JP7404696B2 - 光デバイス - Google Patents

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Description

本発明は、光デバイスに関する。
光変調器等の光デバイスの小型化が進んでいる。シリコン導波路は光の閉じ込め効果が強く、導波路の曲げ半径を小さくできるので、従来のＬＮ変調器や化合物半導体変調器に比べて光変調器のサイズを小さくすることができる。シリコン導波路を用いた光変調器では、シリコン導波路にＰＮ接合部を設け、メタル配線を介してＰＮ接合部に電圧を印加することにより、ＰＮ接合部に電界を発生させ、シリコン導波路の屈折率を変化させる。シリコン導波路の屈折率が変化すると、シリコン導波路を伝搬する光信号の速度が変化し、シリコン導波路から出力される光信号の位相が変化する。シリコン導波路を用いた光変調器では、この性質を利用して光信号を変調することができる。
光変調器等の光デバイスには、電気信号を入力するためドライバ回路等の他の外部装置が、例えば金属ワイヤ等によって接続される。金属ワイヤは、光変調器等の光デバイスの信号配線やグランド配線に設けられたパッドと、ドライバ回路等の外部装置の信号配線やグランド配線に設けられたパッドとを接続する。
特開２００１－２０９０１７号公報
ところで、光デバイスの小型化が進むと、複数の光デバイスをシリコン等の基板上に複数形成することが可能になる。基板上に形成された複数の光デバイスは、ダイシングにより個々のデバイスに分離される。近年、デバイスへのダメージが低いこと、ダイシングにより発生するダストが少ないこと等の利点から、レーザ光を用いたダイシング技術が用いられている。レーザ光を用いたダイシングでは、レーザ光が透過しない金属をダイシングすることが難しいため、金属配線等は、ダイシングラインから所定距離以上離れた領域に配置される。例えば、金属ワイヤがボンディングされるパッドは、光デバイスの端部から所定距離以上離れた位置に配置されることになる。
パッドと光デバイスの端部との距離が離れていると、ドライバ回路等の外部装置のパッドとの距離が長くなり、パッドどうしを接続する金属ワイヤも長くなる。金属ワイヤが長くなると、配線の特性インピーダンスが大きくなり、インピーダンスの不整合による電気信号の反射が生じる。電気信号の反射が生じると、信号帯域の中で、反射波に応じた一部の周波数の信号の強度が変動し、信号の品質が劣化する。
本願に開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであって、信号の品質劣化を抑えることができる光デバイスを提供することを目的とする。
１つの側面では、光デバイスは、基板と、導波路と、信号配線と、グランド配線と、第１のスタブ配線とを備える。導波路は、基板に設けられ、光信号を伝送する。信号配線およびグランド配線は、導波路に沿って基板に配置され、端部に外部装置とワイヤにより電気接続されるボンディング部を有する。第１のスタブ配線は、グランド配線の端部に接続される。信号配線と第１のスタブ配線との間の距離は、信号配線とグランド配線との間の距離よりも短い。
１実施形態によれば、信号の品質劣化を抑えることができる。
図１は、光送受信装置の一例を示す図である。 図２は、光送信デバイスの一例を示す図である。 図３は、変調器の構造の一例を示す図である。 図４は、変調器の構造の一例を示すＸ－Ｘ断面図である。 図５は、領域Ａの一例を示す拡大図である。 図６は、領域Ａの一例を示すＹ－Ｙ断面図である。 図７は、領域Ｂの一例を示す拡大図である。 図８は、領域Ｂの一例を示すＺ－Ｚ断面図である。 図９は、伝送線路の特性インピーダンスの変化の一例を示す図である。 図１０は、光送信デバイスの製造過程の一例を示す図である。 図１１は、光送信デバイスの製造過程の一例を示す図である。 図１２は、光送信デバイスの製造過程の一例を示す図である。 図１３は、光送信デバイスの製造過程の一例を示す図である。 図１４は、光送信デバイスの製造過程の一例を示す図である。 図１５は、光送信デバイスの製造過程の一例を示す図である。 図１６は、光送信デバイスの製造過程の一例を示す図である。 図１７は、領域Ａの他の例を示す拡大図である。 図１８は、領域Ａの他の例を示す拡大図である。 図１９は、領域Ａの他の例を示す拡大図である。 図２０は、領域Ａの他の例を示す拡大図である。 図２１は、領域Ａの他の例を示すＹ－Ｙ断面図である。
以下に、本願が開示する光デバイスの実施例を、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に示す実施例は、開示の技術を限定するものではない。
［光送受信装置１０の構成］
図１は、光送受信装置１０の一例を示す図である。本実施例における光送受信装置１０は、光送受信部１１、ＬＤ（Laser Diode）１２、およびＤＳＰ（Digital Signal Processor）１３を備える。光送受信部１１は、光送信デバイス２０および光受信デバイス３０を有する。光送信デバイス２０および光受信デバイス３０は、光デバイスの一例である。
光送信デバイス２０は、ＬＤ１２から供給された光を、ＤＳＰ１３から出力された送信信号に基づいて変調する。そして、光送信デバイス２０は、送信信号に応じて変調された光信号（Ｔｘ＿ｏｕｔ）を出力する。光受信デバイス３０は、光信号（Ｒｘ＿ｉｎ）を受光する。受光された光信号は、偏波分離され、ＬＤ１２から供給された光を用いて復調され、電気信号に変換されてＤＳＰ１３へ出力される。
［光送信デバイス２０の構成］
図２は、光送信デバイス２０の一例を示す図である。光送信デバイス２０は、デバイス本体２００を備える。デバイス本体２００には、ワイヤ２２３を介して外部基板４０および終端基板４１が接続される。外部基板４０には、デバイス本体２００に送信信号に基づく電気信号を供給するドライバ回路等が実装されている。終端基板４１には、デバイス本体２００に設けられた配線に接続される終端抵抗が実装されている。
デバイス本体２００は、ＸＩ変調器２１－１、ＸＱ変調器２１－２、ＹＩ変調器２１－３、およびＹＱ変調器２１－４を有する。また、光送信デバイス２０は、ＶＯＡ２４－１、ＶＯＡ２４－２、ＰＲ２５、ＥＯ（Electro Optic）ポリマー２６、ｍＰＤ２８－１、ｍＰＤ２８－２、およびＰＢＣ２９を有する。ＶＯＡはVariable Optical Attenuatorの略であり、ＰＲはPolarization Rotatorの略であり、ｍＰＤはmonitor PhotoDiodeの略であり、ＰＢＣはPolarization Beam Combinerの略である。
なお、以下では、ＸＩ変調器２１－１、ＸＱ変調器２１－２、ＹＩ変調器２１－３、およびＹＱ変調器２１－４のそれぞれを区別することなく総称する場合に変調器２１と記載する。また、以下では、ＶＯＡ２４－１およびＶＯＡ２４－２のそれぞれを区別することなく総称する場合にＶＯＡ２４と記載し、ｍＰＤ２８－１およびｍＰＤ２８－２のそれぞれを区別することなく総称する場合にｍＰＤ２８と記載する。また、図２では、図面の見やすさの観点から、ＥＯポリマー２６にハンチングが施されている。
デバイス本体２００上には、光信号を伝搬する導波路２３が形成されている。ＬＤ１２から出力された光は、導波路２３の入力端２３０から入力され、導波路２３を介してそれぞれの変調器２１に入力される。それぞれの変調器２１には、電気信号である送信信号を伝送する信号配線２２０と、グランドに接続されるグランド配線２２１と、信号配線２２０およびグランド配線２２１の間に配置されたＥＯポリマー２６とが、導波路２３に沿って配置されている。それぞれの変調器２１では、信号配線２２０とグランド配線２２１との間に印加される電圧に応じて信号配線２２０とグランド配線２２１の間に配置されたＥＯポリマー２６の屈折率が変化する。これにより、ＥＯポリマー２６に沿って配置された導波路２３内を伝搬する光の位相が変化する。信号配線２２０に印加される電圧を送信信号に応じて変化させることにより、送信信号に応じて光を変調することができる。それぞれの変調器２１において、送信信号は、光信号の入力端側の信号配線２２０に供給される。
それぞれの変調器２１によって変調された光信号は、ＶＯＡ２４によって強度が調整される。ＶＯＡ２４から出力された光信号は、ｍＰＤ２８によって受光される。ＶＯＡ２４は、ｍＰＤ２８の受光電流に応じて、光信号の強度を調整する。
ＰＲ２５は、ＶＯＡ２４－２によって強度が調整された光信号の偏光面を回転させる。ＶＯＡ２４－１によって強度が調整された光信号は、ＰＢＣ２９によって偏光面が回転された光信号と合成され、光信号（Ｔｘ＿ｏｕｔ）として導波路２３の出力端２３１から出力される。
信号配線２２０およびグランド配線２２１の両端には、ワイヤ２２３がボンディングされるパッド２２２が設けられている。パッド２２２は、ボンディング部の一例である。それぞれのパッド２２２には、シリコン配線２７が接続されている。パッド２２２は、デバイス本体２００の表面に配置されており、シリコン配線２７は、デバイス本体２００の内部に配置されている。パッド２２２とシリコン配線２７とは、それぞれビアを介して接続されている。また、パッド２２２が形成された信号配線２２０の端部とデバイス本体２００の端部との間、および、パッド２２２が形成されたグランド配線２２１の端部とデバイス本体２００の端部との間には、ＥＯポリマー２６が配置されている。
本実施例において、シリコン配線２７は、例えばリン等のｎ型の不純物が高濃度に添加されたシリコンである。なお、シリコン配線２７は、例えばボロン等のｐ型の不純物が高濃度に添加されたシリコンであってもよい。グランド配線２２１のパッド２２２に接続されたシリコン配線２７は、第１のスタブ配線の一例であり、信号配線２２０のパッド２２２に接続されたシリコン配線２７は、第２のスタブ配線の一例である。
外部基板４０には、送信信号が伝送される信号配線４００と、グランドに接続されるグランド配線４０１とが設けられている。信号配線４００およびグランド配線４０１の端部には、ワイヤ２２３がボンディングされるパッド４０２が設けられている。終端基板４１には、ワイヤ２２３がボンディングされるパッド４１０が設けられている。ワイヤ２２３を介して信号配線２２０に接続されるパッド４１０と、ワイヤ２２３を介してグランド配線２２１に接続されるパッド４１０との間には、終端抵抗４１１（例えば５０Ω）が接続されている。
［変調器２１の構造］
図３は、変調器２１の構造の一例を示す図である。図４は、変調器２１の構造の一例を示すＸ－Ｘ断面図である。図３のＸ－Ｘ断面が図４に対応する。変調器２１は、信号配線２２０、グランド配線２２１、ＥＯポリマー２６、半導体層２１０、およびシリコン層２１１を備える。信号配線２２０、グランド配線２２１、ＥＯポリマー２６、半導体層２１０、およびシリコン層２１１は、導波路２３に沿って配置されている。本実施例における変調器２１は、ＥＯポリマー２６を用いた光変調器である。なお、図３では、図面の見やすさの観点から、ＥＯポリマー２６にハンチングが施されている。
例えば図４に示されるように、半導体層２１０およびシリコン層２１１は、単結晶シリコン等の基板Ｗ上に積層されたＢＯＸ（Buried OXide）層５１上に形成されている。半導体層２１０およびシリコン層２１１の上には、酸化シリコン等の絶縁層５３が積層されており、信号配線２２０およびグランド配線２２１は、絶縁層５３上に形成されている。
本実施例において、半導体層２１０は、例えばリン等のｎ型の不純物が高濃度に添加されたシリコンである。なお、半導体層２１０は、例えばボロン等のｐ型の不純物が低濃度に添加されたシリコンであってもよい。シリコン層２１１は、例えばシリコンで形成されており、導波路２３として機能する。
導波路２３に沿ってシリコン層２１１の両脇に配置された一方の半導体層２１０には、金属を含む材料で構成されたコンタクト２２５を介して信号配線２２０が接続されている。また、他方の半導体層２１０には、金属を含む材料で構成されたコンタクト２２６を介してグランド配線２２１が接続されている。絶縁層５３とシリコン層２１１とで囲まれた凹部には、ＥＯポリマー２６が配置されている。
［パッド２２２付近の構造］
図２の領域Ａを拡大すると、例えば図５のようになる。図５は、領域Ａの一例を示す拡大図である。図６は、領域Ａの一例を示すＹ－Ｙ断面図である。図５のＹ－Ｙ断面が図６に対応する。信号配線２２０の両脇には、２つのグランド配線２２１が配置されており、信号配線２２０と一方のグランド配線２２１との間には、ＥＯポリマー２６が配置されている。なお、図５では、図面の見やすさの観点から、ＥＯポリマー２６にハンチングが施されている。
ここで、信号配線２２０、グランド配線２２１、およびＥＯポリマー２６は、製造の容易性等の観点からデバイス本体２００の表面に配置されることが多い。信号配線２２０、グランド配線２２１、およびＥＯポリマー２６がデバイス本体２００の表面に配置される場合、信号配線２２０およびグランド配線２２１と、ＥＯポリマー２６とが交差しないように配置することになる。そのため、例えば図２および図５に示されるように、信号配線２２０およびグランド配線２２１と、デバイス本体２００の端部との間にＥＯポリマー２６が配置され、パッド２２２とデバイス本体２００の端部との距離が長くなる。これにより、デバイス本体２００のパッド２２２と外部基板４０のパッド４０２とを接続するワイヤが長くなってしまう。ワイヤが長くなると、伝送線路の誘導成分が増加し、伝送線路の特性インピーダンスが増加する。伝送線路の特性インピーダンスが増加すると、特性インピーダンスの不整合による電気信号の反射が生じる。電気信号の反射が生じると、信号帯域の中で、反射波に応じた一部の周波数の信号の強度が変動し、信号の品質が劣化する。
そこで、本実施例では、信号配線２２０およびグランド配線２２１のそれぞれに、パッド２２２に接続されたシリコン配線２７が設けられる。シリコン配線２７は、例えば図６に示されるように、金属を含む材料で構成されたビア２２７を介してパッド２２２に接続されている。
また、本実施例では、グランド配線２２１のパッド２２２に接続されたシリコン配線２７と信号配線２２０との間の距離ΔＬ２は、例えば図５および図６に示されるように、信号配線２２０とグランド配線２２１との間の距離ΔＬ１よりも短い。これにより、パッド２２２付近の伝送線路において、信号配線２２０とグランド配線２２１との間の容量成分が増加し、パッド２２２付近の伝送線路の特性インピーダンスを減少させることができる。これにより、パッド２２２付近の伝送線路の特性インピーダンスの増加を抑制することができ、特性インピーダンスの不整合を抑制することができる。これにより、電気信号の反射を低減することができ、電気信号の品質劣化を抑制することができる。
なお、図５および図６の例では、信号配線２２０のパッド２２２に接続されたシリコン配線２７とグランド配線２２１のパッド２２２に接続されたシリコン配線２７との間の距離ΔＬ３は、信号配線２２０とグランド配線２２１との間の距離ΔＬ１よりもさらに短い。これにより、パッド２２２付近の伝送線路の特性インピーダンスの増加をさらに抑制することができ、電気信号の反射をさらに低減することができる。
また、図２の領域Ｂを拡大すると、例えば図７のようになる。図７は、領域Ｂの一例を示す拡大図である。図８は、領域Ｂの一例を示すＺ－Ｚ断面図である。図７のＺ－Ｚ断面が図８に対応する。なお、図７では、図面の見やすさの観点から、ＥＯポリマー２６にハンチングが施されている。
終端基板４１と接続されるパッド２２２においても、例えば図７および図８に示されるように、シリコン配線２７が設けられている。図７および図８においても、グランド配線２２１のパッド２２２に接続されたシリコン配線２７と信号配線２２０との間の距離ΔＬ２は、信号配線２２０とグランド配線２２１との間の距離ΔＬ１よりも短くなっている。さらに、図７および図８においても、信号配線２２０のパッド２２２に接続されたシリコン配線２７とグランド配線２２１のパッド２２２に接続されたシリコン配線２７との間の距離ΔＬ３は、距離ΔＬ１よりもさらに短くなっている。これにより、終端基板４１と接続されるパッド２２２においても、電気信号の反射を低減することができ、電気信号の品質劣化を抑制することができる。
［シミュレーション結果］
次に、ステップ状の電気信号を供給した場合の伝送線路の特性インピーダンスＺ0の変化をシミュレーションにより求めた。図９は、伝送線路の特性インピーダンスＺ0の変化の一例を示す図である。図９には、パッド２２２にシリコン配線２７が設けられていない場合の伝送線路の特性インピーダンスＺ0の変化が比較例として示されている。
図９から明らかなように、パッド２２２にシリコン配線２７が設けられている本実施例の構成では、パッド２２２にシリコン配線２７が設けられていない比較例の構成に比べて、伝送線路の特性インピーダンスＺ0増加が抑えられている。従って、本実施例は、比較例に比べて、伝送線路の特性インピーダンスＺ0の不整合を抑制でき、電気信号の品質劣化を抑制することができる。
［光送信デバイス２０の製造手順］
次に、光送信デバイス２０の製造手順について図１０～図１６を参照しながら説明する。図１０～図１６は、光送信デバイス２０の製造過程の一例を示す図である。図１０～図１６では、光送信デバイス２０の中の変調器２１の製造過程について例示されている。
まず、例えば図１０に示されるように、基板Ｗ上にＢＯＸ層５１が積層され、ＢＯＸ層５１上にシリコン層２１１が積層される。そして、シリコン層２１１上にレジスト５５が積層され、半導体層２１０が配置される領域が露出するように、レジスト５５がパターニングされる。そして、例えば図１１に示されるように、レジスト５５で覆われていないシリコン層２１１の領域に、例えばリン等のｎ型の不純物のイオンが注入される。これにより、ｎ型の不純物が高濃度に添加された半導体層２１０が形成される。そして、レジスト５５が除去される。
なお、図１１に例示された工程では、シリコン配線２７が形成される領域も露出するように、レジスト５５がパターニングされる。これにより、シリコン配線２７が形成されるシリコン層２１１の領域にもｎ型の不純物のイオンが注入され、ｎ型の不純物が高濃度に添加されたシリコン配線２７が形成される。
次に、再びシリコン層２１１上にレジスト５５が積層され、導波路２３となるシリコン層２１１の部分の両脇の領域が露出するように、レジスト５５がパターニングされる。そして、例えば図１２に示されるように、レジスト５５で覆われていない半導体層２１０およびシリコン層２１１の領域がエッチングされる。これにより、例えば図１２に示されるように、導波路２３となるシリコン層２１１の部分に沿って凹部６０が形成される。そして、レジスト５５が除去される。
次に、例えば図１３に示されるように、半導体層２１０およびシリコン層２１１を覆うように絶縁層５３が積層される。そして、絶縁層５３上にレジスト５５が積層され、コンタクト２２５およびコンタクト２２６が形成される領域が露出するように、レジスト５５がパターニングされる。そして、レジスト５５で覆われていない領域がエッチングされることにより、例えば図１４に示されるように、絶縁層５３に凹部６１が形成される。そして、レジスト５５が除去される。
この時、パッド２２２のビア２２７が形成される領域も露出するように、レジスト５５がパターニングされ、レジスト５５で覆われていない領域がエッチングされる。これにより、ビア２２７が形成される位置の絶縁層５３にも凹部６１が形成される。
次に、凹部６１内に金属を含む配線材料が埋め込まれ、配線材料がパターニングされる。これにより、例えば図１５に示されるように、信号配線２２０、グランド配線２２１、コンタクト２２５、およびコンタクト２２６が形成される。
この時、ビア２２７の位置に形成された凹部６１内にも金属を含む配線材料が埋め込まれ、配線材料がパターニングされる。これにより、例えば図６および図８に示されたように、パッド２２２およびビア２２７が形成される。
次に、再びレジスト５５が積層され、ＥＯポリマー２６が配置される領域が露出するようにレジスト５５がパターニングされる。そして、レジスト５５で覆われていない領域がエッチングされることにより、例えば図１６に示されるように、ＥＯポリマー２６が配置される領域に対応する凹部６２が形成される。そして、レジスト５５が除去され、凹部６２内にＥＯポリマー２６が配置される。これにより、例えば図４に示した変調器２１が形成される。
［実施例の効果］
上記説明から明らかなように、本実施例の光送信デバイス２０は、基板Ｗと、導波路２３と、信号配線２２０と、グランド配線２２１と、シリコン配線２７とを備える。導波路２３は、基板Ｗに設けられ、光信号を伝送する。信号配線２２０およびグランド配線２２１は、導波路２３に沿って基板Ｗに配置され、端部に外部基板４０とワイヤ２２３により電気接続されるパッド２２２を有する。シリコン配線２７は、グランド配線２２１の端部に接続される。信号配線２２０とシリコン配線２７との間の距離ΔＬ２は、信号配線２２０とグランド配線２２１との間の距離ΔＬ１よりも短い。これにより、信号の品質劣化を抑えることができる。
また、上記した実施例の光送信デバイス２０は、信号配線２２０の端部に接続されたシリコン配線２７をさらに備える。グランド配線２２１に接続されたシリコン配線２７と信号配線２２０に接続されたシリコン配線２７との間の距離ΔＬ３は、信号配線２２０とグランド配線２２１との間の距離ΔＬ１よりも短い。これにより、信号の品質劣化をさらに抑えることができる。
また、上記した実施例の光送信デバイス２０は、変調器２１を備える。変調器２１は、信号配線２２０およびグランド配線２２１に接続され、信号配線２２０を介して供給される電気信号に応じて導波路２３を伝送される光信号を変調する。これにより、変調器２１において、信号の品質劣化を抑えることができる。
また、上記した実施例における変調器２１は、ＥＯポリマー２６を用いた光変調器である。パッド２２２が形成された信号配線２２０の端部と基板Ｗの端部との間、および、パッド２２２が形成されたグランド配線２２１の端部と基板Ｗの端部との間には、ＥＯポリマー２６が配置されている。これにより、ＥＯポリマー２６を用いた変調器２１においても、信号の品質劣化を抑えることができる。
また、上記した実施例において、シリコン配線２７には、ｎ型の不純物が添加されている。これにより、シリコン配線２７の抵抗値を小さくすることができる。なお、上記した実施例において、シリコン配線２７には、ｎ型の不純物に代えてｐ型の不純物が添加されていてもよい。
また、上記した実施例において、変調器２１には、導波路２３に沿ってｎ型の不純物が添加されたシリコンである半導体層２１０が設けられている。これにより、変調器２１を製造するプロセスの中で、併せてシリコン配線２７を形成することができるため、基板Ｗ上にシリコン配線２７を効率よく形成することができる。なお、変調器２１の半導体層２１０は、ｐ型の不純物が添加されたシリコンであってもよい。
＜その他＞
なお、開示の技術は、上記した各実施例に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。
例えば、上記した実施例では、信号配線２２０およびグランド配線２２１の端部と、信号配線２２０およびグランド配線２２１の端部に設けられたシリコン配線２７とは、基板Ｗの端部から所定距離以上離れた位置に配置されている。しかし、シリコン配線２７が配置される位置は、これに限られない。シリコン配線２７と基板Ｗの端部との間の距離は、信号配線２２０およびグランド配線２２１の端部と基板Ｗの端部との間の距離よりも短くてもよい。例えば図１７に示されるように、シリコン配線２７は、基板Ｗの端部まで延在していてもよい。図１７は、領域Ａの他の例を示す拡大図である。なお、領域Ｂも同様の構成とされてもよい。
これにより、パッド２２２付近の容量成分をより増加させることができるため、パッド２２２付近の伝送線路の特性インピーダンスの増加をより抑制することができる。これにより、特性インピーダンスの不整合をより抑制することができ、電気信号の反射をより低減することができる。
なお、デバイス本体２００は、基板Ｗ上に複数形成され、例えばレーザ光を用いたダイシングにより個々のデバイス本体２００に分離される。そのため、レーザ光が透過しない金属配線とダイシングラインとが交差すると、レーザ光を用いて基板Ｗをダイシングすることが難しい。そのため、信号配線２２０およびグランド配線２２１は、ダイシングラインから所定距離以上離れた位置に配置される。一方、シリコン配線２７は、レーザ光を透過するシリコンにより形成される。そのため、シリコン配線２７とダイシングラインとが交差しても、レーザ光によってダイシングすることができる。そのため、シリコン配線２７と基板Ｗの端部との間の距離を、信号配線２２０およびグランド配線２２１と基板Ｗの端部との間の距離よりも短くすることができる。
また、図１７に例示された構成において、信号配線２２０の端部に接続されたシリコン配線２７によって信号の反射が生じる場合には、例えば図１８に示されるように、信号配線２２０にはシリコン配線２７が設けられなくてもよい。図１８は、領域Ａの他の例を示す拡大図である。なお、領域Ｂも同様の構成とされてもよい。
また、例えば図１９に示されるように、１つのシリコン配線２７によって複数のグランド配線２２１のパッド２２２が接続されてもよい。図１９は、領域Ａの他の例を示す拡大図である。なお、領域Ｂも同様の構成とされてもよい。これにより、パッド２２２付近の容量成分をより増加させることができるため、電気信号の反射をより低減することができる。
また、複数のグランド配線２２１のパッド２２２に接続されるシリコン配線２７は、例えば図２０および図２１に示されるように、信号配線２２０の下層に配置されてもよい。図２０は、領域Ａの他の例を示す拡大図であり、図２１は、領域Ａの他の例を示すＹ－Ｙ断面図である。なお、領域Ｂも同様の構成とされてもよい。
また、上記した実施例では、ＥＯポリマーを用いた変調器２１を備える光送信デバイス２０を例に説明したが、開示の技術はこれに限られない。例えばシリコン導波路に設けられたＰＮ接合部に電圧を印加することにより、シリコン導波路を伝送される光信号の位相を変える光変調器を備える光送信デバイス２０においても、開示の技術を適用することができる。
また、上記した実施例では、光デバイスとして光送信デバイス２０を例に説明したが、開示の技術はこれに限られない。例えば光受信デバイス３０においても、上記した実施例に開示された技術を適用することができる。
Ｗ 基板
１０ 光送受信装置
１１ 光送受信部
１２ ＬＤ
１３ ＤＳＰ
２０ 光送信デバイス
２００ デバイス本体
２１ 変調器
２１０ 半導体層
２１１ シリコン層
２２０ 信号配線
２２１ グランド配線
２２２ パッド
２２３ ワイヤ
２２５ コンタクト
２２６ コンタクト
２２７ ビア
２３ 導波路
２３０ 入力端
２３１ 出力端
２４ ＶＯＡ
２５ ＰＲ
２６ ＥＯポリマー
２７ シリコン配線
２８ ｍＰＤ
２９ ＰＢＣ
３０ 光受信デバイス
４０ 外部基板
４００ 信号配線
４０１ グランド配線
４０２ パッド
４１ 終端基板
４１０ パッド
４１１ 終端抵抗
５１ ＢＯＸ層
５３ 絶縁層
５５ レジスト
６０ 凹部
６１ 凹部
６２ 凹部

Claims (10)

  1. 基板と、
    前記基板に設けられ、光信号を伝送する導波路と、
    前記基板に前記導波路に沿って配置され、端部に外部装置とワイヤにより電気接続されるボンディング部を有する信号配線およびグランド配線と、
    前記グランド配線の下層に形成され、ビアを介して前記グランド配線の端部に接続された第１のスタブ配線と
    を備え、
    前記基板の面に交差する方向から見た場合に、前記信号配線と前記第１のスタブ配線とは離間しており、前記基板の面に交差する方向から見た場合の前記信号配線と前記グランド配線とが隣り合う方向における前記信号配線と前記第１のスタブ配線との間の距離は、前記基板の面に交差する方向から見た場合の前記信号配線と前記グランド配線とが隣り合う方向における前記信号配線と前記グランド配線との間の距離よりも短いことを特徴とする光デバイス。
  2. 前記基板には、複数の前記グランド配線が設けられており、
    前記第１のスタブ配線は、ビアを介して複数の前記グランド配線に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。
  3. 前記信号配線の端部に接続された第２のスタブ配線をさらに備え、
    前記基板の面に交差する方向から見た場合に、前記信号配線と前記グランド配線とが隣り合う方向における前記第１のスタブ配線と前記第２のスタブ配線との間の距離は、前記信号配線と前記グランド配線とが隣り合う方向における前記信号配線と前記グランド配線との間の距離よりも短いことを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。
  4. 前記信号配線および前記グランド配線に接続され、前記信号配線を介して供給される電気信号に応じて前記導波路を伝送される前記光信号を変調する光変調器を備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の光デバイス。
  5. 前記光変調器は、ＥＯ（Electro Optic）ポリマーを用いた光変調器であり、
    前記ボンディング部が形成された前記信号配線の端部と前記基板の端部との間、および、前記ボンディング部が形成された前記グランド配線の端部と前記基板の端部との間には、前記ＥＯポリマーが配置されることを特徴とする請求項４に記載の光デバイス。
  6. 前記第１のスタブ配線は、シリコンにｎ型の不純物が添加されたシリコン配線であることを特徴とする請求項４または５に記載の光デバイス。
  7. 前記光変調器には、前記導波路に沿ってｎ型の不純物が添加されたシリコンである半導体層が設けられていることを特徴とする請求項６に記載の光デバイス。
  8. 前記第１のスタブ配線は、シリコンにｐ型の不純物が添加されたシリコン配線であることを特徴とする請求項４または５に記載の光デバイス。
  9. 前記光変調器には、前記導波路に沿ってｐ型の不純物が添加されたシリコンである半導体層が設けられていることを特徴とする請求項８に記載の光デバイス。
  10. 前記基板の面に交差する方向から見た場合に、前記グランド配線の延在方向における前記第１のスタブ配線と前記基板の端部との間の距離は、前記グランド配線の延在方向における前記グランド配線の端部と前記基板の端部との間の距離よりも短いことを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の光デバイス。
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