JP7399995B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1~図12に基づき、本発明の第1実施形態にかかる半導体装置A1について説明する。説明の便宜上、平面図の上下方向を第1方向X、第1方向Xに対して直角である平面図の左右方向を第2方向Yとそれぞれ定義する。第1方向Xおよび第2方向Yは、ともに半導体装置A1の厚さ方向に対して直角である。
いる。前記誘電体層により、前記送信側インダクタと前記受信側インダクタとは、電気的に絶縁されている。
図15および図16に基づき、本発明の第2実施形態にかかる半導体装置A2について説明する。
図17および図18に基づき、本発明の第3実施形態にかかる半導体装置A3について説明する。
11:半導体素子
111:制御素子
111a:パッド
112:駆動素子
112a:パッド
12:絶縁素子
12a:パッド
2:ダイパッド
21:第1ダイパッド
211:第1ダイパッド上面
212:第1ダイパッド下面
213:貫通孔
22:第2ダイパッド
221:第2ダイパッド上面
222:第2ダイパッド下面
3:第1端子
31:第1中間端子
311:リード部
312:パッド部
32:第1側端子
321:リード部
322:パッド部
4:第2端子
41:第2中間端子
411:リード部
412:パッド部
42:第2側端子
421:リード部
422:パッド部
423:突起部
5:支持端子
51:第1支持端子
511:リード部
512:パッド部
513:突起部
52:第2支持端子
521:リード部
522:パッド部
524:連結部
6:封止樹脂
61:樹脂上面
62:樹脂下面
63:樹脂第1側面
631:樹脂第1側面上部
632:樹脂第1側面中央部
633:樹脂第1側面下部
64:樹脂第2側面
641:樹脂第2側面上部
642:樹脂第2側面中央部
643:樹脂第2側面下部
71:ボンディングワイヤ
711:第1ボンディングワイヤ
712:第2ボンディングワイヤ
712a:第1ボンディング部
712b:第2ボンディング部
713:第3ボンディングワイヤ
713a:第1ボンディング部
713b:第2ボンディング部
714:第4ボンディングワイヤ
72:内装めっき層
73:外装めっき層
80:導電支持部材
81:リード
811:外枠
812:アイランド部
812a:第1アイランド部
812b:第2アイランド部
813:第1リード
813a:第1中間リード
813b:第1側リード
814:第2リード
814a:第2中間リード
814b:第2側リード
815:支持リード
815a:第1支持リード
815b:第2支持リード
816:ダムバー
871:ワイヤ
88:キャピラリ
X:第1方向
Y:第2方向
N:直線
Claims (14)
- 第1ダイパッドを含む第1リードと、
第1方向において前記第1ダイパッドから離れた第2ダイパッドを含む第2リードと、
平面視において前記第1方向に対して直交する第2方向に延びる第1縁と、平面視において前記第1方向に延びる第2縁と、を有するとともに、前記第1ダイパッドに搭載された第1半導体素子と、
前記第1ダイパッドに搭載された絶縁素子と、
平面視において前記第2方向に延びる第3縁と、平面視において前記第1方向に延びる第4縁と、を有するとともに、前記第2ダイパッドに搭載された第2半導体素子と、
前記絶縁素子と前記第1半導体素子とに接続された複数の第1ワイヤと、
前記絶縁素子と前記第2半導体素子とに接続された複数の第2ワイヤと、を備え、
前記第1リードは、各々が前記第1方向に延びる第1区間を有し、かつ前記第1ダイパッドの前記第2方向の両側につながる2つの第1支持端子と、前記第1方向において前記第1ダイパッドを基準として前記第2ダイパッドとは反対側において前記2つの第1支持端子の各々の前記第1区間の間に位置し、かつ前記第1ダイパッドから離れた複数の第1中間端子と、を含み、
前記2つの第1支持端子の各々は、平面視において前記第1区間から屈曲して前記第1ダイパッドに至る第1連結縁および第2連結縁を有し、
平面視において、前記第2連結縁は、前記第1連結縁を基準として前記複数の第1中間端子が位置する側とは反対側に位置しており、
前記第1区間から前記第1ダイパッドに向けて前記第1連結縁および前記第2連結縁の各々が延びる向きは、互いに等しく、
前記第2リードは、各々が前記第1方向に延びる第2区間を有し、かつ前記第2ダイパッドの前記第2方向の両側につながる2つの第2支持端子と、前記第1方向において前記第2ダイパッドを基準として前記第1ダイパッドとは反対側において前記2つの第2支持端子の各々の前記第2区間の間に位置し、かつ前記第2ダイパッドから離れた複数の第2中間端子と、を含み、
前記2つの第2支持端子の各々は、平面視において前記第2区間から屈曲して前記第2ダイパッドに至る第3連結縁および第4連結縁を有し、
平面視において、前記第4連結縁は、前記第3連結縁を基準として前記複数の第2中間端子が位置する側とは反対側に位置しており、
前記第2区間から前記第2ダイパッドに向けて前記第3連結縁および前記第4連結縁の各々が延びる向きは、互いに等しく、
前記第1半導体素子と前記第1リードとに接続されるとともに、平面視において前記第2縁を交差する複数の第3ワイヤと、
前記第1半導体素子と前記複数の第1中間端子とに接続されるとともに、平面視において前記第1縁を交差する複数の第4ワイヤと、
前記第2半導体素子と前記第2リードとに接続されるとともに、各々が平面視において前記第3縁および前記第4縁のいずれかを交差する複数の第5ワイヤと、をさらに備え、
前記第1方向において、前記絶縁素子は、前記第1半導体素子と前記第2半導体素子との間に位置しており、
前記絶縁素子につながる前記複数の第1ワイヤの各々の一端と、前記絶縁素子につながる前記複数の第2ワイヤの各々の一端と、はいずれも円盤状の部分を含む第1ボンディング部をなし、
前記第1半導体素子につながる前記複数の第1ワイヤの各々の他端と、前記第2半導体素子につながる前記複数の第2ワイヤの各々の他端と、はいずれもテーパ状の部分を含む第2ボンディング部をなす、半導体装置。 - 前記複数の第1中間端子の前記第2方向の両側に位置し、かつ前記2つの第1支持端子の前記第1区間の各々の間に位置する2つの第1側端子をさらに備え、
平面視において、前記第1ダイパッドから最も離れた前記2つの第1側端子の各々の端縁と、前記第1ダイパッドから最も離れた前記複数の第1中間端子の各々の端縁と、はいずれも前記第2方向に延びる一直線上に配置されており、
前記2つの第1側端子の各々の端縁は、外部に露出している、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1半導体素子と前記2つの第1側端子のいずれかとに接続された第6ワイヤをさらに備える、請求項2に記載の半導体装置。
- 前記複数の第3ワイヤは、前記2つの第1支持端子に接続されている、請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記複数の第5ワイヤのうち平面視において前記第4縁を交差するものは、前記2つの第2支持端子に接続されている、請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記複数の第5ワイヤのうち平面視において前記第3縁を交差するものは、前記複数の第2中間端子に接続されている、請求項5に記載の半導体装置。
- 前記第1ダイパッドと、前記第2ダイパッドと、は同一平面上に配置されている、請求項1ないし6のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第1半導体素子、前記第2半導体素子および前記絶縁素子を覆う封止樹脂をさらに備える、請求項1ないし7のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記2つの第1支持端子の各々と、前記複数の第1中間端子の各々と、前記2つの第2支持端子の各々と、前記複数の第2中間端子の各々と、はいずれも前記封止樹脂から突出する部分を含む、請求項8に記載の半導体装置。
- 前記第2方向に視て、前記2つの第1支持端子の各々は、前記複数の第1中間端子の各々に重なるように屈曲している、請求項9に記載の半導体装置。
- 前記第2方向に視て、前記2つの第2支持端子の各々は、前記複数の第2中間端子の各々に重なるように屈曲している、請求項10に記載の半導体装置。
- 前記第1ダイパッドには、複数の貫通孔が設けられている、請求項8ないし11のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記複数の貫通孔の各々は、所定の方向に延びる長孔である、請求項12に記載の半導体装置。
- 前記第1リードおよび前記第2リードの各々の組成は、銅を含む、請求項1ないし13のいずれかに記載の半導体装置。
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CN116670830A (zh) * | 2020-12-25 | 2023-08-29 | 罗姆股份有限公司 | 半导体器件 |
DE112022004841T5 (de) * | 2021-11-25 | 2024-08-01 | Rohm Co., Ltd. | Halbleiterbauteil |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012227517A (ja) | 2011-04-01 | 2012-11-15 | Rohm Co Ltd | 温度検出装置、温度検出回路およびパワー半導体モジュール |
JP2012257421A (ja) | 2011-06-10 | 2012-12-27 | Rohm Co Ltd | 信号伝達装置及びこれを用いたモータ駆動装置 |
JP2013051547A (ja) | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路及びそれを備えた駆動装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62252947A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-04 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2708320B2 (ja) * | 1992-04-17 | 1998-02-04 | 三菱電機株式会社 | マルチチップ型半導体装置及びその製造方法 |
JPH0870087A (ja) * | 1994-08-26 | 1996-03-12 | Ricoh Co Ltd | リードフレーム |
JP2004303861A (ja) | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2010118400A (ja) | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5514134B2 (ja) | 2011-02-14 | 2014-06-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6129659B2 (ja) | 2013-06-25 | 2017-05-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
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- 2020-06-12 JP JP2020102067A patent/JP7035117B2/ja active Active
-
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-
2023
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012227517A (ja) | 2011-04-01 | 2012-11-15 | Rohm Co Ltd | 温度検出装置、温度検出回路およびパワー半導体モジュール |
JP2012257421A (ja) | 2011-06-10 | 2012-12-27 | Rohm Co Ltd | 信号伝達装置及びこれを用いたモータ駆動装置 |
JP2013051547A (ja) | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路及びそれを備えた駆動装置 |
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