JP7394880B2 - 熱インジケータを備えた基板を含む電子部品 - Google Patents

熱インジケータを備えた基板を含む電子部品 Download PDF

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Description

本開示は全般的に半導体技術の分野に関する。より詳細には、本開示は、基板の累積熱暴露を監視するために、基板の外周に沿って配設されている熱インジケータを有する基板を含む電子部品に関する。
当該技術において知られている通り、パッケージ基板が、半導体パッケージの製造において重要な構成要素である。該パッケージ基板は、取り付けられているチップまたはダイのキャリアとしての機能を果たし、チップとシステムボードとの間に電気信号の接続をもたらす。さらに、パッケージ基板はまた、動作中、該チップへの放熱を実現する。
通常、パッケージ基板が、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ： ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ ｔｒｉａｚｉｎｅ）またはポリイミド樹脂などの強化ポリマーラミネート材を含み得る。パッケージ基板は平面ダイアタッチ面を含み得る。製造工程のダイアタッチステップの間、集積回路（ＩＣ）ダイが、接着層を使用して、ダイアタッチ面に接着結合される。パッケージ基板の前面に、金めっきフィンガーが設けられている。これらの金めっきフィンガーは、ダイと基板との間に電気信号接続をもたらすのに使用される。パッケージ基板の裏面に、銅めっきはんだボールパッドが設けられており、はんだボールとの良好な接続を形成する。確かな信号接続を確実にするために、前面のフィンガーおよび裏面のボールパッドは、パッケージング工程中に良好な状態にある必要がある。
ボールパッド上の銅がパッケージング工程中に酸化されないことを確実にするために、通常、有機性はんだ付け性防腐剤（ＯＳＰ： ｏｒｇａｎｉｃ ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）層がボールパッドの表面上に塗布され、それによりボールパッドの表面銅層の絶縁がもたらされる。ダイアタッチ（ＤＡ： ｄｉｅ ａｔｔａｃｈ）工程中、パッケージ基板は加熱される必要があり、ＩＣダイを結合するのに使用されるダイアタッチフィルム（ＤＡＦ： ｄｉｅ ａｔｔａｃｈ ｆｉｌｍ）は、多段加熱工程において硬化されて、ダイの基板への確かな結合およびダイ間の良好な接着を確実にする必要がある。図６は、基板６００上に互いに積み重ねられかつＤＡＦフィルム６１０と結合されている複数のダイ６０１を含む、例示的積層ダイパッケージ６を示す。しかし、該ＤＡＦフィルム６１０は、１５０℃－６時間または１７５℃－３時間などの限られた熱履歴を有する。限度または閾値を超過することが不十分な結合をもたらし、信頼性欠陥を生じさせる。
パッケージ基板は、ＤＡステップ、ワイヤボンディングステップ、および成形ステップにおいて加熱され、加熱がＯＳＰ層を蒸発させる可能性がある。（機械故障、材料異常、操作上の過失（ｏｐｅｒａｔｉｏｎａｌ ｎｅｇｌｉｇｅｎｃｅ）等の）異常な状況において、基板は経時的に過熱され、結果的に基板の変色、ＯＳＰの完全揮発、結合フィンガーの酸化変色、およびＤＡＦ過加硫をもたらし、それにより一連の確実性および品質の問題を引き起こす。現在、熱履歴制御は、様々なインジケータにより、様々な場所において、製造ライン統計的プロセス管理（ＳＰＣ： ｓｔａｔｉｓｔｉｃａｌ ｐｒｏｃｅｓｓ ｃｏｎｔｒｏｌ）システムに依存している。関連する多数の人的要因のせいで、直感的インジケータがなく、判断を誤り易い。
本開示の１つの目的が、ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）品質問題またはＯＳＰ蒸発を含み得る過剰な熱履歴を基板が経ているかどうかを製造ラインオペレータが直せつ判断することができるように、基板の累積熱暴露を監視するために、基板の外周に沿って配設されている熱インジケータを有する基板を含む、改善された電子部品を提供することである。
本開示の一態様によれば、電子部品は、基板の前面にダイアタッチ領域および外周領域を含む基板を含み、少なくとも１つの熱インジケータが、基板の累積熱暴露を監視するために、外周領域内に配設されている。
いくつかの実施形態によれば、基板にはパッケージ基板、配線板、またはプリント回路基板が含まれる。
いくつかの実施形態によれば、基板は強化ポリマーラミネートまたはポリイミド樹脂を含む。
いくつかの実施形態によれば、ダイアタッチ領域は配列状のサブ領域をさらに含む。
いくつかの実施形態によれば、集積回路（ＩＣ）ダイは、ダイアタッチフィルムを使用して、サブ領域の各々の中に接着結合される。
いくつかの実施形態によれば、金めっきフィンガーは、サブ領域の各々において、ＩＣダイの縁部に沿って設けられている。
いくつかの実施形態によれば、銅めっきはんだボールパッドが基板の裏面に設けられている。
いくつかの実施形態によれば、有機性はんだ付け性防腐剤（ＯＳＰ）層が銅めっきはんだボールパッドの各々の表面上に配設されている。
いくつかの実施形態によれば、ＯＳＰ層の状態の減退またはダイアタッチフィルムの劣化と相関する所定の熱履歴限度に達すると、熱インジケータが信号を送る。
いくつかの実施形態によれば、基板は、位置決め目的のために複数のピンホールをさらに含み、複数のピンホールは外周領域内に配設されている。
いくつかの実施形態によれば、熱インジケータは、外周領域内に、基板の前面内へ窪みが作られている溝部内に配設されている。
いくつかの実施形態によれば、熱インジケータは基材と感熱剤とを含む。
いくつかの実施形態によれば、基材は溝部の内面に固定されており、経時的に熱サイクル中に除去されない。
いくつかの実施形態によれば、基材は多孔質構造を有する。
いくつかの実施形態によれば、感熱剤は溝部内の基材により支持され、結合機構で基材に接合される。
いくつかの実施形態によれば、感熱剤はジアセチレン化合物と溶媒とを含む。
いくつかの実施形態によれば、感熱剤は染料断片、顔料、または着色剤をさらに含む。
いくつかの実施形態によれば、感熱剤は、イミダゾール、ベンズイミダゾール、およびそれらの誘導体などのアゾール化合物を含む。
いくつかの実施形態によれば、感熱剤は結合剤をさらに含む。
いくつかの実施形態によれば、感熱剤は、ＯＳＰ層の蒸発温度におおよそ等しい蒸発温度を有する。
本発明のこれらのかつ他の目的は、様々な図および図面に示されている好適な実施形態の下記の詳細な説明を読むと、疑いもなく当業者に明らかになるであろう。
本明細書に組み込まれておりかつその一部を成す添付図面は、説明と共に、本開示の実施形態を示し、本開示の原理を説明し、かつ当業者が本開示を実施し、使用することを可能にするのにさらに役立つ。
本開示の一実施形態による、その外周に沿って配設されている熱インジケータを有する例示的基板を示す概略図である。 本開示の別の実施形態による、その外周に沿って配設されている複数の熱インジケータを有する例示的基板を示す概略図である。 本開示の実施形態による、図１の熱インジケータの例示的構造を示す概略横断面図である。 本開示の実施形態による、図１の熱インジケータの例示的構造を示す概略横断面図である。 本開示の実施形態による、図１の熱インジケータの例示的構造を示す概略横断面図である。 ＤＡＦフィルムと結合されている複数のダイを備えた、例示的積層ダイパッケージの図である。
本開示の実施形態が添付図面を参照して説明される。
ここで、本開示を理解し、実施しかつ技術的効果を実現するために、添付図面に示されている、本発明の例示的実施形態を詳細に参照する。下記の説明は単に例として行われており、本開示を限定するためではないことが理解され得る。本開示の様々な実施形態および互いに矛盾しない該実施形態の様々な特徴が様々な方法で組み合わされ、置き換えられることが可能である。本開示の精神および範囲から逸脱することなく、本開示に対する修正、同等物、または改善が当業者に理解可能であり、本開示の範囲内に包含されることが意図されている。
明細書における「一実施形態」、「実施形態」、「例示的実施形態」、「いくつかの実施形態」等への言及が、記載されている実施形態が特定の特徴、構造、または特性を含み得るが、全実施形態が特定の特徴、構造、または特性を必ずしも含むとは限らない可能性があることを示すことに留意すべきである。さらに、そのような表現は必ずしも同一の実施形態に言及しているとは限らない。
さらに、特定の特徴、構造、または特性がある実施形態と関連して記載されている場合、それは当業者の知識の範囲内にあると考えられ、明示的に記載されているか否かに関わらず、他の実施形態と関連するそのような特徴、構造、または特性に影響を及ぼす。
一般に、専門用語が、文脈の中での使用から少なくとも部分的に理解され得る。例えば、本明細書に用いられている「１つまたは複数の」という用語は、文脈に少なくとも部分的に応じて、単数の意味で任意の特徴、構造、もしくは特性を説明するのに用いられてもよく、または複数の意味で特徴、構造、もしくは特性の組合せを説明するのに用いられ得る。同様に、「ａ」、「ａｎ」、または「ｔｈｅ」などの用語が、やはり、文脈に少なくとも部分的に応じて、単数使用を伝えるかまたは複数使用を伝えると理解され得る。
本開示における「ｏｎ」、「ａｂｏｖｅ」、および「ｏｖｅｒ」の意味は、「ｏｎ」は何かの「直接上に」ばかりでなく、それらの間の媒介特徴または層を伴う何かの「上に」の意味も含むように、「ａｂｏｖｅ」または「ｏｖｅｒ」は「上方に」または「覆って」を意味するばかりでなく、それが、それらの間の媒介特徴または層を伴わない何かの「上に」または「覆って」（すなわち何かの直接上に）の意味も含み得るように、最も広く解釈されるべきであることが、容易に理解されるはずである。
さらに、「ｂｅｎｅａｔｈ」、「ｂｅｌｏｗ」、「ｌｏｗｅｒ」、「ａｂｏｖｅ」、「ｕｐｐｅｒ」等の空間的に相対的な用語が、図に示されている１つの要素または特徴の別の要素または特徴に対する関係を説明し易くするために、本明細書において用いられ得る。該空間的に相対的な用語は、図に示されている配向に加えて、使用中のまたは動作中のデバイスの様々な配向を包含することが意図されている。装置は、別の方法で配向され（９０℃または他の配向で回転させられ）てもよく、本明細書において用いられている空間的に相対的な記述子は同様に相応に解釈され得る。「垂直（ｖｅｒｔｉｃａｌ）」という用語は、半導体基板の表面に対して垂直な方向を指し、「水平（ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ）」という用語は、該半導体基板の表面に平行な任意の方向を指す。
たくさんの問題が高密度マイクロ電子パッケージの性能に影響を及ぼす。これらの多くがダイアタッチ技術に関連する。前述されている通り、パッケージ基板はダイアタッチ（ＤＡ）ステップ、ワイヤボンディングステップ、および成形ステップにおいて加熱され、加熱が基板の裏面の有機性はんだ付け性防腐剤（ＯＳＰ）層を蒸発させる。（機械故障、材料異常、操作上の過失等の）異常な状況において、基板は経時的に過熱され、結果的に基板の変色、ＯＳＰの完全揮発、結合フィンガーの酸化変色、およびＤＡＦ過加硫をもたらし、それにより一連の確実性および品質の問題を引き起こす可能性がある。
本開示はこの問題に対処する。本開示は、基板が過熱されているかどうかを製造ライン職員またはオペレータが直感的に判断することができるように、熱インジケータを備えたパッケージ基板または配線板などの基板を提供する。
図１は、本開示の一実施形態による、その外周に沿って配設されている熱インジケータを有する例示的基板を示す概略図である。図１に示されている通り、基板１はパッケージ基板、配線板、またはプリント回路基板であり得る。一実施形態によれば、例えば、基板１はパネルスケール内のパッケージ基板であってもよく、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）またはポリイミド樹脂などの強化ポリマーラミネート１００を含み得る。基板１はその前面上に平面ダイアタッチ領域１０を含んでいてもよく、それは点線により示されている。
ダイアタッチ領域１０は配列状のサブ領域１０１をさらに含み得る。例示目的のために、サブ領域１０１の各々の概略拡大上面図が図１の左側円形領域内に示されている。製造工程のダイアタッチステップの間、集積回路（ＩＣ）ダイＡが、接着層またはダイアタッチフィルム（図示せず）を使用して、各サブ領域１０１内のダイアタッチ領域１０上へ接着結合される。金めっきフィンガー（または「フィンガー」）１１０が各サブ領域１０１内のＩＣダイＡの縁部に沿って設けられている。これらのフィンガー１１０は、ＩＣダイＡと基板１との間に電気信号接続をもたらすのに使用される。
基板１の裏面に、銅めっきはんだボールパッドが設けられて、はんだボールとの良好な接続を形成する。例示目的のために、ボールパッド１２０の反転拡大断面図が、図１の右側円形領域内に示されている。ボールパッド１２０は銅パッドであってもよく、ボールパッド１２０の外周領域ははんだレジスト１３０により覆われている。ボールパッド１２０上の銅がパッケージング工程中に酸化されないことを確実にするために、通常、ＯＳＰ層１４０がボールパッド１２０の露出表面上に塗布され、それによりボールパッド１２０の表面銅層の絶縁がもたらされる。確かな信号接続を確実にするために、基板１の前面のフィンガー１１０および基板１の裏面のボールパッド１２０は、パッケージング工程中、良好な状態にある必要がある。
一実施形態によれば、ＯＳＰ層１４０は、被覆パッドの優れた表面共平面性に因る、低コストのＳＭＴ－適合性非金属表面仕上げであると考えられる。一実施形態によれば、ＯＳＰ層１４０は、イミダゾール、ベンズイミダゾール、およびそれらの誘導体などのアゾール化合物に主に基づいている。一般に、ＯＳＰコーティング厚が８０～５００ｎｍであり得る。より薄いコーティングが、銅表面の酸化に対する防護性を低下させる傾向があり、一方、より厚い被覆が、はんだぬれ性の劣化をもたらす傾向がある。
一実施形態によれば、例えば、基板１は、位置決め目的のために複数のピンホール２０１をさらに含み、複数のピンホール２０１は基板１の外周領域２０内に配設されている。一実施形態によれば、少なくとも１つの熱インジケータ２００が基板１の外周領域２０内に配設されている。該熱インジケータ２００はストライプ成形され（ｉｓ ｓｔｒｉｐｅ ｓｈａｐｅｄ）ていてもよいが、それに限定されない。当然のことながら、熱インジケータ２００は基板１の前面または裏面のどちらかに配設され得る。いくつかの実施形態では、熱インジケータ２００は基板１の裏面に配設されており、カメラが使用されて、熱インジケータ２００の信号を監視してもよい。
いくつかの実施形態では、図２に示されているように、複数のダイアタッチ領域１０ａ、１０ｂ、および１０ｃに対応して、基板１の外周領域２０内に配設されている複数の熱インジケータ２００ａ、２００ｂ、および２００ｃが存在し得る。図２は、本開示の別の実施形態による、その外周に沿って配設されている複数の熱インジケータを有する例示的基板を示す概略図である。当然のことながら、熱インジケータ２００、２００ａ、２００ｂ、および２００ｃの数、形状、ならびに寸法は例示目的のために過ぎない。一実施形態によれば、熱インジケータ２００、２００ａ、２００ｂ、および２００ｃは基板１の累積熱暴露を監視するのに使用されてもよく、変色、例えばジアセチレン化合物等の感熱剤により引き起こされ得るインジケータ領域の暗色化、などの信号を供給してもよい。
ＳＯＰ層１４０の状態の減退またはダイアタッチフィルムの接着の劣化と相関する所定の熱履歴限度に達すると、熱インジケータ２００、２００ａ、２００ｂ、および２００ｃが信号を送る。例えば、熱インジケータ２００、２００ａ、２００ｂ、および２００ｃの変色は目視検証されることが可能であり、製造ラインの動作は、技術グループおよび品質グループからの処理のために停止され得る。
図３から図５までが、本開示のいくつかの実施形態による、図１の熱インジケータ２００の例示的構造を示す概略横断面図である。図３に示されている通り、熱インジケータ２００は、外周領域２０内で基板１の前面内へ窪みが作られている溝部（または窪み）２１０内に形成され得る。例えば、溝部２１０の深さは、使用される化学物質の量に応じて、数マイクロメートルから数ミリメートルまでの間に及び得る。本開示の一実施形態によれば、熱インジケータ２００は、２つの主要部分：基（またはマトリクス）材２２０および感熱剤２３０、を含み得る。本開示の一実施形態によれば、例えば、基材２２０は感熱剤２３０で浸されている可能性がある。いくつかの実施形態では、熱インジケータ２００は添加剤および／または溶媒をさらに含み得る。
例えば、いくつかの実施形態では、基材２２０は溝部２１０の内面に固定されていてもよく、経時的に熱サイクル中に除去されない。例えば、基材２２０は多孔質構造を有し得るが、それに限定されない。感熱剤２３０は溝部２１０内で基材２２０により支持されてもよく、限定されないが水素結合または分子間力などの適切な結合機構で基材２２０に接合され得る。一実施形態によれば、例えば、感熱剤２３０はジアセチレン化合物と溶媒とを含み得る。一実施形態によれば、例えば、感熱剤２３０は染料断片、顔料、または着色剤をさらに含み得る。いくつかの実施形態によれば、例えば、感熱剤２３０は、イミダゾール、ベンズイミダゾール、およびそれらの誘導体などのアゾール化合物を含み得る。いくつかの実施形態によれば、例えば、感熱剤２３０は結合剤をさらに含み得る。
図４に示されている通り、それは、パッケージング工程中に累積熱暴露を経た後、感熱剤２３０のいくらかが蒸発するにつれて、熱インジケータがその色（または不透明な外観）を徐々に変えることを示す。本開示の一実施形態によれば、感熱剤２３０が、ＯＳＰ層１４０の蒸発温度におおよそ等しい蒸発温度を有することが好ましい。
図５に示されている通り、ＳＯＰ層１４０の状態の減退またはダイアタッチフィルムの接着の劣化と相関する所定の熱履歴限度（例えば、１５０℃－６時間または１７５℃－３時間）に達すると、感熱剤２３０は完全に蒸発し、溝部２１０から漏れ出て、それにより溝部２１０内に基材２２０のみを残す。蒸発した感熱剤２３０および溶媒は、基板およびダイへの汚染を防止するために、排気配管システムを通して排出され得る。
感熱剤２３０が完全に蒸発した後、基材２２０の色および高コントラストを有する信号が観察され得る間など、熱インジケータ２００は元の色を示す。パッケージング工程中に熱サイクルを経る時に変色を示す他の材料が使用され得ると理解される。例えば、ジアセチレン化合物は重合して、変色または別の光学的に可読の指示をもたらす。熱インジケータ２００の変色は目視検証されることが可能であり、製造ラインの動作は、技術グループおよび品質グループからの処理のために停止され得る。
当業者は、本発明の教示を保持しながら、デバイスおよび方法の多数の修正および変更が行われる可能性があることに、容易に気付くであろう。したがって、上記開示は、添付の特許請求の範囲の境界および限界によってのみ限定されると見なされるべきである。
１、６００ 基板
６ 例示的積層ダイパッケージ
１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ 平面ダイアタッチ領域
２０ 外周領域
１００ 強化ポリマーラミネート
１０１ サブ領域
１１０ 金めっきフィンガー、フィンガー
１２０ ボールパッド
１３０ はんだレジスト
１４０ ＯＳＰ層
２００、２００ａ、２００ｂ、２００ｃ 熱インジケータ
２０１ ピンホール
２１０ 溝部、窪み
２２０ 基材、マトリクス材
２３０ 感熱剤
６０１ ダイ
６１０ ＤＡＦフィルム
Ａ 集積回路（ＩＣ）ダイ

Claims (18)

  1. 基板の前面にダイアタッチ領域および外周領域を含む前記基板と、
    前記基板の累積熱暴露を監視するために、前記外周領域内に配設されている少なくとも１つの熱インジケータと
    を含み、
    前記熱インジケータは基材と感熱剤とを含み、
    前記基材は多孔質構造を有する、電子部品。
  2. 前記基板にはパッケージ基板、配線板、またはプリント回路基板が含まれる、請求項１に記載の電子部品。
  3. 前記基板は強化ポリマーラミネートまたはポリイミド樹脂を含む、請求項１に記載の電子部品。
  4. 前記ダイアタッチ領域は配列状のサブ領域をさらに含む、請求項１に記載の電子部品。
  5. 集積回路（ＩＣ）ダイが、ダイアタッチフィルムを使用して、前記サブ領域の各々の中に接着結合されている、請求項４に記載の電子部品。
  6. 金めっきフィンガーが、前記サブ領域の各々において、前記ＩＣダイの縁部に沿って設けられている、請求項５に記載の電子部品。
  7. 銅めっきはんだボールパッドが前記基板の裏面上に設けられている、請求項５に記載の電子部品。
  8. 有機性はんだ付け性防腐剤（ＯＳＰ）層が前記銅めっきはんだボールパッドの各々の表面上に配設されている、請求項７に記載の電子部品。
  9. 前記ＯＳＰ層の状態の減退または前記ダイアタッチフィルムの劣化と相関する所定の熱履歴限度に達すると、前記熱インジケータが信号を送る、請求項８に記載の電子部品。
  10. 前記基板は、位置決め目的のために複数のピンホールをさらに含み、前記複数のピンホールは前記外周領域内に配設されている、請求項１に記載の電子部品。
  11. 前記熱インジケータは、前記外周領域内に、前記基板の前記前面内へ窪みが作られている溝部内に配設されている、請求項１に記載の電子部品。
  12. 前記基材は前記溝部の内面に固定されており、経時的に熱サイクル中に除去されない、請求項１１に記載の電子部品。
  13. 前記感熱剤は前記溝部内で前記基材により支持され、結合機構で前記基材に接合される、請求項１１に記載の電子部品。
  14. 前記感熱剤はジアセチレン化合物と溶媒とを含む、請求項１に記載の電子部品。
  15. 前記感熱剤は染料断片、顔料、または着色剤をさらに含む、請求項１４に記載の電子部品。
  16. 前記感熱剤は、イミダゾール、ベンズイミダゾール、およびそれらの誘導体などのアゾール化合物を含む、請求項１に記載の電子部品。
  17. 前記感熱剤は結合剤をさらに含む、請求項１に記載の電子部品。
  18. 前記感熱剤は、前記ＯＳＰ層の蒸発温度におおよそ等しい蒸発温度を有する、請求項９に記載の電子部品。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023085787A1 (ko) 2021-11-10 2023-05-19 주식회사 라이프신약 노화세포 제거용 조성물 및 이의 용도

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000223830A (ja) 1999-01-28 2000-08-11 Sony Corp プリント配線板
JP2003198081A (ja) 2001-12-25 2003-07-11 Hitachi Communication Technologies Ltd プリント配線板の情報表示構造
JP2005072416A (ja) 2003-08-27 2005-03-17 Kyocera Corp 複数個取り用母基板
JP2006190960A (ja) 2004-12-30 2006-07-20 Samsung Electro Mech Co Ltd ハーフエッチングされたボンディングパッド及び切断されたメッキラインを具備するｂｇａパッケージ及びその製造方法
JP2009295850A (ja) 2008-06-06 2009-12-17 Hitachi Chem Co Ltd 多層回路基板の製造方法及びこれから得られる多層回路基板、半導体チップ搭載基板並びにこの基板を用いた半導体パッケージ
JP2015520850A (ja) 2012-05-11 2015-07-23 テンプタイム コーポレーション デュアル機能ヒートインジケータ及び製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60210858A (ja) * 1984-04-04 1985-10-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd フラツトパツケ−ジｌｓｉ
JPH04103384A (ja) * 1990-08-23 1992-04-06 Sakai Chem Ind Co Ltd 感熱性記録材料
JPH04170085A (ja) * 1990-11-02 1992-06-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd リフロー半田付け方法及び電子部品
JPH0671218A (ja) * 1992-08-27 1994-03-15 Kansai Paint Co Ltd レーザーマーキング方法
JP3039480B2 (ja) * 1997-03-11 2000-05-08 日本電気株式会社 熱履歴判定方法および熱履歴表示ラベル
US7323634B2 (en) * 1998-10-14 2008-01-29 Patterning Technologies Limited Method of forming an electronic device
CN101330000B (zh) 2001-03-21 2011-06-08 株式会社东芝 具有id标记的半导体晶片,及从中生产半导体器件的方法和设备
US20040126897A1 (en) 2002-12-19 2004-07-01 3M Innovative Properties Company Colorimetric sensors constructed of diacetylene materials
US7691458B2 (en) * 2004-03-31 2010-04-06 Intel Corporation Carrier substrate with a thermochromatic coating
JP2005327855A (ja) * 2004-05-13 2005-11-24 Hitachi Cable Ltd 温度モニタ機能付き通信機器及び光送受信器
US7074627B2 (en) * 2004-06-29 2006-07-11 Freescale Semiconductor, Inc. Lead solder indicator and method
DE102009012296A1 (de) * 2009-03-11 2010-09-16 At&S Technologie & Systemtechnik Ag Verfahren zur Überwachung der Temperatur-Zeit-Belastung mindestens eines Bauteils auf einer Leiterplatte, ein entsprechender Temperatur-Zeit-Indikator und dessen Anwendung
JP5476114B2 (ja) * 2009-12-18 2014-04-23 東京エレクトロン株式会社 温度測定用装置
TWI495079B (zh) * 2012-03-06 2015-08-01 Lighten Corp 發光模組
CN105144355B (zh) 2013-05-01 2018-02-06 应用材料公司 用于在晶片处理系统内进行低温测量的设备与方法
JP5723474B1 (ja) * 2014-09-02 2015-05-27 日油技研工業株式会社 温度管理材
US10877530B2 (en) 2014-12-23 2020-12-29 Intel Corporation Apparatus and method to provide a thermal parameter report for a multi-chip package
US20160207762A1 (en) * 2015-01-20 2016-07-21 Sigurd Microelectronics Corp. Sensor package structure and method
KR102671467B1 (ko) * 2016-09-28 2024-06-03 삼성전자주식회사 반도체 패키지를 포함하는 반도체 모듈 및 반도체 패키지
JP6785186B2 (ja) * 2017-05-18 2020-11-18 東京エレクトロン株式会社 検査システムおよび検査システムにおける温度測定方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000223830A (ja) 1999-01-28 2000-08-11 Sony Corp プリント配線板
JP2003198081A (ja) 2001-12-25 2003-07-11 Hitachi Communication Technologies Ltd プリント配線板の情報表示構造
JP2005072416A (ja) 2003-08-27 2005-03-17 Kyocera Corp 複数個取り用母基板
JP2006190960A (ja) 2004-12-30 2006-07-20 Samsung Electro Mech Co Ltd ハーフエッチングされたボンディングパッド及び切断されたメッキラインを具備するｂｇａパッケージ及びその製造方法
JP2009295850A (ja) 2008-06-06 2009-12-17 Hitachi Chem Co Ltd 多層回路基板の製造方法及びこれから得られる多層回路基板、半導体チップ搭載基板並びにこの基板を用いた半導体パッケージ
JP2015520850A (ja) 2012-05-11 2015-07-23 テンプタイム コーポレーション デュアル機能ヒートインジケータ及び製造方法

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