JP2013023415A - 単結晶引上方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】単結晶Cを引き上げる際、炉内圧力を40〜80torr、ルツボ回転数を3〜8rpmの間で制御すると共に、上下一対の電磁コイル13,14により印加される上部磁場と下部磁場の磁場強度比(上部磁場/下部磁場)を0.7〜0.95の間で制御し、かつ、シリコン溶融液Mの液面M1を0(mm)位置とし、前記液面M1に対して垂直である鉛直方向における前記液面M1から上方向を正の方向、前記液面M1から下方向を負の方向としたとき、前記単結晶Cの中心軸上の前記鉛直方向における磁場強度が0(ガウス)となる0磁場水平位置を−10〜+100mmの間に制御する。
【選択図】図2
Description
尚、図4に示すように、ルツボ50の上方には、単結晶Cの引上領域を囲むように輻射シールド51が設けられる。輻射シールド51は、育成する単結晶Cの外周面への輻射熱を効果的に遮断するものであって、これにより引き上げ中の単結晶Cの凝固を促進し、単結晶Cを速やかに冷却することができる。
しかしながら、ルツボ50内の溶融液量が増加すると、溶融液内の対流が複雑化し、酸素濃度等の所望の結晶特性や無転位結晶を得ることが難しくなる。
例えば、特許文献1には、カスプ磁場強度を300〜600G(ガウス)とし、雰囲気圧力を50torr以上に制御することにより、結晶成長方向の酸素濃度分布および結晶面内の酸素濃度分布を均一に制御すると共に、有転位化を防止できる方法が提案されている。
なお、このような高酸素濃度のシリコン単結晶を得るためには、炉内圧力を高い値で設定することで、シリコン溶融液からの酸素の蒸発を抑制して、シリコン溶融液中の酸素濃度を高めることができる。しかしながらこの場合は、溶融液表面から蒸発するシリコンと酸素の化合物(オキサイド)が炉外に排出されにくくなり、このオキサイドが炉内で固化して溶融液に落下し、これが結晶に取り込まれて有転位化する虞があった。
また、ルツボ回転数を3〜8rpmの間で制御することにより、溶融液とルツボとの摩擦によって、ルツボが含む酸素を溶融液に多く溶け込ませることができる。
また、上下一対の電磁コイルにより印加される磁場強度比(上部磁場/下部磁場)を0.7〜0.95の間で制御することにより、ルツボの底部から結晶直下(固液界面)に湧き上がって自由液面側に向かう溶融液対流が優位に形成され、ルツボ底部から溶融液に溶け込む酸素が、この対流に乗って結晶に取り込まれやすくなり、高酸素濃度結晶を得ることができる。
また、0磁場水平位置を−10〜+100mmの間で制御することにより、ルツボの回転方向に流れる電流(電子)と鉛直方向の磁束密度とによってローレンツ力が形成され、結晶直下(固液界面)から溶融液の自由液面を通ってルツボ壁側に向かう溶融液対流を形成することができる。
これにより、前記磁場強度比の効果と重畳して結晶直下からルツボ壁に向かう強い対流が形成され、液面に浮遊する異物(例えば、オキサイドが炉内で固化して溶融液に落下した異物)を結晶(固液界面)から遠ざけ、結晶の有転位化を防止することができる。
したがって、本発明によれば、ルツボ内のシリコン溶融液量に拘わらず(ルツボ内の溶融液量が増加した場合でも)、1.3×1018atoms/cm3以上の高酸素濃度を有する単結晶を有転位化させることなく育成することができる。
この単結晶引上装置1は、円筒形状のメインチャンバ2aの上にプルチャンバ2bを重ねて形成された炉体2と、炉体2内に設けられたルツボ3と、ルツボ3に装填された半導体原料(原料ポリシリコン)を溶融してシリコン溶融液Mとする抵抗加熱ヒータ4(以下、単にヒータと呼ぶ)と、育成される単結晶Cを引上げる引上げ機構5とを有している。
また、ルツボ3は二重構造であり、内側が石英ガラスルツボ3a、外側が黒鉛ルツボ3bで構成されている。
また、引上げ機構5は、モータ駆動される巻取り機構5aと、この巻取り機構5aに巻き上げられる引上げワイヤ5bを有し、このワイヤ5bの先端に種結晶Pが取り付けられている。
尚、輻射シールド6は、炉体2内において位置固定され、輻射シールド6下端と溶融液の液面M1との間の距離寸法(ギャップ)は、単結晶Cの育成に伴いルツボ3を上昇させることにより、所定の距離を維持するように制御される。
先ず、炉体2内が所定の雰囲気(好ましくはアルゴンガス雰囲気)となされ、ルツボ3内に装填された原料ポリシリコンが、ヒータ4による加熱によって溶融され、シリコン溶融液Mとされる(図3のステップS1)。
さらに、演算制御装置8bの指令によりモータ制御部10aと昇降装置制御部11aとが作動し、ルツボ3が所定の高さ位置において所定の回転速度(rpm)で回転動作される。
また、演算制御装置8bの指令により、引上機構制御部12が作動し、巻取り機構5aが作動してワイヤ5bが下降する。そして、ワイヤ5bに取付けられた種結晶Pがシリコン溶融液Mに接触され、種結晶Pの先端部を溶解するネッキングが行われてネック部P1が形成される(図3のステップS3)。
そして、ネック部P1を所望の直径まで拡径する拡径部を形成し(図3のステップS5)、その後、所望の直径を維持する直胴部を形成し(図3のステップS6)、最後に、所望の直径から縮径する縮径部を形成する(図3のステップS7)。
これにより、溶融液中に溶け出した酸素の蒸発を抑制して、溶融液中の酸素を結晶中に取り込みやすくなり、かつ、溶融液表面から蒸発するオキサイドを炉外に排出させやすい状態を形成することができる。
また、モータ制御部10aの制御によりルツボ3の回転数が3〜8rpmの間で制御される。これにより、溶融液とルツボとの摩擦によって、ルツボが含む酸素を溶融液に多く溶け込ませることができる。
即ち、前記ルツボ回転数が3rpmを下回ると、溶融液Mとルツボ3との摩擦が弱まり、溶融液Mに溶け込む酸素量が減るため、高酸素濃度(1.3×1018atoms/cm3以上)の結晶を得るのが困難となるためである。一方、ルツボ回転数が8rpmを超えると、溶融液Mの対流が乱れ、無転位結晶を得るのが困難になるためである。
このように前記磁場強度比を制御することにより、ルツボ3の底部から結晶直下(固液界面)に湧き上がって自由液面側に向かう溶融液対流F(図2参照)が優位に形成される。
その結果、ルツボ底部から溶融液Mに溶け込む酸素が、この対流Fに乗って単結晶Cに取り込まれやすくなり、所望の高酸素濃度の結晶を得やすくなる。
具体的には、前記液面M1を0(mm)位置とし、液面M1から上方向を正の方向、液面M1から下方向を負の方向としたとき、前記0磁場水平位置が−10〜+100mmの間となるように、上下一対の電子コイルの設置位置や昇降装置11によりルツボ3の高さを調整して制御する。
このように0磁場水平位置Hを制御することにより、ルツボの回転方向に流れる電流(電子)と鉛直方向の磁束密度とによってローレンツ力が形成され、結晶直下(固液界面)から溶融液の自由液面を通ってルツボ壁側に向かう溶融液対流E(図2参照)を形成することができる。
これにより、前記磁場強度比の効果と重畳して結晶直下からルツボ壁に向かう強い対流Eが形成され、液面M1に浮遊する異物(例えば、オキサイドが炉内で固化して溶融液に落下した異物)を結晶(固液界面)から遠ざけ、結晶の有転位化を防止することができる。
ここで、前記結晶回転数が15rpmを超える場合には、結晶直下(固液界面)からルツボ壁側に向かう溶融液対流Eが更に強くなり、溶融液M中の酸素が結晶に到達しにくくなり、所望の高酸素濃度の結晶を得るのが困難となる場合があるためである。
また、前記結晶回転数は、引き上げるシリコン単結晶の形状を安定化させる関係上、3rpm以上であることがより好ましい。
図1乃至図3に示す前記実施の形態に基づき、表1に示す各条件(実施例1〜12,比較例1〜7)で3本ずつ単結晶の引き上げを行った。表1において、磁場強度比とは、上下一対のカスプ磁場印加用電磁コイルにより印加される上部磁場と下部磁場の磁場強度比(上部磁場/下部磁場)である。また、0磁場水平位置(mm)とは、シリコン溶融液Mの液面M1を0(mm)位置とし、前記液面M1に対して垂直である鉛直方向における前記液面M1から上方向を正の方向、前記液面M1から下方向を負の方向としたとき、前記シリコン単結晶の中心軸上の前記鉛直方向における磁場強度が0(ガウス)となる高さ(例えば、図2中の符号H)である。
また、全ての条件において、目標酸素濃度を1.3×1018atoms/cm3以上、原料シリコン量を300kg、引き上げるシリコン単結晶の直径を12インチ、結晶回転数を12rpm、炉内の不活性ガス(Arガス)流量を100L/minとした。
具体的には、磁場強度比が0.7〜0.95の間、0磁場水平位置が−10〜+100mmの間、炉内圧が40〜80torrの間、ルツボ回転数が3〜8rpmの間の条件において良好な結果が得られた。
2 炉体
3 ルツボ
4 ヒータ
4a 発熱部
5 引上機構
6 輻射シールド
C 単結晶
M シリコン溶融液
P 種結晶
Claims (2)
- ヒータの加熱によりルツボ内にシリコン溶融液を形成し、前記ルツボの周囲に配置された上下一対の電磁コイルにより、前記シリコン溶融液に対してカスプ磁場を印加すると共に、チョクラルスキー法により前記ルツボから1.3×1018atoms/cm3(old−ASTM)以上の酸素濃度を有するシリコン単結晶を引き上げる単結晶引上方法であって、
前記シリコン単結晶を引き上げる際の炉内圧力を40〜80torr、ルツボ回転数を3〜8rpmの間で制御すると共に、
前記上下一対の電磁コイルにより印加される上部磁場と下部磁場の磁場強度比(上部磁場/下部磁場)を0.7〜0.95の間で制御し、
かつ、前記シリコン溶融液の液面を0(mm)位置とし、前記液面に対して垂直である鉛直方向における前記液面から上方向を正の方向、前記液面から下方向を負の方向としたとき、前記シリコン単結晶の中心軸上の前記鉛直方向における磁場強度が0(ガウス)となる0磁場水平位置を−10〜+100mmの間に制御することを特徴とする単結晶引上方法。 - 前記シリコン単結晶を引き上げる際の結晶回転数は、15rpm以下に制御することを特徴とする請求項1に記載の単結晶引上方法。
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