JP7177360B2 - 発光素子及び発光装置 - Google Patents

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Description

実施形態は、発光素子及び発光装置に関する。
特許文献１には、第１導電形の第１半導体層、活性層、及び第２導電形の第２半導体層を有する半導体積層体と、第１半導体層に電気的に接続された第１電極と、第２半導体層に電気的に接続された第２電極と、を備える発光素子が開示されている。
特開２０１６－１２７０７号公報
本実施形態は、放熱性に優れた発光素子及び発光装置を提供することを目的とする。
実施形態に係る発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、前記第１半導体層上の一部に設けられた活性層と、前記活性層上に設けられた第２導電形の第２半導体層と、を有する半導体積層体であって、前記第１半導体層は、隣り合って設けられ、前記活性層及び前記第２半導体層から露出する第１領域と第２領域とを有する前記半導体積層体と、前記半導体積層体の表面を被覆し、前記第１領域上及び前記第２領域上のそれぞれに設けられた第１開口部と、前記第２半導体層上の一部に設けられた第２開口部と、を有する第１絶縁膜と、前記第２半導体層上に位置する前記第１絶縁膜上に設けられ、前記第１開口部を介して前記第１半導体層に接続された第１電極と、前記第２開口部を介して前記第２半導体層に接続された第２電極と、前記第１電極上に設けられ、前記第１電極に接続された第１端子と、前記第２電極上に設けられ、前記第２電極に接続された第２端子と、前記第２半導体層上に位置する前記第１絶縁膜上に設けられ、前記第１端子及び前記第２端子と電気的に絶縁された金属部材と、を備え、上面視において、前記金属部材の一部は、前記第１領域と前記第２領域の間に位置している。
実施形態に係る発光装置は、前記発光素子と、基体と、を備える。前記基体は、前記第１端子に接続された第１導電部材と、前記第２端子に接続された第２導電部材と、前記金属部材に接続された第３導電部材と、を有する。
実施形態に係る発光装置は、前記発光素子と、基体と、を備える。前記基体は、前記第１端子に接続された第１導電部材と、前記第２端子及び前記金属部材に接続された第２導電部材と、を有する。
本実施形態によれば、放熱性に優れた発光素子及び発光装置を提供することができる。
実施形態に係る発光素子を示す模式的上面図である。 図１のII－II線における模式的断面図である。 図１のIII－III線における模式的断面図である。 実施形態に係る発光素子の半導体積層体を示す模式的上面図である。 実施形態に係る発光素子の半導体積層体及び反射電極を示す模式的上面図である。 実施形態に係る発光素子の半導体積層体、反射電極、及び第１絶縁膜を示す模式的上面図である。 実施形態に係る発光素子の半導体積層体、反射電極、第１絶縁膜、第１電極、第２電極、及び金属層を示す模式的上面図である。 実施形態に係る発光素子の半導体積層体、反射電極、第１絶縁膜、第１電極、第２電極、金属層、及び第２絶縁膜を示す模式的上面図である。 実施形態に係る発光素子を示す模式的上面図である。 実施形態に係る発光装置を示す模式的上面図である。 図１０のＸI－ＸI線における模式的断面図である。 変形例に係る発光装置を示す模式的断面図である。
＜実施形態＞
図１は、本実施形態に係る発光素子を示す模式的上面図である。
図２は、図１のII－II線における模式的断面図である。
図３は、図１のIII－III線における模式的断面図である。
本実施形態に係る発光素子１００は、図２及び図３に示すように、基板１１０と、半導体積層体１２０と、反射電極１３０と、第１絶縁膜１４０と、第１電極１５１と、第２電極１５２と、複数の金属層１５３ａ、１５３ｂ、１５３ｃ、１５３ｄと、第２絶縁膜１６０と、第１端子１７１と、第２端子１７２と、金属部材１７３と、を備える。以下、発光素子１００の各部について詳述する。
基板１１０は、半導体積層体１２０をエピタキシャル成長させるための基板である。基板１１０は、透光性を備える基板であることが好ましい。そのような基板としては、例えば、サファイア基板等が挙げられる。
半導体積層体１２０は、図２及び図３に示すように、基板１１０上に設けられている。半導体積層体１２０は、第１導電形の第１半導体層１２１と、第１半導体層１２１上の一部に設けられた活性層１２２と、活性層１２２上に設けられた第２導電形の第２半導体層１２３と、を有する。
以下では、ＸＹＺ直交座標系を用いる。第１半導体層１２１から活性層１２２に向かう方向を「Ｚ方向」とする。また、Ｚ方向と直交する一の方向を「Ｘ方向」とする。また、Ｚ方向及びＸ方向と直交する一の方向を「Ｙ方向」とする。また、図１～図９を参照して発光素子１００について説明する際に、Ｚ方向を「上方向」ともいい、その反対方向を「下方向」というが、これらの表現は便宜上のものであり、重力方向とは無関係である。また、上方から対象部材を見ること、又は、対象部材を適宜透過させて見ることを「上面視」という。
図４は、本実施形態に係る発光素子の半導体積層体を示す模式的上面図である。
なお、図４では、説明をわかりやすくするため、上面視において、第１半導体層１２１が活性層１２２及び第２半導体層１２３から露出している領域と、第２半導体層１２３が露出している領域と、を相互に異なる斜線のハッチングで示している。
第１半導体層１２１は、例えばｎ形半導体層である。すなわち、第１導電形は、本実施形態ではｎ形である。ただし、第１導電形はｐ形であってもよい。第１半導体層１２１は、基板１１０の上面の略全域を覆っている。上面視で第１半導体層１２１の形状は、基板１１０の形状と同形状であり、例えば四角形である。ただし、上面視での基板１１０及び第１半導体層１２１の形状は、上記に限定されない。
活性層１２２は、第１半導体層１２１の上面の一部の領域１２１ｓ１上に設けられている。上面視で活性層１２２の形状は、例えば角部が丸まった四角形である。ただし上面視での活性層１２２の形状は、上記に限定されない。
第２半導体層１２３は、例えばｐ形半導体層である。すなわち、第２導電形は、本実施形態ではｐ形である。ただし、第２導電形はｎ形であってもよい。第２半導体層１２３は、活性層１２２の上面の略全域を覆っている。上面視で第２半導体層１２３の形状は、活性層１２２の形状と同形状であり、例えば角部が丸まった四角形である。ただし上面視での第２半導体層１２３の形状は、上記に限定されない。
活性層１２２及び第２半導体層１２３の外周は、第１半導体層１２１の外周よりも内側に位置する。そのため、第１半導体層１２１の上面のうちの外周の領域１２１ｓ２が、活性層１２２及び第２半導体層１２３から露出している。
また、活性層１２２及び第２半導体層１２３には、複数の貫通孔１２４が設けられている。各貫通孔１２４は、図２に示すように、活性層１２２及び第２半導体層１２３をＺ方向に貫通している。そのため、図４に示すように、第１半導体層１２１の上面のうち、各貫通孔１２４の直下に位置する領域１２１ｓ３が、活性層１２２及び第２半導体層１２３から露出している。
本実施形態では、貫通孔１２４の数は９個であり、９個の貫通孔１２４は、Ｙ方向に３つの行が並び、かつ、Ｘ方向に３つの列が並んだ行列を成すように設けられている。上面視で各貫通孔１２４の形状は、円形である。ただし、上面視での各貫通孔１２４の形状は上記に限定されず、例えば楕円であってもよい。
以下、第１半導体層１２１の上面のうち、活性層１２２及び第２半導体層１２３に覆われている領域１２１ｓ１を「被覆領域１２１ｓ１」という。また、第１半導体層１２１の上面のうち、活性層１２２及び第２半導体層１２３から露出する外周の領域１２１ｓ２を「第１露出領域１２１ｓ２」といい、各貫通孔１２４の直下に位置する領域１２１ｓ３を「第２露出領域１２１ｓ３」という。
第１露出領域１２１ｓ２は、図２に示すように、被覆領域１２１ｓ１よりも下方に位置する。また、各第２露出領域１２１ｓ３は、被覆領域１２１ｓ１よりも下方向に凹んでいる。第１露出領域１２１ｓ２及び各第２露出領域１２１ｓ３は、例えば、第１半導体層１２１の上面の略全域に活性層１２２及び第２半導体層１２３を形成した後、第１半導体層１２１の一部、活性層１２２の一部、及び第２半導体層１２３の一部を除去することによって形成される。
第２露出領域１２１ｓ３の数は、貫通孔１２４の数に対応しており、図４に示すように例えば９個である。９個の第２露出領域１２１ｓ３は、貫通孔１２４と同様に、Ｙ方向に３つの行が並び、かつ、Ｘ方向に３つの列Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３が並んだ行列を成すように配列されている。すなわち、各列Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３には、Ｙ方向に配列された３つの第２露出領域１２１ｓ３が設けられている。以下では、Ｘ方向に並んだ３つの列Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３を順に、「第１列Ｍ１」、「第２列Ｍ２」、及び「第３列Ｍ３」という。また、第２列Ｍ２にＹ方向に並んで設けられた３つの第２露出領域１２１ｓ３を順に、「第１領域Ａ１」、「第２領域Ａ２」、及び「第３領域Ａ３」ともいう。ただし、第２露出領域１２１ｓ３の数は２以上であれば、上記に限定されない。また、第２露出領域１２１ｓ３の位置は、上記に限定されない。
このように、第１半導体層１２１は、隣り合って設けられ、活性層１２２及び第２半導体層１２３から露出する第１領域Ａ１と第２領域Ａ２とを有する。また、第１半導体層１２１は、第２領域Ａ２と隣り合い、活性層１２２及び第２半導体層１２３から露出する第３領域Ａ３を更に有する。
図５は、本実施形態に係る発光素子の半導体積層体及び反射電極を示す模式的上面図である。
なお、図５では、説明をわかりやすくするため、反射電極１３０が設けられている領域を斜線のハッチングで示している。
反射電極１３０は、金属材料からなる。反射電極１３０に用いられる金属材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）又はこれらの金属を主成分とする合金等が挙げられる。反射電極１３０は、活性層１２２が発する光に対して高い反射率を有することが好ましい。例えば、反射電極３０が活性層１２２からの光の波長に対して、７０％以上の反射率、好ましくは８０％以上の反射率を有していることが好ましい。
反射電極１３０は、第２半導体層１２３上に設けられ、第２半導体層１２３に接続されている。本明細書で２つの部材が「接続されている」とは、２つの部材が電気的に接続されていることを意味する。例えば、２つの部材同士が接触することにより電気的に接続されている場合、及び、２つの部材の間に導電性の部材が配置されており導電性の部材により２つの部材が電気的に接続されている場合の両方を含む。本実施形態では、反射電極１３０は、図２に示すように、第２半導体層１２３の上面に接している。
反射電極１３０は、本実施形態では、第２半導体層１２３の上面の一部の上に設けられている。具体的には、反射電極１３０は、図５に示すように、第２半導体層１２３の外周よりも内側に位置する。これにより、第２半導体層１２３の上面のうちの外周の領域１２３ａが反射電極１３０から露出する。上面視で反射電極１３０の形状は、例えば第２半導体層１２３の形状に対応した形状であって、角部が丸まった四角形である。ただし、上面視での反射電極１３０の形状は、上記に限定されない。
また、反射電極１３０には、複数の第２露出領域１２１ｓ３に対応する複数の貫通孔１３１が設けられている。各貫通孔１３１は、第２露出領域１２１ｓ３の直上に位置する。上面視で各貫通孔１３１の形状は、例えば第２露出領域１２１ｓ３の形状に対応しており、円形である。ただし、上面視での各貫通孔１３１の形状は、上記に限定されない。各貫通孔１３１は、図２に示すように、Ｚ方向に反射電極１３０を貫通している。各貫通孔１３１の直径は、活性層１２２及び第２半導体層１２３に設けられた貫通孔１２４の直径よりも大きい。そのため、第２半導体層１２３の上面において各貫通孔１２４の周囲の領域１２３ｂは、貫通孔１３１から露出している。ただし、各貫通孔１３１の直径は、活性層１２２及び第２半導体層１２３に設けられた貫通孔１２４の直径と同一であってもよい。また、反射電極１３０は、第２半導体層１２３の上面の全域を覆ってもよい。
図６は、本実施形態に係る発光素子の半導体積層体、反射電極、及び第１絶縁膜を示す模式的上面図である。
なお、図６では、説明をわかりやすくするため、第１絶縁膜１４０が設けられている領域を斜線のハッチングで示している。
第１絶縁膜１４０は、半導体積層体１２０の表面を被覆している。第１絶縁膜１４０は、本実施形態では、２層構造である。具体的には、第１絶縁膜１４０は、第１層１４１と、第１層１４１上に設けられた第２層１４２と、を有する。第１層１４１の材料と第２層１４２の材料は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）等である。本実施形態では、第１層１４１の材料と第２層１４２の材料は、相互に異なる。第１層１４１の材料は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮ）等の窒化物であり、第２層１４２の材料は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）等の酸化物である。ただし、第１層１４１及び第２層１４２の材料は、上記に限定されない。また、第１層１４１及び第２層１４２の材料は同一であってもよい。また、第１絶縁膜１４０は１層構造であってもよいし、３層以上の構造であってもよい。
第１層１４１は、図２に示すように、反射電極１３０の表面の一部及び第２半導体層１２３の上面のうち反射電極１３０から露出した領域を被覆している。第２半導体層１２３の上面のうち反射電極１３０から露出した領域は、本実施形態では、外周の領域１２３ａ及び第２露出領域１２１ｓ３の周囲の領域１２３ｂである。また、第１層１４１は、第１露出領域１２１ｓ２、各第２露出領域１２１ｓ３、及び反射電極１３０の上面のうちの一部の領域１３０ａを露出している。
第１層１４１の外周は、反射電極１３０の外周よりも外側に位置する。上面視で第１層１４１の形状は、例えば反射電極１３０の形状に対応しており、角部が丸まった四角形である。ただし、上面視での第１層１４１の形状は、上記に限定されない。図２に示すように、反射電極１３０の外周面は、第１層１４１に被覆されている。
また、第１層１４１には、図６に示すように、複数の第２露出領域１２１ｓ３に対応する複数の開口部１４１ａが設けられている。各開口部１４１ａは、第２露出領域１２１ｓ３の直上に位置する。上面視で各開口部１４１ａの形状は、例えば第２露出領域１２１ｓ３の形状と概ね同じであり、円形である。ただし、上面視での各開口部１４１ａの形状は、上記に限定されない。各開口部１４１ａの直径は、図２に示すように、活性層１２２及び第２半導体層１２３に設けられた貫通孔１２４の直径と略同一であり、反射電極１３０の貫通孔１３１の直径より小さい。各開口部１４１ａは、Ｚ方向に第１層１４１を貫通している。これにより、各第２露出領域１２１ｓ３が第１層１４１から露出する。また、これにより、第１層１４１は、反射電極１３０の各貫通孔１３１の側面１３０ｂ及び第２半導体層１２３の上面のうち各貫通孔１２４の周囲の領域１２３ｂを被覆する。
また、第１層１４１には、図６に示すように、開口部１４１ｂが設けられている。開口部１４１ｂは、第１開口領域１４１ｓ１と、４つの第２開口領域１４１ｓ２と、を有する。第１開口領域１４１ｓ１の形状は、Ｙ方向を長手方向とする略長方形である。第１開口領域１４１ｓ１は、第１露出領域１２１ｓ２と第１列Ｍ１との間に位置する。４つの第２開口領域１４１ｓ２は、Ｙ方向にそれぞれ配列されている。４つの第２開口領域１４１ｓ２は、第１開口領域１４１ｓ１からＸ方向に延在している。上面視において、Ｙ方向に隣り合う第２開口領域１４１ｓ２の間には、第１列Ｍ１の第２露出領域１２１ｓ３が配置されている。ただし、上面視での開口部１４１ｂの形状は、上記に限定されない。開口部１４１ｂは、図２に示すように、Ｚ方向に第１層１４１を貫通している。これにより、反射電極１３０の上面の領域１３０ａが、第１層１４１から露出する。
第２層１４２の外周は、図６に示すように、第１層１４１の外周よりも外側に位置する。上面視で第２層１４２の形状は、例えば第１層１４１の形状に対応しており、角部が丸まった四角形である。ただし、上面視での第２層１４２の形状は、上記に限定されない。
また、第２層１４２には、複数の第２露出領域１２１ｓ３に対応する複数の開口部１４２ａが設けられている。各開口部１４２ａは、第２露出領域１２１ｓ３の直上に位置する。上面視で各開口部１４２ａの形状は、例えば第２露出領域１２１ｓ３の形状に対応しており、円形である。ただし、上面視での各開口部１４２ａの形状は、上記に限定されない。各開口部１４２ａの直径は、図２に示すように、第２露出領域１２１ｓ３の直径、すなわち活性層１２２及び第２半導体層１２３に設けられた貫通孔１２４の直径よりも小さい。各開口部１４２ａは、第２層１４２をＺ方向に貫通している。そのため、各第２露出領域１２１ｓ３の中央の領域が第２層１４２から露出する。また、第２層１４２は、活性層１２２及び第２半導体層１２３に設けられた各貫通孔１２４の側面、及び各第２露出領域１２１ｓ３の外周の領域を被覆している。
また、第２層１４２には、開口部１４２ｂが設けられている。開口部１４２ｂは、第１層１４１の開口部１４１ｂの直上に位置する。開口部１４２ｂは、Ｚ方向に第２層１４２を貫通している。これにより、反射電極１３０の上面の領域１３０ａが、第２層１４２から露出する。上面視で開口部１４２ｂの形状は、図６に示すように、例えば第１層１４１の開口部１４１ｂの形状と概ね同じである。また、開口部１４１ｂの側面と開口部１４２ｂの側面とは概ね面一である。ただし、上面視での開口部１４１ｂの形状は、上記に限定されない。
以下、各開口部１４２ａを、「第１開口部１４２ａ」という。また、第１層１４１の開口部１４１ｂとその直上に位置する第２層１４２の開口部１４２ｂは、一つの開口部１４３を形成している。以下、開口部１４３を「第２開口部１４３」という。なお、本実施形態では、第１層１４１及び第２層１４２を設けているが、第１層１４１が設けられていない場合、第２層１４２の開口部１４２ｂが第２開口部１４３に相当する。このように、第１絶縁膜１４０は、各第２露出領域１２１ｓ３上に設けられた第１開口部１４２ａと、第２半導体層１２３上の一部に設けられた第２開口部１４３と、を有する。
図７は、本実施形態に係る発光素子の半導体積層体、反射電極、第１絶縁膜、第１電極、第２電極、及び金属層を示す模式的上面図である。
なお、図７では、説明をわかりやすくするため、第１電極１５１、第２電極１５２、及び複数の金属層１５３ａ、１５３ｂ、１５３ｃ、１５３ｄが設けられている領域を相互に異なる斜線のハッチングで示している。
第１電極１５１は、第２半導体層１２３上に位置する第１絶縁膜１４０上に設けられ、第１開口部１４２ａを介して第１半導体層１２１に接続されている。第１電極１５１の外周は第１絶縁膜１４０の外周よりも外側に位置しており、第１電極１５１は、図２に示すように、第１露出領域１２１ｓ２に接している。また、第１電極１５１は、各第１開口部１４２ａ内に設けられており、各第２露出領域１２１ｓ３に接している。このように、第１電極１５１は、第１露出領域１２１ｓ２及び各第２露出領域１２１ｓ３に接することにより、第１半導体層１２１に接続されている。上面視で第１電極１５１の形状は、例えば第１絶縁膜１４０の形状に対応しており、角部が丸まった四角形である。ただし、上面視での第１電極１５１の形状は、上記に限定されない。第１電極１５１は、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の金属材料を含む。
第１電極１５１には、図７に示すように、複数の貫通孔１５１ａ、１５１ｂ、１５１ｃ、１５１ｄが設けられている。上面視において、複数の貫通孔１５１ａ、１５１ｂ、１５１ｃ、１５１ｄは、Ｙ方向に配列されている。Ｙ方向において、複数の貫通孔１５１ａ、１５１ｂ、１５１ｃ、１５１ｄは、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、及び第３領域Ａ３と交互に配列されている。具体的には貫通孔１５１ａは、上面視で第１露出領域１２１ｓ２と第１領域Ａ１との間に位置する。貫通孔１５１ｂは、上面視で第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との間に位置する。貫通孔１５１ｃは、上面視で第２領域Ａ２と第３領域Ａ３との間に位置する。貫通孔１５１ｄは、上面視で、第３領域Ａ３と第１露出領域１２１ｓ２との間に位置する。
上面視で各貫通孔１５１ａ、１５１ｂ、１５１ｃ、１５１ｄの形状は、角部が丸まった四角形である。ただし、上面視での各貫通孔１５１ａ、１５１ｂ、１５１ｃ、１５１ｄの形状は上記に限定されず、角部が丸まった四角形以外の多角形、角部が丸まっていない多角形、又は、円形であってもよい。各貫通孔１５１ａ、１５１ｂ、１５１ｃ、１５１ｄは、図３に示すように、Ｚ方向に第１電極１５１を貫通している。これにより、第１電極１５１から第１絶縁膜１４０の一部が露出する。
以下、貫通孔１５１ｂを「第１貫通孔１５１ｂ」ともいう。また、貫通孔１５１ｃを「第２貫通孔１５１ｃ」ともいう。また、貫通孔１５１ａを「第３貫通孔１５１ａ」ともいう。また、貫通孔１５１ｄを「第４貫通孔１５１ｄ」ともいう。
第１電極１５１には、図７に示すように、第１絶縁膜１４０の第２開口部１４３を露出する開口部１５１ｅが設けられている。開口部１５１ｅは、第２開口部１４３の直上に位置する。開口部１５１ｅの形状は、例えば第２開口部１４３の形状に対応している。具体的には、開口部１５１ｅは、Ｙ方向を長手方向とする略長方形の第１開口領域と、第１開口領域からＸ方向に延び、Ｙ方向に配列された４つの第２開口領域と、を有する形状である。ただし、上面視での開口部１５１ｅの形状は、上記に限定されない。開口部１５１ｅは、第２開口部１４３よりも大きい。
第２電極１５２は、第１絶縁膜１４０の第２開口部１４３を介して第２半導体層１２３に接続されている。具体的には、第２電極１５２は、第１電極１５１の開口部１５１ｅ内と第２開口部１４３とに配置され、開口部１５１ｅ及び第２開口部１４３を介して第２半導体層１２３と接続されている。第２電極１５２の形状は、例えば第２開口部１４３の形状に対応している。具体的には、第２電極１５２は、Ｙ方向を長手方向とする略長方形の基部と、基部からＸ方向に延び、Ｙ方向に配列された４つの延伸部と、を有する。ただし、上面視での第２電極１５２の形状は、上記に限定されない。第２電極１５２は、図２に示すように、第２開口部１４３内に設けられており、反射電極１３０の上面において第２開口部１４３から露出した領域１３０ａに接している。これにより、第２電極１５２は、第２半導体層１２３に接続されている。また、第２電極１５２は、第１絶縁膜１４０の上面における第２開口部１４３の周囲の領域上に設けられている。第２電極１５２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の金属材料を含む。
金属層１５３ａ、１５３ｂ、１５３ｃ、１５３ｄは、第２半導体層１２３上に位置する第１絶縁膜１４０上にそれぞれ設けられ、第１電極１５１及び第２電極１５２と電気的に絶縁されている。ここで、「金属層１５３ａ、１５３ｂ、１５３ｃ、１５３ｄが第１電極１５１及び第２電極１５２と電気的に絶縁されている」とは、発光素子１００内において金属層１５３ａ、１５３ｂ、１５３ｃ、１５３ｄが第１電極１５１及び第２電極１５２と電気的に絶縁されていることを意味する。なお、例えば後述する変形例において発光素子１００が基体に実装された際に、基体の導電部材を介して金属層１５３ａ、１５３ｂ、１５３ｃ、１５３ｄと第２電極１５２とが電気的に接続されていてもよい。金属層１５３ａ、１５３ｂ、１５３ｃ、１５３ｄは、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の金属材料を含む。放熱性を向上させる観点から、金属層１５３ａ、１５３ｂ、１５３ｃ、１５３ｄの厚さは、例えば、０．８μｍ以上２μｍ以下とすることが好ましい。
金属層１５３ａは、図７に示すように、第３貫通孔１５１ａ内に配置されている。金属層１５３ｂは、第１貫通孔１５１ｂ内に配置されている。金属層１５３ｃは、第２貫通孔１５１ｃ内に配置されている。金属層１５３ｄは、第４貫通孔１５１ｄ内に配置されている。金属層１５３ａ、１５３ｂ、１５３ｃ、１５３ｄは、第１電極１５１からそれぞれ離隔している。
以下、第１貫通孔１５１ｂ内に設けられた金属層１５３ｂを「第１金属層１５３ｂ」ともいう。また、第２貫通孔１５１ｃ内に設けられた金属層１５３ｃを「第２金属層１５３ｃ」ともいう。また、第３貫通孔１５１ａ内に設けられた金属層１５３ａを「第３金属層１５３ａ」ともいう。また、第４貫通孔１５１ｄ内に設けられた金属層１５３ｄを「第４金属層１５３ｄ」ともいう。
上面視で、第３金属層１５３ａは、第１露出領域１２１ｓ２と第１領域Ａ１との間に位置する。また、上面視で第１金属層１５３ｂは、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との間に位置する。また、上面視で第２金属層１５３ｃは、第２領域Ａ２と第３領域Ａ３との間に位置する。換言すれば、第２領域Ａ２は、上面視で第１金属層１５３ｂと第２金属層１５３ｃとの間に位置する。また、上面視で第４金属層１５３ｄは、第３領域Ａ３と第１露出領域１２１ｓ２との間に位置する。
上面視で金属層１５３ａ、１５３ｂ、１５３ｃ、１５３ｄの形状は、例えば各貫通孔１５１ａ、１５１ｂ、１５１ｃ、１５１ｄの形状にそれぞれ対応しており、角部が丸まった四角形である。ただし、上面視での各金属層１５３ａ、１５３ｂ、１５３ｃ、１５３ｄの形状は上記に限定されない。
金属層１５３ａ、１５３ｂ、１５３ｃ、１５３ｄのＸ方向における幅Ｗ１１は、略同一である。金属層１５３ａ、１５３ｂ、１５３ｃ、１５３ｄの幅Ｗ１１は、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、及び第３領域Ａ３のＸ方向における幅Ｗ２１、すなわち活性層１２２及び第２半導体層１２３に設けられた貫通孔１２４の直径よりも大きい。ただし、各金属層の幅Ｗ１１は、同一でなくてもよい。
第１電極１５１の位置、第２電極１５２の位置、及び各金属層１５３ａ、１５３ｂ、１５３ｃ、１５３ｄの位置は、上記に限定されない。また、金属層の数は、１以上であれば特に限定されない。また、第１列Ｍ１の第２露出領域１２１ｓ３と第２列Ｍ２の第２露出領域１２１ｓ３との間に金属層を配置してもよい。また、第２列Ｍ２の第２露出領域１２１ｓ３と第３列Ｍ３の第２露出領域１２１ｓ３との間に金属層を配置してもよい。
図８は、本実施形態に係る発光素子の半導体積層体、反射電極、第１絶縁膜、第１電極、第２電極、金属層、及び第２絶縁膜を示す模式的上面図である。
なお、図８では、説明をわかりやすくするため、第２絶縁膜１６０が設けられている領域を斜線のハッチングで示している。
第２絶縁膜１６０は、第１電極１５１の一部、第２電極１５２の一部、金属層１５３ａ、１５３ｂ、１５３ｃ、１５３ｄの一部を被覆している。第２絶縁膜１６０の材料は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）等の酸化物である。ただし、第２絶縁膜１６０の材料は、上記に限定されない。
第２絶縁膜１６０には、第１電極１５１の他の一部１５１ｆを露出させる第３開口部１６１が設けられている。第３開口部１６１は、上面視で、第１露出領域１２１ｓ２と第３列Ｍ３との間に位置する。第３開口部１６１は、図２に示すように、第２絶縁膜１６０をＺ方向に貫通している。そのため、第３開口部１６１から露出した第１電極１５１の他の一部１５１ｆは、本実施形態では、第１電極１５１において第１絶縁膜１４０上の部分である。ただし、第３開口部１６１の位置は、上記に限定されない。
第２絶縁膜１６０には、図８に示すように、第２電極１５２の他の一部１５２ａを露出させる第４開口部１６２が設けられている。第４開口部１６２は、第２電極１５２の直上に位置する。第４開口部１６２の形状は、例えば第２電極１５２の形状に対応している。具体的には、第４開口部１６２は、Ｙ方向を長手方向とする略長方形の第１開口領域と、第１開口領域からＸ方向に延び、Ｙ方向に配列された４つの第２開口領域と、を有する形状である。ただし、上面視での第４開口部１６２の形状は、上記に限定されない。第４開口部１６２は、第２電極１５２よりも小さい。第４開口部１６２は、図２に示すように、第２絶縁膜１６０をＺ方向に貫通している。これにより、第２電極１５２の他の一部１５２ａが第２絶縁膜１６０から露出する。
第２絶縁膜１６０には、図８に示すように、第１金属層１５３ｂの他の一部１５３ｅ１を露出させる第５開口部１６３ｂと、第２金属層１５３ｃの他の一部１５３ｅ２を露出させる第６開口部１６３ｃと、第３金属層１５３ａの他の一部１５３ｅ３を露出させる第７開口部１６３ａと、第４金属層１５３ｄの他の一部１５３ｅ４を露出させる第８開口部１６３ｄと、が設けられている。
第５開口部１６３ｂは、第１金属層１５３ｂの直上に位置する。第６開口部１６３ｃは、第２金属層１５３ｃの直上に位置する。第７開口部１６３ａは、第３金属層１５３ａの直上に位置する。第８開口部１６３ｄは、第４金属層１５３ｄの直上に位置する。上面視で開口部１６３ａ、１６３ｂ、１６３ｃ、１６３ｄの形状は、例えば各金属層１５３ａ、１５３ｂ、１５３ｃ、１５３ｄの形状にそれぞれ対応しており、角部が丸まった四角形である。ただし上面視での各開口部１６３ａ、１６３ｂ、１６３ｃ、１６３ｄの形状は、上記に限定されない。上面視において、開口部１６３ａ、１６３ｂ、１６３ｃ、１６３ｄの大きさは、金属層１５３ａ、１５３ｂ、１５３ｃ、１５３ｄの大きさよりも小さい。開口部１６３ａ、１６３ｂ、１６３ｃ、１６３ｄは、図３に示すように、第２絶縁膜１６０をＺ方向に貫通している。
図９は、本実施形態に係る発光素子を示す模式的上面図である。
図９では、説明をわかりやすくするために、第１端子１７１、第２端子１７２、及び金属部材１７３が設けられている領域を斜線のハッチングで示している。
第１端子１７１は、第１電極１５１上に設けられ、第１電極１５１に接している。これにより、第１端子１７１は、第１電極１５１に接続されている。具体的には、第１端子１７１は、図２及び図９に示すように、第２絶縁膜１６０の第３開口部１６１内に設けられ、第１電極１５１の他の一部１５１ｆに接している。このように、第１端子１７１は、第３開口部１６１を介して第１電極１５１に接続されている。また、第１端子１７１は、第２絶縁膜１６０の上面のうち第３開口部１６１の周囲の領域上に設けられている。そして、第１端子１７１は、第２絶縁膜１６０を介して第１電極１５１において第３列Ｍ３の３つの第２露出領域１２１ｓ３のそれぞれの直上に位置する部分を覆っている。すなわち、第１端子１７１は、上面視で第３列Ｍ３の３つの第２露出領域１２１ｓ３のそれぞれと重なっている。ただし、第１端子１７１を設ける位置は、第１電極１５１に接続可能な位置である限り上記に限定されない。第１端子１７１は、例えばニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、プラチナ（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、及び金（Ａｕ）等の金属材料を含む。放熱性を向上させる観点から、第１端子１７１の厚さは、例えば、０．８μｍ以上２μｍ以下とすることが好ましい。
第２端子１７２は、第２電極１５２上に設けられ、第２電極１５２に接続されている。具体的には、第２端子１７２は、図２及び図９に示すように、第２絶縁膜１６０の第４開口部１６２内に設けられ、第２電極１５２に接している。このように、第２端子１７２は、第４開口部１６２を介して第２電極１５２に接続されている。また、第２端子１７２は、第２絶縁膜１６０の上面において第４開口部１６２の周囲の領域上に設けられている。そして、第２端子１７２は、第２絶縁膜１６０を介して第２電極１５２において第１列Ｍ１の３つの第２露出領域１２１ｓ３のそれぞれの直上に位置する部分を覆っている。すなわち、第２端子１７２は、上面視で第１列Ｍ１の３つの第２露出領域１２１ｓ３のそれぞれと重なっている。ただし、第２端子１７２を設ける位置は、第２電極１５２に接続可能な位置である限り上記に限定されない。第２端子１７２は、例えば、第１端子１７１と同様の金属材料からなる。第２端子１７２の厚さは、例えば、第１端子１７１と同様に０．８μｍ以上２μｍ以下とすることが好ましい。
上面視で第２端子１７２の形状は、角部が丸まった四角形である。上面視で第１端子１７１の形状は、Ｙ方向に平行な線に対して第２端子１７２の形状と対称な四角形の一の角部を切り欠いたような形状である。このように、第１端子１７１の形状と第２端子１７２の形状とは、相互に異なる。そのため、第１端子１７１と第２端子１７２とを判別し易い。ただし、上面視での第１端子１７１及び第２端子１７２の形状は、上記に限定されない。例えば上面視で第１端子１７１の形状と第２端子１７２の形状は同じであってもよい。
金属部材１７３は、第２半導体層１２３上に位置する第１絶縁膜１４０上に設けられている。本実施形態において、金属部材１７３は、金属層１５３ａ、１５３ｂ、１５３ｃ、１５３ｄ上のそれぞれに設けられ、第１端子１７１及び第２端子１７２と電気的に絶縁されている。ここで、「金属部材１７３が第１端子１７１及び第２端子１７２と電気的に絶縁されている」とは、発光素子１００内において金属部材１７３が第１端子１７１及び第２端子１７２と電気的に絶縁されていることを意味する。なお、例えば後述する変形例において基体に実装された際に、基体の導電部材を介して金属部材１７３と第２端子１７２とが電気的に接続されていてもよい。金属部材１７３は、第１端子１７１や第２端子１７２と同様の金属材料からなる。放熱性を向上させる観点から、金属部材１７３の厚さは、例えば、０．８μｍ以上２μｍ以下とすることが好ましい。
金属部材１７３は、第１端子１７１と第２端子１７２との間に配置されている。また、金属部材１７３は、図３に示すように、第２絶縁膜１６０の第５開口部１６３ｂ、第６開口部１６３ｃ、第７開口部１６３ａ、及び第８開口部１６３ｄ内に設けられ、金属層１５３ａ、１５３ｂ、１５３ｃ、１５３ｄとそれぞれ接している。上面視において、金属部材１７３の一部は、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２の間に位置している。
また、金属部材１７３は、第２絶縁膜１６０の上面において隣り合う第５開口部１６３ｂと第６開口部１６３ｃの間の領域上に設けられている。同様に、金属部材１７３は、第２絶縁膜１６０の隣り合う第５開口部１６３ｂと第７開口部１６３ａの間の領域上に設けられている。同様に、金属部材１７３は、第２絶縁膜１６０の上面において隣り合う第６開口部１６３ｃと第８開口部１６３ｄの間の領域上に設けられている。そのため、金属部材１７３は、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、及び第３領域Ａ３を第２絶縁膜１６０を介して覆っている。すなわち、金属部材１７３の一部は、図９に示すように、上面視で第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、及び第３領域Ａ３と重なっている。上面視において、金属部材１７３は、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、及び第３領域Ａ３を第２絶縁膜１６０を介して完全に覆っている。
上面視で金属部材１７３の形状は、例えば角部が丸まった四角形である。ただし、上面視での金属部材１７３の形状は、上記に限定されない。
また、上面視において、金属部材１７３のＸ方向における幅Ｗ３１は金属層１５３ａ、１５３ｂ、１５３ｃ、１５３ｄの幅Ｗ１１より大きい。ただし、幅Ｗ３１は幅Ｗ１１以下であってもよい。
図１０は、本実施形態に係る発光装置を示す模式的上面図である。
図１１は、図１０のＸI－ＸI線における模式的断面図である。
本実施形態に係る発光装置１０は、発光素子１００と、発光素子１００が実装された基体２００と、を備える。なお、以下で図１０～図１１を参照して発光装置１０について説明する際は、説明をわかりやすくするために、Ｚ方向の逆方向を「上方向」としている。
基体２００は、図１１に示すように、支持体２１０と、絶縁部材２４０と、第１導電部材２２１と、第２導電部材２２２と、第３導電部材２２３と、を有する。
支持体２１０は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等の金属材料からなる。絶縁部材２４０は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、シリコン窒化物（ＳｉＮ）等の誘電体材料からなる。
導電部材２２１、２２２、２２３は、例えば、銅（Ｃｕ）等の金属材料からなる。導電部材２２１、２２２、２２３は、支持体２１０上に設けられている。
絶縁部材２４０は、支持体２１０と第１導電部材２２１との間及び支持体２１０と第２導電部材２２２との間に設けられている。支持体２１０と第３導電部材２２３との間には、絶縁部材２４０が設けられていない。
第１導電部材２２１は、接合部材２３０を介して第１端子１７１に接続されている。第２導電部材２２２は、接合部材２３０を介して第２端子１７２に接続されている。第３導電部材２２３は、接合部材２３０を介して金属部材１７３に接続されている。第３導電部材２２３の上方に、接合部材２３０、金属部材１７３、第２金属層１５３ｃ、及び第２半導体層１２３が位置している。接合部材２３０は、例えば、錫（Ｓｎ）等のはんだ材料を含む導電部材からなる。
本実施形態の発光素子１００は、金属部材１７３に接続される複数の金属層１５３ａ、１５３ｂ、１５３ｃ、１５３ｄが、第１電極１５１及び第２電極１５２と電気的に絶縁されている。支持体２１０として比較的熱伝導率の高いアルミニウムや銅等の導電材料を用いる場合、支持体２１０と第１導電部材２２１及び第２導電部材２２２との電気的な接続を抑制するために支持体２１０と第１導電部材２２１及び第２導電部材２２２との間に絶縁部材２４０を設ける必要がある。本実施形態では金属部材１７３が第１電極１５１及び第２電極１５２と電気的に絶縁しているため、支持体２１０と第３導電部材２２３との間に絶縁部材２４０を設けなくてもよい。そのため、第３導電部材２２３と支持体２１０とが接した状態で発光素子１００を実装することができ、支持体２１０と金属部材１７３が接続された導電部材との間に絶縁部材２４０を設けている場合に比べて放熱性を向上させることができる。
次に、本実施形態に係る発光装置の動作について説明する。
第１導電部材２２１は、第１端子１７１及び第１電極１５１を介して、第１半導体層１２１に接続されている。また、第２導電部材２２２は、第２端子１７２、反射電極１３０、及び第２電極１５２を介して、第２半導体層１２３に接続されている。第１導電部材２２１と第２導電部材２２２との間に電圧を印加することで半導体積層体１２０の活性層１２２が発光する。
この際、第２半導体層１２３の表面において反射電極１３０に接している領域から、第１半導体層１２１の各第２露出領域１２１ｓ３に向かって電流が流れる。複数の第２露出領域１２１ｓ３の総面積は、第２半導体層１２３の表面において反射電極１３０に接している領域の面積よりも小さい。そのため、１つの第２露出領域１２１ｓ３における電流密度は、第２半導体層１２３の表面において反射電極１３０に接している領域の電流密度よりも高くなり易い。したがって、第２半導体層１２３の表面において反射電極１３０に接している領域よりも１つの第２露出領域１２１ｓ３に熱が集中しやすい。
発光素子１００においては、図１に示すように、上面視で隣り合う第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との間に第１金属層１５３ｂが配置されている。そのため、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２において生じた熱の少なくとも一部は、第１金属層１５３ｂに伝搬する。また、上面視で隣り合う第２領域Ａ２と第３領域Ａ３との間に第２金属層１５３ｃが配置されている。そのため、第２領域Ａ２及び第３領域Ａ３において生じた熱の少なくとも一部は、第２金属層１５３ｃに伝搬する。また、上面視で隣り合う第１露出領域１２１ｓ２と第１領域Ａ１との間に第３金属層１５３ａが配置されている。そのため、第１領域Ａ１において生じた熱の少なくとも一部は、第３金属層１５３ａに伝搬する。また、上面視で隣り合う第３領域Ａ３と第１露出領域１２１ｓ２との間に第４金属層１５３ｄが配置されている。そのため、第３領域Ａ３において生じた熱の少なくとも一部は、第４金属層１５３ｄに伝搬する。
金属層１５３ａ、１５３ｂ、１５３ｃ、１５３ｄは、金属部材１７３に接続されている。金属部材１７３は、基体２００の第３導電部材２２３に接続されている。そのため、金属層１５３ａ、１５３ｂ、１５３ｃ、１５３ｄに伝搬した熱は、金属部材１７３及び第３導電部材２２３により効率的に放熱できる。
次に、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態に係る発光素子１００は、半導体積層体１２０と、第１絶縁膜１４０と、第１電極１５１と、第２電極１５２と、第１金属層１５３ｂと、第１端子１７１と、第２端子１７２と、金属部材１７３と、を備える。半導体積層体１２０は、第１導電形の第１半導体層１２１と、第１半導体層１２１上の一部に設けられた活性層１２２と、活性層１２２上に設けられた第２導電形の第２半導体層１２３と、を有する。第１半導体層１２１は、隣り合って設けられ、活性層１２２及び第２半導体層１２３から露出する第１領域Ａ１と第２領域Ａ２とを有する。第１絶縁膜１４０は、半導体積層体１２０の表面を被覆し、第１領域Ａ１上及び第２領域Ａ２上のそれぞれに設けられた第１開口部１４２ａと、第２半導体層１２３上の一部に設けられた第２開口部１４３と、を有する。第１電極１５１は、第２半導体層１２３上に位置する第１絶縁膜１４０上に設けられ、第１開口部１４２ａを介して第１半導体層１２１に接続されている。第２電極１５２は、第２開口部１４３を介して第２半導体層１２３に接続されている。第１端子１７１は、第１電極１５１上に設けられ、第１電極１５１に接続されている。第２端子１７２は、第２電極１５２上に設けられ、第２電極１５２に接続されている。金属部材１７３は、第２半導体層１２３上に位置する第１絶縁膜１４０上に設けられ、第１端子１７１及び第２端子１７２と電気的に絶縁されている。上面視において、金属部材１７３の一部は、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２の間に位置している。
このような発光素子１００においては、第１半導体層１２１の第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２において生じた熱の少なくとも一部を、上面視で第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との間に配置された金属部材１７３により効率的に放熱できる。
また、発光素子１００は、第２半導体層１２３上に位置する第１絶縁膜１４０上に設けられ、第１電極１５１及び第２電極１５２と電気的に絶縁された第１金属層１５３ｂをさらに有する。上面視において、第１金属層１５３ｂは、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２の間に位置している。金属部材１７３は、第１金属層１５３ｂと接続されている。このような発光素子１００においては、第１半導体層１２１の第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２において生じた熱の少なくとも一部を、上面視で第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との間に配置された第１金属層１５３ｂと、金属部材１７３と、により効率的に放熱できる。また、第１絶縁膜１４０上に第１金属層１５３ｂを設けることで、金属部材１７３を設ける位置の第２絶縁膜１６０を除去し開口部を形成する際、第１絶縁膜１４０が除去されることを抑制できる。例えば、第１金属層１５３ｂ上に位置する第２絶縁膜１６０を除去することで、第１金属層１５３ｂにより第１絶縁膜１４０が除去されることが抑制される。その結果、発光素子１００の信頼性を向上できる。
また、第１電極１５１は、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２の間に位置し、第１絶縁膜１４０を露出させる第１貫通孔１５１ｂを有する。第１金属層１５３ｂは、第１貫通孔１５１ｂ内に配置されている。このような発光素子１００においては、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２から第１電極１５１に伝搬した熱を、第１金属層１５３ｂにより効率的に放熱できる。
また、上面視において、金属部材１７３の一部は第１領域Ａ１と重なって設けられている。このような発光素子１００においては、第１領域Ａ１において生じた熱を、真上に設けられた金属部材１７３により短い距離で放熱できる。
また、第１半導体層１２１は、第２領域Ａ２に隣り合って設けられ、活性層１２２及び第２半導体層１２３から露出する第３領域Ａ３を更に有する。第１電極１５１は、第２領域Ａ２と第３領域Ａ３の間に位置し、第１絶縁膜１４０を露出させる第２貫通孔１５１ｃを更に有する。発光素子１００は、第２貫通孔１５１ｃ内に設けられ、第１電極１５１及び第２電極１５２と電気的に絶縁された第２金属層１５３ｃを、更に備える。上面視において、第２領域Ａ２は、第１金属層１５３ｂと第２金属層１５３ｃとの間に位置している。金属部材１７３は、第１金属層１５３ｂと第２金属層１５３ｃとに接続されている。このような発光素子１００においては、第１電極１５１が第１半導体層１２１に接続される第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、及び第３領域Ａ３の数を増やしつつ、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、及び第３領域Ａ３において生じた熱の少なくとも一部を、第１金属層１５３ｂ、第２金属層１５３ｃ、及び金属部材１７３によって効率的に放熱できる。
また、発光素子１００は、第２絶縁膜１６０を更に備える。第２絶縁膜１６０は、第１電極１５１の一部、第２電極１５２の一部、第１金属層１５３ｂの一部、及び第２金属層１５３ｃの一部を被覆する。また、第２絶縁膜１６０は、第１電極１５１の他の一部を露出させる第３開口部１６１と、第２電極１５２の他の一部を露出させる第４開口部１６２と、第１金属層１５３ｂの他の一部を露出させる第５開口部１６３ｂと、第２金属層１５３ｃの他の一部を露出させる第６開口部１６３ｃと、を有する。第１端子１７１は、第３開口部１６１を介して第１電極１５１に接続されている。第２端子１７２は、第４開口部１６２を介して第２電極１５２に接続されている。金属部材１７３は、第５開口部１６３ｂを介して第１金属層１５３ｂに接続され、第６開口部１６３ｃを介して第２金属層１５３ｃに接続されている。このような発光素子１００においては、第１電極１５１と第２電極１５２とを絶縁し、各金属層１５３ｂ、１５３ｃと第１電極１５１を絶縁することができる。
また、上面視において、金属部材１７３は、第２領域Ａ２を第２絶縁膜１６０を介して覆っている。このような発光素子１００においては、金属部材１７３が第１半導体層１２１に電気的に接続されることを抑制しつつ、第２領域Ａ２において生じた熱を、真上に設けられた金属部材１７３により短い距離で放熱できる。
また、上面視において、第１金属層１５３ｂの幅Ｗ１１は第１領域Ａ１の幅Ｗ２１より大きい。このような発光素子１００においては、第１金属層１５３ｂの放熱面積を大きくすることができる。これにより、第１金属層１５３ｂに伝搬した熱を効率的に放熱できる。
また、上面視において、金属部材１７３の幅Ｗ３１は第１金属層１５３ｂの幅Ｗ１１より大きい。このような発光素子１００においては、金属部材１７３の放熱面積を大きくすることができる。これにより、金属部材１７３に伝搬した熱を効率的に放熱できる。
また、上面視において、金属部材１７３は、第１端子１７１と第２端子１７２の間に設けられている。このような発光素子１００においては、発光素子１００の内部に生じた熱を効率的に放熱できる。
また、第１半導体層１２１は、ｎ形半導体層であり、第２半導体層１２３は、ｐ形半導体層である。このような発光素子１００においては、第２半導体層１２３から第１半導体層１２１に向かって電流が流れた際に生じる熱を、効率的に放熱できる。
また、本実施形態に係る発光装置１０は、発光素子１００と、基体２００と、を備える。基体２００は、第１端子１７１に接続された第１導電部材２２１と、第２端子１７２に接続された第２導電部材２２２と、金属部材１７３に接続された第３導電部材２２３と、を有する。このような発光装置１０においては、第１半導体層１２１から金属部材１７３に伝搬した熱を、第３導電部材２２３により効率的に放熱できる。
＜変形例＞
次に、上記実施形態の変形例について説明する。
図１２は、本変形例に係る発光装置を示す模式的断面図である。
本変形例に係る発光装置２０は、基体３００の構成において、上記実施形態に係る発光装置１０と相違する。
なお、以下の説明においては、原則として、上記実施形態との相違点のみを説明する。以下に説明する事項以外は、上記実施形態と同様である。
基体３００は、支持体３１０と、第１導電部材３２１と、第２導電部材３２２と、を有する。第１導電部材３２１及び第２導電部材３２２は、支持体３１０上に設けられている。絶縁部材２４０は、支持体３１０と第１導電部材３２１との間及び支持体３１０と第２導電部材３２２との間に設けられている。第１導電部材３２１は、接合部材２３０を介して第１端子１７１に接続されている。第２導電部材３２２は、接合部材２３０を介して第２端子１７２及び金属部材１７３に接続されている。
以上説明したように、本変形例に係る発光装置２０は、発光素子１００と、基体３００と、を備える。基体３００は、第１端子１７１に接続された第１導電部材３２１と、第２端子１７２及び金属部材１７３に接続された第２導電部材３２２と、を有する。このような発光装置２０においては、第１半導体層１２１から金属部材１７３に伝搬した熱を、第２導電部材３２２により効率的に放熱できる。また、支持体３１０上に設ける導電部材の数を上記実施形態の発光装置１０よりも減少させより簡素な構造とすることができる。
上記実施形態及び変形例では、発光素子が複数の金属層を備え、各金属層が第１絶縁膜上に設けられ、第１絶縁膜に接している形態を説明したが、発光素子に金属層を設けず、金属部材が第１絶縁膜上に設けられ、第１絶縁膜に接していてもよい。
１０、２０：発光装置
１００：発光素子
１１０：基板
１２０：半導体積層体
１２１：第１半導体層
１２１ｓ１：被覆領域
１２１ｓ２：第１露出領域
１２１ｓ３：第２露出領域
１２２：活性層
１２３：第２半導体層
１２３ａ：外周の領域
１２３ｂ：貫通孔の周囲の領域
１２４：貫通孔
１３０：反射電極
１３０ａ：第１絶縁膜から露出する領域
１３０ｂ：側面
１３１：貫通孔
１４０：第１絶縁膜
１４１：第１層
１４１ａ：開口部
１４１ｂ：開口部
１４１ｓ１：第１開口領域
１４１ｓ２：第２開口領域
１４２：第２層
１４２ａ：開口部（第１開口部）
１４２ｂ：開口部
１４３：第２開口部
１５１：第１電極
１５１ａ：第３貫通孔
１５１ｂ：第１貫通孔
１５１ｃ：第２貫通孔
１５１ｄ：第４貫通孔
１５１ｅ：開口部
１５１ｆ：他の一部
１５２：第２電極
１５２ａ：他の一部
１５３ａ：第３金属層
１５３ｂ：第１金属層
１５３ｃ：第２金属層
１５３ｄ：第４金属層
１５３ｅ１、１５１ｅ２、１５１ｅ３、１５３ｅ４：他の一部
１６０：第２絶縁膜
１６１：第３開口部
１６２：第４開口部
１６３ａ：第７開口部
１６３ｂ：第５開口部
１６３ｃ：第６開口部
１６３ｄ：第８開口部
１７１：第１端子
１７２：第２端子
１７３：金属部材
２００、３００：基体
２１０、３１０：支持体
２２１、３２１：第１導電部材
２２２、３２２：第２導電部材
２２３：第３導電部材
２３０：接合部材
２４０：絶縁部材
Ａ１：第１領域
Ａ２：第２領域
Ａ３：第３領域
Ｍ１：第１列
Ｍ２：第２列
Ｍ３：第３列

Claims (12)

  1. 第１導電形の第１半導体層と、前記第１半導体層上の一部に設けられた活性層と、前記活性層上に設けられた第２導電形の第２半導体層と、を有する半導体積層体であって、前記第１半導体層は、隣り合って設けられ、前記活性層及び前記第２半導体層から露出する第１領域と第２領域とを有する前記半導体積層体と、
    前記半導体積層体の表面を被覆し、前記第１領域上及び前記第２領域上のそれぞれに設けられた第１開口部と、前記第２半導体層上の一部に設けられた第２開口部と、を有する第１絶縁膜と、
    前記第２半導体層上に位置する前記第１絶縁膜上に設けられ、前記第１開口部を介して前記第１半導体層に接続された第１電極と、
    前記第２開口部を介して前記第２半導体層に接続された第２電極と、
    前記第１電極上に設けられ、前記第１電極に接続された第１端子と、
    前記第２電極上に設けられ、前記第２電極に接続された第２端子と、
    前記第２半導体層上に位置する前記第１絶縁膜上に設けられ、前記第１端子及び前記第２端子と電気的に絶縁された金属部材と、
    前記第２半導体層上に位置する前記第１絶縁膜上に設けられ、前記第１電極及び前記第２電極と電気的に絶縁された第１金属層と、
    を備え、
    上面視において、前記金属部材の一部は、前記第１領域と前記第２領域の間に位置しており、
    上面視において、前記第１金属層は、前記第１領域と前記第２領域の間に位置しており、
    前記金属部材は、前記第１金属層と接続されている発光素子。
  2. 前記第１電極は、上面視で前記第１領域と前記第２領域の間に位置し、前記第１絶縁膜を露出させる第１貫通孔を有し、
    前記第１金属層は、前記第１貫通孔内に配置されている請求項１に記載の発光素子。
  3. 上面視において、前記金属部材の一部は前記第１領域と重なって設けられている請求項１または２に記載の発光素子。
  4. 前記第１半導体層は、前記第２領域に隣り合って設けられ、前記活性層及び前記第２半導体層から露出する第３領域を更に有し、
    前記第１電極は、前記第２領域と前記第３領域の間に位置し、前記第１絶縁膜を露出させる第２貫通孔を更に有し、
    前記第２貫通孔内に設けられ、前記第１電極及び前記第２電極と電気的に絶縁された第２金属層を、更に備え、
    上面視において、前記第２領域は、前記第１金属層と前記第２金属層との間に位置しており、
    前記金属部材は、前記第１金属層と前記第２金属層とに接続されている請求項１～３のいずれか１つに記載の発光素子。
  5. 前記第１電極の一部、前記第２電極の一部、前記第１金属層の一部、及び前記第２金属層の一部を被覆し、前記第１電極の他の一部を露出させる第３開口部と、前記第２電極の他の一部を露出させる第４開口部と、前記第１金属層の他の一部を露出させる第５開口部と、前記第２金属層の他の一部を露出させる第６開口部と、を有する第２絶縁膜を更に備え、
    前記第１端子は、前記第３開口部を介して前記第１電極に接続され、
    前記第２端子は、前記第４開口部を介して前記第２電極に接続され、
    前記金属部材は、前記第５開口部を介して前記第１金属層に接続され、前記第６開口部を介して前記第２金属層に接続される請求項４に記載の発光素子。
  6. 上面視において、前記金属部材は、前記第２領域を前記第２絶縁膜を介して覆っている請求項５に記載の発光素子。
  7. 上面視において、前記第１金属層の幅は前記第１領域の幅より大きい請求項１～６のいずれか１つに記載の発光素子。
  8. 上面視において、前記金属部材の幅は前記第１金属層の幅より大きい請求項１～７のいずれか１つに記載の発光素子。
  9. 上面視において、前記金属部材は、前記第１端子と前記第２端子の間に設けられている請求項１～８のいずれか１つに記載の発光素子。
  10. 前記第１半導体層は、ｎ形半導体層であり、
    前記第２半導体層は、ｐ形半導体層である請求項１～９のいずれか１つに記載の発光素子。
  11. 請求項１～１０のいずれか１つに記載の発光素子と、
    前記第１端子に接続された第１導電部材と、前記第２端子に接続された第２導電部材と、前記金属部材に接続された第３導電部材と、を有する基体と、
    を備える発光装置。
  12. 請求項１～１０のいずれか１つに記載の発光素子と、
    前記第１端子に接続された第１導電部材と、前記第２端子及び前記金属部材に接続された第２導電部材と、を有する基体と、
    を備える発光装置。
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