JP7409563B2 - 多層基板及び多層基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、多層基板及び多層基板の製造方法に関する。

従来の多層基板に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の高周波用多層回路基板が知られている。この高周波用多層回路基板では、２層のプリプレグと１層の熱可塑性樹脂発泡フィルムとを備えている。１層の熱可塑性樹脂発泡フィルムは、２層のプリプレグの間に位置している。熱可塑性樹脂発泡フィルムは、低い誘電率を有している。そのため、高周波用多層回路基板の誘電率が低下する。その結果、高周波用多層回路基板の誘電損失が低減される。

特開平７－２０２４３９号公報

ところで、特許文献１に記載の高周波用多層回路基板では、２層のプリプレグ及び１層の熱可塑性樹脂発泡フィルムの加熱プレスの際に、熱可塑性樹脂発泡フィルムの空孔が潰れやすい。

そこで、本発明の目的は、第２絶縁体層の空孔が潰れることを抑制できる多層基板及び多層基板の製造方法を提供することである。

本発明の一形態に係る多層基板は、
多層基板は、
複数の第１絶縁体層及び第２絶縁体層を含む複数の絶縁体層が積層された構造を有している積層体を、
備えており、
前記積層体の積層方向に直交する方向は、第１方向であり、
前記積層方向及び前記第１方向に直交する方向は、第２方向であり、
前記積層体は、前記積層方向に見て、第１領域及び第２領域を含んでおり、
前記第１領域は、前記積層方向に見て、前記第２絶縁体層を含まない領域であり、
前記第２領域は、前記積層方向に見て、前記第２絶縁体層を含む領域であり、
前記複数の第１絶縁体層は、小面積第１絶縁体層を含んでおり、
前記第１領域及び前記第２領域は、前記積層方向に見て、前記第２方向に互いに隣接しており、
前記小面積第１絶縁体層は、前記第１領域に位置しており、かつ、前記第２領域に位置しておらず、
前記小面積第１絶縁体層は、前記第１方向に見て、前記第２絶縁体層と重なっており、
前記第２絶縁体層の空孔率は、前記複数の第１絶縁体層の空孔率より高い。

本発明の一形態に係る多層基板の製造方法は、
複数の第１絶縁体層を準備する第１準備工程であって、複数の前記第１絶縁体層は、小面積第１絶縁体層及び１以上の大面積第１絶縁体層を含んでおり、前記小面積第１絶縁体層の主面の面積は、前記大面積第１絶縁体層の主面の面積より小さい、第１準備工程と、
第２絶縁体層を準備する第２準備工程であって、前記第２絶縁体層の空孔率は、前記複数の第１絶縁体層の全体の空孔率より高い、第２準備工程と、
前記第１準備工程及び前記第２準備工程の後に、前記小面積第１絶縁体層、前記大面積第１絶縁体層及び前記第２絶縁体層を積層して積層体を形成する積層工程であって、前記積層体の積層方向に直交する方向は、第１方向であり、前記小面積第１絶縁体層は、前記第１方向に見て、前記第２絶縁体層と重なっており、かつ、前記小面積第１絶縁体層及び前記第２絶縁体層は、前記積層方向に前記大面積第１絶縁体層と重なる、積層工程と、
前記積層工程の後に、前記積層体に加圧処理を施す加圧工程と、
を備える。

本発明に係る多層基板及び多層基板の製造方法によれば、第２絶縁体層の空孔が潰れることを抑制できる。

図１は、多層基板１０の分解斜視図である。 図２は、多層基板１０の左右方向に直交する断面図である。 図３は、多層基板１０の前後方向に直交する断面図である。 図４は、折り曲げられた多層基板１０の背面図である。 図５は、多層基板１０ａの断面図である。 図６は、多層基板１０ｂの断面図である。 図７は、多層基板１０ｃの断面図である。 図８は、多層基板１０ｄの断面図である。 図９は、多層基板１０ｅの断面図である。 図１０は、多層基板１０ｅの断面図である。 図１１は、多層基板１０ｆの断面図である。 図１２は、多層基板１０ｆの断面図である。 図１３は、多層基板１０ｇの断面図である。 図１４は、多層基板１０ｈの分解斜視図である。 図１５は、多層基板１０ｉの断面図である。 図１６は、多層基板１０ｊの断面図である。 図１７は、多層基板１０ｊの断面図である。 図１８は、多層基板１０ｊの上面図である。 図１９は、多層基板１０ｋの断面図である。 図２０は、多層基板１０ｋの分解図である。 図２１は、多層基板１０ｌの断面図である。 図２２は、多層基板１０ｌの分解図である。 図２３は、多層基板１０ｍの断面図である。 図２４は、多層基板１０ｍの断面図である。 図２５は、多層基板１０ｎの断面図である。 図２６は、多層基板１０ｏの分解斜視図である。 図２７は、多層基板１０ｏの断面図である。 図２８は、多層基板１０ｈのマザー積層体１１２の上面図である。 図２９は、マザー積層体１１２ａの上面図である。

（実施形態）
［回路基板の構造］
以下に、本発明の実施形態に係る多層基板１０の構造について図面を参照しながら説明する。図１は、多層基板１０の分解斜視図である。なお、図１では、複数の層間接続導体ｖ１及び複数の層間接続導体ｖ２の内の代表的な層間接続導体ｖ１，ｖ２にのみ参照符号を付した。図２は、多層基板１０の左右方向に直交する断面図である。図３は、多層基板１０の前後方向に直交する断面図である。

本明細書において、方向を以下のように定義する。上下方向は、積層体１２の積層方向である。前後方向は、第１領域前部Ａ１ａ、第２領域Ａ２及び第１領域後部Ａ１ｂが並ぶ第１方向である。第１方向は、積層体１２の積層方向に直交している。左右方向は、第１領域左部Ａ１ｃ、第２領域Ａ２及び第１領域右部Ａ１ｄが並ぶ第２方向である。第２方向は、積層方向及び第１方向に直交する方向である。なお、本実施形態における上下方向、前後方向及び左右方向は、多層基板１０の使用時における上下方向、前後方向及び左右方向と一致していなくてもよい。

以下では、Ｘ，Ｙは、多層基板１０の部品又は部材である。本明細書において、特に断りのない場合には、Ｘの各部について以下のように定義する。Ｘの前部とは、Ｘの前半分を意味する。Ｘの後部とは、Ｘの後半分を意味する。Ｘの左部とは、Ｘの左半分を意味する。Ｘの右部とは、Ｘの右半分を意味する。Ｘの上部とは、Ｘの上半分を意味する。Ｘの下部とは、Ｘの下半分を意味する。Ｘの前端とは、Ｘの前方向の端を意味する。Ｘの後端とは、Ｘの後方向の端を意味する。Ｘの左端とは、Ｘの左方向の端を意味する。Ｘの右端とは、Ｘの右方向の端を意味する。Ｘの上端とは、Ｘの上方向の端を意味する。Ｘの下端とは、Ｘの下方向の端を意味する。Ｘの前端部とは、Ｘの前端及びその近傍を意味する。Ｘの後端部とは、Ｘの後端及びその近傍を意味する。Ｘの左端部とは、Ｘの左端及びその近傍を意味する。Ｘの右端部とは、Ｘの右端及びその近傍を意味する。Ｘの上端部とは、Ｘの上端及びその近傍を意味する。Ｘの下端部とは、Ｘの下端及びその近傍を意味する。

また、「Ｘは、Ｙの上に位置している。」とは、ＸがＹの真上に位置していることを意味する。従って、上下方向に見て、Ｘは、Ｙと重なっている。「Ｘは、Ｙより上に位置している。」とは、ＸがＹの真上に位置していること、及び、ＸがＹの斜め上に位置していることを意味する。従って、上下方向に見て、Ｘは、Ｙと重なっていてもよいし、Ｙと重なっていなくてもよい。この定義は、上方向以外の方向にも適用される。

まず、図１を参照しながら、多層基板１０の構造について説明する。多層基板１０は、高周波信号を伝送する。多層基板１０は、スマートフォン等の電子機器において、２つの回路を電気的に接続するために用いられる。多層基板１０は、図１に示すように、積層体１２、保護層１６ａ，１６ｂ、信号導体層２０ａ～２０ｃ（第１信号導体層）、リファレンス導体層２２ａ～２２ｄ、信号電極層２８ａ，２８ｂ、複数の層間接続導体ｖ１、複数の層間接続導体ｖ２及び層間接続導体ｖ３～ｖ６を備えている。

積層体１２は、複数の絶縁体層が積層された構造を有している。複数の絶縁体層は、第１絶縁体層１４ａ～１４ｄ及び第２絶縁体層１８を含んでいる。第１絶縁体層１４ａ～１４ｄ及び第２絶縁体層１８は、誘電体層である。第１絶縁体層１４ａ～１４ｄは、上から下へとこの順に並ぶように積層されている。第１絶縁体層１４ａ～１４ｄの外縁のそれぞれは、上下方向に見て、同じ形状を有している。第１絶縁体層１４ａ～１４ｄの外縁のそれぞれは、上下方向に見て、長方形状を有している。第１絶縁体層１４ａ～１４ｄの長辺は、左右方向に延びている。第１絶縁体層１４ａ～１４ｄの短辺は、前後方向に延びている。

また、第１絶縁体層１４ｃには、図２及び図３に示すように、開口Ｏｐが設けられている。開口Ｏｐは、第１絶縁体層１４ｃが設けられていない絶縁体層非形成領域である。また、開口Ｏｐは、上下方向に見て、第１絶縁体層１４ａ，１４ｂ，１４ｄと重なっている。開口Ｏｐは、上下方向に見て、長方形状を有している。開口Ｏｐは、上下方向に見て、第１絶縁体層１４ｃの前後方向の中央近傍において左右方向に延びている。ただし、開口Ｏｐの左端は、第１絶縁体層１４ｃの左端より右に位置している。開口Ｏｐの右端は、第１絶縁体層１４ｃの右端より左に位置している。

以上のように、上下方向に見て、第１絶縁体層１４ｃの面積は、第１絶縁体層１４ａ，１４ｂ，１４ｄの面積より小さい。従って、第１絶縁体層１４ａ～１４ｄは、小面積第１絶縁体層である第１絶縁体層１４ｃ及び大面積第１絶縁体層である第１絶縁体層１４ａ，１４ｂ，１４ｄを含んでいる。

第１絶縁体層１４ａ～１４ｄの材料は、熱可塑性樹脂である。熱可塑性樹脂は、例えば、液晶ポリマー、ＰＴＦＥ（ポリテトラフロオロエチレン）等の熱可塑性樹脂である。第１絶縁体層１４ａ～１４ｄの材料は、ポリイミドであってもよい。

保護層１６ａは、第１絶縁体層１４ａの上に位置している。保護層１６ａは、後述するリファレンス導体層２２ａを保護する保護層である。保護層１６ｂは、第１絶縁体層１４ｄの下に位置している。保護層１６ｂは、後述するリファレンス導体層２２ｄを保護する保護層である。保護層１６ａ，１６ｂは、レジスト層又はカバーレイ層である。保護層１６ａ，１６ｂは、絶縁材料が塗布されることにより形成されてもよいし、シートが貼り付けられることにより形成されてもよい。以上のような保護層１６ａ，１６ｂは、積層体１２の一部ではない。保護層１６ａ，１６ｂは、積層体１２の上主面又は下主面に設けられている導体層を保護するための層である。そのため、保護層１６ａ，１６ｂの材料は、第１絶縁体層１４ａ～１４ｄの材料及び第２絶縁体層１８の材料と異なる。

第２絶縁体層１８は、開口Ｏｐ内に設けられている。そのため、第２絶縁体層１８は、上下方向に見て、第１絶縁体層１４ｃに囲まれている。また、第２絶縁体層１８は、第１絶縁体層１４ｂと第１絶縁体層１４ｄとの間に位置している。第２絶縁体層１８の材料は、熱可塑性樹脂である。熱可塑性樹脂は、例えば、液晶ポリマー、ＰＴＦＥ（ポリテトラフロオロエチレン）等の熱可塑性樹脂である。第２絶縁体層１８の材料は、ポリイミドであってもよい。ただし、第２絶縁体層１８の空孔率は、第１絶縁体層１４ａ～１４ｄの空孔率より高い。すなわち、第２絶縁体層１８は、多孔質構造を有している。多孔質構造とは、第２絶縁体層１８の全体に複数の気泡が分散している構造である。本実施形態では第２絶縁体層１８は、気泡を含んでいる。言い換えると、気泡が第２絶縁体層１８に内包されている。より詳細には、第２絶縁体層１８は、複数の独立気泡を含んでいる。独立気泡は、気泡の全体が第２絶縁体層１８の材料により囲まれることにより、気泡内の気体が第２絶縁体層１８の外部に漏れることができない構造を有している。また、独立気泡では、隣り合う気泡同士がつながっていない。

空孔率の測定は、例えば、絶縁体層の断面の画像をもとに空孔率を測定したり、測定する断面を有する積層体を蛍光液に浸した後、光学的手法で測定したりする。前者の方法で測定する際は、（界面や空孔が見えるように）少なくとも１０００倍以上の倍率で測定する。なお、断面の切り出しの際に、空孔が潰れないよう、研磨機の回転数を少なくとも１２０ｒｐｍ以下にまで下げる。また、粒度２４０（ＪＩＳ Ｒ ６０１０）以上の研磨紙を用いる。複数の断面を測定し、その平均値を採用する。

このような第２絶縁体層１８には、層間接続導体が位置していない。

なお、空孔率の測定には、絶縁体層同士の界面を避ける。具体的には、まず、第２絶縁体層の境界から、４等分して、中央の２等分の領域内で、少なくともそれぞれ各辺の４分の１の長さを測定領域とする。次に、第１絶縁体層の厚み方向は、第２絶縁体層と同様に測定領域を定め、水平方向（幅、奥行き）は、第２絶縁体層を基準とする。この時、ビアや（隣接する）導体パターンを避けて測定する。例えば、第１空孔率と第２空孔率との差は、３０％以上である。

ここで、積層体１２は、図２及び図３に示すように、上下方向（積層方向）に見て、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２を含んでいる。第２領域Ａ２は、上下方向に見て、第２絶縁体層１８を含む領域である。第１領域Ａ１は、積層体１２において第２領域Ａ２を除く領域である。すなわち、第１領域Ａ１は、上下方向に見て、第２絶縁体層１８を含まない領域である。第１領域Ａ１は、第１絶縁体層１４ａ～１４ｄが積層された構造を有している。第２領域Ａ２は、第１絶縁体層１４ａ，１４ｂ，１４ｄ及び第２絶縁体層１８が積層された構造を有している。このように、小面積第１絶縁体層である第１絶縁体層１４ｃは、第１領域Ａ１に位置しており、かつ、第２領域Ａ２に位置していない。大面積第１絶縁体層である第１絶縁体層１４ａ，１４ｂ，１４ｄは、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２に位置している。大面積第１絶縁体層である第１絶縁体層１４ａ，１４ｂ，１４ｄは、上下方向（積層方向）に見て、第１領域Ａ１の少なくとも一部分及び第２領域Ａ２の全体に位置しており、かつ、上下方向（積層方向）に見て、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との境界に位置している。第２絶縁体層１８は、第１領域Ａ１に位置しておらず、かつ、第２領域Ａ２に位置している。

以下では、第１領域Ａ１において第２領域Ａ２の前に位置する部分を第１領域前部Ａ１ａと呼ぶ。第１領域Ａ１において第２領域Ａ２の後に位置する部分を第１領域後部Ａ１ｂと呼ぶ。第１領域Ａ１において第２領域Ａ２の左に位置する部分を第１領域左部Ａ１ｃと呼ぶ。第１領域Ａ１において第２領域Ａ２の右に位置する部分を第１領域右部Ａ１ｄと呼ぶ。第１領域前部Ａ１ａ（第１領域）と第２領域Ａ２とは、図２に示すように、上下方向（積層方向）に見て、前後方向（第１方向）に互いに隣接している。第１領域後部Ａ１ｂ（第１領域）と第２領域Ａ２とは、図２に示すように、上下方向（積層方向）に見て、前後方向（第１方向）に互いに隣接している。第１領域左部Ａ１ｃ（第１領域）と第２領域Ａ２とは、図３に示すように、上下方向（積層方向）に見て、左右方向（第２方向）に互いに隣接している。第１領域右部Ａ１ｄ（第１領域）と第２領域Ａ２とは、図２に示すように、上下方向（積層方向）に見て、左右方向（第２方向）に互いに隣接している。

小面積第１絶縁体層である第１絶縁体層１４ｃは、図１及び図２に示すように、前後方向（第１方向）に見て、第２絶縁体層１８と重なっている。すなわち、第１絶縁体層１４ｃは、第２絶縁体層１８と前後方向に並んでいる。前記の通り、第１絶縁体層１４ｃは、第２領域Ａ２に位置していない。第２絶縁体層１８は、第１領域Ａ１に位置していない。これにより、第１絶縁体層１４ｃの側面と第２絶縁体層１８の側面とは、互いに向かい合っている。本実施形態では、第１絶縁体層１４ｃの側面と第２絶縁体層１８の側面とは、互いに接触している。また、小面積第１絶縁体層である第１絶縁体層１４ｃは、図１及び図３に示すように、左右方向（第２方向）に見て、第２絶縁体層１８と重なっている。これにより、第１絶縁体層１４ｃの側面と第２絶縁体層１８の側面とは、互いに向かい合っている。本実施形態では、第１絶縁体層１４ｃの側面と第２絶縁体層１８の側面とは、互いに接触している。

信号導体層２０ａは、図１に示すように、積層体１２に設けられている。信号導体層２０ａは、第２絶縁体層１８の上主面に設けられている。信号導体層２０ａは、左右方向に延びている。信号導体層２０ａは、線形状を有している。信号導体層２０ａの左端は、第２絶縁体層１８の左端より右に位置している。信号導体層２０ａの右端は、第２絶縁体層１８の右端より左に位置している。これにより、信号導体層２０ａ（第１信号導体層）は、第２領域Ａ２に位置しており、かつ、上下方向（積層方向）に見て、前後方向（第１方向）及び左右方向（第２方向）において、第２絶縁体層１８に挟まれている。

信号導体層２０ｂ，２０ｃは、図１に示すように、積層体１２に設けられている。信号導体層２０ｂ，２０ｃは、第１絶縁体層１４ｂの上主面に設けられている。信号導体層２０ｂ，２０ｃは、左右方向に延びている。信号導体層２０ｂ，２０ｃは、線形状を有している。信号導体層２０ｂの右端部は、上下方向に見て、信号導体層２０ａの左端部と重なっている。信号導体層２０ｂの左端部は、第１絶縁体層１４ｂの左端部に位置している。信号導体層２０ｃの左端部は、上下方向に見て、信号導体層２０ａの右端部と重なっている。信号導体層２０ｃの右端部は、第１絶縁体層１４ｂの右端部に位置している。

以上のような信号導体層２０ａ～２０ｃの少なくとも一部分は、第２領域Ａ２に位置している。本実施形態では、図３に示すように、信号導体層２０ａの全体、信号導体層２０ｂの右端部及び信号導体層２０ｃの左端部は、第２領域Ａ２に位置している。このような信号導体層２０ａ～２０ｃには、高周波信号が伝送される。

信号電極層２８ａは、第１絶縁体層１４ａの上主面に設けられている。信号電極層２８ａは、上下方向に見て、長方形状を有している。信号電極層２８ａは、上下方向に見て、信号導体層２０ｂの左端部と重なっている。

層間接続導体ｖ３は、積層体１２に設けられている。層間接続導体ｖ３は、第１絶縁体層１４ａを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ３は、信号電極層２８ａと信号導体層２０ｂの左端部とを電気的に接続している。層間接続導体ｖ４は、積層体１２に設けられている。層間接続導体ｖ４は、第１絶縁体層１４ｂを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ４は、信号導体層２０ｂの右端部と信号導体層２０ａの左端部とを電気的に接続している。

信号電極層２８ｂ及び層間接続導体ｖ５，ｖ６は、信号電極層２８ａ及び層間接続導体ｖ３，ｖ４と左右対称な構造を有するので、説明を省略する。以上のような信号電極層２８ａ，２８ｂには、高周波信号が入出力する。

リファレンス導体層２２ａは、第１絶縁体層１４ａの上主面に設けられている。リファレンス導体層２２ａは、第１絶縁体層１４ａの上主面の略全体を覆っている。ただし、リファレンス導体層２２ａは、信号電極層２８ａ，２８ｂに接触していない。リファレンス導体層２２ｂは、第１絶縁体層１４ｂの上主面に設けられている。ただし、リファレンス導体層２２ｂは、信号導体層２０ｂ，２０ｃに接触していない。また、リファレンス導体層２２ｂは、上下方向に見て、信号導体層２０ａと重なっていない。リファレンス導体層２２ｃは、第１絶縁体層１４ｃの上主面に設けられている。ただし、リファレンス導体層２２ｃは、信号導体層２０ａに接触していない。リファレンス導体層２２ｄは、第１絶縁体層１４ｄの下主面に設けられている。リファレンス導体層２２ｄは、第１絶縁体層１４ｄの下主面の略全体を覆っている。以上のように、リファレンス導体層２２ａは、信号導体層２０ａ～２０ｃの上に位置している。リファレンス導体層２２ｄは、信号導体層２０ａ～２０ｃの下に位置している。その結果、信号導体層２０ａ～２０ｃ及びリファレンス導体層２２ａ，２２ｄは、ストリップライン構造を形成している。

信号導体層２０ａ～２０ｃ、リファレンス導体層２２ａ～２２ｄ及び信号電極層２８ａ，２８ｂは、第１絶縁体層１４ａ～１４ｄの上主面又は下主面に張り付けられた金属箔にパターニングが施されて形成される。金属箔は、例えば、銅箔である。

複数の層間接続導体ｖ１は、積層体１２に設けられている。複数の層間接続導体ｖ１は、第１絶縁体層１４ａ～１４ｄを上下方向に貫通している。複数の層間接続導体ｖ１は、リファレンス導体層２２ａ～２２ｄを電気的に接続している。複数の層間接続導体ｖ１は、信号導体層２０ａ～２０ｃの前に位置している。複数の層間接続導体ｖ１は、左右方向に一列に並んでいる。

複数の層間接続導体ｖ２は、積層体１２に設けられている。複数の層間接続導体ｖ２は、第１絶縁体層１４ａ～１４ｄを上下方向に貫通している。複数の層間接続導体ｖ２は、リファレンス導体層２２ａ～２２ｄを電気的に接続している。複数の層間接続導体ｖ２は、信号導体層２０ａ～２０ｃの後に位置している。複数の層間接続導体ｖ２は、左右方向に一列に並んでいる。

複数の層間接続導体ｖ１、複数の層間接続導体ｖ２及び層間接続導体ｖ３～ｖ６は、ビアホール導体である。ビアホール導体は、第１絶縁体層１４ａ～１４ｄを上下方向に貫通する貫通孔に導電性ペーストが充填され、導電性ペーストが加熱により固化することにより形成される。なお、複数の層間接続導体ｖ１、複数の層間接続導体ｖ２及び層間接続導体ｖ３～ｖ６は、スルーホール導体であってもよい。スルーホール導体は、第１絶縁体層１４ａ～１４ｄを上下方向に貫通する貫通孔の内周面にメッキが施されることにより形成される。

保護層１６ａには、開口ｈ１～ｈ６が設けられている。開口ｈ１，ｈ３，ｈ４は、保護層１６ａの左端部に位置している。開口ｈ３、開口ｈ１及び開口ｈ４は、前から後へとこの順に並んでいる。信号電極層２８ａは、開口ｈ１を介して積層体１２の外部に露出している。リファレンス導体層２２ａの一部は、開口ｈ３，ｈ４を介して積層体１２の外部に露出している。リファレンス導体層２２ａの一部は、リファレンス電位が接続される電極層として機能する。開口ｈ２，ｈ５，ｈ６の構造は、開口ｈ１，ｈ３，ｈ４と左右対称であるので説明を省略する。

以上のような多層基板１０は折り曲げられて使用される。図４は、折り曲げられた多層基板１０の背面図である。

本明細書において、「多層基板１０が折れ曲がる」とは、多層基板１０が外力を受けることによって変形して曲がっていることを意味する。変形は、塑性変形でもよいし、弾性変形でもよい。また、変形は、塑性変形及び弾性変形でもよい。多層基板１０は、小変形領域Ａ１１１，Ａ１１２及び大変形領域Ａ１１３を含んでいる。小変形領域Ａ１１１，Ａ１１２は、折れ曲がっていない。そこで、小変形領域Ａ１１１における上下方向をＺ軸方向と定義する。Ｚ軸方向は、例えば、（１）の位置における上下方向とは一致しない。大変形領域Ａ１１３は、小変形領域Ａ１１１に対してＺ軸方向に折れ曲がっている。また、大変形領域Ａ１１３は、第２領域Ａ２の一部である。これにより、第２領域Ａ２は、折れ曲がっている。一方、第１領域左部Ａ１ｃ及び第１領域右部Ａ１ｄは、折れ曲がっていない。その結果、第２領域Ａ２の曲率半径は、第１領域Ａ１の曲率半径より小さい。

［多層基板１０の製造方法］
次に、多層基板１０の製造方法について図１を参照しながら説明する。

まず、複数の第１絶縁体層１４ａ～１４ｄを準備する（第１準備工程）。複数の第１絶縁体層１４ａ～１４ｄは、小面積第１絶縁体層である第１絶縁体層１４ｃ及び大面積第１絶縁体層である第１絶縁体層１４ａ，１４ｂ，１４ｄを含んでいる。小面積絶縁体層である第１絶縁体層１４ｃの上主面（主面）の面積は、大面積第１絶縁体層である第１絶縁体層１４ａ，１４ｂ，１４ｄの上主面（主面）の面積より小さい。そこで、第１絶縁体層１４ｃに開口Ｏｐを形成する。開口Ｏｐの形成は、打ち抜き加工やレーザービームの照射等により行われる。

次に、第２絶縁体層１８を準備する（第２準備工程）。第２絶縁体層１８の空孔率は、第１絶縁体層１４ａ～１４ｄの全体の空孔率より高い。

次に、信号導体層２０ａ～２０ｃ、リファレンス導体層２２ａ～２２ｄ及び信号電極層２８ａ，２８ｂを形成する。具体的には、第１絶縁体層１４ａ～１４ｄの上主面又は下主面に銅箔を張り付ける。そして、銅箔にパターニングを施すことにより、信号導体層２０ａ～２０ｃ、リファレンス導体層２２ａ～２２ｄ及び信号電極層２８ａ，２８ｂを形成する。

次に、複数の層間接続導体ｖ１、複数の層間接続導体ｖ２及び層間接続導体ｖ３～ｖ６を形成する。具体的には、第１絶縁体層１４ａ～１４ｄにレーザービームを照射して貫通孔を形成する。そして、貫通孔に導電性ペーストを充填する。

第１準備工程及び第２準備工程の後に、小面積第１絶縁体層である第１絶縁体層１４ｃ、大面積第１絶縁体層である第１絶縁体層１４ａ，１４ｂ，１４ｄ及び第２絶縁体層１８を積層して積層体１２を形成する（積層工程）。このとき、小面積第１絶縁体層である第１絶縁体層１４ｃは、前後方向（第１方向）に見て、第２絶縁体層１８と重なる。更に、小面積第１絶縁体層である第１絶縁体層１４ｃ及び第２絶縁体層１８は、上下方向（積層方向）に見て、大面積第１絶縁体層である第１絶縁体層１４ａ，１４ｂ，１４ｄと重なる。

積層工程の後に、積層体１２に加圧処理を施す（加圧工程）。具体的には、積層体１２に加熱処理及び加圧処理を施す。これにより、第１絶縁体層１４ａ～１４ｄが軟化及び溶融する。そして、第１絶縁体層１４ａ～１４ｄは、積層体１２内に存在する隙間に流入する。隙間は、例えば、隣り合う２つの第１絶縁体層１４ａ～１４ｄの間や、第１絶縁体層１４ｃと第２絶縁体層１８との間等に存在する。積層体１２が冷却されると、第１絶縁体層１４ａ～１４ｄ及び第２絶縁体層１８が接合される。以上の工程を経て、多層基板１０が完成する。

なお、加圧工程の後に、第２領域Ａ２の曲率半径が第１領域Ａ１の曲率半径より小さくなるように、第２領域Ａ２を折り曲げてもよい（折り曲げ工程）。ここで、上下方向（積層方向）に見て、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２とは、前後方向（第１方向）に並んでいる。折り曲げ工程では、上下方向（積層方向）に見て、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２とが前後方向（第１方向）に並んでいる部分を折り曲げる。

［効果］
多層基板１０によれば、第２絶縁体層１８の空孔が潰れることを抑制できる。より詳細には、第２絶縁体層１８の空孔率は、第１絶縁体層１４ｃの空孔率より高い。従って、第１絶縁体層１４ｃは、第２絶縁体層１８より硬い。そして、第１絶縁体層１４ｃは、前後方向に見て、第２絶縁体層１８と重なっている。これにより、積層体１２の圧着時に、第１絶縁体層１４ｃがストッパーとして機能するようになり、第２絶縁体層１８が上下方向に潰れることが第１絶縁体層１４ｃにより抑制される。その結果、積層体１２の圧着時に、第２絶縁体層１８の空孔が潰れることが抑制される。

多層基板１０によれば、信号導体層２０ａ～２０ｃを伝送される高周波信号のロスが低減される。より詳細には、積層体１２が第２絶縁体層１８を含んでいる。第２絶縁体層１８の空孔率は高いので、第２絶縁体層１８の誘電率は低い。これにより、信号導体層２０ａ～２０ｃ近傍の誘電率が低くなる。その結果、信号導体層２０ａ～２０ｃを伝送される高周波信号のロスが低減される。特に、多層基板１０では、信号導体層２０ａ～２０ｃの少なくとも一部分は、第２領域Ａ２に位置している。これにより、信号導体層２０ａ～２０ｃは、第２絶縁体層１８の近くに位置するようになる。その結果、信号導体層２０ａ～２０ｃ近傍の誘電率が更に低くなる。以上より、多層基板１０によれば、信号導体層２０ａ～２０ｃを伝送される高周波信号のロスが更に低減される。

多層基板１０によれば、層間接続導体にショートが発生することが抑制される。より詳細には、第２絶縁体層１８の空孔率は、第１絶縁体層１４ａ～１４ｄの全体の空孔率より高い。そのため、第２絶縁体層１８に層間接続導体を形成すると、導電性ペーストがにじみやすい。このような導電性ペーストのにじみは、層間接続導体のショートの原因になる。そこで、第２絶縁体層１８には、層間接続導体が位置していない。これにより、層間接続導体にショートが発生することが抑制される。

多層基板１０によれば、多層基板１０を容易に折り曲げることができる。より詳細には、第２絶縁体層１８の空孔率は、第１絶縁体層１４ａ～１４ｄの全体の空孔率より高い。従って、第２絶縁体層１８は変形しやすい。このような第２絶縁体層１８は、第２領域Ａ２に位置している。そこで、第２領域Ａ２は、折れ曲がっている。これにより、多層基板１０によれば、多層基板１０を容易に折り曲げることができる。

多層基板１０によれば、第２領域Ａ２がＺ軸方向に折り曲げられている。ただし、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２とは、前後方向に並んでいる。そのため、第２領域Ａ２が折り曲げられたときに、第１絶縁体層１４ｃがスペーサーとして機能する。これにより、第２絶縁体層１８に大きな力が加わることが、第１絶縁体層１４ｃにより妨げられる。その結果、第２絶縁体層１８の空孔が潰れることが抑制される。

（第１変形例）
以下に、第１変形例に係る多層基板１０ａについて図面を参照しながら説明する。図５は、多層基板１０ａの断面図である。

多層基板１０ａは、第２絶縁体層１８の上下方向（積層方向）の厚みが、前後方向（第１方向）に見て第２絶縁体層１８と重なる小面積第１絶縁体層である第１絶縁体層１４ｃの上下方向（積層方向）の厚みより小さい点において、多層基板１０と相違する。多層基板１０のその他の構造は、多層基板１０と同様であるので説明を省略する。多層基板１０ａは、多層基板１０と同じ作用効果を奏する。

また、多層基板１０ａによれば、第２絶縁体層１８の空孔が潰れることをより抑制できる。より詳細には、第２絶縁体層１８の上下方向（積層方向）の厚みは、小面積第１絶縁体層である第１絶縁体層１４ｃの上下方向（積層方向）の厚みより小さい。これにより、第１領域Ａ１の上下方向の厚みが第２領域Ａ２の上下方向の厚みより大きくなる。従って、積層体１２の圧着時に、第１領域Ａ１に圧力が加わりやすく、第２領域Ａ２に圧力が加わりにくくなる。その結果、積層体１２の圧着時に、第２領域Ａ２に大きな圧力が加わって第２絶縁体層１８の空孔が潰れることがより抑制される。

（第２変形例）
以下に、第２変形例に係る多層基板１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図６は、多層基板１０ｂの断面図である。

多層基板１０ｂは、第２絶縁体層１８の位置において多層基板１０と相違する。より詳細には、第１絶縁体層１４ｃは、大面積第１絶縁体層である。第１絶縁体層１４ｄは、小面積第１絶縁体層である。そして、第１絶縁体層１４ｄは、前後方向（第１方向）に見て、第２絶縁体層１８と重なっている。多層基板１０ｂのその他の構造は、多層基板１０と同様であるので説明を省略する。多層基板１０ｂは、多層基板１０と同じ作用効果を奏する。

（第３変形例）
以下に、第３変形例に係る多層基板１０ｃについて図面を参照しながら説明する。図７は、多層基板１０ｃの断面図である。

多層基板１０ｃは、第２絶縁体層１８の位置において多層基板１０と相違する。より詳細には、第２絶縁体層１８は、上下方向に見て、信号導体層２０ａ～２０ｃと重なっていない。従って、信号導体層２０ａ～２０ｃは、第２領域Ａ２に位置していない。本変形例では、第１絶縁体層１４ｃは、大面積第１絶縁体層である。第１絶縁体層１４ｂは、小面積第１絶縁体層である。そして、第１絶縁体層１４ｂは、前後方向（第１方向）に見て、第２絶縁体層１８と重なっている。第２絶縁体層１８は、信号導体層２０ａの前及び後に位置している。また、信号導体層２０ａと第２絶縁体層１８との間には導体層が存在しない。多層基板１０ｃのその他の構造は、多層基板１０と同様であるので説明を省略する。多層基板１０ｃは、多層基板１０と同じ作用効果を奏する。また、信号導体層２０ａ～２０ｃは、第２領域Ａ２に位置していない場合であっても、積層体１２が第２絶縁体層１８を含んでいるので、信号導体層２０ａ～２０ｃ近傍の誘電率が低くなる。その結果、信号導体層２０ａ～２０ｃを伝送される高周波信号のロスが低減される。

（第４変形例）
以下に、第４変形例に係る多層基板１０ｄについて図面を参照しながら説明する。図８は、多層基板１０ｄの断面図である。

多層基板１０ｄは、積層体１２が第２絶縁体層１８ａ，１８ｂを更に含んでいる点において多層基板１０ｂと相違する。より詳細には、第２絶縁体層１８ａ，１８ｂは、信号導体層２０ａより前及び後に位置している。第２絶縁体層１８ａと第２絶縁体層１８ｂとは、上下方向に見て、同じ形状を有している。第２絶縁体層１８ａ，１８ｂは、上下方向に見て、第２絶縁体層１８より小さい。また、第２絶縁体層１８ａと第２絶縁体層１８ｂと第２絶縁体層１８は、上下方向に見て、重なっている。多層基板１０ｄのその他の構造は、多層基板１０ｂと同様であるので説明を省略する。多層基板１０ｄは、多層基板１０ｂと同じ作用効果を奏する。

（第５変形例）
以下に、第５変形例に係る多層基板１０ｅについて図面を参照しながら説明する。図９及び図１０は、多層基板１０ｅの断面図である。

多層基板１０ｅは、マイクロストリップライン構造を有している点において多層基板１０と相違する。従って、リファレンス導体層２２ａは、上下方向に見て、信号導体層２０ａ～２０ｃと重なっていない。多層基板１０ｅのその他の構造は、多層基板１０と同様であるので説明を省略する。多層基板１０ｅは、多層基板１０と同じ作用効果を奏する。

（第６変形例）
以下に、第６変形例に係る多層基板１０ｆについて図面を参照しながら説明する。図１１及び図１２は、多層基板１０ｆの断面図である。

多層基板１０ｆは、第２絶縁体層１８ａを更に備えている点において多層基板１０と相違する。第１絶縁体層１４ａ，１４ｄは、大面積第１絶縁体層である。第１絶縁体層１４ｂ，１４ｃは、小面積第１絶縁体層である。そして、第１絶縁体層１４ｂは、前後方向（第１方向）に見て、第２絶縁体層１８ａと重なっている。第１絶縁体層１４ｃは、前後方向（第１方向）に見て、第２絶縁体層１８と重なっている。これにより、信号導体層２０ａは、左右方向に見て、第２絶縁体層１８，１８ａにより囲まれている。多層基板１０ｆのその他の構造は、多層基板１０と同様であるので説明を省略する。多層基板１０ｆは、多層基板１０と同じ作用効果を奏する。

また、多層基板１０ｆによれば、信号導体層２０ａは、左右方向に見て、第２絶縁体層１８，１８ａにより囲まれている。これにより、信号導体層２０ａ近傍の誘電率が更に低くなる。以上より、多層基板１０ｆによれば、信号導体層２０ａ～２０ｃを伝送される高周波信号のロスが更に低減される。

（第７変形例）
以下に、第７変形例に係る多層基板１０ｇについて図面を参照しながら説明する。図１３は、多層基板１０ｇの断面図である。

多層基板１０ｇは、第２絶縁体層１８，１８ａの位置において多層基板１０ｆと相違する。第２絶縁体層１８，１８ａは、信号導体層２０ａに接していない。第１絶縁体層１４ｂ，１４ｃは、大面積第１絶縁体層である。第１絶縁体層１４ａ，１４ｄは、小面積第１絶縁体層である。そして、第１絶縁体層１４ａは、前後方向（第１方向）に見て、第２絶縁体層１８ａと重なっている。第１絶縁体層１４ｄは、前後方向（第１方向）に見て、第２絶縁体層１８と重なっている。多層基板１０ｇのその他の構造は、多層基板１０ｆと同様であるので説明を省略する。多層基板１０ｇは、多層基板１０と同じ作用効果を奏する。

（第８変形例）
以下に、第８変形例に係る多層基板１０ｈについて図面を参照しながら説明する。図１４は、多層基板１０ｈの分解斜視図である。

多層基板１０ｈは、第２絶縁体層１８の形状において多層基板１０と相違する。より詳細には、上下方向（積層方向）に見て、第２絶縁体層１８は、積層体１２の前後方向の両端を繋いでいる。すなわち、第２絶縁体層１８は、上下方向に見て、積層体１２を前後方向に横切っている。これにより、上下方向（積層方向）に見て、第２領域Ａ２は、積層体１２の前後方向（第１方向）の両端を繋いでいる。このような多層基板１０ｈは、第２領域Ａ２が積層体１２の前後方向の両端を繋いでいる部分において折り曲げられる。すなわち、第２領域Ａ２が積層体１２の前後方向の両端を繋いでいる部分は、図４の大変形領域Ａ１１３に含まれる。従って、多層基板１０ｈの製造方法では、折り曲げ工程では、上下方向（積層方向）に見て、第２領域Ａ２が積層体１２の前後方向（第１方向）の両端を繋いでいる部分を折り曲げる。多層基板１０ｈのその他の構造は、多層基板１０と同様であるので説明を省略する。多層基板１０ｈは、多層基板１０と同じ作用効果を奏する。

また、上下方向（積層方向）に見て、第２絶縁体層１８が積層体１２の前後方向（第１方向）の両端を繋ぐことにより、第２領域Ａ２が積層体１２の前後方向の両端を繋いでいる。第２絶縁体層１８は、第１絶縁体層１４ａ～１４ｄより変形しやすい。そのため、多層基板１０ｈが容易に折り曲げられるようになる。

（第９変形例）
以下に、第９変形例に係る多層基板１０ｉについて図面を参照しながら説明する。図１５は、多層基板１０ｉの断面図である。

多層基板１０ｉは、第１絶縁体層１４ａの一部分、第１絶縁体層１４ｂの一部分及び保護層１６ａの一部が存在していない点において多層基板１０と相違する。これにより、図４の大変形領域Ａ１１３では、第１絶縁体層１４ａ，１４ｂが存在していない。多層基板１０ｉのその他の構造は、多層基板１０と同様であるので説明を省略する。多層基板１０ｉ、多層基板１０と同じ作用効果を奏する。

また、多層基板１０ｉでは、第１絶縁体層１４ａの一部分及び第１絶縁体層１４ｂの一部分が存在していない。これにより、大変形領域Ａ１１３を折り曲げることが容易となる。

（第１０変形例）
以下に、第１０変形例に係る多層基板１０ｊについて図面を参照しながら説明する。図１６及び図１７は、多層基板１０ｊの断面図である。図１８は、多層基板１０ｊの上面図である。図１８は、多層基板１０ｊの内部を透視した図である。

多層基板１０ｊは、信号導体層１２０ａ，１２０ｂ及び層間接続導体ｖａ～ｖｄを備えている点において多層基板１０と相違する。信号導体層１２０ａ，１２０ｂは、積層体１２に設けられている。信号導体層１２０ａは、第１領域前部Ａ１ａにおいて左右方向に延びている。信号導体層１２０ａ（第１信号導体層）は、第２領域Ａ２に位置していない。信号導体層１２０ｂは、第１領域後部Ａ１ｂにおいて左右方向に延びている。信号導体層１２０ｂ（第２信号導体層）は、第２領域Ａ２に位置していない。これにより、第２絶縁体層１８は、上下方向（積層方向）に見て、信号導体層１２０ａ（第１信号導体層）と信号導体層１２０ｂ（第２信号導体層）との間に位置している。

層間接続導体ｖａ，ｖｂは、第１領域前部Ａ１ａに設けられている。層間接続導体ｖｂは、信号導体層１２０ａと第２絶縁体層１８との間に位置している。そのため、層間接続導体ｖｂと第２絶縁体層１８との距離は、層間接続導体ｖａと第２絶縁体層１８との距離より短い。そして、積層体１２の上下方向（積層方向）の厚みＤは、上下方向（積層方向）に見た層間接続導体ｖｂと第２絶縁体層１８との最短距離ｄより大きい。

層間接続導体ｖｃ，ｖｄは、第１領域後部Ａ１ｂに設けられている。また、層間接続導体ｖｃは、信号導体層１２０ｂと第２絶縁体層１８との間に位置している。そのため、層間接続導体ｖｃと第２絶縁体層１８との距離は、層間接続導体ｖｄと第２絶縁体層１８との距離より短い。そして、積層体１２の上下方向（積層方向）の厚みＤは、上下方向（積層方向）に見た層間接続導体ｖｃと第２絶縁体層１８との最短距離ｄより大きい。

以上のような多層基板１０ｊは、第２領域Ａ２において折れ曲がっている。従って、第２領域Ａ２は、前後方向に見て、大変形領域Ａ１１３と一致する。多層基板１０ｊのその他の構造は、多層基板１０と同様であるので説明を省略する。多層基板１０ｊは、多層基板１０と同じ作用効果を奏する。

また、多層基板１０ｊによれば、信号導体層１２０ａと信号導体層１２０ｂとの間のクロストークが低減される。より詳細には、図１６に示すように、多層基板１０ｊが折り曲げられない状態では、信号導体層１２０ａと信号導体層１２０ｂとの間に第２絶縁体層１８が位置している。第２絶縁体層１８は、低い誘電率を有している。そのため、電磁波は、第２絶縁体層１８内を伝搬しにくい。その結果、多層基板１０ｊによれば、信号導体層１２０ａと信号導体層１２０ｂとの間のクロストークが低減される。

（第１１変形例）
以下に、第１１変形例に係る多層基板１０ｋについて図面を参照しながら説明する。図１９は、多層基板１０ｋの断面図である。図２０は、多層基板１０ｋの分解図である。なお、図１９及び図２０では、絶縁体層のみを図示した。

多層基板１０ｋに示すように、積層体１２は、第２絶縁体層１８ａ～１８ｄを含んでいてもよい。第２絶縁体層１８ａ～１８ｄは、上下方向に見て、同じ形状を有している。第２絶縁体層１８ａ～１８ｄは、上下方向に見て、互いに重なっている。第１絶縁体層１４ａは、前後方向に見て、第２絶縁体層１８ａと重なっている。第１絶縁体層１４ｂは、前後方向に見て、第２絶縁体層１８ｂと重なっている。第１絶縁体層１４ｃは、前後方向に見て、第２絶縁体層１８ｃと重なっている。第１絶縁体層１４ｄは、前後方向に見て、第２絶縁体層１８ｄと重なっている。これにより、第１領域Ａ１では、第１絶縁体層１４ａ～１４ｄが積層されている。第２領域Ａ２では第２絶縁体層１８ａ～１８ｄが積層されている。多層基板１０ｋのその他の構造は、多層基板１０と同様であるので説明を省略する。多層基板１０ｋは、多層基板１０と同じ作用効果を奏する。

（第１２変形例）
以下に、第１２変形例に係る多層基板１０ｌについて図面を参照しながら説明する。図２１は、多層基板１０ｌの断面図である。図２２は、多層基板１０ｌの分解図である。なお、図２１及び図２２では、絶縁体層のみを図示した。

多層基板１０ｌに示すように、積層体１２は、第２絶縁体層１８ａ～１８ｃを含んでいてもよい。第２絶縁体層１８ａ～１８ｃは、上下方向に見て、同じ形状を有している。第２絶縁体層１８ａ～１８ｃは、上下方向に見て、互いに重なっている。第１絶縁体層１４ａは、前後方向に見て、第２絶縁体層１８ａと重なっている。第１絶縁体層１４ｂは、前後方向に見て、第２絶縁体層１８ｂと重なっている。第１絶縁体層１４ｃは、前後方向に見て、第２絶縁体層１８ｃと重なっている。ただし、第１絶縁体層１４ａ～１４ｃは、第２絶縁体層１８ａ～１８ｃの前に位置していない。そのため、多層基板１０ｌでは、第１領域前部Ａ１ａが存在しない。多層基板１０ｌのその他の構造は、多層基板１０と同様であるので説明を省略する。多層基板１０ｌは、多層基板１０と同じ作用効果を奏する。

（第１３変形例）
以下に、第１３変形例に係る多層基板１０ｍについて図面を参照しながら説明する。図２３及び図２４は、多層基板１０ｍの断面図である。

多層基板１０ｍは、層間接続導体ｖ１，ｖ２の構造において多層基板１０と相違する。多層基板１０の層間接続導体ｖ１，ｖ２は、第１絶縁体層１４ａ～１４ｄを上下方向に貫通する複数の層間接続導体が上下方向に一列に並んだ構造を有する。一方、多層基板１０ｍの層間接続導体ｖ１，ｖ２は、前後方向及び左右方向に見て、蛇行している。多層基板１０ｍのその他の構造は、多層基板１０と同様であるので説明を省略する。多層基板１０ｍは、多層基板１０と同じ作用効果を奏する。

（第１４変形例）
以下に、第１４変形例に係る多層基板１０ｎについて図面を参照しながら説明する。図２５は、多層基板１０ｎの断面図である。

多層基板１０ｎは、第２絶縁体層１８の上主面に２つの凹部が設けられている点において多層基板１０と相違する。より詳細には、第２絶縁体層１８の上主面は、信号導体層２０ａの前及び後において下方向に窪んでいる。これにより、第２絶縁体層１８が積層時に前後方向にずれることが抑制される。多層基板１０ｎのその他の構造は、多層基板１０と同様であるので説明を省略する。多層基板１０ｍは、多層基板１０と同じ作用効果を奏する。

（第１５変形例）
以下に、第１５変形例に係る多層基板１０ｏについて図面を参照しながら説明する。図２６は、多層基板１０ｏの分解斜視図である。図２７は、多層基板１０ｏの断面図である。

多層基板１０ｏは、信号導体層２０ａの左端部の前及び後に第２絶縁体層１８ａが位置している点、及び、信号導体層２０ａの右端部の前及び後に第２絶縁体層１８ａが位置している点において多層基板１０ｆと相違する。ただし、信号導体層２０ａの左端部及び右端部は、第２絶縁体層１８ａに接していない。これにより、層間接続導体ｖ４の前、後、下及び右の四方向には第２絶縁体層１８ａが位置している。層間接続導体ｖ６の前、後、下及び左の四方向には第２絶縁体層１８ａが位置している。多層基板１０ｏのその他の構造は、多層基板１０ｆと同様であるので説明を省略する。多層基板１０ｏは、多層基板１０ｆと同じ作用効果を奏する。

なお、層間接続導体ｖ３と層間接続導体ｖ４とは、上下方向に並んでいてもよい。層間接続導体ｖ５と層間接続導体ｖ６とは、上下方向に並んでいてもよい。

なお、上下方向に見て、第２絶縁体層１８ａは、層間接続導体ｖ４，ｖ６の周囲を囲んでいてもよい。

（その他の変形例）
以下のその他の変形例に係る多層基板１０ｈの製造方法について図面を参照しながら説明する。図２８は、多層基板１０ｈのマザー積層体１１２の上面図である。図２８では、マザー積層体１１２を透視した。

図２８に示すように、多層基板１０ｈの製造方法では、複数の積層体１２が一体化されたマザー積層体１１２が形成される。そして、図２８のカットラインＬにおいてマザー積層体１１２がカットされることにより、複数の積層体１２が形成される。ここで、マザー積層体１１２の状態では、前後方向に隣り合う２つの第２絶縁体層１８は繋がっている。

なお、マザー積層体１１２ａは、図２９に示す構造を有していてもよい。図２９は、マザー積層体１１２ａの上面図である。図２９では、マザー積層体１１２ａを透視した。マザー積層体１１２ａでは、第２絶縁体層１８は、長方形状を有している。前後方向に隣り合う２つの第２絶縁体層１８は、２つの第２絶縁体層１８の長辺全体において繋がっていてもよい。

（その他の実施形態）
本発明に係る回路基板は、多層基板１０，１０ａ～１０ｏに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｏの構造を任意に組み合わせてもよい。

なお、第１絶縁体層１４ａ～１４ｄは、２種類以上の空孔率を有していてもよい。例えば、第１絶縁体層１４ａ，１４ｃの空孔率と第１絶縁体層１４ｂ，１４ｄの空孔率とが異なっていてもよい。

なお、第１絶縁体層１４ａ～１４ｄの材料は、熱可塑性樹脂でなくてもよい。第１絶縁体層１４ａ，１４ｃが接着層である第１絶縁体層１４ｂ，１４ｄにより接合されてもよい。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｏにおいて、信号導体層、層間接続導体及びリファレンス導体層は必須の構成要件ではない。

なお、信号導体層２０ａ～２０ｃの全体が第２領域Ａ２に位置していてもよい。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｏは、１以上の層間接続導体を備えていてもよい。

なお、第２領域Ａ２は折れ曲がっていなくてもよい。第１領域Ａ１は折れ曲がっていてもよい。

なお、小変形領域Ａ１１１，Ａ１１２は、折れ曲がっていてもよい。

なお、第２絶縁体層の材料は、熱可塑性樹脂以外の樹脂であってもよい。

なお、第２絶縁体層に、層間接続導体が設けられていてもよい。

なお、小面積第１絶縁体層の側面と第２絶縁体層の側面とは、互いに接触していなくてもよい。従って、小面積第１絶縁体層の側面と第２絶縁体層の側面との間に、接着剤又は充填剤が存在してもよい。接着剤は、第２絶縁体層及び小面積第１絶縁体層の上又は下に位置しており、積層体１２の圧着時に小面積第１絶縁体層の側面と第２絶縁体層の側面との間に流入する。この場合、小面積第１絶縁体層の側面と第２絶縁体層の側面との距離は、例えば、第２領域Ａ２の上下方向の厚み以下である。また、充填剤は、小面積第１絶縁体層の側面と第２絶縁体層の側面との間に隙間が形成されないように、小面積第１絶縁体層の側面と第２絶縁体層の側面との間に充填される絶縁材料である。小面積第１絶縁体層の側面と第２絶縁体層の側面との間に存在する接着剤や充填剤は、第１領域Ａ１に位置している。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｏは、上下方向に見て、多層基板１０，１０ａ～１０ｏの長手方向に対して曲がっていてもよい。「多層基板１０，１０ａ～１０ｏが曲がっている」とは、外力が加わっていない状態で多層基板１０，１０ａ～１０ｏが曲がっていることを意味する。

なお、大面積第１絶縁体層である第１絶縁体層１４ａ，１４ｂ，１４ｄの少なくとも一つは、上下方向（積層方向）に見て、第１領域Ａ１の少なくとも一部分及び第２領域Ａ２の全体に位置しており、かつ、上下方向（積層方向）に見て、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との境界に位置していればよい。

本発明は、以下の構造を備える。

（１）
多層基板は、
複数の第１絶縁体層及び第２絶縁体層を含む複数の絶縁体層が積層された構造を有している積層体を、
備えており、
前記積層体の積層方向に直交する方向は、第１方向であり、
前記積層方向及び前記第１方向に直交する方向は、第２方向であり、
前記積層体は、前記積層方向に見て、第１領域及び第２領域を含んでおり、
前記第１領域は、前記積層方向に見て、前記第２絶縁体層を含まない領域であり、
前記第２領域は、前記積層方向に見て、前記第２絶縁体層を含む領域であり、
前記複数の第１絶縁体層は、小面積第１絶縁体層を含んでおり、
前記第１領域及び前記第２領域は、前記積層方向に見て、前記第２方向に互いに隣接しており、
前記小面積第１絶縁体層は、前記第１領域に位置しており、かつ、前記第２領域に位置しておらず、
前記小面積第１絶縁体層は、前記第１方向に見て、前記第２絶縁体層と重なっており、
前記第２絶縁体層の空孔率は、前記複数の第１絶縁体層の空孔率より高い、
多層基板。

（２）
前記複数の第１絶縁体層は、１以上の大面積第１絶縁体層を更に含んでおり、
前記１以上の大面積第１絶縁体層は、前記第１領域及び前記第２領域に位置している、
（１）に記載の多層基板。
（３）
前記１以上の大面積第１絶縁体層の少なくとも一つは、前記積層方向に見て、前記第１領域の少なくとも一部分及び前記第２領域の全体に位置しており、かつ、前記積層方向に見て、前記第１領域と前記第２領域との境界に位置している、
（２）に記載の多層基板。

（４）
前記多層基板は、
前記積層体に設けられている第１信号導体層を、
更に備えている、
（１）ないし（３）のいずれかに記載の多層基板。

（５）
前記第１信号導体層の少なくとも一部分は、前記第２領域に位置している、
（４）に記載の多層基板。

（６）
前記第１信号導体層は、前記第２領域に位置しており、かつ、前記積層方向に見て、前記第１方向及び前記第２方向において、前記第２絶縁体層に挟まれている、
（４）に記載の多層基板。

（７）
前記第１信号導体層は、前記第２領域に位置していない、
（４）に記載の多層基板。

（８）
前記多層基板は、
前記積層体に設けられている１以上の層間接続導体を、
更に備えており、
前記積層体の前記積層方向の厚みは、前記積層方向に見た前記１以上の層間接続導体と前記第２絶縁体層との最短距離より大きい、
（７）に記載の多層基板。

（９）
前記多層基板は、
前記積層体に設けられている第２信号導体層を、
更に備えており、
前記第２信号導体層は、前記第２領域に位置しておらず、
前記第２絶縁体層は、前記積層方向に見て、前記第１信号導体層と前記第２信号導体層との間に位置している、
（８）に記載の多層基板。

（１０）
前記１以上の第２絶縁体層には、層間接続導体が位置していない、
（５）に記載の多層基板。

（１１）
前記積層体は、１以上の前記第２絶縁体層を更に含んでいる、
（１）ないし（１０）のいずれかに記載の多層基板。

（１２）
前記第２領域は、折れ曲がっており、
前記第２領域の曲率半径は、前記第１領域の曲率半径より小さい、
（１）ないし（１１）のいずれかに記載の多層基板。

（１３）
前記積層方向に見て、前記第２領域は、前記積層体の前記第１方向の両端を繋いでいる、
（１）ないし（１２）のいずれかに記載の多層基板。

（１４）
前記第２絶縁体層の前記積層方向の厚みは、前記第１方向に見て前記第２絶縁体層と重なる前記小面積第１絶縁体層の前記積層方向の厚みより小さい、
（１）ないし（１３）のいずれかに記載の多層基板。

（１５）
多層基板の製造方法であって、
複数の第１絶縁体層を準備する第１準備工程であって、複数の前記第１絶縁体層は、小面積第１絶縁体層及び１以上の大面積第１絶縁体層を含んでおり、前記小面積第１絶縁体層の主面の面積は、前記大面積第１絶縁体層の主面の面積より小さい、第１準備工程と、
第２絶縁体層を準備する第２準備工程であって、前記第２絶縁体層の空孔率は、前記複数の第１絶縁体層の全体の空孔率より高い、第２準備工程と、
前記第１準備工程及び前記第２準備工程の後に、前記小面積第１絶縁体層、前記大面積第１絶縁体層及び前記第２絶縁体層を積層して積層体を形成する積層工程であって、前記積層体の積層方向に直交する方向は、第１方向であり、前記小面積第１絶縁体層は、前記第１方向に見て、前記第２絶縁体層と重なっており、かつ、前記小面積第１絶縁体層及び前記第２絶縁体層は、前記積層方向に前記大面積第１絶縁体層と重なる、積層工程と、
前記積層工程の後に、前記積層体に加圧処理を施す加圧工程と、
を備える、
多層基板の製造方法。

（１６）
前記積層体は、第１領域及び第２領域を含んでおり、
前記第１領域は、前記第２絶縁体層と重ならない領域であり、
前記第２領域は、前記第２絶縁体層と重なる領域であり、
前記多層基板の製造方法は、
前記加圧工程の後に、前記第２領域の曲率半径が前記第１領域の曲率半径より小さくなるように、記第２領域を折り曲げる折り曲げ工程を、
を更に備える、
（１５）に記載の多層基板の製造方法。

（１７）
前記積層方向に見て、前記第２領域は、前記積層体の前記第１方向の両端を繋いでおり、
前記折り曲げ工程では、前記積層方向に見て、前記第２領域が前記積層体の前記第１方向の両端を繋いでいる部分を折り曲げる、
（１６）に記載の多層基板の製造方法。

（１８）
前記積層方向に見て、前記第１領域と前記第２領域とは、前記第１方向に並んでおり、
前記折り曲げ工程では、前記積層方向に見て、前記第１領域と前記第２領域とが前記第１方向に並んでいる部分を折り曲げる、
（１６）に記載の多層基板の製造方法。

（１９）
前記積層体は、第１領域及び第２領域を含んでおり、
前記第１領域は、前記第２絶縁体層と重ならない領域であり、
前記第２領域は、前記第２絶縁体層と重なる領域であり、
前記第２絶縁体層の前記積層方向の厚みは、前記第１絶縁体層の前記積層方向の厚みより小さい、
（１５）ないし（１８）のいずれかに記載の多層基板の製造方法。

１０，１０ａ～１０ｏ：多層基板
１２：積層体
１４ａ～１４ｄ：第１絶縁体層
１６ａ，１６ｂ：保護層
１８，１８ａ～１８ｄ：第２絶縁体層
２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，１２０ａ，１２０ｂ：信号導体層
２２ａ～２２ｄ：リファレンス導体層
２８ａ，２８ｂ：信号電極層
１１２，１１２ａ：マザー積層体
Ａ１：第１領域
Ａ１１１，Ａ１１２：小変形領域
Ａ１１３：大変形領域
Ａ１ａ：第１領域前部
Ａ１ｂ：第１領域後部
Ａ１ｃ：第１領域左部
Ａ１ｄ：第１領域右部
Ａ２：第２領域
Ｏｐ：開口
ｖ１～ｖ６，ｖａ～ｖｄ：層間接続導体

Claims (17)

1. 複数の第１絶縁体層及び第２絶縁体層を含む複数の絶縁体層が積層された構造を有している積層体を備え、
   前記積層体の積層方向に直交する方向は、第１方向であり、
   前記積層方向及び前記第１方向に直交する方向は、第２方向であり、
   前記積層体は、前記積層方向に見て、第１領域及び第２領域を含んでおり、
   前記第１領域は、前記積層方向に見て、前記第２絶縁体層を含まない領域であり、
   前記第２領域は、前記積層方向に見て、前記第２絶縁体層を含む領域であり、
   前記複数の第１絶縁体層は、小面積第１絶縁体層を含んでおり、
   前記第１領域及び前記第２領域は、前記積層方向に見て、前記第２方向に互いに隣接しており、
   前記小面積第１絶縁体層は、前記第１領域に位置しており、かつ、前記第２領域に位置しておらず、
   前記小面積第１絶縁体層は、前記第１方向に見て、前記第２絶縁体層と重なっており、
   前記第２絶縁体層の空孔率は、前記複数の第１絶縁体層の空孔率より高く、
   前記第２絶縁体層の前記積層方向の厚みは、前記第１方向に見て前記第２絶縁体層と重なる前記小面積第１絶縁体層の前記積層方向の厚みより小さい、
   多層基板。
2. 前記複数の第１絶縁体層は、１以上の大面積第１絶縁体層を更に含んでおり、
   前記１以上の大面積第１絶縁体層は、前記第１領域及び前記第２領域に位置している、
   請求項１に記載の多層基板。
3. 前記１以上の大面積第１絶縁体層の少なくとも一つは、前記積層方向に見て、前記第１領域の少なくとも一部分及び前記第２領域の全体に位置しており、かつ、前記積層方向に見て、前記第１領域と前記第２領域との境界に位置している、
   請求項２に記載の多層基板。
4. 前記多層基板は、
   前記積層体に設けられている第１信号導体層を、
   更に備えている、
   請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の多層基板。
5. 前記第１信号導体層の少なくとも一部分は、前記第２領域に位置している、
   請求項４に記載の多層基板。
6. 前記第１信号導体層は、前記第２領域に位置しており、かつ、前記積層方向に見て、前記第１方向及び前記第２方向において、前記第２絶縁体層に挟まれている、
   請求項４に記載の多層基板。
7. 前記第１信号導体層は、前記第２領域に位置していない、
   請求項４に記載の多層基板。
8. 前記多層基板は、
   前記積層体に設けられている１以上の層間接続導体を、
   更に備えており、
   前記積層体の前記積層方向の厚みは、前記積層方向に見た前記１以上の層間接続導体と前記第２絶縁体層との最短距離より大きい、
   請求項７に記載の多層基板。
9. 前記多層基板は、
   前記積層体に設けられている第２信号導体層を、
   更に備えており、
   前記第２信号導体層は、前記第２領域に位置しておらず、
   前記第２絶縁体層は、前記積層方向に見て、前記第１信号導体層と前記第２信号導体層との間に位置している、
   請求項８に記載の多層基板。
10. 前記第２絶縁体層には、層間接続導体が位置していない、
    請求項５に記載の多層基板。
11. 前記積層体は、１以上の前記第２絶縁体層を更に含んでいる、
    請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の多層基板。
12. 前記第２領域は、折れ曲がっており、
    前記第２領域の曲率半径は、前記第１領域の曲率半径より小さい、
    請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の多層基板。
13. 前記積層方向に見て、前記第２領域は、前記積層体の前記第１方向の両端を繋いでいる、
    請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の多層基板。
14. 多層基板の製造方法であって、
    複数の第１絶縁体層を準備する第１準備工程であって、複数の前記第１絶縁体層は、小面積第１絶縁体層及び１以上の大面積第１絶縁体層を含んでおり、前記小面積第１絶縁体層の主面の面積は、前記大面積第１絶縁体層の主面の面積より小さい、第１準備工程と、
    第２絶縁体層を準備する第２準備工程であって、前記第２絶縁体層の空孔率は、前記複数の第１絶縁体層の全体の空孔率より高い、第２準備工程と、
    前記第１準備工程及び前記第２準備工程の後に、前記小面積第１絶縁体層、前記大面積第１絶縁体層及び前記第２絶縁体層を積層して積層体を形成する積層工程であって、前記積層体の積層方向に直交する方向は、第１方向であり、前記小面積第１絶縁体層は、前記第１方向に見て、前記第２絶縁体層と重なっており、かつ、前記小面積第１絶縁体層及び前記第２絶縁体層は、前記積層方向に前記大面積第１絶縁体層と重なる、積層工程と、
    前記積層工程の後に、前記積層体に加圧処理を施す加圧工程と、
    を備え、
    前記積層体は、第１領域及び第２領域を含んでおり、
    前記第１領域は、前記第２絶縁体層と重ならない領域であり、
    前記第２領域は、前記第２絶縁体層と重なる領域であり、
    前記第２絶縁体層の前記積層方向の厚みは、前記第１絶縁体層の前記積層方向の厚みより小さい、
    多層基板の製造方法。
15. 前記積層体は、第１領域及び第２領域を含んでおり、
    前記第１領域は、前記第２絶縁体層と重ならない領域であり、
    前記第２領域は、前記第２絶縁体層と重なる領域であり、
    前記多層基板の製造方法は、
    前記加圧工程の後に、前記第２領域の曲率半径が前記第１領域の曲率半径より小さくなるように、前記第２領域を折り曲げる折り曲げ工程を、
    を更に備える、
    請求項１４に記載の多層基板の製造方法。
16. 前記積層方向に見て、前記第２領域は、前記積層体の前記第１方向の両端を繋いでおり、
    前記折り曲げ工程では、前記積層方向に見て、前記第２領域が前記積層体の前記第１方向の両端を繋いでいる部分を折り曲げる、
    請求項１５に記載の多層基板の製造方法。
17. 前記積層方向に見て、前記第１領域と前記第２領域とは、前記第１方向に並んでおり、
    前記折り曲げ工程では、前記積層方向に見て、前記第１領域と前記第２領域とが前記第１方向に並んでいる部分を折り曲げる、
    請求項１５に記載の多層基板の製造方法。

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