JP7443922B2 - 電子デバイス及びその製造方法、画像形成方法、並びに画像形成装置 - Google Patents
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Description
しかし、前記色素増感太陽電池は有機材料である有機増感色素を含むため、シリコン系太陽電池に比べ使用材料が温度や湿度、酸素、オゾン、NOx、アンモニア等のガスにより変質し、そのことにより機能低下しやすくシリコン系太陽電池に比べ耐久性の観点では劣るという問題がある。
これら有機EL素子の形成方法としては、生産性及びコストの面から塗布型の形成方法が用いられている。また、有機EL素子は熱、水分や酸素等のガス暴露により劣化しやすく、その結果、有機EL素子の寿命が短くなるという問題がある。
また、長寿命で効率が改善され、動作電圧が低い有機EL素子として、例えば、有機EL素子の有機ホール輸送層を無機p型半導体に置き換えた有機EL素子が提案されている(例えば、特許文献2参照)。
前記金属酸化物層が、p型半導性を有する金属酸化物とシリカ又は金属酸化物粒子を含有し、前記金属酸化物層に含まれる前記シリカ又は金属酸化物粒子の含有量が前記金属酸化物層の0.5質量%以上1.5質量%以下である。
本発明の電子デバイスは、支持体と、前記支持体上に、電荷輸送物質を含む電荷輸送層、又は増感色素を含む増感色素電極層と、前記電荷輸送層又は前記増感色素電極層の上に、金属酸化物層とを有する電子デバイスであって、
前記金属酸化物層が、p型半導性を有する金属酸化物とシリカ又は金属酸化物粒子を含有し、前記金属酸化物層に含まれる前記シリカ又は金属酸化物粒子の含有量が前記金属酸化物層の0.5質量%以上1.5質量%以下である。
前記電子デバイスとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、電子写真感光体、太陽電池、有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子、トランジスタ、集積回路、レーザーダイオード、発光ダイオード等のデバイスが挙げられる。
従来技術のエアロゾルデポジション法によるp型半導性を有する金属酸化物の成膜では、原料粉の流動性が悪いと成膜ムラが生じやすく、工程能力が不足して工業製品の量産に至れない問題がある。
上記に記載した特許文献1(特許第5664538号公報)の提案については、保護層にp型半導体としてセラミックを含有するが、前記セラミックは膜状ではなく粒子状半導体である。特許文献1の図1には保護層に粒子状の半導体が分散されている概念図が記述されている。ここで膜状とは図10A、B、及びCの写真に見られる最も白い表層の態様を指す。
特許文献2(特開2000-150166号公報)の提案では、無機p型半導体に置き換えたホール輸送層を用いているが、これにシリカを含有することは記載されていない。
特許文献3(特開2008-201004号公報)の提案では、微粒子から構成される緻密な多結晶脆性材料層を形成しているが、微粒子にシリカを含有することは記載されていない。
前記金属酸化物層は、p型半導性を有する金属酸化物とシリカ又は金属酸化物粒子とを含有する。本発明においては、前記p型半導性を有する金属酸化物はデラフォサイト型酸化物であることが好ましい。
前記デラフォサイト型酸化物(以下、「p型半導体」、「p型金属化合物半導体」と称することがある)としては、p型半導体としての機能があれば特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができ、例えば、p型金属酸化物半導体、一価の銅を含むp型化合物半導体、その他のp型金属化合物半導体などが挙げられる。
前記p型金属酸化物半導体としては、例えば、CoO、NiO、FeO、Bi2O3、MoO2、MoS2、Cr2O3、SrCu2O2、CaO-Al2O3などが挙げられる。
前記一価の銅を含むp型化合物半導体としては、例えば、CuI、CuInSe2、Cu2O、CuSCN、CuS、CuInS2、CuAlO、CuAlO2、CuAlSe2、CuGaO2、CuGaS2、CuGaSe2などが挙げられる。
前記その他のp型金属化合物半導体としては、例えば、GaP、GaAs、Si、Ge、SiCなどが挙げられる。
これらの中でも電荷移動度と透光性の観点からCuAlO、CuAlO2などの銅アルミニウム酸化物が好ましい。
本発明の金属酸化物層に含まれるシリカとしては、適宜合成したものを使用してもよいし、市販品を使用してもよい。該市販品としては、例えば、レオロシールZD-30S(株式会社トクヤマ製)、HDK H-2000(旭化成ワッカーシリコーン株式会社製)、アエロジルR976、アエロジルRA200HS(日本アエロジル株式会社製)などが挙げられる。
シリカは粒子状であることが好ましく、シリカ微粒子の体積平均粒径は1μm以上50μm以下であることが好ましい。
シリカ粒子の体積平均粒径は、例えば、マイクロトラック・ベル社製粒度分布測定装置MT3300EXなどにより測定することができる。
本発明の金属酸化物層に含まれる金属酸化物粒子の種類としては、例えば、酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、酸化クロム、酸化銅、酸化鉄、酸化マグネシウム、酸化マガン、チタン酸ストロンチウム、酸化スズ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、などが挙げられる。
金属酸化物粒子としては、適宜合成したものを使用してもよいし、市販品を使用してもよい。該市販品としては、例えば、酸化アルミニウムAKP-50(住友化学株式会社製)、酸化アルミニウムAKP-20(住友化学株式会社製)、酸化アルミニウムTM-DAR(大明化学株式会社製)、酸化亜鉛SF-10(堺化学株式会社製)などが挙げられる。
金属酸化物粒子の体積平均粒径はp型半導性を有する金属酸化物粒子(母体粒子)の100分の1から10分の1の大きさが好ましく、1μm以上3μm以下がより好ましい。
金属酸化物粒子の体積平均粒径は、上記シリカ粒子と同じ方法で測定することができる。
本発明において、前記金属酸化物層の平均厚みが1.2μm以上1.8μm以下であることが好ましく、前記金属酸化物層の平均厚みが1.2μm以上1.8μm以下であり、かつ厚みの標準偏差が0.07μm以下であることがより好ましい。
例えば、本発明の電子デバイスの一実施形態である電子写真感光体の場合において、厚みの測定は長さ380mm、外径100mmの円筒形状の感光体ドラムに対し、感光体ドラムの長手方向についてドラム端部から100mmの位置より50mm間隔に300mmの位置まで5箇所の厚みを測定する。これを20本の感光体ドラムについて行い、合計100点の厚みデータを得る。厚みの測定は特許第5521607号公報に準じて光干渉を利用する方法によって行う。得られたデータの平均値から厚みを求めるとともに、標準偏差を求める。
また、得られた厚みの平均値と標準偏差から、下記式(1)から(3)に基づき工程能力指数Cpkを算出する。工程能力指数とは、厚みの算術平均値Xが規格の中心値からどの程度ずれているかを評価した値である。Cpkが大きいほど安定した品質の電子デバイスを作れる能力が高いことを意味する。
前記金属酸化物層の作製方法(成膜方法)としては特に制限はなく、目的に応じて、一般に用いられている無機材料の成膜方法を適宜選択することができ、例えば、気相成長法、液相成長法、固相成長法などが挙げられる。
前記気相成長法としては、例えば、物理的気相成長法(PVD)、化学的気相成長法(CVD)とに分類される。
前記物理的気相成長法としては、例えば、真空蒸着、電子ビーム蒸着、レーザーアブレーション法、レーザーアブレーションMBE、MOMBE、反応性蒸着、イオンプレーティング、クラスタイオンビーム法、グロー放電スパッタリング、イオンビームスパッタリング、反応性スパッタリングなどが挙げられる。
前記化学的気相成長法としては、例えば、熱CVD法、MOCVD、RFプラズマCVD、ECRプラズマCVD、光CVD、レーザーCVDなどが挙げられる。
前記液相成長法としては、例えば、LPE法、電気メッキ法、無電界メッキ法やコーティング法などが挙げられる。
前記固相成長法としては、例えば、SPE、再結晶法、グラフォエピタキシ、LB法、ゾルゲル法、エアロゾルデポジション(AD)法などが挙げられる。
これらの中でも電子写真感光体のような比較的大面積領域に均質な膜の製膜や電子写真感光体特性に影響を与えないようにする点でAD法が好ましい。
前記エアロゾルデポジション(AD)法とは、予め準備された微粒子、乃至超微粒子をガスと混合してエアロゾル化し、ノズルを通して製膜対象物(基板)に噴射して被膜を形成する技術である。
前記AD法の特徴として、常温環境での製膜が可能であり、原材料の結晶構造をほぼ維持した状態で製膜を行えることから電子デバイス(特に電子写真感光体)上での製膜に適している。
この場合には図9に示すようなエアロゾルデポジション装置を用いる。図9に示すガスボンベ110にはエアロゾルを発生させるための不活性な気体が貯蔵されている。ガスボンベ110は配管120aを介してエアロゾル発生器130に連結され、配管120aはエアロゾル発生器130の内部に引き出されている。エアロゾル発生器130の内部には一定量の金属酸化物乃至化合物半導体からなる粒子200が投入される。エアロゾル発生器130に連結されるもう1つの配管120bは成膜チャンバ140の内部で噴射ノズル150に接続される。
金属酸化物層の平均厚みは個々の電子デバイスに対し適正な厚みにすることができる。
電子デバイスの一つである電子写真感光体の場合、電子デバイスの耐久性とプリント画質の高画質化のベストモードが得られる条件として金属酸化物層の好ましい平均厚みは1.2μm~1.8μmとなる。
本発明の電子デバイスの一実施形態は電子写真感光体である。
前記電子写真感光体(以下、「感光体」と称することがある)は、支持体として導電性支持体と、前記導電性支持体上に電荷輸送物質を含む電荷輸送層と、前記電荷輸送層の上に前記金属酸化物層とを有し、更に電荷発生層を有し、更に必要に応じて、中間層、保護層などのその他の層を有する。
前記金属酸化物層としては前述した事項を適宜適用することができる。
なお、電荷発生層と電荷輸送層とを順次積層させた層を感光層と称することがある。
以下に電子デバイスが電子写真感光体である場合について説明するが、電子写真感光体のみに限定されず他の電子デバイスにも適用可能である。
図6に電子写真感光体の一実施形態を示す。図6に示す態様において、電子写真感光体10Aは導電性支持体51上に中間層52、電荷発生層53、電荷輸送層54、シリコーンハードコート層55及び金属酸化物層56をこの順に有する。中間層52とシリコーンハードコート層55は適宜、除くことができる。
前記導電性支持体としては体積抵抗値が1010Ω・cm以下の導電性を示すものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金、鉄等の金属や、酸化スズ、酸化インジウム等の酸化物を蒸着又はスパッタリングによりフィルム状又は円筒状のプラスチック、紙等に被覆したもの、及び、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス等の板を、Drawing Ironing法、Impact Ironing法、Extruded Ironing法、Extruded Drawing法、切削法等の工法により素管化後、切削、超仕上げ、研磨等により表面処理した管などが挙げられる。
前記電子写真感光体は、導電性支持体と感光層との間に中間層を設けることができる。前記中間層は接着性の向上、モアレの防止、上層の塗工性の改良、導電性支持体からの電荷注入の防止等の目的で設けられる。
前記有機溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロロエタン、ブタノンなどが挙げられる。前記有機溶媒を用いて前記樹脂を適度に希釈したものを塗料とすることができる。
前記感光体の感光層は、感光層として電荷発生層と電荷輸送層とを順次積層させた積層型感光層である。
前記電荷発生層は前記積層型感光層の一部を指し、露光によって電荷を発生する機能をもつ。前記電荷発生層は電荷発生物質を主成分として含有し、必要に応じてバインダー樹脂を含有する。前記電荷発生物質としては、例えば、無機系電荷発生材料、有機系電荷発生材料などが挙げられる。
このうちポリビニルブチラールが使用されることが多く有用である。これらのバインダー樹脂は単独でも二種以上の混合物として用いてもよい。
前記電荷発生層の作製方法としては、真空薄膜作製法と溶液分散系からのキャスティング法に大別される。
前記真空薄膜作製法としては、真空蒸着法、グロー放電分解法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、CVD(化学気相成長)法などが挙げられ、前記無機系電荷発生材料や前記有機系電荷発生材料からなる層の作製に良好に適用できる。
前記有機溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロロエタン、ブタノンなどが挙げられる。これらの中でも、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノンは、クロロベンゼン、ジクロロメタン、トルエン及びキシレンと比較して環境負荷の程度が低いため好ましい。
塗布は浸漬塗工法、スプレーコート法、ビードコート法等により行うことができる。
残留電位の低減や高感度化が必要となる場合、前記電荷発生層を厚膜化するとこれらの特性が改良されることが多い。反面、帯電電荷の保持性や空間電荷の形成等帯電性の劣化を来すことも多い。これらのバランスから前記電荷発生層の平均厚みは0.05μm~2μmがより好ましい。
前記電荷輸送層は前記積層型感光層の一部を指し、前記電荷発生層で生成した電荷を注入、輸送し、帯電によって設けられた感光体の表面電荷を中和する機能を担う。前記電荷輸送層は、電荷輸送物質と、これを結着するバインダー成分とを主成分として含有する。
前記電荷輸送物質には、電子輸送物質、正孔輸送物質がある。
ここで、電気的に不活性な高分子化合物とは、トリアリールアミン構造のような光導電性を示す化学構造を含まない高分子化合物を指す。これらの樹脂を添加剤としてバインダー樹脂と併用する場合、光減衰感度の制約から、その含有量は電荷輸送層の全固形分に対して50質量%以下とすることが好ましい。
電荷輸送層用塗料を調製する際に使用できる分散溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、ジオキサン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ等のエーテル類、トルエン、キシレン等の芳香族類、クロロベンゼン、ジクロロメタン等のハロゲン類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類などを挙げることができる。これらの中でも、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノンは、クロロベンゼンやジクロロメタン、トルエン、及びキシレンと比較して環境負荷の程度が低いため好ましい。これらの溶媒は単独として又は混合して用いることができる。
前記シリコーンハードコート層は、水酸基及び加水分解性基のいずれかを有する有機ケイ素化合物を架橋させてなり、更に必要に応じて触媒、架橋剤、オルガノシリカゾル、シランカップリング剤、アクリルポリマー等の重合体などを含むことができる。
好ましい。
前記アルコキシシリル基を有する化合物としては、例えば、テトラエトキシシラン等のテトラアルコキシシラン、メチルトリエトキシシラン等のアルキルトリアルコキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等のアリールトリアルコキシシラン、などが挙げられる。
なお、これらの化合物に、エポキシ基、メタクリロイル基、又はビニル基を導入したものも使用可能である。
前記アルコキシシリル基を有する化合物の部分加水分解縮合物は、前記アルコキシシリル基を有する化合物に所定量の水、触媒等を添加して反応させる公知の方法により製造可能である。
電子写真感光体における金属酸化物層、及びその作製方法としては、本発明の電子デバイスの金属酸化物層、及びその作製方法において説明した事項を適宜選択して適用することができる。
本発明における電子デバイスの製造方法は、支持体と、前記支持体上に、電荷輸送物質を含む電荷輸送層、又は増感色素を含む増感色素電極層と、前記電荷輸送層又は前記増感色素電極層の上に金属酸化物層とを有する電子デバイスの製造方法であって、p型半導性を有する金属酸化物とシリカとを吹き付けて前記金属酸化物層を形成する。
前記p型半導性を有する金属酸化物と前記シリカ又は金属酸化物粒子とを吹き付ける方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、エアロゾルデポジション法が好ましい。
本発明の画像形成装置は前記電子デバイス(電子写真感光体)を有し、更に静電潜像形成手段と現像手段とを有し、更に必要に応じて、その他の手段を有する。
本発明に関する画像形成方法は、静電潜像形成工程と、現像工程とを少なくとも含み、更に必要に応じてその他の工程を含む。
前記画像形成方法は前記画像形成装置により好適に行うことができ、前記静電潜像形成工程は前記静電潜像形成手段により好適に行うことができ、前記現像工程は前記現像手段により好適に行うことができ、前記その他の工程は前記その他の手段により好適に行うことができる。
以下、図面に沿って画像形成装置の構成例を説明する。
本発明の電子デバイスの一実施形態は太陽電池である。
前記太陽電池は、支持体と、増感色素を含む増感色素電極層と、前記増感色素電極層の上に前記金属酸化物層とを有し、更に第一の電極と、ホールブロッキング層と、第二の電極とを有し、更に必要に応じてその他の部材などを有する。
以下に電子デバイスが太陽電池である場合について説明するが、太陽電池のみに限定されず、他の電子デバイスにも適用可能である。
太陽電池である電子デバイス10Bの構成について図7に基づいて説明する。なお、図7は太陽電池の一例の断面図である。
図7に示す態様においては、支持体としての基板1上に第一の電極2が形成され、第一の電極2上にホールブロッキング層3が形成され、ホールブロッキング層3上に電子輸送層が形成され、電子輸送層4における電子輸送物質に光増感材料5が吸着し、第一の電極2と対向する第二の電極7との間に金属酸化物6が挟み込まれた構成の例が図示されている。また、図7では、第一の電極2と第二の電極7が導通するようにリードライン8、9が設けられている構成の例が図示されている。
金属酸化物と電子輸送層4は相互に食い込んで一部が滲みだした状態となってもよい。
以下、詳細を説明する。
前記支持体としての基板1としては特に制限されるものではなく、公知のものを用いることができる。基板1は透明な材質のものが好ましく、例えば、ガラス、透明プラスチック板、透明プラスチック膜、無機物透明結晶体等が挙げられる。
第一の電極2としては、可視光に対して透明な導電性物質であれば特に限定されるものではなく、通常の光電変換素子、あるいは液晶パネル等に用いられる公知のものを使用できる。
第一の電極の材料としては、例えば、インジウム・スズ酸化物(以下、ITOと称す)、フッ素ドープ酸化スズ(以下、FTOと称す)、アンチモンドープ酸化スズ(以下、ATOと称す)、インジウム・亜鉛酸化物、ニオブ・チタン酸化物、グラフェンなどが挙げられる。これらは単独あるいは複数積層されていてもよい。
第一の電極の平均厚みとしては、5nm~10μmが好ましく、50nm~1μmがより好ましい。
第一の電極と基板とが一体となっている公知のものを用いることもでき、例えば、FTOコートガラス、ITOコートガラス、酸化亜鉛:アルミニウムコートガラス、FTOコート透明プラスチック膜、ITOコート透明プラスチック膜等が挙げられる。
また、酸化スズや酸化インジウムに原子価の異なる陽イオン若しくは陰イオンをドープした透明電極、メッシュ状、ストライプ状等、光が透過できる構造にした金属電極をガラス基板等の基板上に設けたものでもよい。
これらは1種単独あるいは2種以上の混合、又は積層したものでも構わない。
前記金属リード線の材質としては、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、白金、ニッケル等の金属が挙げられる。金属リード線は基板に蒸着、スパッタリング、圧着等で設置し、その上にITOやFTOを設ける方法により形成できる。
ホールブロッキング層3を構成する材料としては、可視光に対して透明であり、かつ電子輸送物質であれば特に限定されるものではないが、特に酸化チタンが好ましい。
ホールブロッキング層は電解質が電極と接して電解質中のホールと電極表面の電子が再結合(いわゆる逆電子移動)することによる電力低下を抑制するために設けられる。このホールブロッキング層3の効果は固体型色素増感型太陽電池において特に顕著である。これは、電解液を用いた湿式色素増感太陽電池と比較し、有機ホール輸送材料等を用いた固体型色素増感型太陽電池はホール輸送材料中のホールと電極表面の電子の再結合(逆電子移動)速度が速いことに起因している。
前記太陽電池は、前記のホールブロッキング層3上に多孔質状の電子輸送層4を形成するものであり、この電子輸送層は、単層であっても多層であってもよい。
前記電子輸送層は、電子輸送物質から構成される。前記電子輸送物質としては半導体粒子が好ましく用いられる。
多層の場合、粒径の異なる半導体粒子の分散液を多層塗布することも、種類の異なる半導体や、樹脂、添加剤の組成が異なる塗布層を多層塗布することもできる。一度の塗布で平均厚みが不足する場合には多層塗布は有効な手段である。
一般的に電子輸送層の平均厚みが増大するほど単位投影面積当たりの担持光増感材料量も増えるため光の捕獲率が高くなるが、注入された電子の拡散距離も増えるため電荷の再結合によるロスも大きくなってしまう。したがって、電子輸送層の平均厚みは100nm~100μmが好ましい。
金属のカルコゲニドとしては、例えば、チタン、スズ、亜鉛、鉄、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストロンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、あるいはタンタルの酸化物、カドミウム、亜鉛、鉛、銀、アンチモン、ビスマスの硫化物、カドミウム、鉛のセレン化物、カドミウムのテルル化物などが挙げられる。
他の化合物半導体としては、例えば、亜鉛、ガリウム、インジウム、カドミウム、等のリン化物、ガリウム砒素、銅-インジウム-セレン化物、銅-インジウム-硫化物などが好ましい。
また、ペロブスカイト構造を有する化合物としては、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ナトリウム、チタン酸バリウム、ニオブ酸カリウムなどが好ましい。
また、より大きい平均粒径の半導体粒子を混合あるいは積層して入射光を散乱させる効果により効率を向上させることも可能である。この場合の半導体の平均粒径は50nm~500nmが好ましい。
製造コスト等を考慮した場合、特に湿式製膜法が好ましく、半導体粒子の粉末あるいはゾルを分散したペーストを調製し、電子集電電極基板上に塗布する方法が好ましい。
この湿式製膜法を用いた場合、塗布方法は特に制限はなく、公知の方法にしたがって行うことができる。例えば、ディップ法、スプレー法、ワイヤーバー法、スピンコート法、ローラーコート法、ブレードコート法、グラビアコート法、また、湿式印刷方法として、凸版、オフセット、グラビア、凹版、ゴム版、スクリーン印刷等様々な方法を用いることができる。
また、製膜性を向上させる目的で増粘剤を添加することも有効な手段である。このとき加える増粘剤としては、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール等の高分子、エチルセルロース等の増粘剤等が挙げられる。
このラフネスファクターは基板に塗布した半導体粒子の面積に対する多孔質内部の実面積を表わす数値である。したがって、ラフネスファクターは大きいほど好ましいが、電子輸送層の平均厚みとの関係もあり、本発明においては20以上が好ましい。
前記太陽電池では変換効率のさらなる向上のため、増感色素(光増感材料)を電子輸送層4である電子輸送物質の表面に吸着させた増感色素電極層を有する。
前記増感色素としての光増感材料5は、使用される励起光により光励起される化合物であれば前記に限定されないが、具体的には以下の化合物も挙げられる。
特表平7-500630号公報、特開平10-233238号公報、特開2000-26487号公報、特開2000-323191号公報、特開2001-59062号公報等に記載の金属錯体化合物、特開平10-93118号公報、特開2002-164089号公報、特開2004-95450号公報、J.Phys.Chem.C,7224,Vol.111(2007)等に記載のクマリン化合物、同特開2004-95450号公報、Chem.Commun.,4887(2007)等に記載のポリエン化合物、特開2003-264010号公報、特開2004-63274号公報、特開2004-115636号公報、特開2004-200068号公報、特開2004-235052号公報、J.Am.Chem.Soc.,12218,Vol.126(2004)、Chem.Commun.,3036(2003)、Angew.Chem.Int.Ed.,1923,Vol.47(2008)等に記載のインドリン化合物、J.Am.Chem.Soc.,16701,Vol.128(2006)、J.Am.Chem.Soc.,14256,Vol.128(2006)等に記載のチオフェン化合物、特開平11-86916号公報、特開平11-214730号公報、特開2000-106224号公報、特開2001-76773号公報、特開2003-7359号公報等に記載のシアニン色素、特開平11-214731号公報、特開平11-238905号公報、特開2001-52766号公報、特開2001-76775号公報、特開2003-7360号公報等に記載メロシアニン色素、特開平10-92477号公報、特開平11-273754号公報、特開平11-273755号公報、特開2003-31273号公報等に記載の9-アリールキサンテン化合物、特開平10-93118号公報、特開2003-31273号公報等に記載のトリアリールメタン化合物、特開平9-199744号公報、特開平10-233238号公報、特開平11-204821号公報、特開平11-265738号公報、J.Phys.Chem.,2342,Vol.91(1987)、J.Phys.Chem.B,6272,Vol.97(1993)、Electroanal.Chem.,31,Vol.537(2002)、特開2006-032260号公報、J.Porphyrins Phthalocyanines,230,Vol.3(1999)、Angew.Chem.Int.Ed.,373,Vol.46(2007)、Langmuir,5436,Vol.24(2008)等に記載のフタロシアニン化合物、ポルフィリン化合物等を挙げることができる。特にこの中で、金属錯体化合物、クマリン化合物、ポリエン化合物、インドリン化合物、チオフェン化合物を用いることが好ましい。
前者の場合、浸漬法、ディップ法、ローラ法、エアーナイフ法等を用いることができる。
後者の場合は、ワイヤーバー法、スライドホッパー法、エクストルージョン法、カーテン法、スピン法、スプレー法等を用いることができる。
また、二酸化炭素などを用いた超臨界流体中で吸着させても構わない。
前記縮合剤は無機物表面に物理的あるいは化学的に光増感材料と電子輸送化合物を結合すると思われる触媒的作用をするもの、又は化学量論的に作用し、化学平衡を有利に移動させるものの何れであってもよい。更に、縮合助剤としてチオールやヒドロキシ化合物を添加してもよい。
前記凝集解離剤としてはコール酸、ケノデオキシコール酸などのステロイド化合物、長鎖アルキルカルボン酸又は長鎖アルキルホスホン酸が好ましく、用いる光増感材料に対して適宜選ばれる。
これら凝集解離剤の添加量は光増感材料1質量部に対して0.01質量部~500質量部が好ましく、0.1質量部~100質量部がより好ましい。
前記太陽電池における金属酸化物層6、及びその作製方法としては、本発明の電子デバイスの金属酸化物層、及びその作製方法において説明した事項を適宜選択して適用することができる。
第二の電極は前記金属酸化物層形成後に付与する。
また第二の電極は通常前述の第一の電極と同様のものを用いることができ、強度や密封性が充分に保たれるような構成では支持体は必ずしも必要ではない。
第二の電極材料の具体例としては、白金、金、銀、銅、アルミニウム等の金属、グラファイト、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラフェン等の炭素系化合物、ITO、FTO、ATO等の導電性金属酸化物、ポリチオフェン、ポリアニリン等の導電性高分子が挙げられる。
第二の電極層の平均厚みとしては特に制限はなく、また単独あるいは2種以上の混合で用いても構わない。
第二の電極の塗設については、用いられる材料の種類やホール輸送層の種類により、適宜ホール輸送層上に塗布、ラミネート、蒸着、CVD、貼り合わせ等の手法により形成可能である。
本発明の電子デバイスにおいては、第一の電極側が透明であり、太陽光を第一の電極側から入射させる方法が好ましい。この場合、第二の電極側には光を反射させる材料を使用することが好ましく、金属、導電性酸化物を蒸着したガラス、プラスチック、あるいは金属薄膜が好ましい。
また、太陽光の入射側に反射防止層を設けることも有効な手段である。
本発明の電子デバイスの一実施形態は有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子である。
前記有機EL素子は、支持体と、前記支持体上に電荷輸送物質を含む電荷輸送層と、前記電荷輸送層の上に前記金属酸化物層とを有し、更に、陽極(第一の電極)と、ホール輸送層と、発光層と、陰極(第二の電極)とを有し、更に必要に応じてバリア膜などのその他の層を有する。
なお、陽極(第一の電極)、ホール輸送層、発光層、前記電荷輸送層としての電子輸送層、及び陰極(第二の電極)を有するものを「有機EL層」と称することがある。
以下に、電子デバイスが有機EL素子である場合について説明するが、有機EL素子のみに限定されず、他の電子デバイスにも適用可能である。
なお、本発明は以下に示す実施形態に限定されるものではなく、他の実施形態、追加、修正、削除など、当業者が想到することができる範囲内で変更することができ、いずれの態様においても本発明の作用・効果を奏する限り本発明の範囲に含まれるものである。
前記支持体としての基板20は絶縁性基板からなる。基板20はプラスチックやフィルム状の基板でもよい。
前記バリア膜は、例えば、ケイ素、酸素及び炭素からなる膜、又は、ケイ素、酸素、炭素及び窒素からなる膜であり得る。前記バリア膜の材料としては、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素などが挙げられる。バリア膜の平均厚みとしては100nm以上10μm以下が好適に用いられる。
有機EL層30は発光層を含み、陽極及び陰極に印加された電圧に応じてキャリアの移動及びキャリアの結合などの発光層の発光に寄与する機能部である。例えば、陽極、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、陰極が支持基板20側から順に積層されて形成されている。
有機EL層30としては特に制限はなく、目的に応じて公知の有機EL素子を適宜選択することができる。
前記陰極として透明電極を積層する。
透明電極はSnO2、In2O3、ITO、IZO、ZnO:Alなどの導電性金属酸化物を用いて形成される。透明電極を陰極として用いる場合には、有機EL層の最上層を電子注入層として電子注入効率を高めることが望ましい。透明電極は波長400nm~800nmの光に対して好ましくは50%以上、より好ましくは85%以上の透過率を有することが好ましい。透明電極の平均厚みとしては50nm以上が好ましく、50nm~1μmがより好ましく、100nm~300nmが更に好ましい。
前記有機EL素子における金属酸化物層40、及びその作製方法としては、本発明の電子デバイスの金属酸化物層、及びその作製方法において説明した事項を適宜選択して適用することができる。
金属酸化物層40は有機EL層30を埋設するように陰極上に設けられる。金属酸化物層40は有機EL層30において基板20と反対側に配置される。金属酸化物層40はガスバリア機能、特に水分バリア機能を有する。
銅アルミニウム酸化物を以下の手順により調製した。亜酸化銅とアルミナを当モルとなるよう計量し、これをマヨネーズビンに移し、ターブラミキサー(Type T2C、Willy A. Bachofen AG Maschinenfabrik社製)で撹拌させて混合粉を得た。得られた混合粉を1,100℃で40時間加熱し、ポアサイズ100μmの篩にかけた。
・ 亜酸化銅(NC-803、エヌシー・テック社製): 12kg
・ アルミナ(AA-03、住友化学株式会社製): 8.58kg
銅アルミニウム酸化物の粒径はMICROTRAC MT3300(マイクロトラック・ベル社製)を用いて、ヘキサメタリン酸ナトリウム0.2%水溶液を分散媒として測定時間10秒で得られる測定値とした。
銅アルミニウム酸化物の粉体の水分量測定は微量水分測定装置(CA-200、三菱ケミカルアナリテック社製)を用いた。
銅アルミニウム酸化物の元素の組成比は蛍光X線分析装置(ZSX PrimusIV、株式会社リガク製)から求め、結晶構造はX線回折装置(X’Pert PRO、スペクトリス株式会社製)を用いた。
-電子写真感光体の製造例-
以下の手順により、導電性支持体上に中間層、電荷発生層、電荷輸送層、シリコーンハードコート層、及び金属酸化物層をこの順に有する実施例1の電子写真感光体を20本製造した。
--中間層の形成--
アルミニウム製の導電性支持体(外径100mm、厚み1.5mm)に下記の中間層用塗工液を浸漬法により塗工し、中間層を形成した。150℃で30分間乾燥した後の中間層の平均厚みは5μmであった。
・ 酸化亜鉛粒子(MZ-300、テイカ株式会社製): 350部
・ 3,5-ジ-t-ブチルサリチル酸(東京化成工業株式会社製): 1.5部
・ ブロック化イソシアネート: 60部
(スミジュール(登録商標)3175、固形分濃度75質量%、住化バイエルウレタン株式会社製)
・ ブチラール樹脂20質量%を2-ブタノンで溶解させた溶解液: 225部
(BM-1、積水化学工業株式会社製)
・ 2-ブタノン: 365部
得られた中間層上に下記の電荷発生層用塗工液を浸漬塗工し、電荷発生層を形成した。電荷発生層の平均厚みは0.2μmであった。
・ Y型チタニルフタロシアニン: 6部
・ ブチラール樹脂(エスレックBX-1、積水化学工業株式会社製): 4部
・ 2-ブタノン(関東化学株式会社製): 200部
得られた電荷発生層上に下記の電荷輸送層用塗工液を浸積塗工し、電荷輸送層を形成した。
135℃で20分間乾燥した後の電荷輸送層の平均厚みは22μmであった。
得られた電荷輸送層上に下記のシリコーンハードコート層用塗工液をリングコート塗工し、シリコーンハードコート層を形成した。
135℃で20分間乾燥した後のシリコーンハードコート層の平均厚みは0.5μmであった。
・ シリコーンハードコート液: 80部
(NSC-5506、日本精化株式会社製)
・ テトラヒドロフラン 20部
成膜チャンバは市販の蒸着装置を改造したものを用いた。
エアロゾル発生器には市販の撹拌機(T.K.アヂホモミクサー2M-03型、プライミクス株式会社製)を用いた。なお、エアロゾル発生器として市販の容積1リットル圧送ボトル(RBN-S、KSK社製)を超音波洗浄器(SUS-103、株式会社島津製作所製)中に設置したものを用いてもよい。
上記の通りにして得られた銅アルミニウム酸化物と、ジメチルジクロロシランとヘキサメチルジシラザンの2種類で表面処理されたBET比表面積が190±25m2/gで炭素含有率が2.9質量%のシリカ微粒子(Reolosil ZD-30S、株式会社トクヤマ製)とを、質量比が99.5%対0.5%となる混合粉としてエアロゾル発生器内に仕込んだ。
次に排気ポンプによって成膜チャンバからエアロゾル発生器までを真空引きした。そして、ガスボンベからエアロゾル発生器内に窒素ガスを送り込んで、撹拌を開始し、窒素ガス中に粒子が分散したエアロゾルを発生させた。発生したエアロゾルは配管を介して噴射ノズルより感光体に向けて噴射された。このとき、窒素ガスの流量は13L/分間~20L/分間とした。また、成膜時間は20分間とし、金属酸化物層形成時の成膜チャンバ内の真空度を50Pa~150Pa程度とした。
感光体表面に含むシリカ粒子の含有量は蛍光X線分析装置(ZSX PrimusIV、株式会社リガク製)によって求めた。仕込み量と同じ割合でシリカが含まれていた。
実施例1において、金属酸化物層の形成に用いた銅アルミニウム酸化物とシリカ微粒子の混合粉について、シリカ微粒子の含有量を1.0質量%に変えた以外は、実施例1と同様にして、20本の電子写真感光体を製造した。
実施例1において、金属酸化物層の形成に用いた銅アルミニウム酸化物とシリカ微粒子の混合粉について、シリカ微粒子の含有量を1.5質量%に変えた以外は、実施例1と同様にして、20本の電子写真感光体を製造した。
実施例2において、金属酸化物層の形成に用いた銅アルミニウム酸化物とシリカ微粒子の混合粉について、シリカ微粒子をジメチルジクロロシランで表面処理されたBET比表面積が200±25m2/gで炭素含有率が2.8質量%のシリカ微粒子(HDK H-2000、旭化成ワッカーシリコーン株式会社製)に変えた以外は、実施例2と同様にして、20本の電子写真感光体を製造した。
実施例2において、金属酸化物層の形成に用いた銅アルミニウム酸化物とシリカ微粒子の混合粉について、シリカ微粒子をジメチルジクロロシランで表面処理されたBET比表面積が250±25m2/gで炭素含有率が1.8質量%のAerosil R976(日本アエロジル株式会社製)に変えた以外は、実施例2と同様にして、20本の感光体を製造した。
実施例2において、金属酸化物層の形成に用いた銅アルミニウム酸化物とシリカ微粒子の混合粉について、シリカ微粒子をトリメチルシリル基とアミノ基で表面処理されたBET比表面積が140±25m2/gで炭素含有率が1.8質量%のAerosil RA200HS(日本アエロジル株式会社製)に変えた以外は、実施例2と同様にして、20本の感光体を製造した。
実施例1において、金属酸化物層の形成に用いた銅アルミニウム酸化物とシリカ微粒子の混合粉について、シリカ微粒子を加えなかった以外は、実施例1と同様にして、20本の感光体を製造した。
実施例1において、金属酸化物層の形成に用いた銅アルミニウム酸化物とシリカ微粒子の混合粉について、シリカ微粒子の含有量を0.3質量%に変えた以外は、実施例1と同様にして、20本の感光体を製造した。
実施例1において、金属酸化物層の形成に用いた銅アルミニウム酸化物とシリカ微粒子の混合粉について、シリカ微粒子の含有量を2.0質量%に変えた以外は、実施例1と同様にして、20本の感光体を製造した。
実施例1において、銅アルミニウム酸化物と、体積平均粒径が0.20μmでBET比表面積が10.3m2/gの酸化アルミニウム微粒子(AKP-50、住友化学株式会社製)とを、質量比が99.5%対0.5%となる混合粉を用いて金属酸化物層を形成した以外は、実施例1と同様にして、20本の感光体を製造した。
実施例7において、金属酸化物層の形成に用いた銅アルミニウム酸化物と金属酸化物粒子の混合粉について、金属酸化物粒子の含有量を1.0質量%に変えた以外は、実施例7と同様にして、20本の電子写真感光体を製造した。
実施例7において、金属酸化物層の形成に用いた銅アルミニウム酸化物と金属酸化物粒子の混合粉について、金属酸化物粒子の含有量を1.5質量%に変えた以外は、実施例7と同様にして、20本の電子写真感光体を製造した。
実施例8において、金属酸化物層の形成に用いた銅アルミニウム酸化物と金属酸化物粒子の混合粉について、金属酸化物粒子を体積平均粒径0.46μm、BET比表面積が4.3m2/gの酸化アルミニウム(AKP-20、住友化学株式会社製)に変えた以外は、実施例8と同様にして、20本の電子写真感光体を製造した。
実施例8において、金属酸化物層の形成に用いた銅アルミニウム酸化物と金属酸化物粒子の混合粉について、金属酸化物粒子を体積平均粒径が0.10μmでBET比表面積が14.5m2/gのTM-DAR(大明化学工業株式会社製)に変えた以外は、実施例8と同様にして、20本の感光体を製造した。
実施例8において、金属酸化物層の形成に用いた銅アルミニウム酸化物と金属酸化物粒子の混合粉について、金属酸化物粒子を粒子径が0.28μmでBET比表面積が11.0m2/gのSF-10(堺化学工業株式会社製)に変えた以外は、実施例8と同様にして、20本の感光体を製造した。
実施例7において、金属酸化物層の形成に用いた銅アルミニウム酸化物と金属酸化物粒子の混合粉について、金属酸化物粒子の含有量を0.3質量%に変えた以外は、実施例7と同様にして、20本の感光体を製造した。
実施例7において、金属酸化物層の形成に用いた銅アルミニウム酸化物と金属酸化物粒子の混合粉について、金属酸化物粒子の含有量を2.0質量%に変えた以外は、実施例7と同様にして、20本の感光体を製造した。
前述の通り作製した実施例1~12と比較例1~5の電子写真感光体において、長さ380mm、外径100mmの円筒形状の感光体ドラムに対し、感光体ドラムの長手方向についてドラム端部から100mmの位置より50mm間隔に300mmの位置まで5箇所の厚み厚を測定した。これを20本の感光体ドラムについて行い、合計100点の厚みデータを得た。厚みの測定は特許第5521607号公報に準じて、光干渉を利用する方法によって行った。得られたデータの平均値から厚みを求めるとともに、標準偏差を求めた。
得られた厚みの平均値と標準偏差から、下記式(1)から(3)に基づき工程能力指数Cpkを算出した。結果を表1に示す。工程能力指数とは厚みの算術平均値Xが規格の中心値からどの程度ずれているかを評価した値である。Cpkが大きいほど、安定した品質の感光体ドラムを作れる能力が高いことを意味する。
但し、上市された製品を対象に工程能力の効果を判断するときは感光体本数を多くとれないため、測定間隔を小さくして合計100点の厚み測定値を得て評価することができる。
金属酸化物層に用いる銅アルミニウム酸化物とシリカ微粒子の混合粉体中のシリカ微粒子の含有量は、実施例1の0.5質量%から実施例3の1.5質量%とすると高いCpkが得られることがわかった。
また、金属酸化物層に用いる銅アルミニウム酸化物と金属酸化物粒子の混合粉体中のシリカ微粒子の含有量は、実施例7の0.5質量%から実施例9の1.5質量%とすると高いCpkが得られることがわかった。
<1> 支持体と、前記支持体上に、電荷輸送物質を含む電荷輸送層、又は増感色素を含む増感色素電極層と、前記電荷輸送層又は前記増感色素電極層の上に、金属酸化物層とを有する電子デバイスであって、
前記金属酸化物層が、p型半導性を有する金属酸化物とシリカ又は金属酸化物粒子を含有し、前記金属酸化物層に含まれる前記シリカ又は金属酸化物粒子の含有量が前記金属酸化物層の0.5質量%以上1.5質量%以下であることを特徴とする電子デバイスである。
<2> 前記金属酸化物層の平均厚みが1.2μm以上1.8μm以下であり、かつ厚みの標準偏差が0.07μm以下である前記<1>に記載の電子デバイスである。
<3> 前記p型半導性を有する金属酸化物がデラフォサイト型酸化物である前記<1>から<2>のいずれかに記載の電子デバイスである。
<4> 前記デラフォサイト型酸化物が銅アルミニウム酸化物である前記<3>に記載の電子デバイスである。
<5> 支持体と、前記支持体上に、電荷輸送物質を含む電荷輸送層、又は増感色素を含む増感色素電極層と、前記電荷輸送層又は前記増感色素電極層の上に、金属酸化物層とを有する電子デバイスの製造方法であって、
p型半導性を有する金属酸化物とシリカ又は金属酸化物粒子とを吹き付けて前記金属酸化物層を形成することを特徴とする電子デバイスの製造方法である。
<6> 前記p型半導性を有する前記金属酸化物と前記シリカ又は前記金属酸化物粒子とを吹き付ける方法が、エアロゾルデポジション法である前記<5>に記載の電子デバイスの製造方法である。
<7> 前記<1>から<4>のいずれかに記載の電子デバイスを用いることを特徴とする画像形成方法である。
<8> 前記<1>から<4>のいずれかに記載の電子デバイスを備えることを特徴とする画像形成装置である。
1B クリーニング前露光装置
1C 駆動手段
1D 第1の転写装置
1E 第2の転写装置
1F 中間転写体
1G 搬送転写ベルト
3 潤滑剤塗布装置
3A 潤滑剤
3B 塗布ブラシ
3C 塗布ブレード
3D 加圧バネ
10A 静電潜像担持体(電子写真感光体)
10B 太陽電池
10C 有機エレクトロルミネッセンス素子
11、11Bk、11C、11M、11Y 電子写真感光体
12、12Y、12M、12C、12Bk 帯電装置
13、13Y、13M、13C、13Bk 露光装置
14、14Bk、14C、14M、14Y 現像装置
15 トナー
16、16Y、16M、16C、16Bk 転写装置
17、17Y、17M、17C、17Bk クリーニング装置
18 印刷メディア
19 定着装置
Claims (8)
- 支持体と、前記支持体上に、電荷輸送物質を含む電荷輸送層、又は増感色素を含む増感色素電極層と、前記電荷輸送層又は前記増感色素電極層の上に、金属酸化物層とを有する電子デバイスであって、
前記金属酸化物層が、p型半導性を有する金属酸化物とシリカ又は金属酸化物粒子を含有し、
前記金属酸化物層に含まれる前記シリカ又は金属酸化物粒子の含有量が前記金属酸化物層の0.5質量%以上1.5質量%以下であることを特徴とする電子デバイス。 - 前記金属酸化物層の平均厚みが1.2μm以上1.8μm以下であり、かつ厚みの標準偏差が0.07μm以下である請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記p型半導性を有する金属酸化物がデラフォサイト型酸化物である請求項1から2のいずれかに記載の電子デバイス。
- 前記デラフォサイト型酸化物が銅アルミニウム酸化物である請求項3に記載の電子デバイス。
- 支持体と、前記支持体上に、電荷輸送物質を含む電荷輸送層、又は増感色素を含む増感色素電極層と、前記電荷輸送層又は前記増感色素電極層の上に、金属酸化物層とを有する電子デバイスの製造方法であって、
p型半導性を有する金属酸化物とシリカ又は金属酸化物粒子とを吹き付けて前記金属酸化物層を形成することを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 前記p型半導性を有する前記金属酸化物と前記シリカ又は前記金属酸化物粒子とを吹き付ける方法が、エアロゾルデポジション法である請求項5に記載の電子デバイスの製造方法。
- 請求項1から4のいずれかに記載の電子デバイスを用いることを特徴とする画像形成方法。
- 請求項1から4のいずれかに記載の電子デバイスを備えることを特徴とする画像形成装置。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2004119555A (ja) | 2002-09-25 | 2004-04-15 | Tdk Corp | 光電変換素子、光電池、及び光センサー |
US20100252108A1 (en) | 2008-12-19 | 2010-10-07 | Applied Materials, Inc. | Copper delafossite transparent p-type semiconductor materials for dye sensitized solar cells |
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JP2016142975A (ja) | 2015-02-04 | 2016-08-08 | コニカミノルタ株式会社 | 電子写真感光体、画像形成装置および画像形成方法 |
JP2017111273A (ja) | 2015-12-16 | 2017-06-22 | コニカミノルタ株式会社 | 電子写真感光体およびその製造方法 |
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