JP7392237B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
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- P型半導体基板上のN型半導体層の表面に形成されたP型MOSFETと、N型MOSFETとで構成された出力回路を備えた半導体集積回路において、
ソース領域を相互に接続した少なくとも1対のP型MOSFETを備え、
該P型MOSFETの前記ソース領域とゲート電極とを相互に接続し、ドレイン領域の一方を前記出力回路の出力端子とし、前記ドレイン領域の他方をグランドに接続し、
相互に接続された前記ソース領域と前記ゲート電極を前記N型MOSFETのドレイン領域に接続し、前記N型MOSFETのソース領域を前記グランドに接続し、
前記N型MOSFETのゲート電極を前記出力回路の入力端子とすることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1記載の半導体集積回路において、
前記P型半導体基板と前記N型半導体層とで第1の寄生ダイオードと第2の寄生ダイオードを形成し、
前記第1の寄生ダイオードのカソードを前記P型MOSFETのドレイン領域に接続し、前記第1の寄生ダイオードのアノードを前記グランドに接続し、
前記第2の寄生ダイオードのカソードを前記N型MOSFETのソース領域に接続し、前記第2の寄生ダイオードのアノードを前記グランドに接続することを特徴とする半導体集積回路。
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