JP7390481B2 - 標準試料およびその作製方法 - Google Patents
標準試料およびその作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7390481B2 JP7390481B2 JP2022522439A JP2022522439A JP7390481B2 JP 7390481 B2 JP7390481 B2 JP 7390481B2 JP 2022522439 A JP2022522439 A JP 2022522439A JP 2022522439 A JP2022522439 A JP 2022522439A JP 7390481 B2 JP7390481 B2 JP 7390481B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- standard sample
- substrate
- plane
- main surface
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 17
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-2-hydroxypropanoate Chemical compound NCC(O)C(O)=O BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q40/00—Calibration, e.g. of probes
- G01Q40/02—Calibration standards and methods of fabrication thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N2001/2893—Preparing calibration standards
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
- H01L21/30608—Anisotropic liquid etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
- H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Immunology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Weting (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
本発明は、走査型プローブ顕微鏡などの評価に用いる標準試料およびその作製方法に関する。
ＩＥＥＥが２０１７年に策定したロードマップＩＲＤＳ（International Roadmap for Device and System）中で、半導体の微細化は、２０２１年までにロジックデバイス中のパターン寸法は、ハーフピッチ１２ｎｍ、ラインエッジラフネス（Line Edge Roughness：ＬＥＲ）は２ｎｍ未満という目標が明記され、目標に向けたパターンの作製方法や検査方法が議論されている。なお、ＬＥＲは、リソグラフィー技術でマスクとして用いられるレジストパターンのエッジの凹凸を示す。
ＬＥＲの評価方法としては、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：ＡＦＭ）などのナノメータサイズの観察が可能な（ナノメータサイズの分解能を有する）顕微鏡による測定がある。この種の測定において、ＳＥＭなどの計測装置から出力される画像を用いてラフネスを高精度に計測するために、画像信号に含まれるノイズを除去している（特許文献１参照）。この技術では、画像信号に含まれるノイズを除去するために、予めＬＥＲが制御された標準試料が用いられている。
また、ＡＦＭなどの測定技術では、分解能や誤差を保証するために、最小構造の大きさが１００ｎｍ以下の標準試料を用いてナノメートルサイズの探針による測定を実施し、得られた画像データから分解能を求めている（特許文献２参照）。ただし、この標準試料は、寸法が決定されているが、パターンエッジの形状が不確定である。
一方、現在用いられている標準試料としては、米国ＮＩＳＴ（the National Institute of Standards and Technology）が準備している標準試料がある。この標準試料では、最小サイズで１３０ｎｍのナノワイヤである。
また国内では、国立研究開発法人産業技術総合研究所が、タングステンドットアレイにより長さ方向の認証を実施している。しかしながら、この標準試料の大きさは、最小１１９ｎｍであり、現在問題となっている数ｎｍオーダーの凹凸を評価するためには不十分である。
さらに、国立研究開発法人産業技術総合研究所は、１０ｎｍ以上の構造については認証を実施しているが、１ｎｍオーダーの寸法の形状について、どのようにして正確に測るかについては技術がまだ定まっていない。
ところで、上述した標準試料は、例えば、成膜技術、リソグラフィー技術、エッチング技術などの半導体装置の製造技術を用いることで作製することが考えられる。しかしながら、これらの製造方法で形成した周期的なパターンでは、パターンのエッジ部にナノメートルサイズのＬＥＲが発生し、ナノメートルサイズの欠陥との差を見分けることが困難であるため標準試料として十分ではない。
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、１ｎｍオーダーのラインエッジラフネスの評価が可能な標準試料の提供を目的とする。
本発明に係る標準試料は、走査型プローブ顕微鏡を含むナノメータサイズの観察が可能な顕微鏡の評価に用いる標準試料であって、結晶から構成されて、主表面が（１１０）とされた基板と、基板の主表面から基板の内部にかけて形成された凹部とを備え、凹部は、基板の主表面に対して垂直とされた１つの平面を形成する側面を備え、側面は、ファセット面とされ、（１１１）面から傾斜した傾斜面とされている。
また、本発明に係る標準試料の作製方法は、走査型プローブ顕微鏡を含むナノメータサイズの観察が可能な顕微鏡の評価に用いる標準試料の作製方法であって、結晶から構成されて、主表面が（１１０）とされた基板の上に、平面視で直線部を有する開口を備えたマスクパターンを形成する第１工程と、マスクパターンをマスクとして、結晶異方性を有するエッチング処理により基板をエッチングし、基板の主表面から基板の内部にかけて凹部を形成する第２工程とを備え、凹部は、基板の主表面に対して垂直とされた１つの平面を形成する側面を備え、側面は、ファセット面とされ、（１１１）面から傾斜した傾斜面とされている。
以上説明したように、本発明によれば、ファセット面とされ、（１１１）面から傾斜した傾斜面とされている側面を備える凹部を、主表面が（１１０）とされた基板に形成するので、１ｎｍオーダーのラインエッジラフネスの評価が可能な標準試料が提供できる。
以下、本発明の実施の形態に係る標準試料の作製方法について図１Ａ～図１Ｅを参照して説明する。この作製方法は、走査型プローブ顕微鏡を含むナノメータサイズの観察が可能な（ナノメータサイズの分解能を有する）顕微鏡の評価に用いる標準試料の作製方法である。
まず、図１Ａ，図１Ｂに示すように、結晶から構成されて、主表面が（１１０）とされた基板１０１の上に、マスクパターン１０２を形成する（第１工程）。マスクパターン１０２は、平面視で直線部を有する開口１０３を備える。基板１０１は、例えば、シリコンの単結晶から構成されている。基板１０１は、ＧａＡｓまたはＩｎＰの結晶から構成することもできる。開口１０３は、例えば、平面視で長方形とされている。例えば、平面視で長方形の長手方向の辺の側面１０３ａが、単結晶シリコンから構成された基板１０１の、（１１１）面から１°傾斜したファセット面に平行な面となるように、開口１０３を形成する。例えば、上述した長方形の長手方向を、＜１１１＞方向より１°回転する方向に延在する状態とすることで、側面１０３ａを、（１１１）面から１°傾斜したファセット面に平行な面とすることができる。
また、開口１０３は、複数形成されている。マスクパターン１０２は、例えば、複数の開口１０３をスペースパターンとした、ラインアンドスペースパターンと呼ばれるものである。例えば、ライン幅２００ｎｍ、スペース幅２００ｎｍとすることができる。例えば、公知のリソグラフィー技術により、マスクパターン１０２を形成することができる。
次に、図１Ｃに示すように、マスクパターン１０２をマスクとして、結晶異方性を有するエッチング処理により基板１０１をエッチングし、基板１０１の主表面から基板１０１の内部にかけて凹部１０４を形成する（第２工程）。例えば、単結晶シリコンから構成した基板１０１は、アルカリ溶液をエッチング液としたウエットエッチングにより、結晶異方性を有するエッチング処理ができる。よく知られているように、アルカリ溶液で、単結晶シリコンをエッチングすると、（１１１）面が、（１００）面や（１１０）面などの他の面に比較して、エッチングレートが１／１０００以下であり、ほとんどエッチングされない。
このため、マスクパターン１０２をマスクとしてアルカリ溶液でエッチングすると、開口１０３の底面に露出する基板１０１の（１００）面は、エッチングされ、基板１０１の厚さ方向にエッチングが進行する。これに対し、このエッチングの進行に伴い形成される、開口１０３の側面１０３ａに平行な凹部１０４の側面１０５は、ほぼ（１１１）面であり、エッチングがほとんど進行しない。この結果、凹部１０４の長手方向に垂直な断面の形状は、長方形となる。なお、マスクパターン１０２の開口１０３は、平面視で長方形とされているので、凹部１０４の開口は、平面視で長方形となり、凹部１０４は、例えば、直方体状に形成される。
なお、上述したアルカリ溶液のエッチングでは、アルカリ溶液としては、例えば、濃度３３ｗｔ％の水酸化カリウムの水溶液を用い、エッチング処理を、例えば、５分間程度実施する。このように、凹部１０４を形成した後、マスクパターン１０２を除去すれば、図１Ｄ，図１Ｅに示すように、基板１０１に凹部１０４が形成された標準試料が得られる。この標準試料における凹部１０４は、基板１０１の主表面に対して垂直とされた１つの平面を形成する側面１０５を備え、側面１０５は、ファセット面とされ、（１１１）面から傾斜した（例えば１°傾斜した）傾斜面とされたものとなる。
上述したように、異方性エッチングにより形成された側面１０５は、単結晶シリコンの（１１１）面から傾斜させたファセット面としている。このため、基板１０１の主表面と側面１０５とにより形成される凹部１０４のエッジ部は、図２に示すように、側面１０５のステップ（原子ステップ）１０６による段差を備えるものとなる。側面１０５を（１１１）面から１°傾斜させると、上述した段差は、２ｎｍ程度となり、１２０ｎｍ毎に、規則正しく発生する。従って、基板１０１の主表面と側面１０５とにより形成される凹部１０４のエッジ部には、ｎｍオーダーの周期的な段差構造が形成されるものとなる。この標準試料は、ＡＦＭなどの走査型プローブ顕微鏡や、測長ＳＥＭ（Critical Dimension-Scanning Electron Microscope：ＣＤ－ＳＥＭ）などの電子顕微鏡の校正に用いることができる。
なお、ステップ１０６による段差の大きさは、（１１１）面からの傾斜の角度により変化する。（１１１）面からの傾斜の角度が大きくなれば、ステップ１０６による段差も大きくなる。従って、（１１１）面からの傾斜の角度は、所望とする段差の大きさに適合させたものとすることができる。
ところで、上述では、基板１０１を、シリコンの単結晶から構成した場合を例に説明したが、これに限るものではない。基板１０１は、ＩｎＰまたはＧａＡｓの結晶から構成することもできる。この場合、側面１０５は、（１１１）Ａ面から傾斜した傾斜面とすることができる。
例えば、基板１０１をＩｎＰから構成する場合、臭素と臭化水素酸との水溶液や塩酸とリン酸との水溶液をエッチング液として用いることができる。このウエットエッチングでは、ＩｎＰの（１１１）Ａ面が他の結晶面に比較してエッチングされ難いので、上述同様の結晶異方性を有するエッチング処理ができ、マスクパターン１０２を用いて凹部１０４が形成できる。
また、基板１０１をＧａＡｓから構成する場合、アンモニア水溶液と過酸化水素水の混合液をエッチング液として用いることができる。このウエットエッチングでも、ＧａＡｓの（１１１）Ａ面が他の結晶面に比較してエッチングされ難いので、上述同様の結晶異方性を有するエッチング処理ができ、マスクパターン１０２を用いて凹部１０４が形成できる。
以上に説明したように、本発明によれば、ファセット面とされ、（１１１）面から傾斜した傾斜面とされている側面を備える凹部を、主表面が（１１０）とされた基板に形成するので、１ｎｍオーダーのラインエッジラフネスの評価が可能な標準試料が提供できる。
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。
１０１…基板、１０２…マスクパターン、１０３…開口、１０３ａ…側面、１０４…凹部、１０５…側面、１０６…ステップ（原子ステップ）。
Claims (8)
- 走査型プローブ顕微鏡を含むナノメータサイズの観察が可能な顕微鏡の評価に用いる標準試料であって、
結晶から構成されて、主表面が（１１０）とされた基板と、
前記基板の主表面から前記基板の内部にかけて形成された凹部と
を備え、
前記凹部は、前記基板の主表面に対して垂直とされた１つの平面を形成する側面を備え、
前記側面は、ファセット面とされ、（１１１）面から傾斜した傾斜面とされている
ことを特徴とする標準試料。 - 請求項１記載の標準試料において、
前記基板は、シリコンの単結晶から構成されていることを特徴とする標準試料。 - 請求項１記載の標準試料において、
前記基板は、ＩｎＰまたはＧａＡｓ結晶から構成され、前記側面は、（１１１）Ａ面から傾斜した傾斜面とされていることを特徴とする標準試料。 - 請求項１～３のいずれか１項に記載の標準試料において、
前記基板の主表面と前記側面とにより形成される前記凹部のエッジ部は、
前記側面のステップによる段差を備えることを特徴とする標準試料。 - 走査型プローブ顕微鏡を含むナノメータサイズの観察が可能な顕微鏡の評価に用いる標準試料の作製方法であって、
結晶から構成されて、主表面が（１１０）とされた基板の上に、平面視で直線部を有する開口を備えたマスクパターンを形成する第１工程と、
前記マスクパターンをマスクとして、結晶異方性を有するエッチング処理により前記基板をエッチングし、前記基板の主表面から前記基板の内部にかけて凹部を形成する第２工程と
を備え、
前記凹部は、前記基板の主表面に対して垂直とされた１つの平面を形成する側面を備え、
前記側面は、ファセット面とされ、（１１１）面から傾斜した傾斜面とされている
ことを特徴とする標準試料の作製方法。 - 請求項５記載の標準試料の作製方法において、
前記基板は、シリコンの単結晶から構成されていることを特徴とする標準試料の作製方法。 - 請求項５記載の標準試料の作製方法において、
前記基板は、ＧａＡｓまたはＩｎＰの結晶から構成され、前記側面は、（１１１）Ａ面から傾斜した傾斜面とされていることを特徴とする標準試料の作製方法。 - 請求項５～７のいずれか１項に記載の標準試料の作製方法において、
前記基板の主表面と前記側面とにより形成される前記凹部のエッジ部は、
前記側面のステップによる段差を備えることを特徴とする標準試料の作製方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2020/019260 WO2021229755A1 (ja) | 2020-05-14 | 2020-05-14 | 標準試料およびその作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2021229755A1 JPWO2021229755A1 (ja) | 2021-11-18 |
| JP7390481B2 true JP7390481B2 (ja) | 2023-12-01 |
Family
ID=78525546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022522439A Active JP7390481B2 (ja) | 2020-05-14 | 2020-05-14 | 標準試料およびその作製方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230228792A1 (ja) |
| EP (1) | EP4152011A4 (ja) |
| JP (1) | JP7390481B2 (ja) |
| KR (1) | KR20230002694A (ja) |
| CN (1) | CN115552254A (ja) |
| TW (1) | TW202142867A (ja) |
| WO (1) | WO2021229755A1 (ja) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004251682A (ja) | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 測長用標準部材およびその作製方法、並びにそれを用いた電子ビーム測長装置 |
| US6869480B1 (en) | 2002-07-17 | 2005-03-22 | The United States Of America As Represented By The United States National Aeronautics And Space Administration | Method for the production of nanometer scale step height reference specimens |
| JP2006220517A (ja) | 2005-02-10 | 2006-08-24 | National Institute For Materials Science | 校正試料の作製方法 |
| JP2008224258A (ja) | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
| WO2010052840A1 (ja) | 2008-11-05 | 2010-05-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 校正用標準部材およびその作製方法並びにそれを用いた走査電子顕微鏡 |
| JP2010271228A (ja) | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材、その製造方法、およびそれを用いた電子顕微鏡装置の校正方法 |
| WO2013069067A1 (ja) | 2011-11-11 | 2013-05-16 | 学校法人関西学院 | ナノメーター標準原器及びナノメーター標準原器の製造方法 |
| WO2017203406A1 (en) | 2016-05-23 | 2017-11-30 | Istituto Nazionale Di Ricerca Metrologica | Reference-standard device for calibration of measurements of length, and corresponding calibration process |
| JP7176585B2 (ja) | 2016-06-30 | 2022-11-22 | 株式会社ニコン | 撮像装置、及び撮像素子 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2649475B2 (ja) * | 1993-04-30 | 1997-09-03 | 住友シチックス株式会社 | 測定精度校正用標準試料とその製造方法 |
| JP4803440B2 (ja) | 2005-08-16 | 2011-10-26 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 探針形状評価用標準試料 |
| JP2019078578A (ja) | 2017-10-23 | 2019-05-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン計測方法、パターン計測装置、及びコンピュータープログラム |
-
2020
- 2020-05-14 EP EP20935239.2A patent/EP4152011A4/en active Pending
- 2020-05-14 WO PCT/JP2020/019260 patent/WO2021229755A1/ja unknown
- 2020-05-14 US US17/998,324 patent/US20230228792A1/en active Pending
- 2020-05-14 CN CN202080100681.2A patent/CN115552254A/zh active Pending
- 2020-05-14 JP JP2022522439A patent/JP7390481B2/ja active Active
- 2020-05-14 KR KR1020227039628A patent/KR20230002694A/ko unknown
- 2020-05-21 TW TW109116928A patent/TW202142867A/zh unknown
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6869480B1 (en) | 2002-07-17 | 2005-03-22 | The United States Of America As Represented By The United States National Aeronautics And Space Administration | Method for the production of nanometer scale step height reference specimens |
| JP2004251682A (ja) | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 測長用標準部材およびその作製方法、並びにそれを用いた電子ビーム測長装置 |
| JP2006220517A (ja) | 2005-02-10 | 2006-08-24 | National Institute For Materials Science | 校正試料の作製方法 |
| JP2008224258A (ja) | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
| WO2010052840A1 (ja) | 2008-11-05 | 2010-05-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 校正用標準部材およびその作製方法並びにそれを用いた走査電子顕微鏡 |
| JP2010271228A (ja) | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材、その製造方法、およびそれを用いた電子顕微鏡装置の校正方法 |
| WO2013069067A1 (ja) | 2011-11-11 | 2013-05-16 | 学校法人関西学院 | ナノメーター標準原器及びナノメーター標準原器の製造方法 |
| WO2017203406A1 (en) | 2016-05-23 | 2017-11-30 | Istituto Nazionale Di Ricerca Metrologica | Reference-standard device for calibration of measurements of length, and corresponding calibration process |
| JP7176585B2 (ja) | 2016-06-30 | 2022-11-22 | 株式会社ニコン | 撮像装置、及び撮像素子 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Åオーダでの高さ方向の校正、装置性能の評価 AFM（原子間力顕微鏡） 高さ校正用標準試料，NTTアドバンステクノロジ株式会社，2015年，https://web.archive.org/ web/20150714034621/https://keytech.ntt-at.co.jp/support/docs/afm.pdf |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP4152011A4 (en) | 2024-01-24 |
| KR20230002694A (ko) | 2023-01-05 |
| US20230228792A1 (en) | 2023-07-20 |
| CN115552254A (zh) | 2022-12-30 |
| TW202142867A (zh) | 2021-11-16 |
| JPWO2021229755A1 (ja) | 2021-11-18 |
| WO2021229755A1 (ja) | 2021-11-18 |
| EP4152011A1 (en) | 2023-03-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5319961A (en) | Cantilever chip for use in scanning probe microscope | |
| JP4511582B2 (ja) | マスクパターンの補正方法、フォトマスク、および半導体装置の製造方法 | |
| Volk et al. | Linear standard for SEM–AFM microelectronics dimensional metrology in the range 0.01–100 μm | |
| US20070194466A1 (en) | Overlay measurement mark and pattern formation method for the same | |
| JP7390481B2 (ja) | 標準試料およびその作製方法 | |
| US6358860B1 (en) | Line width calibration standard manufacturing and certifying method | |
| CN112949236B (zh) | 刻蚀偏差的计算方法以及计算系统 | |
| US8058086B2 (en) | Self-organized pin-type nanostructures, and production thereof on silicon | |
| US7678510B2 (en) | Mask for exposure and method of manufacturing the same | |
| JP2649475B2 (ja) | 測定精度校正用標準試料とその製造方法 | |
| Foucher et al. | Study of 3D metrology techniques as an alternative to cross-sectional analysis at the R&D level | |
| Klehn et al. | Wet-chemical nanoscale patterning of GaAs surfaces using atomic force microscope lithography | |
| JP2705338B2 (ja) | 測長ｓｅｍ用基準サンプルの製造方法 | |
| US7393616B2 (en) | Line end spacing measurement | |
| Nakayama et al. | Sub-50-nm pitch size grating reference for CD-SEM magnification calibration | |
| JP5035797B2 (ja) | 探針形成用エッチングマスク及びそれを用いた探針の製造方法 | |
| US7997002B2 (en) | Dual carbon nanotubes for critical dimension metrology on high aspect ratio semiconductor wafer patterns | |
| KR20080086693A (ko) | 반도체 소자의 오버레이 측정 방법 | |
| JP3284514B2 (ja) | 微細寸法標準構造及び微細寸法標準化方法 | |
| JP2007242862A (ja) | 転写パターンの欠陥検査用基板及び転写パターンの欠陥検査方法 | |
| JP4853031B2 (ja) | 荷電粒子露光用マスクの製造方法 | |
| JP6459284B2 (ja) | インプリントモールドの検査方法及び製造方法 | |
| TWI742525B (zh) | 基板、圖形、及測量裝置之校正方法 | |
| JP4013727B2 (ja) | バーニアパターン及びそれを用いたマスク合わせ方法、パターン測長方法 | |
| Yonekura et al. | Study of the three-dimensional shape measurement for mask patterns using Multiple Detector CD-SEM |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221107 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231114 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231120 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7390481 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |