JP7439250B2 - 半導体材料の単結晶を引き上げるための装置および方法 - Google Patents
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Description
半導体材料の単結晶は、種結晶上に成長する単結晶を坩堝に収容された融液から上方に引き上げるCZ法により製造されることが多い。工業規模では、特にシリコンなどの半導体材料の単結晶はこのようにして製造され、その後さらに半導体ウエハに加工され、その後電子部品に加工される。
以下、2つの図面を参照しながら本発明をより詳細に説明する。
1 単結晶
2 チャンバ
3 断熱材
4 ガス入口
5 ガス出口
6 ヒータ
7 融液
8 坩堝
9 ハウジングプレート
10 引き上げ装置
11 成長する単結晶
12 支持装置
13 坩堝軸
14 引き上げ軸
15 取付装置
16 種結晶ホルダ
17 種結晶
18 磁界発生コイル
19 コントローラ
20 引き上げ軸を回転させるための装置
21 坩堝軸を回転させるための装置
22 駆動部
23 駆動軸
24 第1のウォーム
25 第1のウォームホイール
26 第2のウォーム
27 第2のウォームホイール
28 引き上げ軸の上部
29 引き上げ軸の下部
30 ベローズカップリング
31 さらなる駆動部
32 さらなる駆動軸
33 さらなる第1のウォーム
34 さらなる第1のウォームホイール
35 さらなる第2のウォーム
36 さらなる第2のウォームホイール
37 坩堝軸の下部
38 坩堝軸の上部
39 さらなるベローズカップリング
40 さらなるハウジングプレート
D 回転軸
Claims (8)
- 坩堝(8)内に収容された融液(7)から半導体材料の単結晶(1)を引き上げるための装置であって、引き上げ軸(14)を回転させるための装置(20)を有し、坩堝軸(13)を回転させるための装置(21)を有し、駆動部(22)と前記引き上げ軸(14)との間のダブルウォームギアと、さらなる駆動部(31)と前記坩堝軸(13)との間のさらなるダブルウォームギアとによって特徴付けられる。装置。
- 前記引き上げ軸の上部(28)と下部(29)との間のベローズカップリング(30)を特徴とする、請求項1に記載の装置。
- 前記坩堝軸(13)の上部(38)と下部(37)との間のさらなるベローズカップリング(39)を特徴とする、請求項1または2に記載の装置。
- 前記駆動部(22)の駆動軸(23)は、前記引き上げ軸(14)と平行に配置されていることを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の装置。
- 前記駆動部(22)は、前記ダブルウォームギアのハウジングプレート(9)に堅固に取り付けられることを特徴とする、請求項1~4のいずれか1項に記載の装置。
- 前記さらなる駆動部(31)のさらなる駆動軸(32)が、前記坩堝軸(13)と平行に配置されることを特徴とする、請求項1~5のいずれか1項に記載の装置。
- 前記さらなる駆動部(31)は、前記さらなるダブルウォームギアのさらなるハウジングプレート(40)に堅固に取り付けられることを特徴とする、請求項1~6のいずれか1項に記載の装置。
- CZ法による融液からの半導体材料の単結晶の引き上げるための方法であって、請求項1~7のいずれか1項に記載の装置を用いて前記半導体材料の単結晶を引き上げることを特徴とする、方法。
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