DE112022004841T5 - Halbleiterbauteil - Google Patents

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Hiroaki Matsubara
Taro Nishioka
Yoshizo OSUMI
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Rohm Co Ltd
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Abstract

Ein Halbleiterbauteil weist auf: ein erstes Halbleiterelement; ein zweites Halbleiterelement; ein Isolierelement, das elektrisch mit dem ersten Halbleiterelement und dem zweiten Halbleiterelement verbunden ist und das erste Halbleiterelement und das zweite Halbleiterelement gegeneinander isoliert; und ein Dichtungsharz, das das erste Halbleiterelement, das zweite Halbleiterelement und das Isolierelement bedeckt. Das Dichtungsharz weist einen ersten Abschnitt, der das erste Halbleiterelement, das zweite Halbleiterelement und das Isolierelement bedeckt, und einen zweiten Abschnitt, der die äußerste Oberfläche des Dichtungsharzes bildet, auf. Der zweite Abschnitt ist weniger anfällig für ein Tracking-Phänomen als der erste Abschnitt.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft ein Halbleiterbauteil.
  • ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
  • Wechselrichter („inverters“), die in Elektrofahrzeugen (einschließlich Hybridfahrzeugen) und Haushaltsgeräten verwendet werden, weisen Halbleiterbauteile auf. Ein Wechselrichter weist beispielsweise ein Halbleiterbauteil und ein Schaltelement wie einen Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT) oder einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) auf. Das Halbleiterbauteil weist einen Controller bzw. eine Steuereinrichtung und einen Gate-Treiber auf. In dem Wechselrichter wird ein von einer externen Quelle ausgegebenes Steuersignal dem Controller des Halbleiterbauteils zugeführt. Der Controller wandelt das Steuersignal in ein Pulsweitenmodulations-(PWM-)Steuersignal um und überträgt das PWM-Steuersignal an den Gate-Treiber. Der Gate-Treiber steuert („drives“) beispielsweise sechs Schaltelemente zu einem gewünschten Zeitpunkt basierend auf dem PWM-Steuersignal an. Dadurch wird aus Gleichstrom dreiphasiger Wechselstrom für die Motorsteuerung erzeugt. Patentdokument 1 offenbart ein Beispiel für ein Halbleiterbauteil (Ansteuerungsschaltung bzw. Ansteuerungsschaltkreis („drive circuit“)), das für eine Motoransteuerungsvorrichtung verwendet wird.
  • DOKUMENT ZUM STAND DER TECHNIK
  • Patentdokument
  • Patentdokument 1: JP-A-2020-167428
  • KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Aufgabe, die durch die Erfindung gelöst werden soll
  • Bei dem vorstehend beschriebenen Halbleiterbauteil ist eine Isolierung zwischen Elementen wie dem Controller und dem Gate-Treiber erforderlich. Des Weiteren kann eine Degradation an einem äußeren Abschnitt des Halbleiterbauteils die Fähigkeit des Halbleiterbauteils beeinträchtigen, seine Funktionen in angemessener Weise auszuführen.
  • In Anbetracht der vorgenannten Umstände ist es eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung, ein Halbleiterbauteil bereitzustellen, das in der Lage ist, seine Funktionen in angemessenerer Weise auszuführen.
  • Mittel zur Lösung des Problems
  • Ein Halbleiterbauteil gemäß der vorliegenden Offenbarung weist auf: ein erstes Halbleiterelement; ein zweites Halbleiterelement; ein Isolierelement, das elektrisch mit dem ersten Halbleiterelement und dem zweiten Halbleiterelement verbunden ist und das erste Halbleiterelement und das zweite Halbleiterelement gegeneinander isoliert; und ein Dichtungsharz, das das erste Halbleiterelement, das zweite Halbleiterelement und das Isolierelement bedeckt. Das Dichtungsharz weist einen ersten Abschnitt, der das erste Halbleiterelement, das zweite Halbleiterelement und das Isolierelement bedeckt, und einen zweiten Abschnitt, der eine äußerste Oberfläche des Dichtungsharzes bildet, auf. Der zweite Abschnitt ist weniger anfällig für ein Tracking-Phänomen als der erste Abschnitt.
  • Vorteile der Erfindung
  • Durch die vorstehend beschriebene Konfiguration kann ein Halbleiterbauteil bereitgestellt werden, das in der Lage ist, seine Funktionen in angemessenerer Weise auszuführen.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden aus der nachstehenden detaillierten Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen deutlicher.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
    • 1 ist eine Draufsicht, die ein Halbleiterbauteil gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 2 ist eine Draufsicht entsprechend 1, mit einem transparent dargestellten Dichtungsharz.
    • 3 ist eine Vorderansicht, die das Halbleiterbauteil aus 1 zeigt.
    • 4 ist eine linksseitige Ansicht, die das Halbleiterbauteil aus 1 zeigt.
    • 5 ist eine rechtsseitige Ansicht, die das Halbleiterbauteil aus 1 zeigt.
    • 6 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie VI-VI in 2.
    • 7 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie VII-VII in 2.
    • 8 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht eines Hauptteils des Halbleiterbauteils aus 1.
    • 9 ist eine Querschnittsansicht, die eine erste Variation des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 10 ist eine Querschnittsansicht, die eine zweite Variation des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 11 ist eine Draufsicht, die ein Halbleiterbauteil gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 12 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XII-XII in 11.
    • 13 ist eine Draufsicht, die ein Halbleiterbauteil gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 14 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XIV-XIV in 13.
    • 15 ist eine Draufsicht, die ein Halbleiterbauteil gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 16 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XVI-XVI in 15.
  • MODUS ZUM AUSFÜHREN DER ERFINDUNG
  • Nachfolgend werden bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen im Detail beschrieben.
  • Die Begriffe wie „erster“, „zweiter“ und „dritter“ werden in der vorliegenden Offenlegung lediglich zur Identifizierung verwendet und dienen nicht dazu, den Gegenständen, auf die sich diese Begriffe beziehen, eine Reihenfolge bzw. Ordnung aufzuerlegen.
  • Erste Ausführungsform:
  • Im Folgenden wird ein Halbleiterbauteil A1 gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die 1 bis 8 beschrieben. Das Halbleiterbauteil A1 weist ein erstes Halbleiterelement 11, ein zweites Halbleiterelement 12, ein Isolierelement 13, eine Mehrzahl von leitfähigen Elementen 20, eine Mehrzahl von ersten Drähten 41, eine Mehrzahl von zweiten Drähten 42, eine Mehrzahl von dritten Drähten 43, eine Mehrzahl von vierten Drähten 44, und ein Dichtungsharz 50 auf. Das Halbleiterbauteil A1 ist beispielsweise auf einer Leiterplatte eines Wechselrichters für ein Elektrofahrzeug oder ein Hybridfahrzeug oberflächenmontiert. Das Halbleiterbauteil A1 ist in einem Small-Outline-Gehäuse („small outline package“, SOP) vorgesehen. Es gilt jedoch zu beachten, dass der Gehäusetyp des Halbleiterbauteils A1 nicht auf ein SOP eingeschränkt ist. In 2 ist das Dichtungsharz 50 zum besseren Verständnis transparent dargestellt und durch eine imaginäre Linie („Zweipunkt-Kettenlinie“) gekennzeichnet.
  • Beispielhaft wird in der Beschreibung des Halbleiterbauteils A1 die Dickenrichtung des ersten Halbleiterelements 11, des zweiten Halbleiterelements 12 und des Isolierelements 13 als „Dickenrichtung z“ bezeichnet. Eine Richtung, die senkrecht zu der Dickenrichtung z verläuft, wird als „erste Richtung x“ bezeichnet. Die Richtung, die sowohl zu der Dickenrichtung z als auch zu der ersten Richtung x senkrecht verläuft, wird als „zweite Richtung y“ bezeichnet.
  • Das erste Halbleiterelement 11, das zweite Halbleiterelement 12 und das Isolierelement 13 bilden den funktionalen Kern des Halbleiterbauteils A1. In dem Halbleiterbauteil A1 ist jedes von dem ersten Halbleiterelement 11, dem zweiten Halbleiterelement 12 und dem Isolierelement 13 ein einzelnes Element. In der ersten Richtung x ist das zweite Halbleiterelement 12 in Bezug auf das Isolierelement 13 gegenüber von dem ersten Halbleiterelement 11 angeordnet. Mit anderen Worten, das Isolierelement 13 ist in der ersten Richtung x zwischen dem ersten Halbleiterelement 11 und dem zweiten Halbleiterelement 12 angeordnet. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z weist jedes von dem ersten Halbleiterelement 11, dem zweiten Halbleiterelement 12 und dem Isolierelement 13 eine rechteckige Form auf, die in der zweiten Richtung y verlängert ist.
  • Das erste Halbleiterelement 11 ist ein Controller (Steuerelement) eines Gate-Treibers zum Ansteuern eines Schaltelements wie eines IGBT oder eines MOSFET. Das erste Halbleiterelement 11 weist eine Schaltung bzw. einen Schaltkreis („circuit“), die ein z. B. von einer ECU eingespeistes Steuersignal in ein PWM-Steuersignal umwandelt, eine Übertragungsschaltung bzw. einen Übertragungsschaltkreis, die das PWM-Steuersignal an das zweite Halbleiterelement 12 überträgt, und eine Empfangsschaltung bzw. einen Empfangsschaltkreis, die ein elektrisches Signal von dem zweiten Halbleiterelement 12 empfängt, auf.
  • Das zweite Halbleiterelement 12 ist ein Gate-Treiber (Ansteuerungselement) zum Ansteuern eines Schaltelements. Das zweite Halbleiterelement 12 weist eine Empfangsschaltung, die ein PWM-Steuersignal empfängt, eine Ansteuerungsschaltung bzw. einen Ansteuerungsschaltkreis, die das Schaltelement basierend auf dem PWM-Steuersignal ansteuert, und eine Übertragungsschaltung, die ein elektrisches Signal an das erste Halbleiterelement 11 überträgt, auf. Das elektrische Signal kann ein Ausgangssignal von einem Temperatursensor sein, der in der Nähe eines Motors angeordnet ist.
  • Das Isolierelement 13 überträgt ein PWM-Steuersignal oder andere elektrische Signale in einem elektrisch isolierten Zustand. In dem Halbleiterbauteil A1 ist das Isolierelement 13 vom induktiven Typ. Ein Beispiel für ein induktives Isolierelement 13 ist ein Isoliertransformator („insulating transformer“). Der Isoliertransformator überträgt ein elektrisches Signal in einem elektrisch isolierten Zustand durch induktives Koppeln zweier Induktoren (Spulen). Das Isolierelement 13 weist ein Siliziumsubstrat auf. Auf dem Substrat sind aus Kupfer (Cu) hergestellte Induktoren montiert. Die Induktoren weisen einen Sendeinduktor („transmission inductor“) und einen Empfangsinduktor („reception inductor“) auf, die in der Dickenrichtung z gestapelt sind. Zwischen dem Sendeinduktor und dem Empfangsinduktor ist eine dielektrische Schicht, z. B. aus Siliziumdioxid (SiO2), vorgesehen. Die dielektrische Schicht isoliert den Sendeinduktor elektrisch von dem Empfangsinduktor. Alternativ kann das Isolierelement 13 vom kapazitiven Typ sein. Ein Beispiel für ein kapazitives Isolierelement 13 ist ein Kondensator.
  • In dem Halbleiterbauteil A1 ist die an das erste Halbleiterelement 11 angelegte Spannung verschieden von der an das zweite Halbleiterelement 12 angelegten Spannung. Infolgedessen wird zwischen dem ersten Halbleiterelement 11 und dem zweiten Halbleiterelement 12 eine Potenzialdifferenz erzeugt. Des Weiteren ist in dem Halbleiterbauteil A1 die an das zweite Halbleiterelement 12 angelegte Quellenspannung („source voltage“) höher als die an das erste Halbleiterelement 11 angelegte Quellenspannung.
  • In dem Halbleiterbauteil A1 sind eine erste Schaltung, die das erste Halbleiterelement 11 als eine Komponente aufweist, und eine zweite Schaltung, die das zweite Halbleiterelement 12 als eine Komponente aufweist, durch das Isolierelement 13 gegeneinander bzw. voneinander isoliert. Das Isolierelement 13 ist elektrisch mit der ersten Schaltung und der zweiten Schaltung verbunden. Die erste Schaltung weist des Weiteren ein erstes Die-Pad 22 (nachstehend beschrieben), eine Mehrzahl von ersten Terminals 31 (nachstehend beschrieben), die ersten Drähte 41 und die dritten Drähte 43 auf, zusätzlich zu dem ersten Halbleiterelement 11. Die zweite Schaltung weist des Weiteren ein zweites Die-Pad 23 (nachstehend beschrieben), eine Mehrzahl von zweiten Terminals 32 (nachstehend beschrieben), die zweiten Drähte 42 und die vierten Drähte 44 auf, zusätzlich zum zweiten Halbleiterelement 12. Die erste Schaltung weist ein von der zweiten Schaltung verschiedenes Potential auf. In dem Halbleiterbauteil A1 weist die zweite Schaltung ein höheres Potenzial auf als die erste Schaltung. Somit leitet das Isolierelement 13 ein gegenseitiges bzw. wechselseitiges Signal zwischen der ersten Schaltung und der zweiten Schaltung weiter. Im Falle eines Wechselrichters für ein Elektrofahrzeug oder ein Hybridfahrzeug beträgt die an die Masse des ersten Halbleiterelements 11 angelegte Spannung etwa 0 V, wohingegen die an die Masse des zweiten Halbleiterelements 12 angelegte Spannung vorübergehend 600 V oder höher wird.
  • Wie in den 2 und 6 gezeigt, weist das erste Halbleiterelement 11 eine Mehrzahl von ersten Elektroden 111 auf. Die ersten Elektroden 111 sind auf einer oberen Oberfläche des ersten Halbleiterelements 11 vorgesehen (d.h. einer Oberfläche, die in die gleiche Richtung weist wie eine erste Montageoberfläche 221A eines ersten Pad-Abschnitts 221 des nachstehend beschriebenen ersten Die-Pad 22). Die Zusammensetzung der ersten Elektroden 111 weist z. B. Aluminium (Al) auf. Mit anderen Worten: Jede der ersten Elektroden 111 enthält Aluminium. Die ersten Elektroden 111 sind elektrisch mit der in dem ersten Halbleiterelement 11 eingerichteten Schaltung verbunden.
  • Wie in den 2 und 6 gezeigt, ist das Isolierelement 13 in der ersten Richtung x zwischen dem ersten Halbleiterelement 11 und dem zweiten Halbleiterelement 12 angeordnet. Wie in den 8 und 9 gezeigt, weist das Isolierelement 13 eine Mehrzahl von ersten Relais-Elektroden 131 und eine Mehrzahl von zweiten Relais-Elektroden 132 auf. Die ersten Relais-Elektroden 131 und die zweiten Relais-Elektroden 132 sind auf einer oberen Oberfläche des Isolierelements 13 vorgesehen (d. h. einer Oberfläche, die in die gleiche Richtung weist wie die vorstehend beschriebene erste Montageoberfläche 221A). Die ersten Relais-Elektroden 131 sind in bzw. entlang der zweiten Richtung y ausgerichtet und sind in der ersten Richtung x näher an dem ersten Halbleiterelement 11 angeordnet als an dem zweiten Halbleiterelement 12. Die zweiten Relais-Elektroden 132 sind in bzw. entlang der zweiten Richtung y ausgerichtet und sind in der ersten Richtung x näher an dem zweiten Halbleiterelement 12 angeordnet als an dem ersten Halbleiterelement 11.
  • Wie in den 2 und 6 gezeigt, weist das zweite Halbleiterelement 12 eine Mehrzahl von zweiten Elektroden 121 auf. Die zweiten Elektroden 121 sind auf einer oberen Oberfläche des zweiten Halbleiterelements 12 vorgesehen (d.h. einer Oberfläche, die in die gleiche Richtung weist wie eine zweite Montageoberfläche 231A eines zweiten Pad-Abschnitts 231 des nachstehend beschriebenen zweiten Die-Pad 23). Die Zusammensetzung der zweiten Elektroden 121 weist z. B. Aluminium auf. Die zweiten Elektroden 121 sind elektrisch mit der in dem zweiten Halbleiterelement 12 eingerichteten Schaltung verbunden.
  • Die leitfähigen Elemente 20 bilden einen leitenden Pfad („conductive path“) zwischen einer Leiterplatte, auf der das Halbleiterbauteil A1 montiert ist, und dem ersten Halbleiterelement 11, dem Isolierelement 13 und dem zweiten Halbleiterelement 12. Die leitfähigen Elemente 20 sind aus dem gleichen Anschlussrahmen („lead frame“) ausgebildet. Der Anschlussrahmen enthält Kupfer in seiner Zusammensetzung. Wie vorstehend beschrieben, weisen die leitfähigen Elemente 20 das erste Die-Pad 22, das zweite Die-Pad 23, die ersten Terminals 31 und die zweiten Terminals 32 auf.
  • Wie in den 1 und 2 gezeigt, sind das erste Die-Pad 22 und das zweite Die-Pad 23 in der ersten Richtung x voneinander beabstandet. In dem Halbleiterbauteil A1 sind das erste Halbleiterelement 11 und ein Isolierelement 13 an das erste Die-Pad 22 gebondet, und das zweite Halbleiterelement 12 ist an das zweite Die-Pad 23 gebondet. Die an das zweite Die-Pad 23 angelegte Spannung ist von der an das erste Die-Pad 22 angelegten Spannung verschieden. In dem Halbleiterbauteil A1 ist die an das zweite Die-Pad 23 angelegte Spannung höher als die an das erste Die-Pad 22 angelegte Spannung.
  • Wie in 2 gezeigt, weist das erste Die-Pad 22 einen ersten Pad-Abschnitt 221 und zwei erste Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 222 („suspending lead portions“) auf. Das erste Halbleiterelement 11 ist auf dem ersten Pad-Abschnitt 221 angeordnet. Wie in den 6 und 7 gezeigt, weist der erste Pad-Abschnitt 221 eine erste Montageoberfläche 221A auf, die in die Dickenrichtung z weist. Das erste Halbleiterelement 11 ist über ein nicht dargestelltes leitfähiges Bond-Element (z.B. Lot oder Metallpaste) an die erste Montageoberfläche 221A gebondet. Der erste Pad-Abschnitt 221 ist mit dem Dichtungsharz 50 bedeckt. Der erste Pad-Abschnitt 221 weist beispielsweise eine Dicke von ca. 150 µm bis 200 µm auf.
  • Wie in den 2 und 6 gezeigt, ist der erste Pad-Abschnitt 221 mit einer Mehrzahl von Durchgangslöchern 223 ausgebildet. Die Durchgangslöcher 223 durchdringen den ersten Pad-Abschnitt 221 in der Dickenrichtung z und erstrecken sich in der zweiten Richtung y. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z ist zumindest eines der Durchgangslöcher 223 zwischen dem ersten Halbleiterelement 11 und dem Isolierelement 13 angeordnet. Die Durchgangslöcher 223 sind in bzw. entlang der zweiten Richtung y ausgerichtet.
  • Wie in 2 gezeigt, sind die zwei ersten Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 222 in der zweiten Richtung y mit den jeweiligen Seiten des ersten Pad-Abschnitts 221 verbunden. Jeder der ersten Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 222 weist einen bedeckten Abschnitt 222A und einen freiliegenden Abschnitt 222B auf. Der bedeckte Abschnitt 222A ist mit dem ersten Pad-Abschnitt 221 verbunden und mit dem Dichtungsharz 50 bedeckt. Der bedeckte Abschnitt 222A weist einen Abschnitt auf, der sich in der ersten Richtung x erstreckt. Der freiliegende Abschnitt 222B ist mit dem bedeckten Abschnitt 222A verbunden und gegenüber dem Dichtungsharz 50 freigelegt. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z erstreckt sich der freiliegende Abschnitt 222B in der ersten Richtung x. Wie in 3 gezeigt, ist der freiliegende Abschnitt 222B bei einer Betrachtung in der zweiten Richtung y in eine Knickflügelform („gull-wing shape“) gebogen. Die Oberfläche des freiliegenden Abschnitts 222B kann beispielsweise mit Zinn (Sn) beschichtet sein.
  • Wie in 2 gezeigt, weist das zweite Die-Pad 23 einen zweiten Pad-Abschnitt 231 und zwei zweite Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 232 auf. Das zweite Halbleiterelement 12 ist auf dem zweiten Pad-Abschnitt 231 angeordnet. Wie in 6 gezeigt, weist der zweite Pad-Abschnitt 231 eine zweite Montageoberfläche 231A auf, die in die Dickenrichtung z weist. Das zweite Halbleiterelement 12 ist über ein nicht dargestelltes leitfähiges Bond-Element (z. B. Lot oder Metallpaste) an die zweite Montageoberfläche 231A gebondet. Der zweite Pad-Abschnitt 231 ist mit dem Dichtungsharz 50 bedeckt. Der zweite Pad-Abschnitt 231 weist beispielsweise eine Dicke von ca. 150 µm bis 200 µm auf. Die Fläche des zweiten Pad-Abschnitts 231 ist kleiner als die Fläche des ersten Pad-Abschnitts 221 des ersten Die-Pad 22. Bei einer Betrachtung in der ersten Richtung x überlappt der zweite Pad-Abschnitt 231 mit dem ersten Pad-Abschnitt 221.
  • Wie in 2 gezeigt, erstrecken sich die zwei zweiten Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 232 von den jeweiligen Seiten des zweiten Pad-Abschnitts 231 in der zweiten Richtung y. Jeder der zwei zweiten Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 232 weist einen bedeckten Abschnitt 232A und einen freiliegenden Abschnitt 232B auf. Der bedeckte Abschnitt 232A ist mit dem zweiten Pad-Abschnitt 231 verbunden und mit dem Dichtungsharz 50 bedeckt. Der bedeckte Abschnitt 232A weist einen Abschnitt auf, der sich in der ersten Richtung x erstreckt. Der freiliegende Abschnitt 232B ist mit dem bedeckten Abschnitt 232A verbunden und gegenüber dem Dichtungsharz 50 freigelegt. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z erstreckt sich der freiliegende Abschnitt 232B in der ersten Richtung x. Wie in 3 gezeigt, ist der freiliegende Abschnitt 232B bei einer Betrachtung in der zweiten Richtung y in eine Knickflügelform gebogen. Die Oberfläche des freiliegenden Abschnitts 232B kann beispielsweise mit Zinn (Sn) plattiert sein.
  • Wie in den 1 und 2 gezeigt, sind die ersten Terminals 31 auf einer ersten Seite in der ersten Richtung x angeordnet. Genauer gesagt sind die ersten Terminals 31 in Bezug auf den ersten Pad-Abschnitt 221 des ersten Die-Pad 22 in der ersten Richtung x gegenüber von dem zweiten Pad-Abschnitt 231 des zweiten Die-Pad 23 angeordnet. Die ersten Terminals 31 sind in bzw. entlang der zweiten Richtung y ausgerichtet. Zumindest eines der ersten Terminals 31 ist über einen ersten Draht 41 elektrisch mit dem ersten Halbleiterelement 11 verbunden. Die ersten Terminals 31 weisen eine Mehrzahl von ersten inneren Terminals 31A und zwei erste äußere Terminals 31B auf. Die zwei ersten äußeren Terminals 31B flankieren die ersten inneren Terminals 31A in der zweiten Richtung y. In der zweiten Richtung y ist jedes der zwei ersten äußeren Terminals 31B zwischen einem der zwei ersten Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 222 des ersten Die-Pad 22 und dem ersten inneren Terminal 31A, das dem ersten Aufhängungs-Anschluss-Abschnitt 222 am nächsten ist, angeordnet.
  • Wie in den 2 und 6 gezeigt, weist jedes der ersten Terminals 31 einen bedeckten Abschnitt 311 und einen freiliegenden Abschnitt 312 auf. Der bedeckte Abschnitt 311 ist mit dem Dichtungsharz 50 bedeckt. Der bedeckte Abschnitt 311 jedes der zwei ersten äußeren Terminals 31B ist in der ersten Richtung x größer dimensioniert als der bedeckte Abschnitt 311 jedes der ersten inneren Terminals 31A.
  • Wie in den 2 und 6 gezeigt, ist der freiliegende Abschnitt 312 mit dem bedeckten Abschnitt 311 verbunden und gegenüber dem Dichtungsharz 50 freigelegt. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z erstreckt sich der freiliegende Abschnitt 312 in der ersten Richtung x. Bei einer Betrachtung in der zweiten Richtung y ist der freiliegende Abschnitt 312 in eine Knickflügelform gebogen. Der freiliegende Abschnitt 312 weist die gleiche Form auf wie der freiliegende Abschnitt 222B jedes der zwei ersten Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 222 des ersten Die-Pad 22. Die Oberfläche des freiliegenden Abschnitts 312 kann beispielsweise mit Zinn plattiert sein.
  • Wie in den 1 und 2 gezeigt, sind die zweiten Terminals 32 auf einer zweiten Seite in der ersten Richtung x angeordnet. Genauer gesagt sind die zweiten Terminals 32 in Bezug auf den ersten Pad-Abschnitt 221 des ersten Die-Pad 22 in der ersten Richtung x gegenüber von den ersten Terminals 31 angeordnet. Die zweiten Terminals 32 sind in bzw. entlang der zweiten Richtung y ausgerichtet. Zumindest eines der zweiten Terminals 32 ist über einen zweiten Draht 42 elektrisch mit dem zweiten Halbleiterelement 12 verbunden. Die zweiten Terminals 32 weisen eine Mehrzahl von zweiten inneren Terminals 32A und zwei zweite äußere Terminals 32B auf. Die zwei zweiten äußeren Terminals 32B flankieren die zweiten inneren Terminals 32A in der zweiten Richtung y. In der zweiten Richtung y ist jeder der zwei zweiten Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 232 des zweiten Die-Pad 23 zwischen einem der zwei zweiten äußeren Terminals 32B und dem zweiten inneren Terminal 32A, das dem zweiten äußeren Terminal 32B am nächsten ist, angeordnet.
  • Wie in den 2 und 6 gezeigt, weist jedes der zweiten Terminals 32 einen bedeckten Abschnitt 321 und einen freiliegenden Abschnitt 322 auf. Der bedeckte Abschnitt 321 ist mit dem Dichtungsharz 50 bedeckt. Der bedeckte Abschnitt 321 jedes der zwei zweiten äußeren Terminals 32B ist in der ersten Richtung x größer dimensioniert als der bedeckte Abschnitt 321 jedes der zweiten inneren Terminals 32A.
  • Wie in den 2 und 6 gezeigt, ist der freiliegende Abschnitt 322 mit dem bedeckten Abschnitt 321 verbunden und gegenüber dem Dichtungsharz 50 freigelegt. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z erstreckt sich der freiliegende Abschnitt 322 in der ersten Richtung x. Wie in 3 gezeigt, ist der freiliegende Abschnitt 322 bei einer Betrachtung in der zweiten Richtung y in eine Knickflügelform gebogen. Der freiliegende Abschnitt 322 weist die gleiche Form auf wie der freiliegende Abschnitt 232B jedes der zwei zweiten Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 232 des zweiten Die-Pad 23. Die Oberfläche des freiliegenden Abschnitts 322 kann beispielsweise mit Zinn (Sn) plattiert sein.
  • Die ersten Drähte 41, die zweiten Drähte 42, die dritten Drähte 43 und die vierten Drähte 44 sowie die leitfähigen Elemente 20 bilden einen leitenden Pfad für das erste Halbleiterelement 11, das zweite Halbleiterelement 12 und das Isolierelement 13 aus, um vorbestimmte Funktionen auszuführen.
  • Wie in den 2 und 6 gezeigt, sind einige der ersten Drähte 41 an einige erste Elektroden 111 des ersten Halbleiterelements 11 und die bedeckten Abschnitte 311 einiger erster Terminals 31 gebondet. Infolgedessen ist zumindest eines der ersten Terminals 31 elektrisch mit dem ersten Halbleiterelement 11 verbunden. Des Weiteren ist zumindest einer der ersten Drähte 41 an eine der ersten Elektroden 111 und einen der bedeckten Abschnitte 222A der zwei ersten Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 222 des ersten Die-Pad 22 gebondet. Infolgedessen ist zumindest einer der zwei ersten Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 222 elektrisch mit dem ersten Halbleiterelement 11 verbunden. Somit bildet zumindest einer der zwei ersten Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 222 einen Erdungsanschluss des ersten Halbleiterelements 11 aus. Die Zusammensetzung der ersten Drähte 41 weist Gold (Au) auf. Alternativ kann die Zusammensetzung der ersten Drähte 41 Kupfer (Cu) aufweisen.
  • Wie in den 2 und 6 gezeigt, sind einige der zweiten Drähte 42 an einige zweite Elektroden 121 des zweiten Halbleiterelements 12 und an die bedeckten Abschnitte 321 einiger zweiter Terminals 32 gebondet. Infolgedessen ist zumindest eines der zweiten Terminals 32 elektrisch mit dem zweiten Halbleiterelement 12 verbunden. Des Weiteren ist zumindest einer der zweiten Drähte 42 an eine der zweiten Elektroden 121 und einen der bedeckten Abschnitte 232A der zwei zweiten Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 232 des zweiten Die-Pad 23 gebondet. Infolgedessen ist zumindest einer der zwei zweiten Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 232 elektrisch mit dem zweiten Halbleiterelement 12 verbunden. Somit bildet zumindest einer der zwei zweiten Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 232 einen Erdungsanschluss des zweiten Halbleiterelements 12 aus. Die Zusammensetzung der zweiten Drähte 42 weist Gold (Au) auf. Alternativ kann die Zusammensetzung der zweiten Drähte 42 Kupfer (Cu) aufweisen.
  • Wie in den 2 und 6 gezeigt, sind die dritten Drähte 43 an einige erste Relais-Elektroden 131 des Isolierelements 13 und einige erste Elektroden 111 des ersten Halbleiterelements 11 gebondet. Infolgedessen sind das erste Halbleiterelement 11 und das Isolierelement 13 elektrisch miteinander verbunden. Die dritten Drähte 43 sind in bzw. entlang der zweiten Richtung y ausgerichtet. Die Zusammensetzung der dritten Drähte 43 weist Gold (Au) auf.
  • Wie in den 2 und 6 gezeigt, sind die vierten Drähte 44 an einige zweite Relais-Elektroden 132 des Isolierelements 13 und einige zweite Elektroden 121 des zweiten Halbleiterelements 12 gebondet. Infolgedessen sind das zweite Halbleiterelement 12 und das Isolierelement 13 elektrisch miteinander verbunden. Die vierten Drähte 44 sind in bzw. entlang der zweiten Richtung y ausgerichtet. In dem Halbleiterbauteil A1 erstrecken sich die vierten Drähte 44 über den ersten Pad-Abschnitt 221 des ersten Die-Pad 22 und den zweiten Pad-Abschnitt 231 des zweiten Die-Pad 23 hinweg. Die Zusammensetzung der vierten Drähte 44 weist Gold (Au) auf.
  • Wie in 1 gezeigt, bedeckt das Dichtungsharz 50 das erste Halbleiterelement 11, das zweite Halbleiterelement 12, das Isolierelement 13 und zumindest einen Abschnitt jedes der leitfähigen Elemente 20. Des Weiteren bedeckt das Dichtungsharz 50 die ersten Drähte 41, die zweiten Drähte 42, die dritten Drähte 43 und die vierten Drähte 44. Das Dichtungsharz 50 ist elektrisch isolierend. Die Form des Dichtungsharzes 50 ist nicht besonders eingeschränkt. Beispielsweise kann das Dichtungsharz 50 bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z eine rechteckige Form aufweisen.
  • Wie in den 3 bis 5 gezeigt, weist das Dichtungsharz 50 eine obere Oberfläche 51, eine untere Oberfläche 52, ein Paar erster Seitenoberflächen 53 und ein Paar zweiter Seitenoberflächen 54 auf.
  • Wie in den 3 bis 5 gezeigt, sind die obere Oberfläche 51 und die untere Oberfläche 52 in der Dickenrichtung z voneinander beabstandet. Die obere Oberfläche 51 und die untere Oberfläche 52 weisen in der Dickenrichtung z voneinander weg. Die obere Oberfläche 51 und die untere Oberfläche 52 sind jeweils flach (oder im Wesentlichen flach).
  • Wie in den 3 bis 5 gezeigt, ist das Paar erster Seitenoberflächen 53 mit der oberen Oberfläche 51 und der unteren Oberfläche 52 verbunden und in der ersten Richtung x voneinander beabstandet. Die freiliegenden Abschnitte 222B der zwei ersten Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 222 des ersten Die-Pad 22 und die freiliegenden Abschnitte 312 der ersten Terminals 31 sind gegenüber einer des Paars erster Seitenoberflächen 53, die auf der ersten Seite in der ersten Richtung x angeordnet ist, freigelegt. Die freiliegenden Abschnitte 222B der zwei zweiten Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 232 des zweiten Die-Pad 23 und die freiliegenden Abschnitte 322 der zweiten Terminals 32 sind gegenüber einer der ersten Seitenoberflächen 53 freigelegt, die auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x angeordnet ist.
  • Wie in den 3 bis 5 gezeigt, weist jede des Paars erster Seitenoberflächen 53 einen ersten oberen Abschnitt 531, einen ersten unteren Abschnitt 532 und einen ersten Zwischenabschnitt 533 auf. Ein Ende des ersten oberen Abschnitts 531 in der Dickenrichtung z ist mit der oberen Oberfläche 51 verbunden, und das andere Ende davon in der Dickenrichtung z ist mit dem ersten Zwischenabschnitt 533 verbunden. Der erste obere Abschnitt 531 ist relativ zu der oberen Oberfläche 51 geneigt. Ein Ende des ersten unteren Abschnitts 532 in der Dickenrichtung z ist mit der unteren Oberfläche 52 verbunden, und das andere Ende davon in der Dickenrichtung z ist mit dem ersten Zwischenabschnitt 533 verbunden. Der erste untere Abschnitt 532 ist relativ zu der unteren Oberfläche 52 geneigt. Ein Ende des ersten Zwischenabschnitts 533 in der Dickenrichtung z ist mit dem ersten oberen Abschnitt 531 verbunden, und das andere Ende davon in der Dickenrichtung z ist mit dem ersten unteren Abschnitt 532 verbunden. Die In-Ebene-Richtung („in-plane direction“) des ersten Zwischenabschnitts 533 ist durch die Dickenrichtung z und die zweite Richtung y definiert. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z ist der erste Zwischenabschnitt 533 weiter außen angeordnet als die obere Oberfläche 51 und die untere Oberfläche 52. Die freiliegenden Abschnitte 222B der zwei ersten Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 222 des ersten Die-Pad 22, die freiliegenden Abschnitte 222B der zwei zweiten Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 232 des zweiten Die-Pad 23, die freiliegenden Abschnitte 312 der ersten Terminals 31 und die freiliegenden Abschnitte 322 der zweiten Terminals 32 sind gegenüber den ersten Zwischenabschnitten 533 des Paars erster Seitenoberflächen 53 freigelegt.
  • Wie in den 3 bis 5 gezeigt, ist das Paar zweiter Seitenoberflächen 54 mit der oberen Oberfläche 51 und der unteren Oberfläche 52 verbunden und in der zweiten Richtung y voneinander beabstandet. Wie in 1 gezeigt, sind das erste Die-Pad 22, das zweite Die-Pad 23, die ersten Terminals 31 und die zweiten Terminals 32 von dem Paar zweiter Seitenoberflächen 54 beabstandet.
  • Wie in den 3 bis 5 gezeigt, weist jede des Paars zweiter Seitenoberflächen 54 einen zweiten oberen Abschnitt 541, einen zweiten unteren Abschnitt 542 und einen zweiten Zwischenabschnitt 543 auf. Ein Ende des zweiten oberen Abschnitts 541 in der Dickenrichtung z ist mit der oberen Oberfläche 51 verbunden, und das andere Ende davon in der Dickenrichtung z ist mit dem zweiten Zwischenabschnitt 543 verbunden. Der zweite obere Abschnitt 541 ist relativ zu der oberen Oberfläche 51 geneigt. Ein Ende des zweiten unteren Abschnitts 542 in der Dickenrichtung z ist mit der unteren Oberfläche 52 verbunden, und das andere Ende davon in der Dickenrichtung z ist mit dem zweiten Zwischenabschnitt 543 verbunden. Der zweite untere Abschnitt 542 ist relativ zu der unteren Oberfläche 52 geneigt. Ein Ende des zweiten Zwischenabschnitts 543 in der Dickenrichtung z ist mit dem zweiten oberen Abschnitt 541 verbunden, und das andere Ende davon in der Dickenrichtung z ist mit dem zweiten unteren Abschnitt 542 verbunden. Die In-Ebene-Richtung des zweiten Zwischenabschnitts 543 ist durch die Dickenrichtung z und die zweite Richtung y definiert. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z ist der zweite Zwischenabschnitt 543 weiter außen angeordnet als die obere Oberfläche 52 und die untere Oberfläche 52.
  • Wie in den 6 und 7 gezeigt, weist das Dichtungsharz 50 einen ersten Abschnitt 50A und einen zweiten Abschnitt 50B auf. Der erste Abschnitt 50A bedeckt das erste Halbleiterelement 11, das zweite Halbleiterelement 12 und das Isolierelement 13. In der vorliegenden Ausführungsform bedeckt der erste Abschnitt 50A die ersten Drähte 41, die zweiten Drähte 42, die dritten Drähte 43 und die vierten Drähte 44. Des Weiteren bedeckt in der vorliegenden Ausführungsform der erste Abschnitt 50A den ersten Pad-Abschnitt 221 und den zweiten Pad-Abschnitt 231. Im vorliegenden Beispiel ist die Oberfläche des ersten Abschnitts 50A glatt. Der erste Abschnitt 50A wird beispielsweise durch Formgießen („die molding“) ausgebildet.
  • Der zweite Abschnitt 50B bildet die äußerste Oberfläche des Dichtungsharzes 50. In der vorliegenden Ausführungsform bildet der zweite Abschnitt 50B die obere Oberfläche 51, die untere Oberfläche 52, das Paar erster Seitenoberflächen 53 und das Paar zweiter Seitenoberflächen 54. Der zweite Abschnitt 50B bedeckt den ersten Abschnitt 50A. In der vorliegenden Ausführungsform ist der zweite Abschnitt 50B in Kontakt mit dem ersten Abschnitt 50A. Der zweite Abschnitt 50B kann durch Formgießen ausgebildet werden, nachdem der erste Abschnitt 50A ausgebildet ist.
  • Im Vergleich zu dem ersten Abschnitt 50A ist der zweite Abschnitt 50B weniger anfällig für ein Tracking-Phänomen („tracking phenomenon“). Das Tracking-Phänomen ist ein Phänomen, bei dem sich auf der Oberfläche (oder im Inneren) eines Harzformprodukts („resin molded product“) ein karbonisierter Leitungspfad bildet, z. B. aufgrund einer Wechselwirkung zwischen einem elektrischen Feld und einer Elektrolytkontamination. In der vorliegenden Offenbarung wird die Wahrscheinlichkeit des Auftretens eines Tracking-Phänomens bewertet, indem überprüft wird, ob das Harzformprodukt unter einer vorbestimmten Bedingung einen Spannungsdurchschlag („electrical breakdown“) erleidet. Konkret wird ein Elektrodenpaar mit der Harzoberfläche in Kontakt gebracht, und ein Elektrolyt (NH4Cl) wird auf einen zwischen dem Elektrodenpaar angeordneten Abschnitt der Harzoberfläche getropft, während eine Spannung angelegt ist. Tritt infolge der Prüfung ein Spannungsdurchschlag auf, wird bewertet, dass die Wahrscheinlichkeit des Auftretens eines Tracking-Phänomens relativ hoch ist. Tritt hingegen kein Spannungsdurchschlag auf, so wird bewertet, dass die Wahrscheinlichkeit des Auftretens eines Tracking-Phänomens relativ gering ist. Beispiele für Standards für dieses Bewertungsverfahren umfassen ASTM D3638, IEC 60112 und JIS C 2134. Der zweite Abschnitt 50B kann in der vorliegenden Ausführungsform einen Comparative Tracking Index (CTI) von 600 V oder höher aufweisen.
  • Es können verschiedene spezifische Beispiele für eine Konfiguration angeführt werden, bei der der zweite Abschnitt 50B weniger anfällig für ein Tracking-Phänomen ist als der erste Abschnitt 50A. In dem in 8 gezeigten Beispiel weist der erste Abschnitt 50A einen ersten Harzabschnitt 501A und eine Mehrzahl von ersten Füllstoffen bzw. Füllern 502A („fillers“) auf, und der zweite Abschnitt 50B weist einen zweiten Harzabschnitt 501B und eine Mehrzahl von zweiten Füllstoffen 502B auf. In der vorliegenden Ausführungsform bezieht sich die „Mehrzahl von Füllstoffen“ auf eine Mehrzahl von isolierenden Feinstücken bzw. Kleinstteilen („fine pieces“) (unten beschrieben). Jeder der ersten Harzabschnitte 501A und der zweiten Harzabschnitte 501B enthält ein isolierendes Harz wie etwa ein Epoxidharz oder ein synthetisches Harz. Der erste Harzabschnitt 501A und der zweite Harzabschnitt 501B können das gleiche Harz oder verschiedene Harze enthalten. Das vorliegende Beispiel wird unter der Annahme beschrieben, dass der erste Harzabschnitt 501A und der zweite Harzabschnitt 501B beide aus einem Epoxidharz hergestellt sind. Die ersten Füllstoffe 502A und die zweiten Füllstoffe 502B sind isolierende Kleinstteile und können zumindest eines von Siliziumoxid (SiO2) und Aluminiumoxid (Al2O3) enthalten. Der erste Füllstoff 502A und der zweite Füllstoff 502B können das gleiche Material oder unterschiedliche Materialien enthalten. Das vorliegende Beispiel wird unter der Annahme beschrieben, dass die ersten Füllstoffe 502A und die zweiten Füllstoffe 502B jeweils aus Siliziumoxid (SiO2) hergestellt sind.
  • Der Gehaltsanteil („content percentage“) der zweiten Füllstoffe 502B in dem zweiten Abschnitt 50B ist höher als der Gehaltsanteil bzw. prozentuale Anteil der ersten Füllstoffe 502A in dem ersten Abschnitt 50A. Dies ist ein Beispiel für eine spezifische Konfiguration, in der der zweite Abschnitt 50B weniger anfällig für ein Tracking-Phänomen ist als der erste Abschnitt 50A. Beispielsweise kann der Gehaltsanteil der zweiten Füllstoffe 502B in dem zweiten Abschnitt 50B 85 Gew.-% bis 95 Gew.-% betragen, und der Gehaltsanteil der ersten Füllstoffe 502A in dem ersten Abschnitt 50A kann 80 Gew.-% bis 90 Gew.-% betragen.
  • Wie in 6 gezeigt, bedeckt der zweite Abschnitt 50B den ersten Abschnitt 50A vollständig. Mit anderen Worten, der erste Abschnitt 50A ist nicht zur Außenseite des Halbleiterbauteils A1 freigelegt. Um Zahlenbeispiele des Dichtungsharzes 50, des ersten Abschnitts 50A und des zweiten Abschnitts 50B in der Dickenrichtung z zu geben, wenn eine Dicke t0 des Dichtungsharzes 50 1,5 mm bis 3,0 mm beträgt, beträgt eine Dicke t1 des ersten Abschnitts 50A 1,5 mm bis 2,9 mm, und eine Dicke t2 des zweiten Abschnitts 50B beträgt 0,05 mm bis 0,75 mm.
  • Die Konfiguration, in der der zweite Abschnitt 50B weniger anfällig für ein Tracking-Phänomen ist als der erste Abschnitt 50A, ist nicht auf die spezifische Konfiguration eingeschränkt, in der die Gehaltsanteile der ersten Füllstoffe 502A und der zweiten Füllstoffe 502B so gewählt sind, dass sie das vorstehend beschriebene Verhältnis aufweisen. Zum Beispiel kann der zweite Abschnitt 50B aus einem niedrigviskosen (LV) Harz mit einem niedrigen Schmelzpunkt und einem niedrigen Molekulargewicht oder einem Dicyclopentadien-(DCPD-)Harz mit einer alicyclischen Struktur hergestellt sein.
  • Der zweite Abschnitt 50B ist erforderlich, um das erste Halbleiterelement 11, das zweite Halbleiterelement 12, das Isolierelement 13, die leitfähigen Elemente 20, die ersten Drähte 41, die zweiten Drähte 42, die dritten Drähte 43 und die vierten Drähte 44 gegeneinander bzw. voneinander zu isolieren. Des Weiteren ist der zweite Abschnitt 50B vorzugsweise resistent gegen Ablösen bzw. Abschälen („peeling“) von den leitfähigen Elementen 20, usw., wenn das Halbleiterbauteil A1 verwendet wird. Um solche Eigenschaften bereitzustellen, kann der zweite Abschnitt 50B unter Verwendung eines Harzes hoher Durchschlagsfestigkeit („dielectric strength“) (z.B. ein Harz mit einem Comparative Tracking Index (CTI) von 600 V) ausgebildet werden, das eine höhere Durchschlagspannung als der erste Abschnitt 50A aufweist. Es ist auch möglich, den zweiten Abschnitt 50B unter Verwendung eines hochadhäsiven Harzes, wie etwa eines multiaromatischen Harzes (MAR) oder eines Biphenylharzes, auszubilden, um ein Ablösen des zweiten Abschnitts 50B zu verhindern. Als weitere Strategie zur Verhinderung des Ablösens kann der zweite Abschnitt 50B unter Verwendung eines Harzes geringer Elastizität (z. B. eines Harzes mit einem Elastizitätsmodul von nicht mehr als 1000 MPa bei 260 °C) oder eines Harzes mit hohem Glasübergangspunkt (z. B. eines Harzes mit einem Glasübergangspunkt von mindestens 150 °C) ausgebildet werden. Des Weiteren kann der zweite Abschnitt 50B unter Verwendung eines chlorfreien Harzes (z. B. eines Epoxidharzes mit einer Chlorkonzentration von nicht mehr als 30 ppm) oder eines schwefelfreien Harzes (z. B. eines Harzes mit einer Schwefelkonzentration von nicht mehr als 300 µg/g) ausgebildet werden, um die vorstehend beschriebenen Eigenschaften zu verbessern.
  • Eine Motoransteuerungsschaltung („motor drive circuit“) für einen Wechselrichter ist typischerweise mit einer Halbbrückenschaltung konfiguriert, die ein Low-Side-Schaltelement (Low-Potential-Side) und ein High-Side-Schaltelement (High-Potential-Side) aufweist. Die nachfolgende Beschreibung erfolgt unter der Annahme, dass diese Schaltelemente MOSFETs sind. Es gilt zu beachten, dass das Bezugspotenzial der Source bzw. Quelle („source“) des Low-Side-Schaltelements und das Bezugspotenzial des Gate-Treibers zum Ansteuern des Low-Side-Schaltelements beide auf Masse („ground“) liegen. Andererseits entsprechen das Bezugspotenzial der Source des High-Side-Schaltelements und das Bezugspotenzial des Gate-Treibers zum Ansteuern des High-Side-Schaltelements beide einem Potenzial an einem Ausgangsknoten („output node“) der Halbbrückenschaltung. Da sich das Potenzial an dem Ausgangsknoten je nach Ansteuerung des High-Side-Schaltelements und des Low-Side-Schaltelements ändert, ändert sich auch das Bezugspotenzial des Gate-Treibers zum Ansteuern des High-Side-Schaltelements. Wenn das High-Side-Schaltelement eingeschaltet ist, entspricht das Bezugspotenzial der an den Drain („drain“) des High-Side-Schaltelements angelegten Spannung (z. B. 600 V oder höher). In dem Halbleiterbauteil A1 ist die Masse des ersten Halbleiterelements 11 von der Masse des zweiten Halbleiterelements 12 beabstandet. Dementsprechend wird in dem Fall, in dem das Halbleiterbauteil A1 als Gate-Treiber zum Ansteuern des High-Side-Schaltelements verwendet wird, eine Spannung, die der an den Drain des High-Side-Schaltelements angelegten Spannung entspricht, vorübergehend an die Masse des zweiten Halbleiterelements 12 angelegt.
  • Im Folgenden werden Vorteile des Halbleiterbauteils A1 beschrieben.
  • Gemäß der vorliegenden Ausführungsform bildet der zweite Abschnitt 50B die äußerste Oberfläche des Dichtungsharzes 50. Der zweite Abschnitt 50B ist weniger anfällig für ein Tracking-Phänomen als der erste Abschnitt 50A. Dadurch ist es möglich, das Auftreten eines unbeabsichtigten Spannungsdurchschlags an der äußersten Oberfläche des Halbleiterbauteils A1 zu unterdrücken, wenn beispielsweise das Halbleiterbauteil A1 verwendet wird. Infolgedessen kann das Halbleiterbauteil A1 seine Funktionen in angemessenerer Weise ausführen. Des Weiteren ist es möglich, die Durchschlagsfestigkeit des ersten Abschnitts 50A zu verbessern und ein Ablösen zu verhindern, während ein Tracking-Phänomen an dem zweiten Abschnitt 50B unterdrückt wird.
  • Der Gehaltsanteil der zweiten Füllstoffe 502B in dem zweiten Abschnitt 50B ist höher als der Gehaltsanteil der ersten Füllstoffe 502A in dem ersten Abschnitt 50A. Dies ermöglicht es, das Auftreten eines Tracking-Phänomens in dem zweiten Abschnitt 50B zuverlässiger zu unterdrücken als in dem ersten Abschnitt 50A. Es eignet sich zur Unterdrückung eines Tracking-Phänomens, wenn der Gehaltsanteil der zweiten Füllstoffe 502B 85 Gew.-% bis 95 Gew.-% beträgt. Die Konfiguration, in der der Gehaltsanteil des ersten Füllstoffs 502A von dem des zweiten Füllstoffs 502B abweicht, eignet sich zur selektiven Unterdrückung eines Tracking-Phänomens an dem zweiten Abschnitt 50B.
  • Die zweiten Füllstoffe 502B, die zumindest eines von Siliziumoxid (SiO2) und Aluminiumoxid (Al2O3) enthalten, können die Durchschlagsfestigkeit erhöhen, während sie ein Tracking-Phänomen an dem zweiten Abschnitt 50B unterdrücken. Die ersten Füllstoffe 502A, die zumindest eines von Siliziumoxid (SiO2) und Aluminiumoxid (Al2O3) enthalten, können die Durchschlagsfestigkeit des ersten Abschnitts 50A erhöhen.
  • Die 9 bis 16 zeigen Variationen und andere Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. In diesen Figuren sind Elemente, die denen der vorstehenden Ausführungsform gleich oder ähnlich sind, mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
  • Erste Variation der ersten Ausführungsform:
  • 9 zeigt eine erste Variation des Halbleiterbauteils A1. In einem Halbleiterbauteil A11 der vorliegenden Variation weist der erste Abschnitt 50A einen ungleichmäßigen bzw. unebenen Abschnitt 503A („irregular portion“) auf.
  • Der ungleichmäßige Abschnitt 503A ist an einer Oberfläche des ersten Abschnitts 50A vorgesehen und weist Aussparungen und Vorsprünge auf. Der ungleichmäßige Abschnitt 503A des vorliegenden Beispiels wird ausgebildet, indem beispielsweise ein Bereich mit Aussparungen und Vorsprüngen in einem vorbestimmten Abschnitt einer Form („mold“) zum Formen des ersten Abschnitts 50A vorgesehen wird. Wenn der ungleichmäßige Abschnitt 503A durch Vorsehen einer Form mit einem Bereich mit Aussparungen und Vorsprüngen geformt bzw. gebildet wird, kann der ungleichmäßige Abschnitt 503A nur an jeder Seite des ersten Abschnitts 50A in der Dickenrichtung z angeordnet werden. Auf diese Weise kann die Form nach dem Formen des ersten Abschnitts 50A reibungsloser entfernt werden.
  • Der zweite Abschnitt 50B ist mit dem ungleichmäßigen Abschnitt 503A des ersten Abschnitts 50A in Kontakt. Mit anderen Worten, die Aussparungen des ungleichmäßigen Abschnitts 503A sind mit dem zweiten Abschnitt 50B gefüllt. Man kann auch sagen, dass der zweite Abschnitt 50B mit einem unregelmäßigen Abschnitt ausgebildet ist, der dem unregelmäßigen Abschnitt 503A entspricht.
  • Die vorliegende Variation kann es dem Halbleiterbauteil A11 in ähnlicher Weise ermöglichen, seine Funktionen in angemessenerer Weise auszuführen. Des Weiteren kann der ungleichmäßige Abschnitt 503A eine Trennung zwischen dem ersten Abschnitt 50A und dem zweiten Abschnitt 50B unterdrücken.
  • Zweite Variation der ersten Ausführungsform:
  • 10 zeigt eine zweite Variation des Halbleiterbauteils A1. Ein Halbleiterbauteil A12 gemäß der vorliegenden Variation unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A11 durch die spezifische Konfiguration des ungleichmäßigen Abschnitts 503A.
  • Der ungleichmäßige Abschnitt 503A der vorliegenden Variation wird ausgebildet, indem der vorbestimmte Abschnitt der Form zum Formen bzw. Bilden des ersten Abschnitts 50A einem Ungleichmäßigkeitsverfahren, wie z. B. einem Mattierungsverfahren („matte finish process“), unterzogen wird, das die Ausbildung von Aussparungen und Vorsprüngen ermöglicht, die wesentlich feiner sind als die Aussparungen und Vorsprünge in dem Halbleiterbauteil A11. Der ungleichmäßige Abschnitt 503A, der durch das Mattierungsverfahren ausgebildet wird, weist feine Aussparungen und Vorsprünge auf. Wenn die Aussparungen und Vorsprünge des ungleichmäßigen Abschnitts 503A ausreichend fein sind, kann der ungleichmäßige Abschnitt 503A über die Gesamtheit des ersten Abschnitts 50A gebildet werden.
  • In ähnlicher Weise kann die vorliegende Variation es dem Halbleiterbauteil A12 ebenfalls ermöglichen, seine Funktionen in angemessenerer Weise auszuführen. Des Weiteren ist der ungleichmäßige Abschnitt 503A, wie aus der vorliegenden Variation verstanden werden kann, nicht besonders auf eine spezifische Konfiguration eingeschränkt.
  • Zweite Ausführungsform:
  • Die 11 und 12 zeigen ein Halbleiterbauteil gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Ein Halbleiterbauteil A2 gemäß der vorliegenden Ausführungsform unterscheidet sich von dem in der vorstehenden Ausführungsform beschriebenen Halbleiterbauteil durch die Beziehung zwischen dem Isolierelement 13 und den leitfähigen Elementen 20.
  • In der vorliegenden Ausführungsform ist das Isolierelement 13 zusammen mit dem zweiten Halbleiterelement 12 auf dem zweiten Pad-Abschnitt 231 des zweiten Die-Pad 23 montiert. Das Isolierelement 13 ist in der ersten Richtung x mit dem zweiten Halbleiterelement 12 ausgerichtet. Die Fläche des zweiten Pad-Abschnitts 231 ist größer als die Fläche des ersten Pad-Abschnitts 221 des ersten Die-Pad 22.
  • Die vorliegende Ausführungsform kann es dem Halbleiterbauteil A2 ebenfalls ermöglichen, seine Funktionen in angemessenerer Weise auszuführen. Wie aus der vorliegenden Ausführungsform verstanden werden kann, ist die Anordnung usw. des ersten Halbleiterelements 11, des zweiten Halbleiterelements 12, des Isolierelements 13 und der leitfähigen Elemente 20 nicht besonders eingeschränkt.
  • Dritte Ausführungsform:
  • Die 13 und 14 zeigen ein Halbleiterbauteil gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Ein Halbleiterbauteil A3 gemäß der vorliegenden Ausführungsform unterscheidet sich von den in den vorstehenden Ausführungsformen beschriebenen Halbleiterbauteilen durch die Beziehung zwischen jedem von dem ersten Halbleiterelement 11, dem zweiten Halbleiterelement 12 und dem Isolierelement 13 und jedem der leitfähigen Elemente 20.
  • In der vorliegenden Ausführungsform weisen die leitfähigen Elemente 20 ein Die-Pad 21 auf. Das Die-Pad 21 weist einen Pad-Abschnitt 211 und zwei Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 212 auf. Das erste Halbleiterelement 11 und das zweite Halbleiterelement 12 sind auf dem Pad-Abschnitt 211 angeordnet. Der Pad-Abschnitt 211 weist eine Montageoberfläche 211A auf, die in die Dickenrichtung z weist. Der Pad-Abschnitt 211 ist mit dem Dichtungsharz 50 bedeckt. Der Pad-Abschnitt 211 weist beispielsweise eine Dicke von ca. 150 µm bis 200 µm auf.
  • Der Pad-Abschnitt 211 ist mit einer Mehrzahl von Durchgangslöchern 213 ausgebildet. Die Durchgangslöcher 213 durchdringen den Pad-Abschnitt 211 in der Dickenrichtung z und erstrecken sich in der zweiten Richtung y. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z ist zumindest eines der Durchgangslöcher 213 zwischen dem ersten Halbleiterelement 11 und dem nachstehend beschriebenen isolierenden Substrat 24 angeordnet. Die Durchgangslöcher 213 sind in bzw. entlang der zweiten Richtung y ausgerichtet.
  • Die zwei Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 212 sind mit den jeweiligen Seiten des Pad-Abschnitts 211 in der zweiten Richtung y verbunden. Jeder der zwei Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 212 weist einen bedeckten Abschnitt 212A und einen freiliegenden Abschnitt 212B auf. Der bedeckte Abschnitt 212A ist mit dem Pad-Abschnitt 211 verbunden und mit dem Dichtungsharz 50 bedeckt. Der bedeckte Abschnitt 212A weist einen sich in der ersten Richtung x erstreckenden Abschnitt auf. Der freiliegende Abschnitt 212B ist mit dem bedeckten Abschnitt 212A verbunden und gegenüber einer des Paars erster Seitenoberflächen 53 des Dichtungsharzes 50 freigelegt, gegenüber der die freiliegenden Abschnitte 312 der ersten Terminals 31 freigelegt sind. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z erstreckt sich der freiliegende Abschnitt 212B in der ersten Richtung x. Bei einer Betrachtung in der zweiten Richtung y ist der freiliegende Abschnitt 212B in eine Knickflügelform gebogen. Die Oberfläche des freiliegenden Abschnitts 212B kann beispielsweise mit Zinn plattiert sein.
  • Zumindest einer der ersten Drähte 41 ist an eine der ersten Elektroden 111 des ersten Halbleiterelements 11 und an einen der bedeckten Abschnitte 212A der zwei Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 212 gebondet. Somit bildet zumindest einer der beiden Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 212 einen Erdungsanschluss aus, der elektrisch mit dem ersten Halbleiterelement 11 verbunden ist.
  • Zumindest einer der zweiten Drähte 42 ist an eine der zweiten Elektroden 121 des zweiten Halbleiterelements 12 und an einen der bedeckten Abschnitte 321 der zwei zweiten äußeren Terminals 32B (zweite Terminals 32) gebondet. Somit bildet zumindest einer der zwei zweiten äußeren Terminals 32B einen Erdungsanschluss aus, der elektrisch mit dem zweiten Halbleiterelement 12 verbunden ist.
  • In der vorliegenden Ausführungsform werden das erste Halbleiterelement 11, das zweite Halbleiterelement 12 und das Isolierelement 13 von dem Die-Pad 21 getragen. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z überlappen das erste Halbleiterelement 11, das zweite Halbleiterelement 12 und das Isolierelement 13 mit dem Die-Pad 21.
  • In der vorliegenden Ausführungsform ist das erste Halbleiterelement 11 über ein nicht dargestelltes leitfähiges Element (z. B. Lot oder Metallpaste) an die Montageoberfläche 211A gebondet. Das zweite Halbleiterelement 12 und das Isolierelement 13 werden über das isolierende Substrat 24 von dem Die-Pad 21 getragen.
  • Das isolierende Substrat 24 ist an das Die-Pad 21 gebondet. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z ist das isolierende Substrat 24 einwärts von der Peripherie des Die-Pad 21 angeordnet. In der vorliegenden Ausführungsform ist das isolierende Substrat 24 an die Montageoberfläche 211A des Pad-Abschnitts 211 des Die-Pad 21 gebondet. Das isolierende Substrat 24 ist aus einem isolierenden Material hergestellt, das z. B. Aluminiumoxid (Al2O3) enthält. Das isolierende Substrat 24 weist bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z eine rechteckige Form auf.
  • Das isolierende Substrat 24 ist beispielsweise durch eine Bondschicht (nicht dargestellt) an die Montageoberfläche 211A des Pad-Abschnitts 211 gebondet. Die Bondschicht kann ein Epoxidharz enthalten.
  • Das zweite Halbleiterelement 12 ist beispielsweise durch eine Bondschicht (nicht dargestellt) an das isolierende Substrat 24 gebondet. Die Bondschicht kann ein Epoxidharz enthalten.
  • Das Isolierelement 13 ist beispielsweise durch eine Bondschicht (nicht dargestellt) an das isolierende Substrat 24 gebondet. Die Bondschicht kann ein Epoxidharz enthalten.
  • Die vorliegende Ausführungsform kann es dem Halbleiterbauteil A3 ebenfalls ermöglichen, seine Funktionen in angemessenerer Weise auszuführen. Wie aus der vorliegenden Ausführungsform verstanden werden kann, ist das Halbleiterbauteil der vorliegenden Offenbarung nicht auf die Konfiguration eingeschränkt, in der das erste Halbleiterelement 11 und das zweite Halbleiterelement 12 von zwei Pad-Abschnitten getragen werden, die voneinander beabstandet sind. In der vorliegenden Ausführungsform werden das zweite Halbleiterelement 12 und das Isolierelement 13 über das isolierende Substrat 24 von dem Pad-Abschnitt 211 getragen. Dies ermöglicht es, das erste Halbleiterelement 11 und das zweite Halbleiterelement 12 in angemessener Weise gegeneinander zu isolieren.
  • Vierte Ausführungsform:
  • Die 15 und 16 zeigen ein Halbleiterbauteil gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Ein Halbleiterbauteil A4 gemäß der vorliegenden Ausführungsform unterscheidet sich von den in den vorstehenden Ausführungsformen beschriebenen Halbleiterbauteilen durch die Beziehung zwischen jedem von dem ersten Halbleiterelement 11, dem zweiten Halbleiterelement 12 und dem Isolierelement 13 und jedem der leitfähigen Elemente 20.
  • Wie bei dem vorstehend beschriebenen Halbleiterbauteil A3 weisen die leitfähigen Elemente 20 ein Die-Pad 21 auf. Das Die-Pad 21 weist einen Pad-Abschnitt 211 und zwei Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 212 auf. Das zweite Halbleiterelement 12 ist über ein nicht dargestelltes leitfähiges Element (z.B. Lot oder Metallpaste) an die Montageoberfläche 211A des Pad-Abschnitts 211 gebondet. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z ist zumindest eines der Durchgangslöcher 213 zwischen dem isolierenden Substrat 24 und dem zweiten Halbleiterelement 12 angeordnet.
  • Die freiliegenden Abschnitte 212B der zwei Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 212 sind gegenüber einer des Paars erster Seitenoberflächen 53 des Dichtungsharzes 50 freigelegt, gegenüber der auch die freiliegenden Abschnitte 322 der zweiten Terminals 32 freigelegt sind.
  • Zumindest einer der ersten Drähte 41 ist an eine der ersten Elektroden 111 des ersten Halbleiterelements 11 und an einen der bedeckten Abschnitte 311 der beiden ersten äußeren Terminals 31B (erste Terminals 31) gebondet. Somit bildet zumindest einer der zwei ersten äußeren Terminals 31B einen Erdungsanschluss, der elektrisch mit dem ersten Halbleiterelement 11 verbunden ist.
  • Das erste Halbleiterelement 11 ist an das isolierende Substrat 24 gebondet. Wie das zweite Halbleiterelement 12 des Halbleiterbauteils A3 ist auch das erste Halbleiterelement 11 durch eine Bondschicht (nicht dargestellt) an das isolierende Substrat 24 gebondet. Somit ist in dem Halbleiterbauteil A4 das isolierende Substrat 24 zwischen dem Die-Pad 21 und dem ersten Halbleiterelement 11 und dem Isolierelement 13 angeordnet, und das erste Halbleiterelement 11 und das Isolierelement 13 sind an das isolierende Substrat 24 gebondet. Des Weiteren sind bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z die dritten Drähte 43 einwärts von einer Peripherie 241 des isolierenden Substrats 24 angeordnet.
  • Zumindest einer der zweiten Drähte 42 ist an eine der zweiten Elektroden 121 des zweiten Halbleiterelements 12 und an einen der bedeckten Abschnitte 212A der zwei Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 212 gebondet. Somit bildet zumindest einer der zwei Aufhängungs-Anschluss-Abschnitte 212 einen Erdungsanschluss aus, der elektrisch mit dem zweiten Halbleiterelement 12 verbunden ist.
  • Die vorliegende Ausführungsform kann es dem Halbleiterbauteil A4 ebenfalls ermöglichen, seine Funktionen in angemessenerer Weise auszuführen. In der vorliegenden Ausführungsform werden das erste Halbleiterelement 11 und das Isolierelement 13 über das isolierende Substrat 24 von dem Pad-Abschnitt 211 getragen. Dies ermöglicht es, das erste Halbleiterelement 11 und das zweite Halbleiterelement 12 in angemessener Weise gegeneinander zu isolieren.
  • Das Halbleiterbauteil gemäß der vorliegenden Offenbarung ist nicht auf die vorstehend genannten Ausführungsformen eingeschränkt. Verschiedene Designänderungen können an den spezifischen Konfigurationen der Elemente des Halbleiterbauteils gemäß der vorliegenden Offenbarung vorgenommen werden. Die vorliegende Offenbarung weist die in den nachfolgenden Klauseln beschriebenen Ausführungsformen auf.
    • Klausel 1. Halbleiterbauteil, aufweisend:
      • ein erstes Halbleiterelement;
      • ein zweites Halbleiterelement;
      • ein Isolierelement, das elektrisch mit dem ersten Halbleiterelement und dem zweiten Halbleiterelement verbunden ist und das erste Halbleiterelement und das zweite Halbleiterelement gegeneinander bzw. voneinander isoliert; und
      • ein Dichtungsharz, das das erste Halbleiterelement, das zweite Halbleiterelement und das Isolierelement bedeckt,
      • wobei das Dichtungsharz einen ersten Abschnitt, der das erste Halbleiterelement, das zweite Halbleiterelement und das Isolierelement bedeckt, und einen zweiten Abschnitt, der eine äußerste Oberfläche des Dichtungsharzes bildet, aufweist, und
      • der zweite Abschnitt weniger anfällig für ein Tracking-Phänomen ist als der erste Abschnitt.
    • Klausel 2. Halbleiterbauteil nach Klausel 1, wobei der erste Abschnitt einen ersten Harzabschnitt und eine Mehrzahl von ersten Füllstoffen aufweist, der zweite Abschnitt einen zweiten Harzabschnitt und eine Mehrzahl von zweiten Füllstoffen aufweist, und ein Gehaltsanteil der zweiten Füllstoffe in dem zweiten Abschnitt höher ist als ein Gehaltsanteil der ersten Füllstoffe in dem ersten Abschnitt.
    • Klausel 3. Halbleiterbauteil nach Klausel 2, wobei die zweiten Füllstoffe zumindest eines von Siliziumoxid (SiO2) und Aluminiumoxid (Al2O3) enthalten.
    • Klausel 4. Halbleiterbauteil nach Klausel 2 oder 3, wobei die ersten Füllstoffe zumindest eines von Siliziumoxid (SiO2) und Aluminiumoxid (Al2O3) enthalten.
    • Klausel 5. Halbleiterbauteil nach Klausel 4, wobei die ersten Füllstoffe und die zweiten Füllstoffe Siliziumoxid (SiO2) enthalten.
    • Klausel 6. Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 1 bis 5, wobei der zweite Abschnitt ein niedrigviskoses (LV) Harz mit einem niedrigen Schmelzpunkt und einem niedrigen Molekulargewicht oder ein Dicyclopentadien-(DCPD-)Harz mit einer alicyclischen Struktur enthält.
    • Klausel 7. Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 1 bis 6, wobei der erste Abschnitt einen ungleichmäßigen Abschnitt aufweist, und der zweite Abschnitt in Kontakt mit dem ungleichmäßigen Abschnitt ist.
    • Klausel 8. Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 1 bis 7, des Weiteren aufweisend ein leitfähiges Element, das elektrisch mit dem ersten Halbleiterelement und dem zweiten Halbleiterelement verbunden ist, wobei das leitfähige Element ein erstes Die-Pad und ein zweites Die-Pad aufweist, die voneinander beabstandet sind, das erste Die-Pad und das zweite Die-Pad über den ersten Abschnitt gegeneinander isoliert sind, das erste Halbleiterelement von dem ersten Die-Pad getragen wird, und das zweite Halbleiterelement von dem zweiten Die-Pad getragen wird.
    • Klausel 9. Halbleiterbauteil nach Klausel 8, wobei das Isolierelement von dem ersten Die-Pad getragen wird.
    • Klausel 10. Halbleiterbauteil nach Klausel 8, bei dem das Isolierelement von dem zweiten Die-Pad getragen wird.
    • Klausel 11. Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 1 bis 7, des Weiteren aufweisend ein leitfähiges Element, das elektrisch mit dem ersten Halbleiterelement und dem zweiten Halbleiterelement verbunden ist, wobei das leitfähige Element ein Die-Pad aufweist, und das erste Halbleiterelement, das zweite Halbleiterelement und das Isolierelement von dem Die-Pad getragen werden.
    • Klausel 12. Halbleiterbauteil nach Klausel 11, wobei das zweite Halbleiterelement und das Isolierelement über ein isolierendes Substrat von dem Die-Pad getragen werden.
    • Klausel 13. Halbleiterbauteil nach Klausel 11, wobei das erste Halbleiterelement und das Isolierelement über ein isolierendes Substrat von dem Die-Pad getragen werden.
    • Klausel 14. Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 8 bis 13, aufweisend:
      • einen ersten Draht, der mit dem ersten Halbleiterelement und dem leitfähigen Element verbunden ist; und
      • einen zweiten Draht, der mit dem zweiten Halbleiterelement und dem leitfähigen Element verbunden ist,
      • wobei der erste Draht und der zweite Draht mit dem ersten Abschnitt bedeckt sind.
    • Klausel 15. Halbleiterbauteil nach Klausel 14, aufweisend:
      • einen dritten Draht, der mit dem ersten Halbleiterelement und dem Isolierelement verbunden ist; und
      • einen vierten Draht, der mit dem zweiten Halbleiterelement und dem Isolierelement verbunden ist,
      • wobei der dritte.
    • Klausel 16. Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 1 bis 15, wobei das Isolierelement in einer ersten Richtung zwischen dem ersten Halbleiterelement und dem zweiten Halbleiterelement angeordnet ist.
    • Klausel 17. Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 1 bis 16, wobei das Isolierelement entweder von einem induktiven Typ oder einem kapazitiven Typ ist.
  • BEZUGSZEICHEN
    • A1, A11, A12, A2, A3, A4
    Halbleiterbauteil
    11
    Erstes Halbleiterelement
    12
    Zweites Halbleiterelement
    13
    Isolierelement
    20
    leitfähiges Element
    21
    Die-Pad
    22
    Erstes Die-Pad
    23
    Zweites Die-Pad
    24
    Isolierendes Substrat
    31
    Erstes Terminal
    31A
    Erstes inneres Terminal
    31B
    Erstes äußeres Terminal
    32
    Zweites Terminal
    32A
    Zweites inneres Terminal
    32B
    Zweites äußeres Terminal
    41
    Erster Draht
    42
    Zweiter Draht
    43
    Dritter Draht
    44
    Vierter Draht
    50
    Dichtungsharz
    50A
    Erster Abschnitt
    50B
    Zweiter Abschnitt
    51
    Obere Oberfläche
    52
    Untere Oberfläche
    53
    Erste Seitenoberfläche
    54
    Zweite Seitenoberfläche
    111
    Erste Elektrode
    121
    Zweite Elektrode
    131
    Erste Relais-Elektrode
    132
    Zweite Relais-Elektrode
    211
    Pad-Abschnitt
    211A
    Montageoberfläche
    212
    Aufhängungs-Anschluss-Abschnitt („suspending lead portion“)
    212A
    Bedeckter Abschnitt
    212B
    Freiliegender Abschnitt
    213
    Durchgangsloch
    221
    Erster Pad-Abschnitt
    221A
    Erste Montageoberfläche
    222
    Erster Aufhängungs-Anschluss- Abschnitt
    222A
    Bedeckter Abschnitt
    222B
    Freiliegender Abschnitt
    223
    Durchgangsloch
    231
    Zweiter Pad-Abschnitt
    231A
    Zweite Montageoberfläche
    232
    Zweiter Aufhängungs-Anschluss-Abschnitt
    232A
    Bedeckter Abschnitt
    232B
    Freiliegender Abschnitt
    241
    Peripherie
    311
    Bedeckter Abschnitt
    312
    Freiliegender Abschnitt
    321
    Bedeckter Abschnitt
    322
    Freiliegender Abschnitt
    501A
    Erster Harzabschnitt
    501B
    Zweiter Harzabschnitt
    502A
    Erster Füllstoff („filler“)
    502B
    Zweiter Füllstoff
    503A
    Ungleichmäßiger bzw. unebener Abschnitt („irregular portion“)
    531
    Erster oberer Abschnitt
    532
    Erster unterer Abschnitt
    533
    Erster Zwischenabschnitt
    541
    Zweiter oberer Abschnitt
    542
    Zweiter unterer Abschnitt
    543
    Zweiter Zwischenabschnitt
    t0, t1, t2
    Dicke
    x
    Erste Richtung
    y
    Zweite Richtung
    z
    Dickenrichtung
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2020167428 A [0003]

Claims (17)

  1. Halbleiterbauteil, aufweisend: ein erstes Halbleiterelement; ein zweites Halbleiterelement; ein Isolierelement, das elektrisch mit dem ersten Halbleiterelement und dem zweiten Halbleiterelement verbunden ist und das erste Halbleiterelement und das zweite Halbleiterelement gegeneinander isoliert; und ein Dichtungsharz, das das erste Halbleiterelement, das zweite Halbleiterelement und das Isolierelement bedeckt, wobei das Dichtungsharz einen ersten Abschnitt, der das erste Halbleiterelement, das zweite Halbleiterelement und das Isolierelement bedeckt, und einen zweiten Abschnitt, der eine äußerste Oberfläche des Dichtungsharzes bildet, aufweist, und der zweite Abschnitt weniger anfällig für ein Tracking-Phänomen ist als der erste Abschnitt.
  2. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, wobei der erste Abschnitt einen ersten Harzabschnitt und eine Mehrzahl von ersten Füllstoffen aufweist, der zweite Abschnitt einen zweiten Harzabschnitt und eine Mehrzahl von zweiten Füllstoffen aufweist, und ein Gehaltsanteil der zweiten Füllstoffe in dem zweiten Abschnitt höher ist als ein Gehaltsanteil der ersten Füllstoffe in dem ersten Abschnitt.
  3. Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, wobei die zweiten Füllstoffe zumindest eines von Siliziumoxid (SiO2) und Aluminiumoxid (Al2O3) enthalten.
  4. Halbleiterbauteil nach Anspruch 2 oder 3, wobei die ersten Füllstoffe zumindest eines von Siliziumoxid (SiO2) und Aluminiumoxid (Al2O3) enthalten.
  5. Halbleiterbauteil nach Anspruch 4, wobei die ersten Füllstoffe und die zweiten Füllstoffe Siliziumoxid (SiO2) enthalten.
  6. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der zweite Abschnitt ein niedrigviskoses (LV) Harz mit einem niedrigen Schmelzpunkt und einem niedrigen Molekulargewicht oder ein Dicyclopentadien-(DCPD-)Harz mit einer alicyclischen Struktur enthält.
  7. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der erste Abschnitt einen ungleichmäßigen Abschnitt aufweist, und der zweite Abschnitt in Kontakt mit dem ungleichmäßigen Abschnitt ist.
  8. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 7, des Weiteren aufweisend ein leitfähiges Element, das elektrisch mit dem ersten Halbleiterelement und dem zweiten Halbleiterelement verbunden ist, wobei das leitfähige Element ein erstes Die-Pad und ein zweites Die-Pad aufweist, die voneinander beabstandet sind, das erste Die-Pad und das zweite Die-Pad über den ersten Abschnitt gegeneinander isoliert sind, das erste Halbleiterelement von dem ersten Die-Pad getragen wird, und das zweite Halbleiterelement von dem zweiten Die-Pad getragen wird.
  9. Halbleiterbauteil nach Anspruch 8, wobei das Isolierelement von dem ersten Die-Pad getragen wird.
  10. Halbleiterbauteil nach Anspruch 8, bei dem das Isolierelement von dem zweiten Die-Pad getragen wird.
  11. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 7, des Weiteren aufweisend ein leitfähiges Element, das elektrisch mit dem ersten Halbleiterelement und dem zweiten Halbleiterelement verbunden ist, wobei das leitfähige Element ein Die-Pad aufweist, und das erste Halbleiterelement, das zweite Halbleiterelement und das Isolierelement von dem Die-Pad getragen werden.
  12. Halbleiterbauteil nach Anspruch 11, wobei das zweite Halbleiterelement und das Isolierelement über ein isolierendes Substrat von dem Die-Pad getragen werden.
  13. Halbleiterbauteil nach Anspruch 11, wobei das erste Halbleiterelement und das Isolierelement über ein isolierendes Substrat von dem Die-Pad getragen werden.
  14. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 8 bis 13, aufweisend: einen ersten Draht, der mit dem ersten Halbleiterelement und dem leitfähigen Element verbunden ist; und einen zweiten Draht, der mit dem zweiten Halbleiterelement und dem leitfähigen Element verbunden ist, wobei der erste Draht und der zweite Draht mit dem ersten Abschnitt bedeckt sind.
  15. Halbleiterbauteil nach Anspruch 14, aufweisend: einen dritten Draht, der mit dem ersten Halbleiterelement und dem Isolierelement verbunden ist; und einen vierten Draht, der mit dem zweiten Halbleiterelement und dem Isolierelement verbunden ist, wobei der dritte Draht und der vierte Draht mit dem ersten Abschnitt bedeckt sind.
  16. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei das Isolierelement in einer ersten Richtung zwischen dem ersten Halbleiterelement und dem zweiten Halbleiterelement angeordnet ist.
  17. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 16, wobei das Isolierelement entweder von einem induktiven Typ oder einem kapazitiven Typ ist.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020167428A (ja) 2020-06-12 2020-10-08 ローム株式会社 半導体装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5366172A (en) * 1976-11-26 1978-06-13 Hitachi Ltd Resin mold element
JP2561329B2 (ja) * 1988-10-13 1996-12-04 日本電気株式会社 光結合型半導体装置
JPH03151674A (ja) * 1989-11-08 1991-06-27 Sharp Corp 半導体装置
JP2704342B2 (ja) * 1992-04-03 1998-01-26 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP5714455B2 (ja) * 2011-08-31 2015-05-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020167428A (ja) 2020-06-12 2020-10-08 ローム株式会社 半導体装置

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