JP7452024B2

JP7452024B2 - 電子装置

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Publication number: JP7452024B2
Application number: JP2020005998A
Authority: JP
Inventors: 浩二松下
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2020-01-17
Filing date: 2020-01-17
Publication date: 2024-03-19
Anticipated expiration: 2040-01-17
Also published as: JP2021113723A

Description

本発明は、電子装置に関し、特に、ＭＥＭＳ（ＭｉｃｒｏＥｌｅｃｔｒｏＭｅｃｈａｎｉｃａｌＳｙｓｔｅｍｓ）赤外線（ＩＲ）エミッタに関する。

種々の素子、例えば、ＭＥＭＳＩＲエミッタ（例えば、特許文献１のＭＥＭＳＩＲエミッタ）、ＭＥＭＳガスセンサ（例えば、特許文献２のＭＥＭＳガスセンサ）等に用いられる電子装置は、基板、支持層及び導電パターン層を備えている。基板は、開口を有している。支持層の一部分は、基板の開口と重なっている。導電パターン層は、支持層上に位置し、かつ基板の開口と重なっている。導電パターン層は、ミアンダ形状を有している。導電パターン層に電流が流れることで、導電パターン層は発熱する。

また、近年、ＭＥＭＳに用いられるガードリングについて様々な検討がなされている。例えば、特許文献３に記載のＭＥＭＳでは、層間絶縁膜及び配線を有する配線部によって可動電極及び固定電極を有する構造体が囲まれている。配線部内には構造体を囲むガードリングが設けられている。特許文献３には、構造体を露出する開口に侵入した湿気から配線部内の配線がガードリングによって保護されることが記載されている。また特許文献４に記載のＭＥＭＳでは、振動体と、振動体を駆動させるための駆動電極と、振動体の変位を検出するための検出電極と、が配置された領域の外側に、ノイズからの保護のためのガードリングが設けられている。

特開２０１４－１５３１３４号公報特開２０１９－１５８３５８号公報特開２００６－２２４２２０号公報特開平１１－２１１４８３号公報

例えば特許文献１又は２に記載されているように、ＭＥＭＳＩＲエミッタ、ＭＥＭＳガスセンサ等の電子装置の導電パターン層には、ミアンダ形状等の折り返しによって切れ目が形成されることがある。しかしながら、導電パターン層が発熱するとき、支持層のうちこの切れ目の近傍部分は、熱応力によって破損するおそれがある。

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、導電パターンが発熱したときの支持層の耐破損性を高くすることにある。

本発明に係る電子装置は、基板、支持層、導電パターン層及び第１パターン層を備えている。基板は、開口を有している。支持層の少なくとも一部分は、基板の開口と重なっている。導電パターン層は、支持層上に位置し、かつ基板の開口と重なっている。導電パターン層は、少なくとも一箇所で折り返されている。第１パターン層は、支持層上に位置している。第１パターン層は、導電パターン層の折り返しによって導電パターン層に形成された切れ目を覆っている。

本発明に係る電子装置は、基板、支持層、導電パターン層及びリード導電パターン層を備えている。基板は、開口を有している。支持層の少なくとも一部分は、基板の開口と重なっている。導電パターン層は、支持層上に位置し、かつ基板の開口と重なっている。導電パターン層は、少なくとも一箇所で折り返されている。リード導電パターン層は、導電パターン層に斜めに交差している。導電パターン層とリード導電パターン層との交差部分の１８０度未満の角度で開いている角は、導電パターン層からリード導電パターン層にかけて連続的に滑らかな外縁を有している。

本発明によれば、導電パターンが発熱したときの支持層の耐破損性を高くすることができる。

実施形態１に係る電子装置の平面図（上面図）である。図１のＡ－Ａ´断面図である。実施形態２に係る電子装置の平面図（上面図）である。実施形態３に係る電子装置の平面図（上面図）である。実施形態４に係る電子装置の平面図（上面図）である。実施形態５に係る電子装置の平面図（上面図）である。実施形態６に係る電子装置の平面図（上面図）である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る電子装置１０の平面図（上面図）である。図２は、図１のＡ－Ａ´断面図である。

電子装置１０は、基板１００、支持層２００、導電パターン層３１０、４つのリード導電パターン層３１４、２つの第１パターン層３２０、２つの第２パターン層３３０及び発光層４００を備えている。基板１００は、第１面１０２、第２面１０４及び開口１０６を有している。支持層２００のダイヤフラム２１０（詳細は後述する。）は、第１辺２１２、第２辺２１４、第３辺２１６及び第４辺２１８を４辺として有する実質的な矩形（正方形を含む。）の形状を有している。実質的な矩形とは、厳密な矩形だけでなく、面取りされた矩形、切欠きが形成された辺を有する矩形等、厳密な矩形に類似する図形も意味する。ダイヤフラム２１０の第１辺２１２及び第２辺２１４は、互いに反対側に位置している（対向している）。ダイヤフラム２１０の第３辺２１６及び第４辺２１８は、ダイヤフラム２１０の第１辺２１２と第２辺２１４との間に位置しており、互いに反対側に位置している（対向している）。

図１及び図２において、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ及び第３方向Ｚは、以下のようになる。後述する図３から図７においても同様である。

第１方向Ｘは、電子装置１０又は電子装置１０を構成する要素（例えば、基板１００、開口１０６、ダイヤフラム２１０又は導電パターン層３１０）の所定の一方向である。本実施形態において、第１方向Ｘは、ダイヤフラム２１０の第１辺２１２又は第２辺２１４の延伸方向である。しかしながら、第１方向Ｘは、ダイヤフラム２１０の第１辺２１２又は第２辺２１４と異なる要素の方向（例えば、基板１００の各辺の延伸方向）に基づいて決定されてもよい。第１方向Ｘの正方向（第１方向Ｘを示す矢印によって示される方向）は、第１方向Ｘの一方側に向かう方向である。本実施形態において、第１方向Ｘの正方向は、ダイヤフラム２１０の第４辺２１８から第３辺２１６に向かう方向である。第１方向Ｘの負方向（第１方向Ｘを示す矢印によって示される方向の反対方向）は、第１方向Ｘの上記一方側の反対の他方側に向かう方向である。本実施形態において、第１方向Ｘの負方向は、ダイヤフラム２１０の第３辺２１６から第４辺２１８に向かう方向である。

第２方向Ｙは、第１方向Ｘに交差しており、具体的に直交している。本実施形態において、第２方向Ｙは、ダイヤフラム２１０の第３辺２１６又は第４辺２１８の延伸方向である。しかしながら、第２方向Ｙは、ダイヤフラム２１０の第３辺２１６又は第４辺２１８と異なる要素の方向（例えば、基板１００の各辺の延伸方向）に基づいて決定されてもよい。第２方向Ｙの正方向（第２方向Ｙを示す矢印によって示される方向）は、第２方向Ｙの一方側に向かう方向である。本実施形態において、第２方向Ｙの正方向は、ダイヤフラム２１０の第２辺２１４から第１辺２１２に向かう方向である。第２方向Ｙの負方向（第２方向Ｙを示す矢印によって示される方向の反対方向）は、第２方向Ｙの上記一方側の反対の他方側に向かう方向である。本実施形態において、第２方向Ｙの負方向は、ダイヤフラム２１０の第１辺２１２から第２辺２１４に向かう方向である。

第３方向Ｚは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙの双方に交差しており、具体的には直交している。本実施形態において、第３方向Ｚは、電子装置１０又は電子装置１０を構成する要素（例えば、基板１００、支持層２００、導電パターン層３１０、リード導電パターン層３１４、第１パターン層３２０又は第２パターン層３３０）の厚さ（高さ）方向である。第３方向Ｚの正方向（図１において紙面の奥から手前に向かう方向、図２において第３方向Ｚを示す矢印によって示される方向）は、第３方向Ｚの一方側に向かう方向である、本実施形態において、第３方向Ｚの正方向は、基板１００の第２面１０４から第１面１０２に向かう方向（例えば、上方向）である。第３方向Ｚの負方向（図１において紙面の手前から奥に向かう方向、図２において第３方向Ｚを示す矢印によって示される方向の反対方向）は、第３方向Ｚの上記一方側の反対の他方側に向かう方向である。本実施形態において、第３方向Ｚの負方向は、基板１００の第１面１０２から第２面１０４に向かう方向（例えば、下方向）である。

図１では、説明のため、発光層４００（図２）と、支持層２００のうちダイヤフラム２１０の外側に位置する部分と、を示していない。

基板１００は、例えばシリコン基板等の半導体基板である。基板１００の第１面１０２は、基板１００の上面である。基板１００の第２面１０４は、基板１００の第１面１０２の反対側にある。基板１００の第２面１０４は、基板１００の下面である。基板１００の開口１０６は、基板１００の第１面１０２側に位置している。基板１００の開口１０６が設けられている場合、基板１００の開口１０６が設けられていない場合と比較して、導電パターン層３１０から発生する熱（詳細は後述する。）のうち、基板１００の厚さ方向（第３方向Ｚ）に沿って基板１００の第１面１０２側から第２面１０４側に向けて逃げる量を少なくすることができる。本実施形態において、開口１０６は、基板１００の第１面１０２と第２面１０４との間において基板１００を貫通する孔の第１面１０２側（第３方向Ｚの正方向側）の開口となっている。しかしながら、開口１０６は、基板１００を貫通する孔の開口でなくてもよい。例えば、基板１００の第１面１０２側には、基板１００の第２面１０４まで達しない（基板１００を貫通しない）凹部（キャビティ）が形成されていてもよい。この例において、開口１０６は、この凹部（キャビティ）の第１面１０２側（第３方向Ｚの正方向側）の開口である。

支持層２００は、基板１００の第１面１０２側に位置している。支持層２００は、支持層２００の厚さ方向（第３方向Ｚ）に厚さを有する少なくとも１つの絶縁層（例えば、シリコン酸化層又はシリコン窒化層）を有している。支持層２００が複数の絶縁層を有する場合、複数の絶縁層は、支持層２００の厚さ方向（第３方向Ｚ）に積層されている。支持層２００の少なくとも一部分は、支持層２００の厚さ方向（第３方向Ｚ）において基板１００の開口１０６と重なっている。支持層２００のうち基板１００の開口１０６と重なる部分は、ダイヤフラム２１０となっている。

ダイヤフラム２１０（支持層２００）は、４つの貫通孔２１０ａを有している。各貫通孔２１０ａは、ダイヤフラム２１０（支持層２００）の厚さ方向（第３方向Ｚ）にダイヤフラム２１０（支持層２００）を貫通している。基板１００の第１面１０２（図２）に垂直な方向（第３方向Ｚの正方向）から見て、４つの貫通孔２１０ａは、導電パターン層３１０の一方向（第１方向Ｘ）の両側に位置する２つの貫通孔２１０ａと、導電パターン層３１０の上記一方向に直交する他の一方向（第２方向Ｙ）の両側に位置する２つの貫通孔２１０ａと、を含んでいる。貫通孔２１０ａが設けられている場合、貫通孔２１０ａが設けられていない場合と比較して、導電パターン層３１０から発生する熱（詳細は後述する。）のうち、基板１００の厚さ方向（第３方向Ｚ）に対して横方向（例えば、第１方向Ｘ又は第２方向Ｙ）に沿って導電パターン層３１０の外側に向けて逃げる量を少なくすることができる。しかしながら、ダイヤフラム２１０（支持層２００）は、貫通孔２１０ａを有していなくてもよい。

ダイヤフラム２１０（支持層２００）は、４つの梁２１０ｂを有している。基板１００の第１面１０２（図２）に垂直な方向（第３方向Ｚの正方向）から見て、４つの梁２１０ｂは、導電パターン層３１０に対して第１方向Ｘの正方向側かつ第２方向Ｙの正方向側に位置する梁２１０ｂと、導電パターン層３１０に対して第１方向Ｘの負方向側かつ第２方向Ｙの正方向側に位置する梁２１０ｂと、導電パターン層３１０に対して第１方向Ｘの負方向側かつ第２方向Ｙの負方向側に位置する梁２１０ｂと、導電パターン層３１０に対して第１方向Ｘの正方向側かつ第２方向Ｙの負方向側に位置する梁２１０ｂと、を含んでいる。

導電パターン層３１０は、支持層２００（ダイヤフラム２１０）上に位置し、かつ基板１００の開口１０６と重なっている。導電パターン層３１０は、ミアンダ形状を有している。具体的には、導電パターン層３１０は、一方向（第１方向Ｘ）の両側で交互に折り返されている。導電パターン層３１０は、第１方向Ｘの正方向側の複数箇所（２箇所）で折り返されているとともに、第１方向Ｘの負方向側の複数箇所（２箇所）で折り返されている。導電パターン層３１０の第１方向Ｘの正方向側の複数（２つ）の折り返しによって、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの負方向側には、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの負方向側に向けて開いた複数（２つ）の切れ目３１２が形成されている。また、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの負方向側の複数（２つ）の折り返しによって、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの正方向側には、第１方向Ｘの正方向側に向けて開いた複数（２つ）の切れ目３１２が形成されている。また、導電パターン層３１０の一端は、ダイヤフラム２１０（開口１０６）の中心に対して、第１方向Ｘの正方向側かつ第２方向Ｙの正方向側に位置している。一方、導電パターン層３１０の他端は、ダイヤフラム２１０（開口１０６）の中心に対して、第１方向Ｘの負方向側かつ第２方向Ｙの負方向側に位置している。

導電パターン層３１０のレイアウトは、本実施形態に係るレイアウトに限定されない。例えば、導電パターン層３１０は、少なくとも一箇所で折り返されていてもよい。この場合、導電パターン層３１０の少なくとも１つの折り返しによって、少なくとも１つの切れ目３１２が導電パターン層３１０に形成されている。例えば、導電パターン層３１０は、第１方向Ｘの正方向側の少なくとも１箇所で折り返されているとともに、第１方向Ｘの負方向側の少なくとも１箇所で折り返されていてもよい。導電パターン層３１０の第１方向Ｘの正方向側の少なくとも１つの折り返しによって、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの負方向側には、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの負方向側に向けて開いた少なくとも１つの切れ目３１２が形成されている。また、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの負方向側の少なくとも１つの折り返しによって、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの正方向側には、第１方向Ｘの正方向側に向けて開いた少なくとも１つの切れ目３１２が形成されている。或いは、導電パターン層３１０は、第１方向Ｘの正方向側の１箇所のみで折り返されている一方で、第１方向Ｘの負方向側では折り返されていなくてもよい。この場合、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの正方向側の１つの折り返しによって、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの負方向側には、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの負方向側に向けて開いた１つの切れ目３１２が形成されている。一方、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの正方向側には、切れ目３１２が形成されていない。

４つのリード導電パターン層３１４は、導電パターン層３１０に接続されており、導電パターン層３１０と一体として形成されている。基板１００の第１面１０２に垂直な方向（第３方向Ｚの正方向）から見て、４つのリード導電パターン層３１４の各々は、４つの梁２１０ｂの各々と重なっており、導電パターン層３１０に斜めに交差している。基板１００の第１面１０２（図２）に垂直な方向（第３方向Ｚの正方向）から見て、４つのリード導電パターン層３１４は、導電パターン層３１０に対して第１方向Ｘの正方向側かつ第２方向Ｙの正方向側に位置するリード導電パターン層３１４と、導電パターン層３１０に対して第１方向Ｘの負方向側かつ第２方向Ｙの正方向側に位置するリード導電パターン層３１４と、導電パターン層３１０に対して第１方向Ｘの負方向側かつ第２方向Ｙの負方向側に位置するリード導電パターン層３１４と、導電パターン層３１０に対して第１方向Ｘの正方向側かつ第２方向Ｙの負方向側に位置するリード導電パターン層３１４と、を含んでいる。

導電パターン層３１０の上記一端に接続されたリード導電パターン層３１４（導電パターン層３１０に対して第１方向Ｘの正方向側かつ第２方向Ｙの正方向側に位置するリード導電パターン層３１４）と、導電パターン層３１０の上記他端に接続されたリード導電パターン層３１４（導電パターン層３１０に対して第１方向Ｘの負方向側かつ第２方向Ｙの負方向側に位置するリード導電パターン層３１４）と、の間に電圧を印加することで、導電パターン層３１０に電流を流すことができる。導電パターン層３１０に流れる電流によって、導電パターン層３１０は熱（ジュール熱）を発する。この場合、残りの２つのリード導電パターン層３１４（導電パターン層３１０に対して第１方向Ｘの負方向側かつ第２方向Ｙの正方向側に位置するリード導電パターン層３１４と、導電パターン層３１０に対して第１方向Ｘの正方向側かつ第２方向Ｙの負方向側に位置するリード導電パターン層３１４）の間には電圧を印加しなくてもよい。この場合、当該残りの２つのリード導電パターン層３１４は、ダミー導電パターン層として機能する。

各導電パターン層３１０及び各リード導電パターン層３１４は、電気抵抗率が比較的高い導電材料、例えば、白金（Ｐｔ）、白金（Ｐｔ）を含む合金（例えば、白金・タングステン合金）、ニクロム等の金属又はポリシリコンによって形成されている。

リード導電パターン層３１４のレイアウトは、本実施形態に係るレイアウトに限定されない。例えば、導電パターン層３１０の上記一端に接続されたリード導電パターン層３１４（導電パターン層３１０に対して第１方向Ｘの正方向側かつ第２方向Ｙの正方向側に位置するリード導電パターン層３１４）と、導電パターン層３１０の上記他端に接続されたリード導電パターン層３１４（導電パターン層３１０に対して第１方向Ｘの負方向側かつ第２方向Ｙの負方向側に位置するリード導電パターン層３１４）と、は残す一方で、残りの２つのリード導電パターン層３１４（導電パターン層３１０に対して第１方向Ｘの負方向側かつ第２方向Ｙの正方向側に位置するリード導電パターン層３１４と、導電パターン層３１０に対して第１方向Ｘの正方向側かつ第２方向Ｙの負方向側に位置するリード導電パターン層３１４）は設けられていなくてもよい。

２つの第１パターン層３２０は、導電パターン層３１０の一方向（第１方向Ｘ）の両側に位置している。導電パターン層３１０の第１方向Ｘの正方向側の第１パターン層３２０は、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの正方向側の複数（２つ）の切れ目３１２を覆っている。また、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの負方向側の第１パターン層３２０は、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの負方向側の複数（２つ）の切れ目３１２を覆っている。この場合、第１パターン層３２０が設けられていない場合と比較して、導電パターン層３１０が発熱したときのダイヤフラム２１０の耐破損性が高くなる。すなわち、第１パターン層３２０は、ダイヤフラム２１０の破損を抑制するバリアパターンとして機能している。理由は、以下のとおりである。

ダイヤフラム２１０のうちダイヤフラム２１０の厚さ方向（第３方向Ｚ）に導電パターン層３１０（発熱部分）と重なる部分の温度と、ダイヤフラム２１０のうちダイヤフラム２１０の厚さ方向（第３方向Ｚ）に導電パターン層３１０（発熱部分）の切れ目３１２と重なる部分の温度と、の差によって、ダイヤフラム２１０のうち導電パターン層３１０の切れ目３１２の近傍では、導電パターン層３１０の線膨張係数とダイヤフラム２１０の線膨張係数との差に起因して、熱応力集中によって破損が生じやすい。これに対して、本実施形態では、ダイヤフラム２１０のうち導電パターン層３１０の切れ目３１２の近傍における熱応力を第１パターン層３２０に逃がすことができる。したがって、本実施形態では、第１パターン層３２０が設けられていない場合と比較して、導電パターン層３１０が発熱したときのダイヤフラム２１０の耐破損性が高くなる。

ダイヤフラム２１０（支持層２００）の厚さ（第３方向Ｚ）が薄く、ダイヤフラム２１０に貫通孔２１０ａが設けられている場合、ダイヤフラム２１０のうち導電パターン層３１０の切れ目３１２の近傍では熱応力集中によって破損が生じやすい。したがって、本実施形態は、ダイヤフラム２１０（支持層２００）の厚さ（第３方向Ｚ）が薄く、ダイヤフラム２１０に貫通孔２１０ａが設けられている場合に特に有意義である。しかしながら、本実施形態は、ダイヤフラム２１０（支持層２００）の厚さ（第３方向Ｚ）が厚く、ダイヤフラム２１０に貫通孔２１０ａが設けられていない場合にも適用可能である。

各第１パターン層３２０は、線状に延伸している。この場合、各第１パターン層３２０が面状に広がっている場合と比較して、導電パターン層３１０から発生する熱のうち第１パターン層３２０を介して導電パターン層３１０の外側へ向けて逃げる量を少なくすることができる。しかしながら、各第１パターン層３２０は、面状に広がっていてもよい。例えば、第１パターン層３２０は、多角形形状を有していてもよい。

２つの第１パターン層３２０は、ダイヤフラム２１０（開口１０６）の第１方向Ｘにおける中心を第２方向Ｙに沿って通過する直線に関して対称になっている。この場合、２つの第１パターン層３２０が、ダイヤフラム２１０（開口１０６）の第１方向Ｘにおける中心を第２方向Ｙに沿って通過する直線に関して非対称となっている場合と比較して、第１パターン層３２０を設けることによる応力分布のばらつきを低減することができる。しかしながら、２つの第１パターン層３２０は、ダイヤフラム２１０（開口１０６）の第１方向Ｘにおける中心を第２方向Ｙに沿って通過する直線に関して非対称となっていてもよい。また、第１パターン層３２０は、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの正方向側及び負方向側の一方のみ等、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの正方向側及び負方向側の少なくとも一方に設けられていてもよい。すなわち、第１パターン層３２０は、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの正方向側に形成された切れ目３１２と、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの負方向側に形成された切れ目３１２と、の少なくとも一方を覆っていてもよい。

基板１００の第１面１０２に垂直な方向（第３方向Ｚの正方向）から見て、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの正方向側の第１パターン層３２０は、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの正方向側で第２方向Ｙに沿って延伸する部分と、導電パターン層３１０に対して第１方向Ｘの正方向側かつ第２方向Ｙの正方向側に位置するリード導電パターン層３１４に沿って延伸する部分と、導電パターン層３１０に対して第１方向Ｘの正方向側かつ第２方向Ｙの負方向側に位置するリード導電パターン層３１４に沿って延伸する部分と、を含んでいる。導電パターン層３１０の第１方向Ｘの負方向側の第１パターン層３２０についても同様である。なお、第１パターン層３２０は、リード導電パターン層３１４に沿って延伸する部分を含んでいなくてもよい。

基板１００の第１面１０２に垂直な方向（第３方向Ｚの正方向）から見て、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの正方向側の第１パターン層３２０の一端（導電パターン層３１０に対して第１方向Ｘの正方向側かつ第２方向Ｙの正方向側の端）及び他端（導電パターン層３１０に対して第１方向Ｘの正方向側かつ第２方向Ｙの負方向側の端）は、ダイヤフラム２１０の外側に位置している。第１パターン層３２０は、第１パターン層３２０の上記一端から第１パターン層３２０の上記他端の間で連続的に延伸しており、ダイヤフラム２１０上のいずれの領域においても途切れていない。導電パターン層３１０の第１方向Ｘの負方向側の第１パターン層３２０についても同様である。仮に、第１パターン層３２０がダイヤフラム２１０上のいずれかの領域で途切れていると、導電パターン層３１０から発生した熱が第１パターン層３２０に伝わったとき、第１パターン層３２０が途切れている部分でダイヤフラム２１０を破損させ得る熱応力が集中する可能性がある。これに対して、本実施形態では、このような熱応力の集中が抑えられている。しかしながら、第１パターン層３２０は、ダイヤフラム２１０上のいずれかの領域で途切れていてもよい。

導電パターン層３１０の第１方向Ｘの正方向側の第１パターン層３２０は、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの正方向側のすべて（２つ）の切れ目３１２を覆っている。しかしながら、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの正方向側の第１パターン層３２０は、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの正方向側の複数（２つ）の切れ目３１２のうちの少なくとも１つを覆っていてもよい。また、第１パターン層３２０は、導電パターン層３１０の切れ目３１２の近傍のみに選択的に設けられていてもよい。導電パターン層３１０の第１方向Ｘの負方向側の第１パターン層３２０についても同様である。

導電パターン層３１０から発生した熱のうち第１パターン層３２０を介して導電パターン層３１０の外側へ向けて逃げる量を低減する観点から、各第１パターン層３２０（第１パターン層３２０のうち導電パターン層３１０の切れ目３１２を覆う部分）の幅Ｗ２（第１方向Ｘ）は、導電パターン層３１０の切れ目３１２の幅Ｗ１（第２方向Ｙ）の例えば、３倍以下、好ましくは２倍以下にすることができる。第１パターン層３２０の耐破損性を高くする観点から、各第１パターン層３２０（第１パターン層３２０のうち導電パターン層３１０の切れ目３１２を覆う部分）の幅Ｗ２（第１方向Ｘ）は、導電パターン層３１０の切れ目３１２の幅Ｗ１（第２方向Ｙ）の例えば、０．７５倍以上、好ましくは１倍以上にすることができる。

第１パターン層３２０によってダイヤフラム２１０の破損を抑制する観点から、導電パターン層３１０と第１パターン層３２０との間の隙間（導電パターン層３１０のうち第１パターン層３２０に対向している外縁と、第１パターン層３２０のうち導電パターン層３１０に対向している縁と、の間の隙間）の幅Ｇ１（第１方向Ｘ）は、導電パターン層３１０の切れ目３１２の幅Ｗ１（第２方向Ｙ）の例えば３倍以下、好ましくは２倍以下にすることができる。導電パターン層３１０と第１パターン層３２０との間の隙間の幅Ｇ１の下限は特に限定されない。しかしながら、導電パターン層３１０の切れ目３１２の幅Ｗ１が導電パターン層３１０の製造プロセスの条件（例えば、リソグラフィの分解能）における最小限界幅であるとき、導電パターン層３１０と第１パターン層３２０との間の隙間（導電パターン層３１０のうち第１パターン層３２０に対向している外縁と、第１パターン層３２０のうち導電パターン層３１０に対向している縁と、の間の隙間）の幅Ｇ１（第１方向Ｘ）は、導電パターン層３１０の切れ目３１２の幅Ｗ１（第２方向Ｙ）の例えば１倍以上にすることができる。

第１パターン層３２０の耐破損性を高くする観点から、第１パターン層３２０の厚さ（第３方向Ｚ）は、例えば、導電パターン層３１０の厚さ（第３方向Ｚ）と実質的に等しくしてもよく、導電パターン層３１０の厚さ（第３方向Ｚ）の例えば９０％以上１１０％以下にしてもよい。

各第１パターン層３２０は、導電パターン層３１０と同一材料によって形成されている。この場合、導電パターン層３１０及び第１パターン層３２０を同一工程で形成することができる。したがって、第１パターン層３２０が導電パターン層３１０と異なる材料によって形成されている場合と比較して、導電パターン層３１０及び第１パターン層３２０の製造工程を少なくすることができる。しかしながら、第１パターン層３２０は、導電パターン層３１０と異なる材料によって形成されていてもよい。例えば、第１パターン層３２０は、支持層２００から発生する熱応力に耐える硬度を有する材料（例えば、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属（合金を含む。）、又はそれらのシリコン化合物（シリサイド））によって形成されていてもよい。或いは、第１パターン層３２０は、支持層２００から発生する熱応力を緩和する靭性を有する材料（例えば、ＳＵ－８、パリレン等の樹脂）によって形成されていてもよい。

第１パターン層３２０が導電性を有する場合（例えば、導電パターン層３１０及び第１パターン層３２０が同一材料によって形成されている場合）、第１パターン層３２０は、導電パターン層３１０から電気的に分離されている。すなわち、導電パターン層３１０に電流を流すための電圧は導電パターン層３１０には印加されない。第１パターン層３２０は、電気的に浮遊させていてもよい。例えば、第１パターン層３２０には電源電位及び接地電位が印加されないようにすることができる。また、第１パターン層３２０には電流を流さなくてもよい。しかしながら、導電パターン層３１０に電流が流れる場合、第１パターン層３２０にも電流を流してもよい。

２つの第２パターン層３３０は、導電パターン層３１０の上記一方向（第１方向Ｘ）に直交する他の一方向（第２方向Ｙ）の両側に位置している。本実施形態では、第２パターン層３３０が設けられていない場合と比較して、導電パターン層３１０の発熱時の導電パターン層３１０の周辺の応力分布のばらつきを第２パターン層３３０によって低減することができる。

各第２パターン層３３０は、線状に延伸している。この場合、各第２パターン層３３０が面状に広がっている場合と比較して、導電パターン層３１０から発生する熱のうち第２パターン層３３０を介して導電パターン層３１０の外側へ向けて逃げる量を少なくすることができる。しかしながら、各第２パターン層３３０は、面状に広がっていてもよい。例えば、第２パターン層３３０は、多角形形状を有していてもよい。

２つの第２パターン層３３０は、ダイヤフラム２１０（開口１０６）の第２方向Ｙにおける中心を第１方向Ｘに沿って通過する直線に関して対称になっている。この場合、２つの第２パターン層３３０が、ダイヤフラム２１０（開口１０６）の第２方向Ｙにおける中心を第１方向Ｘに沿って通過する直線に関して非対称となっている場合と比較して、第２パターン層３３０を設けることによる応力分布のばらつきを低減することができる。しかしながら、２つの第２パターン層３３０は、ダイヤフラム２１０（開口１０６）の第２方向Ｙにおける中心を第１方向Ｘに沿って通過する直線に関して非対称となっていてもよい。また、第２パターン層３３０は、導電パターン層３１０の第２方向Ｙの正方向側及び負方向側の一方のみ等、導電パターン層３１０の第２方向Ｙの正方向側及び負方向側の少なくとも一方に設けられていてもよい。すなわち、第２パターン層３３０は、第２方向Ｙにおける導電パターン層３１０の両側の少なくとも一方を覆っていてもよい。

基板１００の第１面１０２に垂直な方向（第３方向Ｚの正方向）から見て、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの正方向側の第２パターン層３３０は、導電パターン層３１０の第２方向Ｙの正方向側で第１方向Ｘに沿って延伸する部分と、導電パターン層３１０に対して第１方向Ｘの正方向側かつ第２方向Ｙの正方向側に位置するリード導電パターン層３１４に沿って延伸する部分と、導電パターン層３１０に対して第１方向Ｘの負方向側かつ第２方向Ｙの正方向側に位置するリード導電パターン層３１４に沿って延伸する部分と、を含んでいる。導電パターン層３１０の第２方向Ｙの負方向側の第２パターン層３３０についても同様である。なお、第２パターン層３３０は、リード導電パターン層３１４に沿って延伸する部分を含んでいなくてもよい。

基板１００の第１面１０２に垂直な方向（第３方向Ｚの正方向）から見て、導電パターン層３１０の第２方向Ｙの正方向側の第２パターン層３３０の一端（導電パターン層３１０に対して第１方向Ｘの正方向側かつ第２方向Ｙの正方向側の端）及び他端（導電パターン層３１０に対して第１方向Ｘの負方向側かつ第２方向Ｙの正方向側の端）は、ダイヤフラム２１０の外側に位置している。第２パターン層３３０は、第２パターン層３３０の上記一端から第１パターン層３２０の上記他端の間で連続的に延伸しており、ダイヤフラム２１０上のいずれの領域においても途切れていない。導電パターン層３１０の第２方向Ｙの負方向側の第１パターン層３２０についても同様である。仮に、第２パターン層３３０がダイヤフラム２１０上のいずれかの領域で途切れていると、導電パターン層３１０から発生した熱が第２パターン層３３０に伝わったとき、第２パターン層３３０が途切れている部分でダイヤフラム２１０を破損させ得る熱応力が集中する可能性がある。これに対して、本実施形態では、このような熱応力の集中が抑えられている。しかしながら、第２パターン層３３０は、ダイヤフラム２１０上のいずれかの領域で途切れていてもよい。

導電パターン層３１０から発生した熱のうち第２パターン層３３０を介して導電パターン層３１０の外側へ向けて逃げる量を低減する観点から、各第２パターン層３３０（第２パターン層３３０のうち導電パターン層３１０を覆う部分）の幅Ｗ３（第２方向Ｙ）は、導電パターン層３１０の切れ目３１２の幅Ｗ１（第２方向Ｙ）の例えば、３倍以下、好ましくは２倍以下にすることができる。第２パターン層３３０の耐破損性を高くする観点から、各第２パターン層３３０（第２パターン層３３０のうち導電パターン層３１０を覆う部分）の幅Ｗ３（第２方向Ｙ）は、導電パターン層３１０の切れ目３１２の幅Ｗ１（第２方向Ｙ）の例えば、０．７５倍以上、好ましくは１倍以上にすることができる。

第２パターン層３３０によってダイヤフラム２１０の破損を抑制する観点から、導電パターン層３１０と第２パターン層３３０との間の隙間（導電パターン層３１０のうち第２パターン層３３０に対向している外縁と、第２パターン層３３０のうち導電パターン層３１０に対向している縁と、の間の隙間）の幅Ｇ２（第２方向Ｙ）は、導電パターン層３１０の切れ目３１２の幅Ｗ１（第２方向Ｙ）の例えば３倍以下、好ましくは２倍以下にすることができる。導電パターン層３１０と第２パターン層３３０との間の隙間の幅Ｇ２の下限は特に限定されない。しかしながら、導電パターン層３１０の切れ目３１２の幅Ｗ１が導電パターン層３１０の製造プロセスの条件（例えば、リソグラフィの分解能）における最小限界幅であるとき、導電パターン層３１０と第２パターン層３３０との間の隙間（導電パターン層３１０のうち第２パターン層３３０に対向している外縁と、第２パターン層３３０のうち導電パターン層３１０に対向している縁と、の間の隙間）の幅Ｇ２（第２方向Ｙ）は、導電パターン層３１０の切れ目３１２の幅Ｗ１（第２方向Ｙ）の例えば１倍以上にすることができる。

第２パターン層３３０の耐破損性を高くする観点から、第２パターン層３３０の厚さ（第３方向Ｚ）は、例えば、導電パターン層３１０の厚さ（第３方向Ｚ）と実質的に等しくしてもよく、導電パターン層３１０の厚さ（第３方向Ｚ）の例えば９０％以上１１０％以下にしてもよい。

各第２パターン層３３０は、導電パターン層３１０と同一材料によって形成されている。この場合、導電パターン層３１０及び第２パターン層３３０を同一工程で形成することができる。したがって、第２パターン層３３０が導電パターン層３１０と異なる材料によって形成されている場合と比較して、導電パターン層３１０及び第２パターン層３３０の製造工程を少なくすることができる。しかしながら、第２パターン層３３０は、導電パターン層３１０と異なる材料によって形成されていてもよい。例えば、第２パターン層３３０は、支持層２００から発生する熱応力に耐える硬度を有する材料（例えば、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属（合金を含む。）、又はそれらのシリコン化合物（シリサイド））によって形成されていてもよい。或いは、第２パターン層３３０は、支持層２００から発生する熱応力を緩和する靭性を有する材料（例えば、ＳＵ－８、パリレン等の樹脂）によって形成されていてもよい。

第２パターン層３３０が導電性を有する場合（例えば、導電パターン層３１０及び第２パターン層３３０が同一材料によって形成されている場合）、第２パターン層３３０は、導電パターン層３１０から電気的に分離されている。すなわち、導電パターン層３１０に電流を流すための電圧は第２パターン層３３０には印加されない。第２パターン層３３０は、電気的に浮遊させていてもよい。例えば、第２パターン層３３０には電源電位及び接地電位が印加されないようにすることができる。また、第２パターン層３３０には電流を流さなくてもよい。しかしながら、導電パターン層３１０に電流が流れる場合、第２パターン層３３０にも電流を流してもよい。

（実施形態２）
図３は、実施形態２に係る電子装置１０の平面図（上面図）である。実施形態２に係る電子装置１０は、以下の点を除いて、実施形態１に係る電子装置１０と同様である。

電子装置１０は、第２パターン層３３０（図２）を備えていない。言い換えると、第２方向Ｙにおける導電パターン層３１０の両側は、第１パターン層３２０を形成する材料と同一材料から露出されている。詳細には、ダイヤフラム２１０のうち導電パターン層３１０の第２方向Ｙの両側には、第１パターン層３２０と同様の機能を果たすパターン層（例えば、第１パターン層３２０を形成する材料と同じ材料）が設けられていない。本実施形態によれば、第２パターン層３３０が設けられている場合（図１）と比較して、導電パターン層３１０から発生した熱のうち第２方向Ｙに沿って導電パターン層３１０の外側に向けて逃げる量を低減することができる。

本実施形態では、第２方向Ｙにおける導電パターン層３１０の両側において、第２パターン層３３０（図１）が設けられていない。しかしながら、第２方向Ｙにおける導電パターン層３１０の両側の一方には、第２パターン層３３０（図１）が設けられていてもよい。すなわち、第２方向Ｙにおける導電パターン層３１０の両側の少なくとも一方は、第１パターン層３２０を形成する材料と同一材料から露出されているようにすることができる。

（実施形態３）
図４は、実施形態３に係る電子装置１０の平面図（上面図）である。実施形態３に係る電子装置１０は、以下の点を除いて、実施形態２に係る電子装置１０と同様である。

第１パターン層３２０のうち導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分を覆う部分の外側（導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分と対向している側の反対側）の角（１８０度未満の角度で開いている角）は、第１パターン層３２０のうち導電パターン層３１０を覆う部分から第１パターン層３２０のうちリード導電パターン層３１４を覆う部分にかけて連続的に滑らかな外縁を有している。本実施形態において、第１パターン層３２０のうち導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分を覆う部分の外側の角は、第１方向Ｘの正方向側の導電パターン層３１０の第１方向Ｘの正方向側かつ第２方向Ｙの正方向側と、第１方向Ｘの負方向側の導電パターン層３１０の第１方向Ｘの負方向側かつ第２方向Ｙの正方向側と、第１方向Ｘの負方向側の導電パターン層３１０の第１方向Ｘの負方向側かつ第２方向Ｙの負方向側と、第１方向Ｘの正方向側の導電パターン層３１０の第１方向Ｘの正方向側かつ第２方向Ｙの負方向側と、の４箇所に存在している。これら４つの角のすべてが、第１パターン層３２０のうち導電パターン層３１０を覆う部分から第１パターン層３２０のうちリード導電パターン層３１４を覆う部分にかけて連続的に滑らかな外縁を有している。しかしながら、これら４つの角のうちの少なくとも１つが、第１パターン層３２０のうち導電パターン層３１０を覆う部分から第１パターン層３２０のうちリード導電パターン層３１４を覆う部分にかけて連続的に滑らかな外縁を有していてもよい。

本実施形態において、「連続的に滑らかな外縁」とは、例えば、当該外縁にフィッティングして得られる関数がその関数の区間にわたって連続的微分可能である（例えば、Ｃ^１級の関数である）ことを意味する。

仮に、例えば、第１パターン層３２０のうち導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分を覆う部分の外側（導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分と対向している側の反対側）の角の外縁の一部分が尖っている場合、導電パターン層３１０から発生した熱が第１パターン層３２０に伝わったとき、第１パターン層３２０の上記角の上記外縁のうち尖っている上記一部分又はその近傍において、第１パターン層３２０又はダイヤフラム２１０（支持層２００）に熱応力集中が発生して、第１パターン層３２０又はダイヤフラム２１０（支持層２００）に破損が生じる可能性がある。これに対して本実施形態では、第１パターン層３２０の上記角が連続的に滑らかな外縁を有しているため、当該熱応力集中を抑制することができる。このため、本実施形態によれば、例えば、第１パターン層３２０のうち導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分を覆う部分の外側（導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分と対向している側の反対側）の角の外縁の一部分が尖っている場合と比較して、第１パターン層３２０又はダイヤフラム２１０（支持層２００）の耐破損性を高くすることができる。

本実施形態では、第１パターン層３２０のうち導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分を覆う部分の内側（導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分と対向している側）の角（１８０度超の角度で開いている角）は、尖っている。しかしながら、第１パターン層３２０のうち導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分を覆う部分の内側（導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分対向している側）の角も、第１パターン層３２０のうち導電パターン層３１０を覆う部分から第１パターン層３２０のうちリード導電パターン層３１４を覆う部分にかけて連続的に滑らかな外縁を有していてもよい。

（実施形態４）
図５は、実施形態４に係る電子装置１０の平面図（上面図）である。実施形態４に係る電子装置１０は、以下の点を除いて、実施形態１に係る電子装置１０と同様である。

導電パターン層３１０は、四角形スパイラル形状を有している。四角形スパイラル形状の各巻き部は、四角形に類似した形状を有している。本実施形態において、四角形スパイラル形状の四角形は、長方形（正方形を含む。）となっている。しかしながら、四角形スパイラル形状の四角形は、長方形以外の四角形（例えば、菱形、平行四辺形又は台形）であってもよい。また、導電パターン層３１０は、多角形スパイラル形状（例えば、三角形スパイラル形状又は六角形スパイラル形状）を有していてもよい。

基板１００の第１面１０２（図２）に垂直な方向（第３方向Ｚの正方向）から見て、導電パターン層３１０は、導電パターン層３１０の一端（第１方向Ｘの正方向側かつ第２方向Ｙの正方向側の端）から導電パターン層３１０の中心にかけて反時計回りに延伸しており、導電パターン層３１０の中心で折り返して、導電パターン層３１０の中心から導電パターン層３１０の他端（第１方向Ｘの負方向側かつ第２方向Ｙの負方向側の端）にかけて時計回りに延伸している。

基板１００の第１面１０２（図２）に垂直な方向（第３方向Ｚの正方向）から見て、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの正方向側には、導電パターン層３１０のうち導電パターン層３１０の上記一端（第１方向Ｘの正方向側かつ第２方向Ｙの正方向側の端）から導電パターン層３１０の中心にかけて反時計回りに延伸している部分と、導電パターン層３１０のうち導電パターン層３１０の中心から導電パターン層３１０の上記他端（第１方向Ｘの負方向側かつ第２方向Ｙの負方向側）にかけて時計回りに延伸している部分と、によって、第１方向Ｘの正方向側に向けて開いた１つの切れ目３１２が形成されている。また、基板１００の第１面１０２（図２）に垂直な方向（第３方向Ｚの正方向）から見て、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの負方向側には、導電パターン層３１０のうち導電パターン層３１０の上記一端（第１方向Ｘの正方向側かつ第２方向Ｙの正方向側の端）から導電パターン層３１０の中心にかけて反時計回りに延伸している部分と、導電パターン層３１０のうち導電パターン層３１０の中心から導電パターン層３１０の上記他端（第１方向Ｘの負方向側かつ第２方向Ｙの負方向側）にかけて時計回りに延伸している部分と、によって、第１方向Ｘの負方向側に向けて開いた１つの切れ目３１２が形成されている。

実施形態４においても、第１方向Ｘの正方向側の第１パターン層３２０は、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの正方向側の切れ目３１２を覆っている。また、第１方向Ｘの負方向側の第１パターン層３２０は、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの負方向側の切れ目３１２を覆っている。したがって、実施形態１と同様にして、第１パターン層３２０が設けられていない場合と比較して、導電パターン層３１０が発熱したときのダイヤフラム２１０の耐破損性が高くなる。

（実施形態５）
図６は、実施形態５に係る電子装置１０の平面図（上面図）である。実施形態５に係る電子装置１０は、以下の点を除いて、実施形態４に係る電子装置１０と同様である。

導電パターン層３１０は、円形スパイラル形状を有している。円形スパイラル形状の各巻き部は、円形に類似した形状を有している。導電パターン層３１０は、楕円形スパイラル形状を有していてもよい。実施形態５においても、実施形態４と同様にして、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの正方向側には、第１方向Ｘの正方向側に向けて開いた１つの切れ目３１２が形成されている。また、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの負方向側には、第１方向Ｘの負方向側に向けて開いたさらに１つの切れ目３１２が形成されている。

実施形態５においても、第１方向Ｘの正方向側の第１パターン層３２０は、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの正方向側の切れ目３１２を覆っている。また、第１方向Ｘの負方向側の第１パターン層３２０は、導電パターン層３１０の第１方向Ｘの負方向側の切れ目３１２を覆っている。したがって、実施形態１と同様にして、第１パターン層３２０が設けられていない場合と比較して、導電パターン層３１０が発熱したときのダイヤフラム２１０の耐破損性が高くなる。

（実施形態６）
図７は、実施形態６に係る電子装置１０の平面図（上面図）である。実施形態６に係る電子装置１０は、以下の点を除いて、実施形態１に係る電子装置１０と同様である。

導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分の１８０度未満の角度で開いている角は、導電パターン層３１０からリード導電パターン層３１４にかけて連続的に滑らかな外縁を有している。本実施形態において、導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分の１８０度未満の角度で開いている角は、導電パターン層３１０と第１方向Ｘの正方向側かつ第２方向Ｙの正方向側のリード導電パターン層３１４との交差部分の第２方向Ｙの正方向側と、導電パターン層３１０と第１方向Ｘの負方向側かつ第２方向Ｙの正方向側のリード導電パターン層３１４との交差部分の第２方向Ｙの正方向側と、導電パターン層３１０と第１方向Ｘの負方向側かつ第２方向Ｙの正方向側のリード導電パターン層３１４との交差部分の第１方向Ｘの負方向側と、導電パターン層３１０と第１方向Ｘの負方向側かつ第２方向Ｙの負方向側のリード導電パターン層３１４との交差部分の第２方向Ｙの負方向側と、導電パターン層３１０と第１方向Ｘの正方向側かつ第２方向Ｙの負方向側のリード導電パターン層３１４との交差部分の第２方向Ｙの負方向側と、導電パターン層３１０と第１方向Ｘの正方向側かつ第２方向Ｙの負方向側のリード導電パターン層３１４との交差部分の第１方向Ｘの正方向側と、の６箇所に存在している。これら６つの角のすべてが、導電パターン層３１０からリード導電パターン層３１４にかけて連続的に滑らかな外縁を有している。しかしながら、これら６つの角のうちの少なくとも１つが、導電パターン層３１０からリード導電パターン層３１４にかけて連続的に滑らかな外縁を有していてもよい。

仮に、例えば、導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分の１８０度未満の角度で開いている角の外縁の一部分が尖っている場合、導電パターン層３１０が発熱したとき、導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分の上記角の上記外縁のうち尖っている上記一部分又はその近傍において、導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分又はダイヤフラム２１０（支持層２００）に熱応力集中が発生して、導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分又はダイヤフラム２１０（支持層２００）に破損が生じる可能性がある。これに対して本実施形態では、導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分の上記角が連続的に滑らかな外縁を有しているため、当該熱応力集中を抑制することができる。このため、本実施形態によれば、例えば、導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分の１８０度未満の角度で開いている角の外縁の一部分が尖っている場合と比較して、導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分又はダイヤフラム２１０（支持層２００）の耐破損性を高くすることができる。

導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分の１８０度超の角度で開いている角は、導電パターン層３１０からリード導電パターン層３１４にかけて連続的に滑らかな外縁を有している。本実施形態において、導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分の１８０度超の角度で開いている角は、導電パターン層３１０と第１方向Ｘの正方向側かつ第２方向Ｙの正方向側のリード導電パターン層３１４との交差部分の第１方向Ｘの正方向側と、導電パターン層３１０と第１方向Ｘの負方向側かつ第２方向Ｙの負方向側のリード導電パターン層３１４との交差部分の第１方向Ｘの負方向側と、の２箇所に存在している。これら２つの角のすべてが、導電パターン層３１０からリード導電パターン層３１４にかけて連続的に滑らかな外縁を有している。しかしながら、これら２つの角のうちの少なくとも１つが、導電パターン層３１０からリード導電パターン層３１４にかけて連続的に滑らかな外縁を有していてもよい。或いは、これら２つの角は、導電パターン層３１０からリード導電パターン層３１４にかけて連続的に滑らかな外縁を有していなくてもよい。

仮に、例えば、導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分の１８０度超の角度で開いている角の外縁の一部分が尖っている場合、導電パターン層３１０が発熱したとき、導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分の上記角の上記外縁のうち尖っている上記一部分又はその近傍において、導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分又はダイヤフラム２１０（支持層２００）に熱応力集中が発生して、導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分又はダイヤフラム２１０（支持層２００）に破損が生じる可能性がある。これに対して本実施形態では、導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分の上記角が連続的に滑らかな外縁を有しているため、当該熱応力集中を抑制することができる。このため、本実施形態によれば、例えば、導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分の１８０度超の角度で開いている角の外縁の一部分が尖っている場合と比較して、導電パターン層３１０とリード導電パターン層３１４との交差部分又はダイヤフラム２１０（支持層２００）の耐破損性を高くすることができる。

本実施形態において、電子装置１０は、２つの第１パターン層３２０（例えば、図１）及び２つの第２パターン層３３０（例えば、図１）を備えていない。しかしながら、電子装置１０は、２つの第１パターン層３２０（例えば、図１）及び２つの第２パターン層３３０（例えば、図１）を備えていてもよい。

以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

例えば、電子装置１０は、発光層４００に代えて、ガス感知膜を備えていてもよい。この場合、電子装置１０は、ＭＥＭＳガスセンサとなる。

１０電子装置
１００基板
１０２第１面
１０４第２面
１０６開口
２００支持層
２１０ダイヤフラム
２１０ａ貫通孔
２１０ｂ梁
２１２第１辺
２１４第２辺
２１６第３辺
２１８第４辺
３１０導電パターン層
３１２切れ目
３１４リード導電パターン層
３２０第１パターン層
３３０第２パターン層
４００発光層
Ｘ第１方向
Ｙ第２方向
Ｚ第３方向

Claims

開口を有する基板と、
少なくとも一部分が前記基板の前記開口と重なっている支持層と、
前記支持層上に位置し、かつ前記基板の前記開口と重なり、少なくとも一箇所で折り返されている導電パターン層と、
前記支持層上に位置し、前記導電パターン層とは接していない第１パターン層と、
を備え、
前記第１パターン層は、前記導電パターン層の折り返しによって前記導電パターン層に形成された切れ目を覆っている、電子装置。
請求項１に記載の電子装置において、
前記第１パターン層は、前記支持層が位置する側から前記導電パターン層が位置する側に向かう方向に垂直な第１方向における導電パターン層の一方側に形成された前記切れ目と、前記第１方向における前記導電パターン層の前記一方の反対の他方側に形成された前記切れ目と、の少なくとも一方を覆っている、電子装置。
請求項２に記載の電子装置において、
前記支持層上に位置し、前記導電パターン層とは接していない第２パターン層をさらに備え、
前記第２パターン層は、前記支持層が位置する前記側から前記導電パターン層が位置する前記側に向かう前記方向に垂直であって前記第１方向に直交する第２方向における前記導電パターン層の両側の少なくとも一方を覆っている、電子装置。
請求項２に記載の電子装置において、
前記第１パターン層は、前記導電パターン層から前記第１方向に所定距離離れて位置しており、
前記導電パターン層と、前記支持層が位置する前記側から前記導電パターン層が位置する前記側に向かう前記方向に垂直であって前記第１方向に直交する第２方向に前記導電パターン層から前記所定距離離れた位置と、の間に、前記第１パターン層を形成する材料と同一材料が位置していない、電子装置。
請求項１から４までのいずれか一項に記載の電子装置において、
前記導電パターン層に斜めに交差しているリード導電パターン層をさらに備え、
前記第１パターン層のうち前記導電パターン層と前記リード導電パターン層との交差部分を覆う部分の外側の角は、前記第１パターン層のうち前記導電パターン層を覆う部分から前記第１パターン層のうち前記リード導電パターン層を覆う部分にかけて連続的に滑らかな外縁を有している、電子装置。
請求項１から４までのいずれか一項に記載の電子装置において、
前記第１パターン層の幅は、前記導電パターン層の前記切れ目の幅の０．７５倍以上３倍以下となっている、電子装置。
請求項１から６までのいずれか一項に記載の電子装置において、
前記導電パターン層及び前記第１パターン層は、同一材料によって形成されている、電子装置。