TW201839484A - Iq光調變器 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可進行高速、寬波長頻帶動作之偏振波多重型IQ光調變器。本發明之IQ光調變器之特徵在於具備：成為主體之馬赫-曾德爾型(MZM)光波導；成為子體之MZM光波導，其分別設置於構成前述主MZM光波導之2個臂；2個電極線路，其等分別沿構成前述子MZM光波導之2個臂設置，藉由被施加調變信號而對在MZM中傳遞之光信號予以相位調變；RF引出線路，其分別連接於前述2個電極線路，用於輸入對於前述2個電極線路施加之前述調變信號；第1光分波器，其將光分波至前述主MZM光波導之2個臂；第2光分波器，其將光分波至前述子MZM光波導之2個臂；及第1光合波器，其將來自前述子MZM光波導之2個臂之光合波；且相對於設置有前述2個電極線路之前述子MZM光波導之條帶方向，前述RF引出線路之條帶方向、前述第2光分波器之條帶方向、及前述第1光合波器之條帶方向係相同，且前述第1光分波器之條帶方向係正交關係。

Description

IQ光調變器
本發明係關於光調變，更詳細而言係關於一種可進行高速且寬波長頻帶動作之IQ光調變器。
伴隨著光通訊系統之大容量化，而追求與先進之光調變方式對應之高速光調變器。尤其是使用數位相干技術之多值光調變器在實現超過100 Gbps之大容量收發器上發揮大作用。在該等多值光調變器中，為了對光之振幅及相位分別附加獨立之信號，而並排多段地內置可進行馬赫-曾德爾干涉型(以下為MZM)之零啾頻驅動之光調變器。 圖1係對廣泛普及於當前通訊網之代表性偏振波多重型IQ光調變器之概略構成圖。圖1所示之偏振波多重型IQ光調變器為在圖2所示之光波導構造上設置相位調變用之電極之構成。如圖2所示般，光波導構造係由主MZM 57之各臂分別由子MZM 56構成的所謂嵌套構造之MZM並排有2個之構造之MZM(Quad-parallel MZM，四邊平行MZM)構成。在子MZM 56設置有輸入用於對在光波導內傳遞之光信號進行調變動作之RF信號之行進波型電極62、及輸入相位調整用之DC電壓之DC電極63，在主MZM 57之各臂之子MZM 56之後段部位亦設置有輸入相位調整用之DC電壓之DC電極64。上述之偏振波多重型IQ光調變器藉由對沿由LiNbO3等之介電材料構成之光波導之子MZM 56設置之調變電極輸入RF信號，而產生光電效應，對在子MZM 56之光波導內傳遞之2個偏振波光信號實施相位調變。且，偏振波多重型IQ光調變器係IQ光調變器之一種，用作IQ光調變器之光信號並不限定於2個偏振波光信號，使用單一之偏振波光信號者亦為業界所知。在單一偏振波之情形下，係由1個嵌套構造之MZM構成。 以上所報告之IQ光調變器之多數採用以下之構成，即：設置有光輸入/輸出及調變電極之光波導全部形成於同一方向，輸入(輸出)RF信號之高頻線路自與光輸入/輸出方向正交之方向被外部饋電，在引出線路內被添加大致90度之彎曲並朝調變區域饋電。其係緣於因構成光波導之LiNbO3之光之限制為弱，而當使光輸入與高頻線路正交時，與其彎曲光波導不如選擇彎曲高頻引出線路之故。 以光調變器為首之光發送器今後追求兼顧更大容量化(「高速化」)與「低耗電化」及小型化，如非專利文獻1所示，面向次期400 G系統，標準化活動亦活躍化。尤其是，近年來，在小型、高速化之觀點上，取代LiNbO3而以InP為首之半導體材料備受關注。 在近年來得到高速化發展之半導體MZM中，一般而言使用如圖1所示之行進波型電極(分佈參數電路)。在如上述之行進波型電極中，為了提高調變速度(高速化)主要而言必須進行：(1)特性阻抗匹配，(2)光波與微波之速度匹配，(3)使行進波線路本身之電阻(損失)最佳化。此處，在如超過50吉鮑率之當前之調變方式中，認為(3)之電阻增大係使調變頻寬劣化之主要原因，而追求降低該等損失。線路本身之損失(電阻)主要分為起因於構成波導圖案部分之摻雜層之半導體材料之電阻、及金屬電極配線本身之電阻。 在低耗電化之觀點上主要有兩種方法。第一係(i)最大限度利用光電效應。第二係(ii)採用能效高之調變驅動方式。關於(i)之最大限度利用光電效應，考量增強光限制(提高電場密度)、及使能帶構造最佳化等，自先前以來不斷開展諸多研究。然而，為了使該等最佳化除追求先進之製造設備外，亦有多年不斷之研究，電力削減量可謂接近極限。 另一方面，近年來業界積極進行關注(ii)之能效高之調變驅動方式之研究開發，其中亦有在光發送器之中，關於電力消耗大之高頻放大器(RF驅動器)，藉由將能效更高之差動輸出型RF驅動器搭載於同一封裝體內而達成大幅之電力削減之報告(例如專利文獻1、非專利文獻2)。 如以上般，為了實現IQ調變器之更高速化、低耗電化，而降低調變器材料之電損失及利用差動RF驅動器可謂是最有效。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]美國專利第9310663號說明書 [專利文獻2]專利第4235154號 [非專利文獻] [非專利文獻1] Optical internetworking forum「Technology Options for 400G Implementation」 [非專利文獻2] Sophie Lange et.al,「Low Power InP-Based Monolithic DFB-Laser IQ Modulator With SiGe Differential Driver for 32-GBd QPSK Modulation」JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, VOL. 34, NO. 8, APRIL 15, 2016 [非專利文獻3] N.Wolf et.al,「Electro-Optical Co-Design to Minimize Power Consumption of a 32GBd Optical IQ-Transmitter Using InP MZ-Modulators」 Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS), 2015 IEEE
[發明所欲解決之問題] 然而，為了在超50吉鮑率之區域實現兼顧上述損失降低與差動驅動，而在以上所報告之構成中產生若干個問題。例如，在非專利文獻2中，與圖1相同地採用以下之構成，即：光之輸入/輸出方向與調變區域之波導條帶(延伸)方向相同，自調變元件之側面對高頻之輸入信號饋電，在元件之引出配線上以大致90度之角度彎曲而對調變區域饋電。該構成之主要之問題係因差動信號在上述彎曲中傳遞而在差動線路間產生傳遞長度偏差即偏斜，而產生同相信號成分。由於該同相信號成分不僅使頻率回應特性劣化，還在IQ通道間之串擾上產生影響，故當以差動信號驅動調變器時，期望傳送線路之偏斜儘可能為零。亦即，追求上述傳送線路設計為直線狀。在此點上，在非專利文獻2與圖1所示之先前之構成中，在以差動驅動實現頻率更高(高速)之調變動作之方面殘留有問題。 另一方面，作為克服上述問題之報告有圖3所示之構成之光調變器。該構成採用藉由以半導體基板構成光波導而將光輸入彎曲90度之構造，可在不彎曲RF信號之輸入下將其傳送。然而，在圖3之構成中亦然，在上述之調變器之電損失之觀點上仍有若干個問題。例如，雖然高頻之傳送線路大致直線地形成，但直至電力被饋電至調變區域為止之RF引出線路65之長度必須至少為1.5 mm以上。當在該毫米級之長傳送線路中進行上述之高波特率驅動時，由於無法無視RF傳遞損失，故使調變頻寬大幅度劣化。 該線路長長尺寸化之理由係緣於作為光電路必須具有光分波器本身之長度及彎曲波導之長度份額之面積之故。例如在化合物半導體光調變器之情形下，彎曲半徑為大致150～300 μm，但由於將1條光波導分歧，通常要將波導相互之間隔擴大至數百μm～1 mm之所期望之通道間隔，故在包含MMI光耦合器與S字曲線波導之通道間之長度方向上必須具有大致500 μm以上之長度份額之電路面積。由於在偏振波多重型IQ光調變器中至少串聯地積體3個光分波器，故如何縮小其面積，使RF引出線路長短尺寸化在實現高速化上成為問題。 另一方面，在光調變電路設計中主要而言必須留意：(1)光電路等長設計，(2)通道間(電性)偏斜，(3)高頻線路長，(4)晶片面積等。本發明人等基於該等觀點針對應採用之構成進行了研究。首先，針對圖1所示之構成，除如前述般因在RF引出線路內包含90度彎曲線路而產生差動線路間偏斜外，還因通道間之RF引出線路長不同而擔憂調變特性之通道依存性。因而，無法採用不得不將RF線路彎曲之本構成。 作為在不彎曲RF線路下使輸入信號直線地饋電之方法可舉出圖3為與圖1之構成相容性最高者。然而，雖然該構成滿足上述(1)光電路等長設計、(2)通道間偏斜之要件，但由於包含S字曲線波導之光合波/分波器之面積增大，且由於除(4)晶片面積增大外還招致不必要之(3)高頻線路長之長尺寸化，故亦無法採用該構成。 進而，本發明人等為了進行RF引出線路長之最短設計而著眼於輸入側之光分波器。亦即，在與構成形成有調變部分之子MZM之光波導之條帶方向相同之方向形成有分波器，但考量到是否會如根據圖3可知般引起RF引出線路長不必要地變長之問題。因而，本發明人等認為若使該等光分波器全部垂直於調變部之波導條帶方向地形成，則能夠抑制RF引出線路長之長尺寸化。然而，如根據圖4可知般，當使全部光分波器形成於與子MZM之光波導之條帶方向垂直之方向時，反而招致通道間偏斜特性、晶片面積增大等。且，即便在僅使RF引出線路之輸入方向與光波導之條帶方向一致之如圖5之構成中亦難以說得上是RF引出線路之最短設計。 本發明人等進行如上述之深入研究之結果發現，在IQ光調變器中，藉由使光電路之功能區塊配置最佳化，使輸入側之高頻傳送線路條帶方向與光調變器之波導條帶方向相同，而使差動輸入信號低偏斜且低損失地饋電至光調變部，據此能夠追求調變速度之高速化，終而完成本發明。本發明之課題在於提供一種可進行高速、寬波長頻帶動作之IQ光調變器。 [解決問題之技術手段] 為了解決上述之問題，一個實施形態之發明之IQ光調變器之特徵在於：該IQ光調變器具備：成為主體之馬赫-曾德爾型(MZM)光波導；成為子體之MZM光波導，其分別設置於構成前述主MZM光波導之2個臂；2個電極線路，其等分別沿構成前述子MZM光波導之2個臂設置，藉由被施加調變信號而對在MZM中傳遞之光信號予以相位調變；RF引出線路，其分別連接於前述2個電極線路，用於輸入對於前述2個電極線路施加之前述調變信號；第1光分波器，其將光分波至前述主MZM光波導之2個臂；第2光分波器，其將光分波至前述子MZM光波導之2個臂；及第1光合波器，其將來自前述子MZM光波導之2個臂之光合波；且相對於設置有前述2個電極線路之前述子MZM光波導之條帶方向，前述RF引出線路之條帶方向、前述第2光分波器之條帶方向、及前述第1光合波器之條帶方向係相同，且前述第1光分波器之條帶方向係正交關係。
參照附圖說明本發明之實施形態。此外，在本說明書及圖式中，符號相同之構成要素表示彼此相同或對應之構成。 圖6係顯示本實施形態之偏振波多重型IQ光調變器之構成例之圖，圖7係抽出圖6之偏振波多重型IQ光調變器之光波導部分之構成而顯示之圖。本實施形態之偏振波多重型IQ光調變器1構成為在光波導10上具備RF引出線路21、相位調變用之電極線路22、相位調整用之第1電極23、及相位調整用之第2電極24。 光波導10具備：XY偏振波分離用光分波器11，其將所輸入之光信號分離為X偏振波與Y偏振波，並使各者分別輸出；第1光分波器12(12a、12b)，其等設置於供X偏振波傳遞之光波導與供Y偏振波傳遞之光波導各者，使該等偏振波進一步分歧為2者；第2光分波器13(13a、13b、13c、13d)，其等使分歧為2者之偏振波進一步分歧為2者；第1合波器14(14a、14b、14c、14d)，其等與該等分波器12、13相反地將在2個相鄰之光波導中傳遞之光合波；及第2合波器15(15a、15b)，其將由第1合波器14合波之在相鄰之光波導中傳遞之光進一步合波。 本實施形態之偏振波多重型IQ光調變器具備所謂之嵌套型MZM光波導構造，即：由第2光分波器13與第1光合波器14夾著之區域係子MZM(馬赫-曾德爾干涉型)光波導31，由第1光分波器12與第2光合波器15夾著之區域係主MZM光波導32。 在本實施形態之偏振波多重型IQ光調變器中，光波導10能夠形成於例如彎曲半徑為大致200 μm左右之InP系化合物半導體。然而，亦可在使用GaAs、Si、LiNbO3等之發揮光電效應之其他之材料之基板上設置光波導10。 相位調變用之電極線路22之電極構成能夠採用例如如共面帶狀線路之分佈常數型行進波電極。例如，為了實現更高速之調變動作，行進波電極可使用電容負載型電極構造(例如參照專利文獻2)。此外，在本實施形態之偏振波多重型IQ光調變器中重要的是使用差動信號，無關於諸個差動信號彼此是否差動耦合。且，除共面帶狀線路以外，還可使用例如GSG等之共面線路。相位調變用之電極線路22較佳的是電極線路22和與其連接之RF引出線路21由差動耦合線路(耦合差動線路)構成，以能夠施加差動信號。 在本實施形態之偏振波多重型IQ光調變器中，如圖6、圖7所示般構成為：(1)連接於相位調變用之電極線路22之RF引出線路21之帶(延伸)方向與光調變部分之子MZM光波導31之條帶方向相同，(2)第1光分波器12之條帶方向垂直於子MZM光波導31之條帶方向，(3)第2光分波器13之條帶方向及第1光合波器14之條帶方向與子MZM光波導31之條帶方向相同。藉由採用本實施形態之構成，而與圖3所示之先前構成相比，若假定彎曲半徑為200 μm，則算出預計能夠將引出線路長削減大致1 mm以上。針對上述之構成進一步說明。 首先，針對(1)連接於相位調變用之電極線路22之RF引出線路21之條帶方向與光調變部分之子MZM光波導31之條帶方向相同進行說明。在子MZM光波導上設置有連接於RF引出線路21之相位調變用之電極線路22。藉由對於設置於該各子MZM之電極線路22自RF引出線路21輸入高頻信號，而引起光電效應，在光波導內傳遞之光信號被調變。藉由將自該RF引出線路21輸入之高頻信號設為差動輸入信號，而可進行能效高之光調變。由於RF引出線路21之條帶方向與子MZM光波導31之條帶方向相同，故能夠抑制在差動信號中產生偏斜。此外，實際上亦在電極線路22之與RF引出線路21為相反側設置有輸出RF信號之信號線路，但只要能夠將信號輸出至外部即可，其構成為任意，故此處省略。 在上述(1)之構成中，如圖6所示般，RF引出線路21之條帶方向與相位調變用之電極線路22之條帶方向必須為同一方向，期待所有通道之線路並排地直線形成。此外，所謂「直線狀」「同一方向」並非是在幾何學上要求嚴密之直線、同一性者，而是意味著對於所輸入之高頻信號(微波)波長追求直線、同一性。因而，即便例如在RF引出線路21內被施加略微的彎曲(大致彎曲角為30ﾟ以內)波導，但只要就微波而言可無視差動線路間偏斜之影響之範圍內即可。 其次，針對(2)第1光分波器12之條帶方向垂直於子MZM光波導31之條帶方向(亦稱為正交關係)進行說明。第1光分波器12之條帶方向與子MZM光波導31之條帶方向相同之構成係例如如圖5所示，但由於因使其等之條帶方向一致而RF引出線路21變長，故在抑制偏斜之觀點上並不令人滿意。 再者，針對(3)第2光分波器13之條帶方向及第1光合波器14之條帶方向與子MZM光波導31之條帶方向相同進行說明。此係緣於若不是根據(3)之構成，而是根據在子MZM內設置彎曲波導之構成，則波導臂長增長為光調變所需以上，故產生因製作加工製程或長期外部環境變動等而產生之調變特性劣化之故。例如，容易誘發高階傳遞模式，而擔憂臂間不平衡崩壞等之事態。另一方面，即便(3)之構成亦即將子MZM光波導31與其前後之光分波器13、光合波器14一起形成於相同之條帶方向，但由於能夠在臂間隔狹窄之子MZM 31中小型地製作光分波器13、光合波器14，故仍可抑制RF引出線路之長尺寸化。 又，在MZ干涉型光電路中，由於兩臂間波導之等長化對寬頻動作而言不可或缺，故當第1光分波器12之條帶方向形成為垂直於子MZM光波導31之條帶方向時，如圖6、圖7般，藉由第2光合波器15之條帶方向亦形成為垂直於子MZM光波導31之條帶方向，而能夠將主MZM電路之等長化實現為小型。然而，例如如圖8般，藉由在主MZM光波導32內設置延遲光電路35等，使主MZM 32之MZ臂長等長化，而能夠在不招致RF引出線路21之長尺寸化下，將第2光合波器15之條帶方向形成為與子MZM光波導31之條帶方向相同。惟，在晶片面積等之觀點上，較佳的是如圖6、圖7般第2光合波器15之條帶方向亦形成為垂直於子MZM光波導31之條帶方向。 針對設置於光之輸入端之XY偏振波分離用光分波器11並無條帶方向之限制，即便相應於偏振波多重型IQ光調變器1整體之電路構成形成為任意之方向，仍不會對RF引出線路21之長度產生影響，對光等長化及干擾條件等之影響亦為小。又，針對朝光波導10之光輸入/輸出方向無特別限制，除如圖6、圖7所示般自沿偏振波多重型IQ光調變器1之元件長度方向之端面進行光輸入之構成以外，還可自沿元件寬度方向之端面進行光輸入。同樣地，光輸出亦然，可不是如圖6、圖7所示般自沿元件寬度方向之端面進行光輸出，而是如圖9所示般自沿元件之長度方向之側面進行光輸出。 在以上之實施形態中為了詳細地說明，而採用使2個主MZM並排亦即使4個子MZM並排地積體之偏振波多重型光調變器之構成，但例如，即便採用1個主MZM亦即2個子MZM並排地積體而成之僅單偏振波之IQ調變器構成，本發明之有用性仍不會喪失。 根據本實施形態之偏振波多重型IQ光調變器，藉由使設置為多段之複數個光合波/分波器之配置最佳化，此外使高頻信號之輸入方向與光調變區域之波導方向一致，而能夠使差動輸入信號低損失且低偏斜地饋電至調變電極，因此能夠追求調變速度之高速化。 圖10係顯示將差動輸出驅動器放大器2與本實施形態之偏振波多重型IQ光調變器1直接耦合並積體而成之構成例的圖。本實施形態之偏振波多重型IQ光調變器1較佳者係如圖10所示般輸入用於驅動調變器之差動信號之差動之輸出驅動器放大器2一體地積體於封裝體而成者。將差動輸出驅動器放大器與光調變器一體地積體於封裝體之優點主要有兩點。其一是能夠使高頻配線短尺寸化。其可削除封裝體間之配線，而能夠期待線路損失之大幅度改善。 另一優點係可任意地規定驅動器輸出側之特性阻抗。由於通常封裝體間之介面需要差動100 Ω(單個50 Ω)之RF連接器，故驅動器輸出之特性阻抗必須設定為差動100 Ω。另一方面，當將差動輸出驅動器放大器與調變器一體地積體時，由於不經由介面之連接器，故能夠採用與調變器之特性阻抗相符之驅動器設計。由於通常當進行光調變器之寬頻化時特性阻抗較差動100 Ω降低，故能夠使降低之特性阻抗與驅動器輸出側之特性阻抗相符係較大之優點。 如此，為了最大限度地發揮本實施形態之偏振波多重型IQ光調變器之高速化及低耗電化之效果，而較佳的是使差動輸出驅動器積體於同一封裝體內。 當如圖10所示般將本實施形態之偏振波多重型IQ光調變器1與差動輸出驅動器放大器2直接耦合並一體地積體時，可省略通常必須內置於放大器2內之發送端終端。藉此能夠期待進一步之能效改善(低耗電化)。其如非專利文獻3所記載般已知僅在與調變器一體地積體時能夠省略終端電阻，但發送端終端電阻之省略意味著差動輸出驅動器放大器2對於來自偏振波多重型IQ光調變器1側之電性反射不具有任何耐性。具體而言，當在自差動輸出驅動器放大器2輸出後至偏振波多重型IQ光調變器1內之終端電阻之高頻信號線路間存在反射點(例如特性阻抗之失配點)時，此處之反射信號朝差動輸出驅動器放大器2內之驅動器電路在不大幅度衰減下返回，其結果為有招致驅動器之驅動力降低與放大信號品質劣化之虞。為了解決該問題，只要消除驅動器-調變器終端間之反射點即可，最有效之方法之一可舉出如圖10所示般在驅動器與調變器間不設置不必要之陶瓷等之擴展、中繼基板，因為直接調變器與金線而電性連接。又，根據本實施形態之偏振波多重型IQ光調變器1，由於能夠使RF引出線路21最小限度地構成，故藉由直接連接(直接耦合)差動輸出驅動器放大器2與偏振波多重型IQ光調變器1而不僅能夠削減反射點，亦可同時達成因線路短尺寸化對高頻線路損失之改善。
1‧‧‧偏振波多重型IQ光調變器
2‧‧‧差動輸出驅動器放大器/放大器
10‧‧‧光波導
11‧‧‧XY偏振波分離用光分波器
12‧‧‧第1光分波器
12a‧‧‧第1光分波器
12b‧‧‧第1光分波器
13‧‧‧第2光分波器/分波器/光分波器
13a‧‧‧第2光分波器
13b‧‧‧第2光分波器
13c‧‧‧第2光分波器
13d‧‧‧第2光分波器
14‧‧‧第1合波器/第1光合波器/光合波器
14a‧‧‧第1合波器
14b‧‧‧第1合波器
14c‧‧‧第1合波器
14d‧‧‧第1合波器
15‧‧‧第2合波器/第2光合波器
15a‧‧‧第2合波器
15b‧‧‧第2合波器
21‧‧‧RF引出線路
22‧‧‧電極線路
23‧‧‧第1電極
24‧‧‧第2電極
31‧‧‧子MZM(馬赫-曾德爾干涉型)光波導/子MZM光波導
32‧‧‧主MZM光波導
35‧‧‧延遲光電路
56‧‧‧子MZM
57‧‧‧主MZM
62‧‧‧行進波型電極
63‧‧‧DC電極
64‧‧‧DC電極
65‧‧‧RF引出線路
圖1係顯示先前之偏振波多重型IQ光調變器之一例之圖。 圖2係顯示圖1之偏振波多重型IQ光調變器之光波導構造之圖。 圖3係顯示先前之偏振波多重型IQ光調變器之另一例之圖。 圖4係顯示先前之偏振波多重型IQ光調變器之又一例之圖。 圖5係顯示先前之偏振波多重型IQ光調變器之再一例之圖。 圖6係顯示本實施形態之偏振波多重型IQ光調變器之一例之圖。 圖7係顯示圖6之偏振波多重型IQ光調變器之光波導構造之圖。 圖8係顯示本實施形態之偏振波多重型IQ光調變器之另一例之圖。 圖9係顯示本實施形態之偏振波多重型IQ光調變器之再一例之圖。 圖10係顯示將差動輸出驅動器放大器一體地積體於本實施形態之偏振波多重型IQ光調變器之構成例的圖。

Claims (5)

  1. 一種IQ光調變器，其特徵在於具備：成為主體之馬赫-曾德爾型(MZM)光波導；成為子體之MZM光波導，其分別設置於構成前述主MZM光波導之2個臂； 2個電極線路，其等分別沿構成前述子MZM光波導之2個臂設置，藉由被施加調變信號而對在MZM中傳遞之光信號予以相位調變； RF引出線路，其分別連接於前述2個電極線路，用於輸入對於前述2個電極線路施加之前述調變信號； 第1光分波器，其將光分波至前述主MZM光波導之2個臂； 第2光分波器，其將光分波至前述子MZM光波導之2個臂；及 第1光合波器，其將來自前述子MZM光波導之2個臂之光合波；且 相對於設置有前述2個電極線路之前述子MZM光波導之條帶方向，前述RF引出線路之條帶方向、前述第2光分波器之條帶方向、及前述第1光合波器之條帶方向係相同，且前述第1光分波器之條帶方向係正交關係。
  2. 如請求項1之IQ光調變器，其更具備將來自前述主MZM光波導之2個臂之光合波之第2光合波器，且設置有前述2個電極線路之前述子MZM光波導之條帶方向與該第2光合波器之條帶方向係正交關係。
  3. 如請求項1或2之IQ光調變器，其中前述2個電極線路與連接於該電極線路之RF引出線路由差動耦合線路構成，自前述RF引出線路輸入並被施加至前述電極線路之調變信號係差動信號。
  4. 如請求項1之IQ光調變器，其中前述主MZM光波導在同一半導體元件內係以2個並排地積體，且更具備將輸入至前述2個主MZM光波導之光信號分離為X偏振波與Y偏振波並輸入之XY偏振波分離用光分波器。
  5. 如請求項1之IQ光調變器，其中在與前述IQ光調變器同一封裝體內搭載有差動輸入/輸出型高頻放大器，該IQ光調變器與高頻放大器僅經由金線直接電性連接。
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