜付きウエハに、NA(レンズ開口数、Numerical Ape
rture)0.25、ダイポール照明(Dipole60x、アウターシグマ0.81、インナーシグマ0.43)でEUV露光を行った。具体的には、ウエハ上寸法がピッチ40nm、幅20nmのラインアンドスペースパターンを形成するためのパターンが含まれたマスクを介して、露光量を変えてEUV露光を行った。照射後、EUV露光装置から取り出したら、ただちに、90℃の条件で60秒間ベーク(PEB)した。
50回転(rpm)でウエハを回転しながら、薬液Y(23℃)を、200mL/分の流量で15秒間スプレー吐出することで、リンス処理を行った。最後に、2000回転(rpm)でTR秒間高速回転してウエハを乾燥させた。
異なる露光量にて露光したラインアンドスペースパターンの解像状況を、走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S-9380II)を用いて倍率200kで観察し、観察した一視野内にてパターン倒れが起こっていない最小のライン幅を求め、パターン倒れの指標とした。この数値が小さいほど、パターン倒れ性能が良好であることを示す。得られた最少のライン幅を下記の評価基準により評価した。なお、パターン倒れ性能の評価は、密集パターン形成用マスクを用いて形成されたパターンについて実施した。
(評価基準)
「A」:最小のライン幅が16nm以下
「B」:最小のライン幅が16nm超18nm以下
「C」:最小のライン幅が18nm超20nm以下
「D」:最小のライン幅が20nm超22nm以下
「E」:最小のライン幅が22nm超
実施例X1~X26及び比較例NX1~NX26について、欠陥抑制性能の評価結果については、評価基準のA~Fをこの順に5点~0点に換算した。また、解像性の評価結果については、評価基準のA~Eをこの順に4点~0点に換算した。
そして、欠陥抑制性能の点数と、解像性の点数との合計点に基づいて、以下の基準よって総合評価を行った。
S:合計点が9点
A:合計点が8点
B:合計点が6~7点
C:合計点が5点以下
なお、実用上は「B」評価以上であることが好ましい。
特に、薬液X(現像液)として本発明の薬液を用い、かつ、薬液Y(リンス液)として上述の有機溶剤Y1を用いた場合(実施例X1~X16)、薬液Y(リンス液)として有機溶剤Y1以外の有機溶剤を用いた場合(実施例X21~X26)と比較して、総合評価が高く、欠陥抑制性能と解像性能とが高いレベルで両立できることがわかった。
また、実施例X17及びX18と、実施例X19及びX20との対比から、上述の有機溶剤Y1(エイコセンに対するハンセン溶解度パラメータの距離が3~20MPa0.5である有機溶剤)の含有量が薬液Yの全質量に対して20~80質量%であれば(実施例X17及びX18)、総合評価がより優れることが示された。
Claims (28)
- 有機溶剤と、有機酸を含む酸成分と、金属成分と、を含有する薬液であって、
前記薬液が、プリウェット液又は現像液であり、
前記有機溶剤が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノエチルエーテル、4-メチル-2-ペンタノール、乳酸エチル、または、炭酸プロピレンであり、
前記有機酸が、有機カルボン酸であり、
前記酸成分の含有量が、前記薬液の全質量に対して、1質量ppt以上15質量ppm以下であり、
前記有機酸の含有量が、前記薬液の全質量に対して、1質量ppm以下であり、
前記有機酸のうち、前記有機溶剤の沸点以上の有機酸の含有量が、前記有機酸の全質量に対して、20質量%以下であり、
前記金属成分の含有量が、前記薬液の全質量に対して、0.001~100質量pptである、薬液。 - 酢酸ブチルを含む有機溶剤と、酢酸を含む酸成分と、金属成分と、を含有する薬液であって、
前記薬液が、プリウェット液又は現像液であり、
前記酸成分の含有量が、前記薬液の全質量に対して、1質量ppt以上15質量ppm以下であり、
前記酢酸の含有量が、前記薬液の全質量に対して、0.01~15質量ppmである、
前記金属成分の含有量が、前記薬液の全質量に対して、0.001~100質量pptである、薬液。 - 有機溶剤と、有機酸を含む酸成分と、金属成分と、を含有する薬液であって、
前記薬液が、プリウェット液又は現像液であり、
前記有機溶剤が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノエチルエーテル、4-メチル-2-ペンタノール、乳酸エチル、または、炭酸プロピレンであり、
前記有機酸が、有機カルボン酸であり、
前記酸成分の含有量が、前記薬液の全質量に対して、0.0001~15質量ppmであり、
前記有機酸の含有量が、前記薬液の全質量に対して、1質量ppm以下であり、
前記有機酸のうち、前記有機溶剤の沸点以上の有機酸の含有量が、前記有機酸の全質量に対して、20質量%以下であり、
前記金属成分の含有量が、前記薬液の全質量に対して、0.001~100質量pptである、薬液。 - 酢酸ブチルを含む有機溶剤と、酢酸を含む酸成分と、金属成分と、を含有する薬液であって、
前記薬液が、プリウェット液又は現像液であり、
前記酸成分の含有量が、前記薬液の全質量に対して、0.0001~15質量ppmであり、
前記酢酸の含有量が、前記薬液の全質量に対して、0.01~15質量ppmである、
前記金属成分の含有量が、前記薬液の全質量に対して、0.001~100質量pptである、薬液。 - 前記金属成分の含有量に対する、前記酸成分の含有量の質量割合が、10-2~106である、請求項1~4のいずれか1項に記載の薬液。
- 前記酸成分が無機酸を含み、
前記無機酸の含有量が、前記薬液の全質量に対して、1質量ppb以下である、請求項1~5のいずれか1項に記載の薬液。 - 前記金属成分が、金属原子を含有する金属含有粒子を含み、
前記金属含有粒子の含有量が、前記薬液の全質量に対して、0.00001~10質量pptである、請求項1~6のいずれか1項に記載の薬液。 - 前記金属含有粒子のうち、粒子径が0.5~17nmの金属ナノ粒子の、前記薬液の単位体積あたりの含有粒子数が1.0×10-2~1.0×106個/cm3である、請求項7に記載の薬液。
- 前記金属成分が、金属イオンを含み、
前記金属イオンの含有量が、前記薬液の全質量に対して、0.01~100質量pptである、請求項1~8のいずれか1項に記載の薬液。 - 前記金属成分が、金属含有粒子と、金属イオンと、を含み、
前記金属イオンの含有量に対する、前記金属含有粒子の含有量の質量割合が、0.00001~1である、請求項1~9のいずれか1項に記載の薬液。 - 更に、水を含有し、
前記水の含有量が、前記薬液の全質量に対して、1質量ppm以下である、請求項1~10のいずれか1項に記載の薬液。 - 更に、アミド構造を有する化合物、スルホンアミド構造を有する化合物、ホスホンアミド構造を有する化合物、イミド構造を有する化合物、ウレア構造を有する化合物、ウレタン構造を有する化合物、及び、有機酸エステルからなる群より選択される少なくとも1種の有機化合物を含有し、
前記有機化合物の含有量が、前記薬液の全質量に対して、1質量ppm以下である、請求項1~11のいずれか1項に記載の薬液。 - 前記有機化合物が、沸点が300℃以上の有機化合物である、請求項12に記載の薬液。
- 前記有機酸エステルが、フタル酸エステル及びクエン酸エステルからなる群より選択される少なくとも1種を含む、請求項12又は13に記載の薬液。
- 前記有機溶剤のうち、沸点が250℃以下の有機溶剤の含有量が、前記有機溶剤の全質量に対して、90質量%以上である、請求項1~14のいずれか1項に記載の薬液。
- 前記有機溶剤のSP値が21以下である、請求項1~15のいずれか1項に記載の薬液。
- 前記有機溶剤がエステル構造を有する、請求項1~16のいずれか1項に記載の薬液。
- 前記有機溶剤が酢酸ブチルを含み、かつ、前記酸成分が酢酸を含み、
前記酢酸の含有量が、前記薬液の全質量に対して、0.01~15質量ppmである、請求項1又は3に記載の薬液。 - 前記有機溶剤が酢酸ブチルを含み、かつ、前記酸成分がn-ブタン酸を含み、
前記n-ブタン酸の含有量が、前記薬液の全質量に対して、1質量ppt以上1質量ppm以下である、請求項1~18のいずれか1項に記載の薬液。 - 請求項18または19に記載の薬液である薬液Xと、
有機溶剤を含有する薬液Yと、を備え、
前記薬液Yに含まれる前記有機溶剤が、酪酸ブチル、イソ酪酸イソブチル、プロピオン酸ペンチル、プロピオン酸イソペンチル、エチルシクロヘキサン、メシチレン、デカン、ウンデカン、3,7-ジメチル-3-オクタノール、2-エチル-1-ヘキサノール、1-オクタノール、2-オクタノール、アセト酢酸エチル、マロン酸ジメチル、ピルビン酸メチル、及び、シュウ酸ジメチルからなる群から選択される少なくとも1種の有機溶剤Yを含む、キット。 - 前記薬液Xが現像液であり、前記薬液Yがリンス液である、請求項19に記載のキット。
- 前記有機溶剤Yが、エイコセンに対するハンセン溶解度パラメータの距離が3~20MPa0.5である有機溶剤Y1を含み、
前記有機溶剤Y1の含有量が、前記薬液Yの全質量に対して、20~80質量%である、請求項20又は21に記載のキット。 - 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜を露光する露光工程と、
露光された前記レジスト膜を、請求項18または19に記載の薬液である薬液Xを用いて現像する現像工程と、
前記現像工程の後に、有機溶剤を含有する薬液Yを用いて洗浄するリンス工程と、を有し、
前記薬液Yに含まれる前記有機溶剤が、酪酸ブチル、イソ酪酸イソブチル、プロピオン酸ペンチル、プロピオン酸イソペンチル、エチルシクロヘキサン、メシチレン、デカン、ウンデカン、3,7-ジメチル-3-オクタノール、2-エチル-1-ヘキサノール、1-オクタノール、2-オクタノール、アセト酢酸エチル、マロン酸ジメチル、ピルビン酸メチル、及び、シュウ酸ジメチルからなる群から選択される少なくとも1種の有機溶剤Yを含む、パターン形成方法。 - 前記有機溶剤Yが、エイコセンに対するハンセン溶解度パラメータの距離が3~20MPa0.5である有機溶剤Y1を含み、
前記有機溶剤Y1の含有量が、前記薬液Yの全質量に対して、20~80質量%である、請求項23に記載のパターン形成方法。 - 有機溶剤を含有する被精製物を精製して請求項1~19のいずれか1項に記載の薬液を得る薬液の製造方法であって、
前記被精製物をろ過するろ過工程、前記被精製物にイオン交換法又はキレート基によるイオン吸着を施すイオン除去工程、及び、前記被精製物を蒸留する蒸留工程を含む、薬液の製造方法。 - 前記イオン交換法において、陽イオン交換樹脂を使用する、請求項25に記載の薬液の製造方法。
- 前記イオン交換法において、陽イオン交換樹脂及び陰イオン交換樹脂を使用する、請求項25に記載の薬液の製造方法。
- 容器と、前記容器内に収容された請求項1~19のいずれか1項に記載の薬液と、を有する、薬液収容体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2024034765A JP2024061780A (ja) | 2018-07-13 | 2024-03-07 | 薬液、キット、パターン形成方法、薬液の製造方法及び薬液収容体 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018133580 | 2018-07-13 | ||
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JP2020530222A JPWO2020013218A1 (ja) | 2018-07-13 | 2019-07-10 | 薬液、キット、パターン形成方法、薬液の製造方法及び薬液収容体 |
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---|---|---|---|
JP2020530222A Division JPWO2020013218A1 (ja) | 2018-07-13 | 2019-07-10 | 薬液、キット、パターン形成方法、薬液の製造方法及び薬液収容体 |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023052469A JP2023052469A (ja) | 2023-04-11 |
JP7453435B2 true JP7453435B2 (ja) | 2024-03-19 |
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ID=69141770
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020530222A Pending JPWO2020013218A1 (ja) | 2018-07-13 | 2019-07-10 | 薬液、キット、パターン形成方法、薬液の製造方法及び薬液収容体 |
JP2023005746A Active JP7453435B2 (ja) | 2018-07-13 | 2023-01-18 | 薬液、キット、パターン形成方法、薬液の製造方法及び薬液収容体 |
JP2024034765A Pending JP2024061780A (ja) | 2018-07-13 | 2024-03-07 | 薬液、キット、パターン形成方法、薬液の製造方法及び薬液収容体 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020530222A Pending JPWO2020013218A1 (ja) | 2018-07-13 | 2019-07-10 | 薬液、キット、パターン形成方法、薬液の製造方法及び薬液収容体 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2024034765A Pending JP2024061780A (ja) | 2018-07-13 | 2024-03-07 | 薬液、キット、パターン形成方法、薬液の製造方法及び薬液収容体 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210132503A1 (ja) |
JP (3) | JPWO2020013218A1 (ja) |
KR (2) | KR102613209B1 (ja) |
CN (1) | CN112384858A (ja) |
TW (2) | TWI831722B (ja) |
WO (1) | WO2020013218A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2023017711A1 (ja) * | 2021-08-13 | 2023-02-16 | ||
CN117916671A (zh) * | 2021-09-21 | 2024-04-19 | 富士胶片株式会社 | 处理液的检定方法及处理液的制造方法 |
JPWO2023210370A1 (ja) * | 2022-04-26 | 2023-11-02 | ||
KR20240005483A (ko) | 2022-07-05 | 2024-01-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 금속 함유 포토레지스트 현상액 조성물, 및 이를 이용한 현상 단계를 포함하는 패턴 형성 방법 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012047896A (ja) | 2010-08-25 | 2012-03-08 | Fujifilm Corp | パターン形成方法 |
WO2017188296A1 (ja) | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 富士フイルム株式会社 | 処理液及び処理液収容体 |
WO2018043695A1 (ja) | 2016-09-02 | 2018-03-08 | 富士フイルム株式会社 | 溶液、溶液収容体、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、半導体デバイスの製造方法 |
WO2018061485A1 (ja) | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 富士フイルム株式会社 | 薬液、薬液収容体、薬液の製造方法、及び、薬液収容体の製造方法 |
WO2018061573A1 (ja) | 2016-09-27 | 2018-04-05 | 富士フイルム株式会社 | 薬液、薬液収容体、薬液の充填方法、及び、薬液の保管方法 |
WO2018084302A1 (ja) | 2016-11-07 | 2018-05-11 | 富士フイルム株式会社 | 処理液及びパターン形成方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5618655A (en) * | 1995-07-17 | 1997-04-08 | Olin Corporation | Process of reducing trace levels of metal impurities from resist components |
JP4059685B2 (ja) | 2001-02-16 | 2008-03-12 | ダイセル化学工業株式会社 | 高純度酢酸ブチル及びその製造方法 |
WO2004093172A1 (ja) * | 2003-04-16 | 2004-10-28 | Sekisui Chemical Co. Ltd. | レジスト除去方法及びレジスト除去装置 |
US20140263053A1 (en) * | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Filter System and Method |
JP2015030700A (ja) | 2013-08-02 | 2015-02-16 | 株式会社ダイセル | エステル系溶剤の製造方法 |
JP6200289B2 (ja) * | 2013-11-18 | 2017-09-20 | 富士フイルム株式会社 | 半導体基板の処理液、処理方法、これらを用いた半導体基板製品の製造方法 |
JPWO2016104565A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2017-09-21 | 富士フイルム株式会社 | 有機系処理液およびパターン形成方法 |
KR102113463B1 (ko) * | 2016-01-22 | 2020-05-21 | 후지필름 가부시키가이샤 | 처리액 |
CN109071104B (zh) * | 2016-03-31 | 2020-03-31 | 富士胶片株式会社 | 半导体制造用处理液、收容有半导体制造用处理液的收容容器、图案形成方法及电子器件的制造方法 |
JP6713044B2 (ja) * | 2016-06-02 | 2020-06-24 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、基板の洗浄方法及びレジストの除去方法 |
JP2018060193A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-12 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、キット |
JP6890610B2 (ja) * | 2016-11-18 | 2021-06-18 | 富士フイルム株式会社 | 薬液、薬液収容体、パターン形成方法、及び、キット |
JPWO2019139034A1 (ja) * | 2018-01-12 | 2020-11-26 | 富士フイルム株式会社 | 薬液、薬液の製造方法 |
-
2019
- 2019-07-10 KR KR1020217000728A patent/KR102613209B1/ko active IP Right Grant
- 2019-07-10 WO PCT/JP2019/027289 patent/WO2020013218A1/ja active Application Filing
- 2019-07-10 CN CN201980046230.2A patent/CN112384858A/zh active Pending
- 2019-07-10 KR KR1020237042288A patent/KR20230175315A/ko active Application Filing
- 2019-07-10 JP JP2020530222A patent/JPWO2020013218A1/ja active Pending
- 2019-07-12 TW TW112130169A patent/TWI831722B/zh active
- 2019-07-12 TW TW108124757A patent/TWI814866B/zh active
-
2021
- 2021-01-08 US US17/144,259 patent/US20210132503A1/en active Pending
-
2023
- 2023-01-18 JP JP2023005746A patent/JP7453435B2/ja active Active
-
2024
- 2024-03-07 JP JP2024034765A patent/JP2024061780A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012047896A (ja) | 2010-08-25 | 2012-03-08 | Fujifilm Corp | パターン形成方法 |
WO2017188296A1 (ja) | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 富士フイルム株式会社 | 処理液及び処理液収容体 |
WO2018043695A1 (ja) | 2016-09-02 | 2018-03-08 | 富士フイルム株式会社 | 溶液、溶液収容体、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、半導体デバイスの製造方法 |
WO2018061573A1 (ja) | 2016-09-27 | 2018-04-05 | 富士フイルム株式会社 | 薬液、薬液収容体、薬液の充填方法、及び、薬液の保管方法 |
WO2018061485A1 (ja) | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 富士フイルム株式会社 | 薬液、薬液収容体、薬液の製造方法、及び、薬液収容体の製造方法 |
WO2018084302A1 (ja) | 2016-11-07 | 2018-05-11 | 富士フイルム株式会社 | 処理液及びパターン形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210019081A (ko) | 2021-02-19 |
CN112384858A (zh) | 2021-02-19 |
KR102613209B1 (ko) | 2023-12-13 |
TW202006482A (zh) | 2020-02-01 |
TW202347053A (zh) | 2023-12-01 |
TWI831722B (zh) | 2024-02-01 |
US20210132503A1 (en) | 2021-05-06 |
JP2023052469A (ja) | 2023-04-11 |
JPWO2020013218A1 (ja) | 2021-08-02 |
JP2024061780A (ja) | 2024-05-08 |
KR20230175315A (ko) | 2023-12-29 |
TWI814866B (zh) | 2023-09-11 |
WO2020013218A1 (ja) | 2020-01-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230217 |
|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240307 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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