JP7419729B2 - 磁壁移動素子及び磁気記録アレイ - Google Patents
磁壁移動素子及び磁気記録アレイ Download PDFInfo
- Publication number
- JP7419729B2 JP7419729B2 JP2019181361A JP2019181361A JP7419729B2 JP 7419729 B2 JP7419729 B2 JP 7419729B2 JP 2019181361 A JP2019181361 A JP 2019181361A JP 2019181361 A JP2019181361 A JP 2019181361A JP 7419729 B2 JP7419729 B2 JP 7419729B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- domain wall
- conductive layer
- nonmagnetic
- wiring layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 title claims description 119
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 71
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 68
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 54
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims description 16
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 7
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 154
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 30
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 25
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 11
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 11
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 11
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 229910001291 heusler alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 4
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 229910020598 Co Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002519 Co-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005347 FeSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017028 MnSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019041 PtMn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical group [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical group [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000002902 ferrimagnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1675—Writing or programming circuits or methods
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1659—Cell access
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
- H10B61/20—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors
- H10B61/22—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors of the field-effect transistor [FET] type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
Description
図1は、第1実施形態にかかる磁気記録アレイの構成図である。磁気記録アレイ200は、複数の磁壁移動素子100と、複数の第1配線Wp1~Wpnと、複数の第2配線Cm1~Cmnと、複数の第3配線Rp1~Rpnと、複数の第1スイッチング素子110と、複数の第2スイッチング素子120と、複数の第3スイッチング素子130とを備える。磁気記録アレイ200は、例えば、磁気メモリ、積和演算器、ニューロモーフィックデバイスに利用できる。
第1配線Wp1~Wpnは、書き込み配線である。第1配線Wp1~Wpnは、電源と1つ以上の磁壁移動素子100とを電気的に接続する。電源は、使用時に磁気記録アレイ200の一端に接続される。
図1に示す第1スイッチング素子110、第2スイッチング素子120、第3スイッチング素子130は、複数の磁壁移動素子100のそれぞれに接続されている。磁壁移動素子100にスイッチング素子が接続されたものを半導体装置と称する。第1スイッチング素子110は、磁壁移動素子100のそれぞれと第1配線Wp1~Wpnとの間に接続されている。第2スイッチング素子120は、磁壁移動素子100のそれぞれと第2配線Cm1~Cmnとの間に接続されている。第3スイッチング素子130は、磁壁移動素子100のそれぞれと第3配線Rp1~Rpnとの間に接続されている。
図3は、磁壁移動素子100を配線層10のy方向の中心を通るxz平面で切断した断面図である。磁壁移動素子100は、配線層10と非磁性層20と第1導電層30と第2導電層40と第2非磁性層50と強磁性層60とを有する。磁壁移動素子100にデータを書き込む際は、第1導電層30と第2導電層40との間の配線層10に書き込み電流を流す。磁壁移動素子100からデータを読み出す際は、第1導電層30又は第2導電層40と強磁性層60との間に読み出し電流を流す。
配線層10は、x方向に延びる部分であり、書き込み電流が通電される部分である。配線層10は、例えば、z方向からの平面視で、x方向が長軸、y方向が短軸の矩形である。配線層10は、第1導電層30及び第2導電層40と接続されている。以下、配線層10の第1導電層30が接続されている側の面を第1面10aと称する。書き込み電流は、配線層10に沿って、第1導電層30から第2導電層40に向って、又は、第2導電層40から第1導電層30に向って流れる。配線層10は、非磁性層20、第1導電層30及び第2導電層40上に積層されている。
非磁性層20は、配線層10の第1面10aに接する。非磁性層20は、配線層10の第1面10a上にある。図3に示す非磁性層20は、第1面10aに形成された窪み10cに嵌っている。図3に示す非磁性層20は、磁化固定領域11の一部、磁壁移動領域13、磁化固定領域12の一部に跨っている。
第1導電層30は、配線層10の第1面10aに接続される。第2導電層40は、例えば、配線層10の第1面10aに接続される。第2導電層40は、配線層10の第1面10a以外の面に接続されてもよい。第2導電層40は、第1導電層30と離間して配線層10に接続される。第1導電層30は例えば配線層10の第1端部に接続され、第2導電層40は例えば配線層10の第2端部に接続される。第1導電層30及び第2導電層40は、例えば、接続配線Cwと配線層10との接続部である。
第2非磁性層50は、配線層10と強磁性層60との間に位置する。第2非磁性層50は、配線層10の第2面に積層される。第2面は、第1面10aと対向する面である。
強磁性層60は、第2非磁性層50上にある。強磁性層60は、一方向に配向した磁化M60を有する。強磁性層60の磁化M60は、所定の外力が印加された際に磁壁移動領域13の磁化M13A、M13Bよりも磁化反転しにくい。所定の外力は、例えば外部磁場により磁化に印加される外力や、スピン偏極電流により磁化に印加される外力である。強磁性層60は、磁化固定層、磁化参照層と呼ばれることがある。
図7は、第1変形例に係る磁壁移動素子101のyz面における断面図である。磁壁移動素子101は、配線層17及び非磁性層23の形状が磁壁移動素子100と異なる。配線層17は上述の配線層10に対応し、非磁性層23は上述の非磁性層20に対応する。磁壁移動素子101において磁壁移動素子100と同様の構成については、同様の符号を付し、説明を省く。
図8は、第2変形例に係る磁壁移動素子102のyz面における断面図である。磁壁移動素子102は、非磁性層24の位置及び配線層16、第1導電層31及び第2導電層41の形状が磁壁移動素子100と異なる。配線層16は上述の配線層10に対応し、非磁性層24は上述の非磁性層20に対応し、第1導電層31は上述の第1導電層30に対応し、第2導電層41は上述の第2導電層40に対応する。磁壁移動素子102において磁壁移動素子100と同様の構成については、同様の符号を付し、説明を省く。
図10は、第3変形例に係る磁壁移動素子103のyz面における断面図である。磁壁移動素子103は、配線層17の形状及び非磁性層25の位置関係が、磁壁移動素子101と異なる。配線層17は上述の配線層10に対応し、非磁性層25は上述の非磁性層20に対応する。磁壁移動素子103において磁壁移動素子101と同様の構成については、同様の符号を付し、説明を省く。
図11は、第4変形例に係る磁壁移動素子104のyz面における断面図である。磁壁移動素子104は、配線層18、第1導電層32、第2導電層42、第2非磁性層51、強磁性層61の形状が異なる点が、磁壁移動素子101と異なる。配線層18は上述の配線層10に対応し、第1導電層32は上述の第1導電層30に対応し、第2導電層42は上述の第2導電層40に対応し、第2非磁性層51は上述の第2非磁性層50に対応し、強磁性層61は上述の強磁性層60に対応する。磁壁移動素子104において磁壁移動素子101と同様の構成については、同様の符号を付し、説明を省く。
図12は、第2実施形態に係る磁壁移動素子105のyz面における断面図である。磁壁移動素子105は、配線層19及び非磁性層26の形状が、磁壁移動素子101と異なる。配線層19は上述の配線層10と対応し、非磁性層26は上述の非磁性層20と対応する。磁壁移動素子105において磁壁移動素子101と同様の構成については、同様の符号を付し、説明を省く。
図13は、第3実施形態に係る磁壁移動素子106のyz面における断面図である。磁壁移動素子106は、第2非磁性層50及び強磁性層60を有さない点が、磁壁移動素子100と異なる。磁壁移動素子106において磁壁移動素子101と同様の構成については、同様の符号を付し、説明を省く。
10a、16a、19a 第1面
11、12 磁化固定領域
13 磁壁移動領域
13A 第1磁区
13B 第2磁区
15 磁壁
20、21、22、23、24、25、26 非磁性層
22a、30a、40a 接続面
23A、25A 狭窄部
23B、25B 主部
30、31、32 第1導電層
30a1、40a1 第1部分
30a2、40a2 第2部分
40、41、42 第2導電層
50、51 第2非磁性層
60、61 強磁性層
90 絶縁層
100、101、102、103、104、105、106、111、112 磁壁移動素子
110 第1スイッチング素子
120 第2スイッチング素子
130 第3スイッチング素子
200 磁気記録アレイ
st 段差
t1、t1’ 第1端
Claims (14)
- 強磁性体を含む配線層と、
前記配線層の第1面に接する非磁性層と、
前記配線層の前記第1面に接続され、強磁性体を含む第1導電層と、
前記配線層に前記第1導電層と離間して接続された第2導電層と、を備え、
前記第1導電層の接続面の第1部分は前記配線層と直接接続し、前記接続面の前記第1部分を除く第2部分は前記配線層と前記非磁性層を介して接続され、
前記非磁性層は、前記第1導電層と前記第2導電層とに跨り、前記第1導電層及び前記第2導電層に接する、磁壁移動素子。 - 強磁性体を含む配線層と、
前記配線層の第1面に接する非磁性層と、
前記配線層の前記第1面に接続され、強磁性体を含む第1導電層と、
前記配線層に前記第1導電層と離間して接続された第2導電層と、を備え、
前記第1導電層は、前記配線層と前記非磁性層を介して接続され、
前記第1導電層と前記配線層との間のいずれかの位置における前記非磁性層の厚みは、前記第1導電層の接続面の前記第2導電層に近い側の第1端と重なる位置における前記非磁性層の厚みより薄く、
前記第1導電層と前記配線層との間において前記非磁性層は、前記接続面の前記第2導電層に近い側の第1端から離れるに従い、厚みが薄くなる、磁壁移動素子。 - 前記第1部分の面積は、前記第2部分の面積より広い、請求項1に記載の磁壁移動素子。
- 前記第1導電層の前記接続面は、積層方向に窪んでおり、
前記非磁性層の一部は前記接続面の窪みに嵌まっている、請求項1又は3に記載の磁壁移動素子。 - 強磁性体を含む配線層と、
前記配線層の第1面に接する非磁性層と、
前記配線層の前記第1面に接続され、強磁性体を含む第1導電層と、
前記配線層に前記第1導電層と離間して接続された第2導電層と、を備え、
前記第1導電層の接続面の第1部分は前記配線層と直接接続し、前記接続面の前記第1部分を除く第2部分は前記配線層と前記非磁性層を介して接続され、
前記配線層の前記第1面は、積層方向に窪んでおり、
前記非磁性層は前記第1面の窪みに嵌まっている、磁壁移動素子。 - 前記第1導電層と前記配線層との間において前記非磁性層は、前記接続面の前記第2導電層に近い側の第1端から離れるに従い、厚みが薄くなる、請求項1、3~5のいずれか一項に記載の磁壁移動素子。
- 前記第1導電層と前記配線層との間における前記非磁性層の平均厚みが10Å以下である、請求項1~6のいずれか一項に記載の磁壁移動素子。
- 前記第2導電層は、強磁性体を含み、
前記第2導電層の接続面の第1部分は前記配線層と直接接続し、前記第2導電層の接続面の第1部分を除く第2部分は前記配線層と前記非磁性層を介して接続されている、請求項1~7のいずれか一項に記載の磁壁移動素子。 - 前記第2導電層は、強磁性体を含み、
前記第2導電層と前記配線層との間のいずれかの位置における前記非磁性層の厚みは、前記第2導電層の接続面の前記第1導電層に近い側の第1端と重なる位置における前記非磁性層の厚みより薄い、請求項1~7のいずれか一項に記載の磁壁移動素子。 - 前記配線層の前記第1面と反対側の第2面の上方にある強磁性層と、
前記強磁性層と前記配線層との間にある第2非磁性層と、をさらに有する、請求項1~9のいずれか一項に記載の磁壁移動素子。 - 前記非磁性層は、前記強磁性層から離れるに従い、厚みが薄くなる狭窄部を有し、
前記狭窄部は、積層方向から見て前記強磁性層と重ならない、請求項10に記載の磁壁移動素子。 - 前記非磁性層は、前記強磁性層から離れるに従い、厚みが薄くなる狭窄部を有し、
前記狭窄部は、積層方向から見て前記強磁性層と一部が重なる、請求項10に記載の磁壁移動素子。 - 前記非磁性層は、厚みが略一定の主部と、前記主部から離れるに従い厚みが薄くなる狭窄部と、を有する、請求項1~12のいずれか一項に記載の磁壁移動素子。
- 請求項1~13のいずれか一項に記載の磁壁移動素子を複数有する、磁気記録アレイ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019181361A JP7419729B2 (ja) | 2019-10-01 | 2019-10-01 | 磁壁移動素子及び磁気記録アレイ |
CN202011039475.3A CN112599660B (zh) | 2019-10-01 | 2020-09-28 | 磁畴壁移动元件和磁记录阵列 |
US17/039,244 US11653573B2 (en) | 2019-10-01 | 2020-09-30 | Magnetic domain wall movement element and magnetic recording array |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019181361A JP7419729B2 (ja) | 2019-10-01 | 2019-10-01 | 磁壁移動素子及び磁気記録アレイ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021057519A JP2021057519A (ja) | 2021-04-08 |
JP7419729B2 true JP7419729B2 (ja) | 2024-01-23 |
Family
ID=75162440
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019181361A Active JP7419729B2 (ja) | 2019-10-01 | 2019-10-01 | 磁壁移動素子及び磁気記録アレイ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11653573B2 (ja) |
JP (1) | JP7419729B2 (ja) |
CN (1) | CN112599660B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022070378A1 (ja) * | 2020-10-01 | 2022-04-07 | Tdk株式会社 | 磁壁移動素子および磁気アレイ |
WO2023007609A1 (ja) * | 2021-07-28 | 2023-02-02 | Tdk株式会社 | 磁壁移動素子および磁気アレイ |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008108109A1 (ja) | 2007-03-08 | 2008-09-12 | Nec Corporation | 磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ |
WO2009019949A1 (ja) | 2007-08-03 | 2009-02-12 | Nec Corporation | 磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法 |
JP2010098096A (ja) | 2008-10-16 | 2010-04-30 | Sony Corp | 情報記憶素子、及び、情報記憶素子における情報書込み・読出し方法 |
JP2016178178A (ja) | 2015-03-19 | 2016-10-06 | 株式会社東芝 | 磁気メモリ素子および磁気メモリ |
JP2016181598A (ja) | 2015-03-24 | 2016-10-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP6499798B1 (ja) | 2018-09-28 | 2019-04-10 | Tdk株式会社 | 磁気記録アレイ |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006303159A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | スピン注入磁区移動素子およびこれを用いた装置 |
JP2007324269A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Fujitsu Ltd | 磁気記憶装置とその製造方法 |
JP2009044644A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Toshiba Corp | 受信者装置、ファイルサーバ装置及びプログラム |
JP5397224B2 (ja) * | 2007-10-04 | 2014-01-22 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果素子、及び磁気ランダムアクセスメモリ、及びその初期化方法 |
JP5459227B2 (ja) * | 2008-12-25 | 2014-04-02 | 日本電気株式会社 | 磁気メモリ素子及び磁気ランダムアクセスメモリ |
KR101535461B1 (ko) * | 2009-01-06 | 2015-07-10 | 삼성전자주식회사 | 자성구조체를 포함하는 정보저장장치와 그의 제조 및 동작방법 |
JP2010219104A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Nec Corp | 磁気メモリ素子、磁気メモリ、及びその製造方法 |
WO2010113748A1 (ja) | 2009-03-31 | 2010-10-07 | 日本電気株式会社 | 強磁性ランダムアクセスメモリ |
JP5664556B2 (ja) * | 2009-12-24 | 2015-02-04 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果素子及びそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ |
JP5618103B2 (ja) * | 2010-06-03 | 2014-11-05 | 株式会社日立製作所 | 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ |
JP6172850B2 (ja) * | 2013-07-30 | 2017-08-02 | 東芝メモリ株式会社 | 磁気記憶素子、磁気記憶装置、磁気メモリ、および磁気記憶素子の駆動方法 |
JP6204769B2 (ja) * | 2013-09-18 | 2017-09-27 | 東芝メモリ株式会社 | 磁気記憶装置及びその駆動方法 |
WO2015068509A1 (ja) * | 2013-11-06 | 2015-05-14 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、及び磁気記憶方法 |
JP7013839B2 (ja) * | 2017-04-14 | 2022-02-01 | Tdk株式会社 | 磁壁利用型アナログメモリ、不揮発性ロジック回路及び磁気ニューロ素子 |
US10553299B2 (en) * | 2017-04-14 | 2020-02-04 | Tdk Corporation | Magnetic domain wall type analog memory element, magnetic domain wall type analog memory, nonvolatile logic circuit, and magnetic neuro-element |
CN111052349B (zh) * | 2017-10-26 | 2023-06-20 | Tdk株式会社 | 磁畴壁移动型磁记录元件和磁记录阵列 |
JP6965760B2 (ja) * | 2018-01-10 | 2021-11-10 | Tdk株式会社 | 磁壁移動型磁気記録素子 |
CN110268515B (zh) * | 2018-01-12 | 2023-10-17 | Tdk株式会社 | 磁壁移动型磁记录元件及磁记录阵列 |
-
2019
- 2019-10-01 JP JP2019181361A patent/JP7419729B2/ja active Active
-
2020
- 2020-09-28 CN CN202011039475.3A patent/CN112599660B/zh active Active
- 2020-09-30 US US17/039,244 patent/US11653573B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008108109A1 (ja) | 2007-03-08 | 2008-09-12 | Nec Corporation | 磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ |
WO2009019949A1 (ja) | 2007-08-03 | 2009-02-12 | Nec Corporation | 磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法 |
JP2010098096A (ja) | 2008-10-16 | 2010-04-30 | Sony Corp | 情報記憶素子、及び、情報記憶素子における情報書込み・読出し方法 |
JP2016178178A (ja) | 2015-03-19 | 2016-10-06 | 株式会社東芝 | 磁気メモリ素子および磁気メモリ |
JP2016181598A (ja) | 2015-03-24 | 2016-10-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP6499798B1 (ja) | 2018-09-28 | 2019-04-10 | Tdk株式会社 | 磁気記録アレイ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112599660B (zh) | 2024-04-02 |
JP2021057519A (ja) | 2021-04-08 |
US11653573B2 (en) | 2023-05-16 |
CN112599660A (zh) | 2021-04-02 |
US20210098690A1 (en) | 2021-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10916283B2 (en) | Magnetic domain wall movement element and magnetic recording array | |
US11963461B2 (en) | Magnetic domain wall movement element and magnetic recording array | |
CN113366662B (zh) | 磁畴壁移动元件、磁记录阵列和半导体装置 | |
JP7400502B2 (ja) | 磁壁移動素子及び磁気記録アレイ | |
JP7419729B2 (ja) | 磁壁移動素子及び磁気記録アレイ | |
US20220190233A1 (en) | Magnetic domain wall movement element and magnetic array | |
US20220165934A1 (en) | Magnetoresistance effect element and magnetic recording array | |
US20220399487A1 (en) | Magnetic domain wall movement element and magnetic array | |
US20220109102A1 (en) | Magnetic domain wall movement element and magnetic array | |
JP7211564B1 (ja) | 磁壁移動素子、磁気アレイ及び磁壁移動素子の製造方法 | |
WO2021245768A1 (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気記録アレイ | |
JP2021190690A (ja) | 磁壁移動素子及び磁気記録アレイ | |
JP7470599B2 (ja) | 配線層、磁壁移動素子および磁気アレイ | |
JP7024914B2 (ja) | 磁壁移動素子及び磁気記録アレイ | |
WO2023012896A1 (ja) | 磁壁移動素子および磁気アレイ | |
WO2023007609A1 (ja) | 磁壁移動素子および磁気アレイ | |
WO2023170738A1 (ja) | 磁化回転素子、磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ | |
US11991931B2 (en) | Magnetic recording layer, magnetic domain wall moving element and magnetic recording array | |
WO2024176280A1 (ja) | 集積装置 | |
US20240074325A1 (en) | Magnetic domain wall moving element and magnetic array | |
WO2023228389A1 (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果素子の製造方法 | |
WO2024069733A1 (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造方法及び磁気抵抗効果素子 | |
WO2024004126A1 (ja) | 磁壁移動素子及び磁気アレイ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220712 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230525 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230704 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230904 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231225 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7419729 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |