JP2008162827A - シリコン単結晶の製造装置及び製造方法 - Google Patents
シリコン単結晶の製造装置及び製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】製造装置1は坩堝4と単結晶12とを同じ向きに回転させつつチョクラルスキ法により単結晶12を製造する。その際、制御装置13は、単結晶12の下端周縁部と坩堝4の内面との間に存在するシリコン融液15の流れが坩堝4及び単結晶12の回転の向きに対して局所的に逆向きの環状の流れになるように回転磁場装置6により発生させる回転磁場の向き及び強度を制御する。
【選択図】図1
Description
CR+0.5 ≦ N ≦ 3CR−0.5 (式1)
の範囲に入るように、前記回転磁場装置により発生させる回転磁場の強度を制御することが望ましい。
CR+0.5 ≦ N ≦ 3CR−0.5 (式1)
の範囲に入るように、前記回転磁場装置により発生させる回転磁場の強度を制御することが望ましい。
CR+0.5 ≦ N ≦ 3CR−0.5 (式1)
の範囲に入るように、回転磁場装置6により発生させる回転磁場の強度を制御する。回転磁場の向きは種結晶9及び坩堝4の回転の向きに対して逆向きである。
2 育成炉
3 坩堝支持軸
4 坩堝
4a 石英坩堝
4b 黒鉛坩堝
5 ヒータ
6 回転磁場装置
7 坩堝支持軸駆動機構
8 種結晶
9 シードチャック
10 引き上げワイヤ
11 ワイヤ巻取り巻き出し機構
12 シリコン単結晶
13 制御装置
15 シリコン融液
15f 環状の流れ
21 電磁石コア
22 巻芯
25 電源回路
26 制御回路
C コイル
Claims (10)
- チョクラルスキ法によりシリコン単結晶を製造する装置において、
シリコン融液を収容した坩堝と、
シリコン融液に水平方向に回転する回転磁場を印加する回転磁場装置と、
単結晶の下端周縁部と坩堝の内面との間に存在するシリコン融液の流れが坩堝及び単結晶の回転の向きに対して局所的に逆向きの環状の流れになるように回転磁場装置により発生させる回転磁場の向き及び強度を制御する制御装置と、
を備えたことを特徴とするシリコン単結晶の製造装置。 - 前記坩堝と前記単結晶とを同じ向きに回転させつつシリコン単結晶を製造する製造装置であって、前記制御装置は、前記回転磁場装置により発生させる回転磁場の向きが前記坩堝及び前記単結晶の回転の向きと逆向きなるように制御する請求項1のシリコン単結晶の製造装置。
- 前記制御装置は、前記環状の流れの半径が前記坩堝の内周の半径の80%になり且つ前記環状の流れの深さが前記シリコン融液の表面から10mm以上になるように前記回転磁場装置により発生させる回転磁場の強度を制御する請求項1又は2のシリコン単結晶の製造装置。
- 前記制御装置は、前記坩堝の回転数をCR[rpm]、前記回転磁場が前記環状の流れの領域の融液に与える力をN[N/m3]としたとき、
NがCR+0.5 ≦ 3CR−0.5 の範囲に入るように、前記回転磁場装置により発生させる回転磁場の強度を制御する請求項3のシリコン単結晶の製造装置。 - 前記回転磁場は、回転の向きと回転周波数と磁場強度のうち、少なくとも回転周波数が異なる複数の回転磁場であることを特徴とする請求項1〜4いずれかに記載のシリコン単結晶の製造装置。
- チョクラルスキ法によるシリコン単結晶の製造方法において、
坩堝内のシリコン融液に水平方向に回転する回転磁場を印加し、且つ、
単結晶の下端周縁部と坩堝の内面との間に存在するシリコン融液の流れが坩堝及び単結晶の回転の向きに対して局所的に逆向きの環状の流れになるように前記回転磁場の向き及び強度を制御することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 前記坩堝と前記単結晶とを互いに同じ向きに回転させつつ前記回転磁場を前記坩堝と前記単結晶と逆向きに回転させる請求項6のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記環状の流れの半径が坩堝の内周の半径の80%になり且つ前記環状の流れの深さが前記シリコン融液の表面から10mm以上になるように前記回転磁場の強度を制御する請求項7のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記坩堝の回転数をCR[rpm]、前記回転磁場が前記環状の流れの領域の融液に与える力をN[N/m3]としたとき、
NがCR+0.5 ≦ N ≦3CR−0.5 の範囲に入るように、前記回転磁場装置により発生させる回転磁場の強度を制御する請求項8のシリコン単結晶の製造方法。 - 前記回転磁場は、回転の向きと回転周波数と磁場強度のうち、少なくとも回転周波数が異なる複数の回転磁場であることを特徴とする請求項6〜9のいずれかに記載のシリコン単結晶の製造方法。
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JP2006352594A JP2008162827A (ja) | 2006-12-27 | 2006-12-27 | シリコン単結晶の製造装置及び製造方法 |
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JP (1) | JP2008162827A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102560626A (zh) * | 2012-03-10 | 2012-07-11 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种提高直拉重掺硅单晶径向电阻率均匀性的方法 |
-
2006
- 2006-12-27 JP JP2006352594A patent/JP2008162827A/ja not_active Withdrawn
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CN102560626A (zh) * | 2012-03-10 | 2012-07-11 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种提高直拉重掺硅单晶径向电阻率均匀性的方法 |
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