JP7398904B2 - 電界発光素子およびこれを含む表示装置 - Google Patents
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Description
前記発光層の総量100重量%に対し、前記第1正孔輸送材料は2重量%以上50重量%未満含まれ得る。
原子間力顕微鏡(Atomic-force microscopy,AFM)により測定される前記発光層表面の二乗平均粗さは0.5~2.0であり得る。
前記量子ドット表面には疏水性リガンドが結合されていてもよい。
前記量子ドットは、Cdを含まないII族-VI族化合物、III族-V族化合物、IV族-VI族化合物、IV族元素または化合物、I族-III族-VI族化合物、Cdを含まないI族-II族-IV族-VI族化合物、またはこれらの組み合わせを含み得る。
前記量子ドットは、コア-シェル構造を有し得る。
前記第2正孔輸送材料と前記第1正孔輸送材料は、互いに異なる材料であり得る。
前記第2正孔輸送材料は、ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)またはその誘導体、ポリ(スチレンスルホナート)またはその誘導体、ポリ-N-ビニルカルバゾールまたはその誘導体、ポリフェニレンビニレンまたはその誘導体、ポリパラフェニレンビニレンまたはその誘導体、ポリメタクリレートまたはその誘導体、ポリアリールアミンまたはその誘導体、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリ(9,9-オクチルフルオレン)またはその誘導体、ポリ(スピロ-ビフルオレン)またはその誘導体、ポリ-(N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス(3-メチルフェニル)-(1,1’-ビフェニル)-4,4’-ジアミン)、ポリ[(9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル)-コ-(4.4’-(N-4-ブチルフェニル)-ジフェニルアミン)]、ポリ[(9,9-ジオクチルフルオレン)-コ-N,N-ジフェニル-N,N-ジ-(p-ブチルフェニル)-1,4-ジアミノベンゼン)]、NiO、MoO3、またはこれらの組み合わせを含み得る。
前記電子輸送層は、無機物ナノ粒子、キノロン系化合物、トリアジン系化合物、キノリン系化合物、トリアゾール系化合物、ナフタレン系化合物、またはこれらの組み合わせを含み得る。
前記電子輸送層は、無機物ナノ粒子からなる集合層を含み得る。
前記電子輸送層は、20nm~100nmの厚さを有し得る。
前記電界発光素子は、前記第1電極と前記正孔輸送層との間に配置される正孔注入層をさらに含み得る。
ここで、「II族」は、IIA族およびIIB族を含み、II族金属の例は、Cd、Zn、Hg、およびMgを含むが、これに限定されない。
「III族」は、IIIA族およびIIIB族を含み、III族金属の例は、Al、In、Ga、およびTlを含むが、これに限定されない。
「IV族」は、IVA族およびIVB族を含み、IV族金属の例は、Si、Ge、Snを含むが、これに限定されない。本明細書で、「金属」という用語はSiのような半金属も含む。
「I族」は、IA族およびIB族を含み、Li、Na、K、Rb、Csを含むが、これに限定されない。
「V族」は、VA族を含み、窒素、リン、ヒ素、アンチモン、およびビスマスを含むが、これに限定されない。
「VI族」は、VIA族を含み、硫黄、セレニウム、テルリウムを含むが、これに限定されない。
上記I族-III-VI族化合物の例は、CuInSe2、CuInS2、CuInGaSe、CuInGaSを含むが、これに限定されない。上記I-II-IV-VI族化合物の例は、CuZnSnSe、CuZnSnSを含むが、これに限定されない。上記IV族化合物は、Si、Ge、およびこれらの混合物からなる群より選ばれる単元素;並びにSiC、SiGe、およびこれらの混合物からなる群より選ばれる二元素化合物からなる群より選ばれ得る。
R1~R8は、それぞれ独立して、置換または非置換されたC4~C20アルキル基、置換または非置換されたC3~C20シクロアルキル基、置換または非置換されたC6~C20アリール基、置換または非置換されたC3~C20ヘテロアリール基、置換または非置換されたC1~C20アルキルアミン基、置換または非置換されたC4~C20アリールアミン基、および置換または非置換されたカルバゾリル基の中から選ばれるが、R1~R8のうちの少なくとも一つは置換または非置換されたC4~C20アルキル基であり、
R3~R8が置換または非置換されたC3~C20シクロアルキル基、置換または非置換されたC6~C20アリール基、または置換または非置換されたC3~C20ヘテロアリール基である場合、隣接する芳香族環と融合してC8~C40の融合環を形成することができ、
X1とX2は、それぞれ独立してNまたはC(-Ra)の中から選ばれ、X3とX4は、それぞれ独立して、S、N-Rb、C(-Rc)(-Rd)の中から選ばれ(ここでRa、Rb、Rc、Rdは、それぞれ独立して置換または非置換されたC1~C20アルキル基、置換または非置換されたC3~C20シクロアルキル基、置換または非置換されたC6~C20アリール基、置換または非置換されたC3~C20ヘテロアリール基の中から選ばれる)、
L1、L2は、それぞれ独立して単結合、および置換または非置換されたメチレン基またはC2~C4アルケニレン基の中から選ばれ、
i、j、k、l、およびmは、それぞれ独立して0または1である。i、j、k、l、またはmが0であるとき、示される部分に対応するモイエティは存在しないことを意味する。
X3、X4、L1、L2、j、k、l、およびmは、それぞれ化学式(1)で定義されたものと同一であり、
R1~R8は、それぞれ独立して、置換または非置換されたC4~C20アルキル基、置換または非置換されたC3~C20シクロアルキル基、置換または非置換されたC6~C20アリール基、置換または非置換されたC3~C20ヘテロアリール基、置換または非置換されたC1~C20アルキルアミン基、置換または非置換されたC4~C20アリールアミン基、および置換または非置換されたカルバゾリル基の中から選ばれるが、R1~R6のうちの少なくとも一つは置換または非置換されたC4~C20アルキル基であり、
R3~R6が置換または非置換されたC3~C20シクロアルキル基、置換または非置換されたC6~C20アリール基、または置換または非置換されたC3~C20ヘテロアリール基のうちのいずれか一つである場合、隣接する芳香族環と融合してC8~C40の融合環を形成することができる。
X3、X4は、それぞれ化学式(1)に定義されたものと同一であり、
R11、R12、R13、R14、R15、R16、R21、R22、R23、R24、R25、R26は、それぞれ独立して、置換または非置換されたC4~C20アルキル基、置換または非置換されたC3~C20シクロアルキル基、置換または非置換されたC6~C20アリール基、置換または非置換されたC3~C20ヘテロアリール基の中から選ばれるが、R11~R14のうちの少なくとも一つとR21~R26のうちの少なくとも一つは置換または非置換されたC4~C20アルキル基であり、
R27、R28は、それぞれ置換または非置換されたC1~C20アルキルアミン基、置換または非置換されたC4~C20アリールアミン基、および置換または非置換されたカルバゾリル基の中から選ばれ、
R13、R14、R15、R16、R23、R24、R25、R26が置換または非置換されたC3~C20シクロアルキル基、置換または非置換されたC6~C20アリール基、または置換または非置換されたC3~C20ヘテロアリール基のうちのいずれか一つである場合、隣接する芳香族環と融合してC8~C40の融合環を形成し得る。
化学式(3)において、
X3、X4、L1、L2、j、k、l、およびmは、それぞれ化学式(1)で定義されたものと同一であり、
R33、R34、R35、R36、R37、およびR38は、それぞれ独立して、置換または非置換されたC4~C20アルキル基、置換または非置換されたC3~C20シクロアルキル基、置換または非置換されたC6~C20アリール基、置換または非置換されたC3~C20ヘテロアリール基、置換または非置換されたC1~C20アルキルアミン基、置換または非置換されたC4~C20アリールアミン基、および置換または非置換されたカルバゾリル基の中から選ばれるが、R33~R38のうちの少なくとも一つは置換または非置換されたC4~C20アルキル基である。
R33、R34、R35、R36、R37、R38が置換または非置換されたC3~C20シクロアルキル基、置換または非置換されたC6~C20アリール基、または置換または非置換されたC3~C20ヘテロアリール基のうちのいずれか一つである場合、隣接する芳香族環と融合してC8~C40の融合環を形成することができる。
表面に疏水性リガンドとしてオレイン酸(oleic acid)が付着されている赤色量子ドット(InP、平均粒径:9nm)5×10-5mmolと、化学式(D)で表される化合物(DOFL-TPD)2.66mmolとをオクタン(octane)10mLに入れて5分間攪拌して発光層形成用組成物を製造する。
量子ドットと化学式(D)で表される化合物の総重量を基準に、化学式(D)で表される化合物は5重量%含まれている。
<製造例2>
量子ドットと化学式(D)で表される化合物の総重量を基準に、化学式(D)で表される化合物が10重量%含まれるように、化学式(D)で表される化合物の投入量を調節することを除いては製造例1と同様の方法により発光層形成用組成物を製造する。
<製造例3>
量子ドットと化学式(D)で表される化合物の総重量を基準に、化学式(D)で表される化合物が15重量%含まれるように、化学式(D)で表される化合物の投入量を調節することを除いては製造例1と同様の方法により発光層形成用組成物を製造する。
<製造例4>
量子ドットと化学式(D)で表される化合物の総重量を基準に、化学式(D)で表される化合物が20重量%含まれるように、化学式(D)で表される化合物の投入量を調節することを除いては製造例1と同様の方法により発光層形成用組成物を製造する。
表面に疏水性リガンドとしてオレイン酸が付着されている青色量子ドット(ZnSeTe、平均粒径:13nm)3.33×10-5mmolと、化学式(D)で表される化合物(DOFL-TPD)2.66mmolとをオクタン(octane)10mLに入れて5分間攪拌して発光層形成用組成物を製造する。
量子ドットと化学式(D)で表される化合物の総重量を基準に、化学式(D)で表される化合物は15重量%含まれている。
化学式(D)で表される化合物(DOFL-TPD)の代わりに化学式(B)で表される化合物(DOFL-NPB)を3.64mmolを用いて、量子ドットと化学式(B)で表される化合物の総重量を基準に、化学式(B)で表される化合物が5重量%含まれるように調節することを除いては、製造例1と同様の方法により発光層形成用組成物を製造する。
<製造例7>
量子ドットと化学式(B)で表される化合物の総重量を基準に、化学式(B)で表される化合物が10重量%含まれるように、化学式(B)で表される化合物の投入量を調節することを除いては製造例6と同様の方法により発光層形成用組成物を製造する。
<製造例8>
量子ドットと化学式(B)で表される化合物の総重量を基準に、化学式(B)で表される化合物が15重量%含まれるように、化学式(B)で表される化合物の投入量を調節することを除いては製造例6と同様の方法により発光層形成用組成物を製造する。
<製造例9>
量子ドットと化学式(B)で表される化合物の総重量を基準に、化学式(B)で表される化合物が20重量%含まれるように、化学式(B)で表される化合物の投入量を調節することを除いては製造例6と同様の方法により発光層形成用組成物を製造する。
量子ドットと化学式(D)で表される化合物の総重量を基準に、化学式(D)で表される化合物が30重量%含まれるように、化学式(D)で表される化合物の投入量を調節することを除いては製造例1と同様の方法により発光層形成用組成物を製造する。
量子ドットと化学式(B)で表される化合物の総重量を基準に、化学式(B)で表される化合物が40重量%含まれるように、化学式(B)で表される化合物の投入量を調節することを除いては製造例6と同様の方法により発光層形成用組成物を製造する。
表面に疏水性リガンドとしてオレイン酸が付着されている赤色量子ドット(InP、平均粒径:9nm)5×10-5mmolをオクタン(Octane)10mLに入れて5分間攪拌して、発光層形成用組成物を製造する。
<比較製造例2>
表面に疏水性リガンドとしてオレイン酸が付着されている青色量子ドット(ZnSeTe、平均粒径:13nm)3.33×10-5mmolをオクタン(Octane)10mLに入れて5分間攪拌して発光層形成用組成物を製造する。
<比較製造例3>
量子ドットと化学式(B)で表される化合物の総重量を基準に、化学式(B)で表される化合物が50重量%含まれるように、化学式(B)で表される化合物の投入量を調節することを除いては製造例6と同様の方法により発光層形成用組成物を製造する。
<比較製造例4>
量子ドットと化学式(D)で表される化合物の総重量を基準に、化学式(D)で表される化合物が50重量%含まれるように、化学式(D)で表される化合物の投入量を調節することを除いては製造例1と同様の方法により発光層形成用組成物を製造する。
製造例3、5および比較製造例1、2による発光層形成用組成物をガラス基板の上にスピンコートして、80℃で30分熱処理して平均厚さ約25nmの発光層薄膜を形成する。
製造例2~3、6~8、および比較製造例1による発光層形成用組成物を用いてHOD(Hole Only Device)素子を製作する。HODは、パターニングされたITO電極上に、PEDOTが水に溶解された正孔注入層形成溶液とTFBがトルエンに溶解された正孔輸送層形成溶液とをそれぞれスピンコートして正孔注入層と正孔輸送層とを順次に形成した後、上述した発光層形成用組成物を塗布および乾燥して発光層を形成し、形成された発光層上に発光層を通過した正孔を遮断(block)できる素材を蒸着し、最終的にAl電極を蒸着して形成する。製作されたHODは素子内で正孔輸送性のみを効果的に感知することができる。
製造例10~11および比較製造例3~4による発光層形成用組成物をガラス基板の上に塗布および乾燥して発光層薄膜を形成した後、走査電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope)を用いてそれぞれの表面を測定した結果を、図6~図9に示す。
第1電極(アノード)のITOが蒸着されたガラス基板に、UV-オゾンで表面処理を15分間行った後、PEDOT:PSS溶液(H.C.Starks)をスピンコートしてAir雰囲気で150℃で10分間熱処理し、再びN2雰囲気で150℃で10分間熱処理して平均厚さ30nmの正孔注入層を形成する。
製造例1による発光層形成用組成物の代わりに製造例2による発光層形成用組成物を用いることを除いては実施例1と同様の方法により実施例2による電界発光素子を製造する。
<実施例3>
製造例1による発光層形成用組成物の代わりに製造例3による発光層形成用組成物を用いることを除いては実施例1と同様の方法により実施例3による電界発光素子を製造する。
<実施例4>
製造例1による発光層形成用組成物の代わりに製造例4による発光層形成用組成物を用いることを除いては実施例1と同様の方法により実施例4による電界発光素子を製造する。
<実施例5>
製造例1による発光層形成用組成物の代わりに製造例2による発光層形成用組成物を用いて、電子輸送層を60nmの平均厚さで形成することを除いては実施例1と同様の方法により実施例5による電界発光素子を製造する。
<実施例6>
製造例1による発光層形成用組成物の代わりに製造例3による発光層形成用組成物を用いて、電子輸送層を60nmの平均厚さで形成することを除いては実施例1と同様の方法により実施例6による電界発光素子を製造する。
<実施例7>
製造例1による発光層形成用組成物の代わりに製造例3による発光層形成用組成物を用いて、発光層を30nmの平均厚さで形成し、電子輸送層を60nmの平均厚さで形成することを除いては実施例1と同様の方法により実施例7による電界発光素子を製造する。
<実施例8>
製造例1による発光層形成用組成物の代わりに製造例3による発光層形成用組成物を用いて、発光層を30nmの平均厚さで形成することを除いては実施例1と同様の方法により実施例8による電界発光素子を製造する。
<実施例9>
製造例1による発光層形成用組成物の代わりに製造例6による発光層形成用組成物を用いることを除いては実施例1と同様の方法により実施例9による電界発光素子を製造する。
<実施例10>
製造例1による発光層形成用組成物の代わりに製造例7による発光層形成用組成物を用いることを除いては実施例1と同様の方法により実施例10による電界発光素子を製造する。
<実施例11>
製造例1による発光層形成用組成物の代わりに製造例8による発光層形成用組成物を用いることを除いては実施例1と同様の方法により実施例11による電界発光素子を製造する。
<実施例12>
製造例1による発光層形成用組成物の代わりに製造例9による発光層形成用組成物を用いることを除いては実施例1と同様の方法により実施例12による電界発光素子を製造する。
<実施例13>
製造例1による発光層形成用組成物の代わりに製造例7による発光層形成用組成物を用いて、電子輸送層を60nmの平均厚さで形成することを除いては実施例1と同様の方法により実施例13による電界発光素子を製造する。
<実施例14>
製造例1による発光層形成用組成物の代わりに製造例8による発光層形成用組成物を用いて、電子輸送層を60nmの平均厚さで形成することを除いては実施例1と同様の方法により実施例14による電界発光素子を製造する。
製造例1による発光層形成用組成物の代わりに比較製造例1による発光層形成用組成物を用いることを除いては実施例1と同様の方法により比較例1による電界発光素子を製造する。
<比較例2>
製造例1による発光層形成用組成物の代わりに比較製造例1による発光層形成用組成物を用いて、電子輸送層を60nmの平均厚さで形成することを除いては実施例1と同様の方法により比較例2による電界発光素子を製造する。
実施例1~4と比較例1による電界発光素子に対する電圧-電流密度の関係と、実施例9~12と比較例2による電界発光素子に対する電圧-電流密度の関係とを測定し、その結果を図10~図11にそれぞれ示す。
実施例2、6、11、13および比較例1、2による電界発光素子に対する諸般の素子特性を測定した結果を、表2に整理して示す。
実施例3、6、7、8および比較例1、2による電界発光素子に対する諸般の素子特性を測定した後、その結果を表4に整理して示す。
100 基板
110 第1電極
120 正孔注入層
130 正孔輸送層
140 発光層
141 量子ドット
150 電子輸送層
160 第2電極
Claims (14)
- 互いに対向する第1電極および第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に配置され、量子ドット、および置換または非置換されたC4~C20のアルキル基を備えた第1正孔輸送材料を含む発光層と、
前記発光層と前記第1電極との間に配置され、第2正孔輸送材料を含む正孔輸送層と、
前記発光層と前記第2電極との間に配置された電子輸送層と、を含み、
前記第1正孔輸送材料は、下記化学式(2-1)で表される化合物を含むか、または、下記化学式(B)もしくは化学式(D)で表される化合物の中から選ばれた一つ以上を含み、
前記化学式(2-1)において、
R 11 、R 12 、R 13 、R 14 、R 15 、R 16 は、それぞれ独立して、置換または非置換されたC4~C20アルキル基、置換または非置換されたC3~C20シクロアルキル基、置換または非置換されたC6~C20アリール基、置換または非置換されたC3~C20ヘテロアリール基の中から選ばれるが、R 11 ~R 14 のうちの少なくとも一つは、置換または非置換されたC4~C20アルキル基であり、
R 13 、R 14 、R 15 、R 16 が置換または非置換されたC3~C20シクロアルキル基、置換または非置換されたC6~C20アリール基、または置換または非置換されたC3~C20ヘテロアリール基のうちのいずれか一つである場合、隣接する芳香族環と融合してC8~C40の融合環を形成し、
前記量子ドットは、Cdを含まないII族-VI族化合物、III族-V族化合物、IV族-VI族化合物、IV族元素または化合物、I族-III族-VI族化合物、Cdを含まないI族-II族-IV族-VI族化合物、またはこれらの組み合わせを含むことを特徴とする電界発光素子。
- 前記置換または非置換されたC4~C20のアルキル基は、C8~C20のアルキル基であることを特徴とする請求項1に記載の電界発光素子。
- 前記第1正孔輸送材料は、非極性溶媒に対する溶解性を有することを特徴とする請求項1に記載の電界発光素子。
- 前記発光層の量子ドットと第1正孔輸送材料との総量100重量%に対し、前記第1正孔輸送材料は2重量%以上50重量%未満含まれることを特徴とする請求項1に記載の電界発光素子。
- 原子間力顕微鏡(Atomic-force microscopy,AFM)により測定される前記発光層表面の二乗平均粗さは0.5nm~2.0nmであることを特徴とする請求項1に記載の電界発光素子。
- 前記量子ドット表面には疏水性リガンドが結合されていることを特徴とする請求項1に記載の電界発光素子。
- 前記量子ドットは、コア-シェル構造を有することを特徴とする請求項1に記載の電界発光素子。
- 前記第2正孔輸送材料と前記第1正孔輸送材料は、互いに異なる材料であることを特徴とする請求項1に記載の電界発光素子。
- 前記第2正孔輸送材料は、ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)またはその誘導体、ポリ(スチレンスルホナート)またはその誘導体、ポリ-N-ビニルカルバゾールまたはその誘導体、ポリフェニレンビニレンまたはその誘導体、ポリパラフェニレンビニレンまたはその誘導体、ポリメタクリレートまたはその誘導体、ポリアリールアミンまたはその誘導体、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリ(9,9-オクチルフルオレン)またはその誘導体、ポリ(スピロ-ビフルオレン)またはその誘導体、ポリ-(N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス(3-メチルフェニル)-(1,1’-ビフェニル)-4,4’-ジアミン)、ポリ[(9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル)-コ-(4.4’-(N-4-ブチルフェニル)-ジフェニルアミン)]、ポリ[(9,9-ジオクチルフルオレン)-コ-N,N-ジフェニル-N,N-ジ-(p-ブチルフェニル)-1,4-ジアミノベンゼン)]、NiO、MoO3、またはこれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項8に記載の電界発光素子。
- 前記電子輸送層は、無機物ナノ粒子、キノロン系化合物、トリアジン系化合物、キノリン系化合物、トリアゾール系化合物、ナフタレン系化合物、またはこれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項1に記載の電界発光素子。
- 前記電子輸送層は、無機物ナノ粒子からなる集合層を含むことを特徴とする請求項10に記載の電界発光素子。
- 前記電子輸送層は、20nm~100nmの厚さを有することを特徴とする請求項1に記載の電界発光素子。
- 前記第1電極と前記正孔輸送層との間に配置される正孔注入層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の電界発光素子。
- 請求項1ないし13のいずれか一項に記載の電界発光素子を含むことを特徴とする表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
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Publications (3)
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011192524A (ja) | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子の製造方法 |
JP2015156367A (ja) | 2013-12-27 | 2015-08-27 | ザ・ボード・オブ・トラスティーズ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・イリノイ | ナノ構造材料積層体転移方法及びデバイス |
CN106997890A (zh) | 2016-01-26 | 2017-08-01 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种基于量子点电致发光器件的彩色显示器件 |
JP2017139220A (ja) | 2016-01-25 | 2017-08-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、表示装置、電子機器、及び照明装置 |
Family Cites Families (24)
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US20060083694A1 (en) * | 2004-08-07 | 2006-04-20 | Cabot Corporation | Multi-component particles comprising inorganic nanoparticles distributed in an organic matrix and processes for making and using same |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011192524A (ja) | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子の製造方法 |
JP2015156367A (ja) | 2013-12-27 | 2015-08-27 | ザ・ボード・オブ・トラスティーズ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・イリノイ | ナノ構造材料積層体転移方法及びデバイス |
JP2017139220A (ja) | 2016-01-25 | 2017-08-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、表示装置、電子機器、及び照明装置 |
CN106997890A (zh) | 2016-01-26 | 2017-08-01 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种基于量子点电致发光器件的彩色显示器件 |
Non-Patent Citations (1)
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Masanao Era, et al.,Electrophosphorescence from hole-transporting layer doped with cerium halide nano-particles,Journal of Luminescence,2013年,Vo. 141,p. 6-8 |
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