JP2010271228A - 電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材、その製造方法、およびそれを用いた電子顕微鏡装置の校正方法 - Google Patents
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Abstract
コンタミネーションの付着を低減する、微細な基準寸法を有する、電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材を提供する。
【解決手段】
少なくともシリコンを含み、予めピッチ寸法が求められている回折格子の配列よりなる電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材において、寸法校正用標準部材の溝パターンの表面に1nmから5nmのシリコン酸化膜を形成することによって、電子ビーム照射によって付着するコンタミネーション量を低減する。
【選択図】図1
Description
図5に、標準部材のパターン形成面全面及びその拡大図を示す。ここで縦方向回折格子領域501は縦方向の回折格子単位503と位置決め用の十字マーク505,506からなり、横方向回折格子領域502は縦方向の回折格子単位503に垂直な方向の回折格子単位504、そして位置決め用の十字マーク505,506からなる。またそれぞれのパターンはシリコン基板をエッチングした溝パターンとなっている。
校正の精度は一次元回折格子の溝パターンのピッチ寸法に依存して決まるため、溝パターンを精度良く形成する必要がある。この一次元回折格子の溝パターンを形成する方法としてレーザー干渉露光法が用いられ、240nmピッチの回折格子が得られている。さらに、半導体デバイスの微細化が加速されているために最小加工寸法が100nmより小さくなってきたことから、レーザー干渉露光法では作製が困難な、ピッチ寸法がさらに微細な回折格子が求められるようになってきた。このより微細な回折格子を形成するために微細加工性に優れた電子ビーム描画装置により行われるようになってきた。
ビーム偏向により校正用パターンのひとつのパターンであるピッチ100nmで縦方向に直線溝が25本並んだ回折格子単位パターンに相当する開口107を選択して(ステップ801)、上記試料上の所望の位置にビーム偏向により露光する(ステップ802)。次にビーム偏向により校正用パターンのもうひとつのパターンであるピッチ100nmで横方向に直線溝が25本並んだ回折格子単位パターンに相当する開口108を選択して(ステップ803)、上記試料上の所望の位置にビーム偏向により露光する(ステップ804)。
次に、可変成形用矩形開口109を選択して(ステップ805)、回折格子パターンが露光されている周囲の左右に試料回転補正用のマーク505、506を電子ビーム可変成形法で露光する(ステップ806)。
現像後、図6(b)に示すように、レジストパターン102をマスクとして酸化膜をエッチングし、次にドライエッチングにより、シリコン基板をエッチングする(ステップ807)。
描画では、上記のように電子ビーム露光において回折格子パターンの方向を縦・横両方向を同一基板上に作製しておく。回折格子パターンとして電子ビーム一括露光方を用いることにより、試料のどの位置でも同じステンシルマスクを用いて露光するために寸法バラツキ5nm以下の均一なパターン形成が可能であった。
さらに図6(c)に示すように、得られたパターンはレジストやエッチング副生成物等が基板表面に付着していることから洗浄処理を行い、シリコンの溝パターン103を得る(ステップ813)。洗浄処理では硫酸と過酸化水素水の混合液に浸すことによって、有機系の付着物を除去するとともに、基板表面が1-2nm程度酸化される。さらにフッ酸処理を行い、基板表面に付着している異物等を表面酸化膜とともに除去し、その後純水洗浄を行うことにより基板表面を清浄に保つことが行われる。
その後、ウェハ105を図2に示すようにダイシングすることにより所定寸法形状、例えば10mm□のチップ106に分割し(ステップ814)、洗浄処理を行う(ステップ815)。この洗浄処理では、硫酸と過酸化水素の混合液により有機物系の異物を酸化除去し、さらにフッ酸液に浸漬することにより表面に形成された酸化膜の除去を行い、純水で置換を行う。
フッ酸洗浄+純水洗浄により基板表面はSi−H結合となるが、大気中に放置しておくことにより、0.7nm程度の自然酸化膜(SiO2)が形成される。さらに図3に示すように台座に貼付を行い(ステップ816)、寸法校正用標準部材が完成となる。
このように標準試料の微細化が行われてきているが、これによりビーム照射に伴うコンタミネーション付着による試料の寸法変動の影響が相対的に大きくなってきた。100nmピッチの標準試料に電子線照射開始直後の形状を図15(a)に、5分間電子ビーム照射後の形状を図15(b)に示すが、照射前後によりパターン寸法が20.6nm変化をした。
コンタミネーションの付着のモデルは図11のようなことが考えられる。まず電子顕微鏡にて電子ビーム1101は標準試料1102上を走査するが、その際真空中に残存する炭素1103にも電子ビームが照射されカーボンラジカル1104となり、反応性が高くなる。このカーボンラジカルが試料1102表面にて反応し、カーボン1105が基板表面に付着する。
このコンタミネーションの付着によって見た目の印象が悪くなるだけでなく、コンタミネーションの付着は電子ビーム走査により一様に付着するのではないため、標準試料として最も重要なピッチを変化させ、信頼性を大きく損なうことになってしまう。
本発明は、上記の点を鑑みてなされたものであり、よりコンタミネーション付着を低減する微細な基準寸法を有する寸法校正用標準部材を提供し、かつ、それを含む高精度電子ビーム測長技術を提供することを目的とする。
また、この酸化膜はパターントップの表面だけはなく、溝内部の表面も酸化される必要がある。これはコンタミネーションの付着は溝内部からも供給されることから電子ビームによりスキャンされる領域全体が酸化膜により保護されている必要がある。特許文献1(特開平04-289411号公報)には、標準スケールの作製方法に関して、SiO2、Si3N4をマスクとしてエッチングを行うことが記載されているが、これはSiO2を標準スケールの作製の際のハードマスクとして使用しているもので目的が異なっており、またパターントップにしか酸化膜がないことからコンタミネーション低減の十分な効果が得られない。特許文献2(特開平06-333805号公報)は、各半導体プロセスに基づいてそれぞれ標準試料を作製するものであり、本願発明とは構成も目的も異なっている。また、Siのパターンに熱酸化膜を被覆するという記載はあるものの、これは各半導体プロセスに基づいて作製されるもので、酸化膜厚はそのプロセスによって決定されるものであり、本発明のようにコンタミネーション防止の効果が得られる1〜5nmの範囲とするものではない。特許文献3(特開平07-218201号公報)には、積層膜を作製し、その積層膜の端面を標準試料として使用する方法が記載されているが、この際の酸化は積層膜を作製するための酸化であり、目的も用途も異なるものである。また、シリコンとシリコン酸化膜の積層膜であり、電子ビームにてスキャンされる標準試料部分が1〜5nmの酸化膜で覆われている構造ではないため、コンタミネーションの低減の効果は期待できない。
ビーム偏向により校正用パターンのひとつのパターンであるピッチ100nmで縦方向に直線溝が25本並んだ回折格子単位パターンに相当する開口107を選択して(ステップ801)、上記試料上の所望の位置にビーム偏向により露光する(ステップ802)。次にビーム偏向により校正用パターンのもうひとつのパターンであるピッチ100nmで横方向に直線溝が25本並んだ回折格子単位パターンに相当する開口108を選択して(ステップ803)、上記試料上の所望の位置にビーム偏向により露光する(ステップ804)。
次に、可変成形用矩形開口109を選択して(ステップ805)、回折格子パターンが露光されている周囲の左右に試料回転補正用のマーク505、506を電子ビーム可変成形法で露光する(ステップ806)。
現像後、図1(b)に示すように、レジストパターン102をマスクとして酸化膜をエッチングし、次にドライエッチングにより、シリコン基板をエッチングする(ステップ807)。
描画では、上記のように電子ビーム露光において回折格子パターンの方向を縦・横両方向を同一基板上に作製しておく。回折格子パターンとして電子ビーム一括露光方を用いることにより、試料のどの位置でも同じステンシルマスクを用いて露光するために寸法バラツキ5nm以下の均一なパターン形成が可能であった。
さらに、図1(c)に示すように、得られたパターンはレジストやエッチング副生成物等が表面に付着していることから洗浄処理を行い、シリコンのパターン103を得る(ステップ808)。洗浄処理では硫酸と過酸化水素水の混合液に浸すことによって、有機系の付着物を除去するとともに、基板表面が1-2nm程度酸化される。さらにフッ酸処理を行い、基板表面に付着している異物等を酸化膜ごと除去する。しかしこの基板をそのまま使用したのでは電子ビーム照射によるコンタミネーションの付着が多いことが発明者らの検証によって確認をされている。そこで、図1(d)に示すように、基板表面を酸素プラズマにさらし溝の内面を含めてシリコンの溝パターンの表面に4nmの酸化膜104を形成させた(ステップ809)。
その後、ウェハ105を図2に示すようにダイシングすることにより所定寸法形状、例えば10mm□のチップ106に分割し(ステップ810)、洗浄処理を行う(ステップ811)。ここでは洗浄処理の際にフッ酸処理を行うと、ステップ809で形成させた酸化膜が除去されることから、フッ酸処理を行わない必要があり、硫酸と過酸化水素の混合液による洗浄を行い、純水で置換を行う。さらに、図3に示すように、台座に貼付を行い(ステップ812)、寸法校正用標準部材が完成となる。図15にて示された工程により作製された寸法校正用標準部材では5分間の電子ビーム照射によるコンタミネーションの付着による寸法変動が20.6nmであったが、表面にシリコン酸化膜が4nmある寸法校正用標準部材のそれは3.0nmと大幅に低減された。
なお、ここでは基板洗浄後に酸素プラズマを行い、ダイシング後には硫酸、過酸化水素水の混合液による酸化による洗浄方法を行った。しかし、ここで重要なことは台座につけられた寸法校正用標準部材の溝パターンの表面に1〜5nmの酸化膜が形成されていることである。この表面酸化膜を作製する方法としてここでは、基板をフッ酸洗浄により一旦表面酸化膜をとったのち、酸素プラズマと硫酸・過酸化水素水の混合液により表面に酸化膜が形成させた。しかしこれ以外にも熱酸化による方法もあり、またこの組み合わせの方法も各種変えることが可能である。ただし、フッ酸処理を行った後でも大気中に放置しておくことによって1nm未満の自然酸化膜が形成されるが、1nm未満では十分な効果を得ることができず1nm以上の酸化膜が必要であった。また自然酸化膜が形成される雰囲気によって基板表面に酸素以外のものがとりこまれ、表面が汚染されてしまうこともあることから制御して酸化膜を形成することが必要である。このシリコン酸化膜の膜厚測定方法は、分光エリプソメータ、XPSによる測定することができ、また標準部材を破断し透過電子顕微鏡観察することによっても酸化膜の厚さを測定をすることが可能である。
この倍率の校正については、電子顕微鏡装置にて図5に示す縦方向の回折格子単位パターン503のピッチ寸法を測定する。まず、ピッチ100nmで直線溝が25本並んだ回折格子単位パターン503を探すために位置決め用の十字マーク505、506を用いて試料と電子顕微鏡装置の移動方向の平行性を補正する。次に、配列内の回折格子単位パターン503のピッチ寸法を二次電子信号検出器31からの二次電子信号波形で測定する。同様にして、20点以上の異なる回折格子単位パターン503のピッチ寸法を求め、その平均値を100.21nmとすることで校正ができた。さらに横方向の回折格子パターン504を用いて同様に横方向の電子顕微鏡装置の倍率の調整を高精度に実現できた。
41・・・電子銃、42・・・電子ビーム、43,45・・・レンズ、44・・・偏向器、46・・・ウェーハ、47・・・ステージ、48・・・二次電子、49・・・二次電子検出器、50・・・ビーム偏向制御部、51・・・二次電子信号処理部、52・・・波形演算部、53・・・寸法演算部、54・・・寸法校正演算部、55・・・寸法表示部、56・・・寸法記憶部、57・・・基準値との差分演算部、58・・・校正状態表示部、
100・・・シリコン基板、101・・・レジスト、102・・・レジストパターン、103・・・シリコン回折格子パターン、104・・・シリコン酸化膜、105・・・ウェーハ、106・・・校正用チップ、107,108・・・回折格子用パターン開口、109・・・可変成形用矩形開口、
501,502・・・回折格子領域、503,504・・・回折格子パターン、505,506・・・位置検出用十字パターン、
1101・・・電子ビーム、1102・・・シリコン回折格子パターン、1103,1105・・・カーボン、1104・・・カーボンラジカル、
1201・・・シリコン基板、1202・・・シリコン酸化膜、1203・・・シリコン、1204・・・土台サンプル、1205・・・エッチング深さ10nmのサンプル、1206・・・エッチング深さ40nmのサンプル、1301・・・コンタミネーション。
Claims (8)
- 少なくともシリコンを含み、予めピッチ寸法が求められている回折格子の配列よりなる電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材において、
前記寸法校正用標準部材の溝パターンの表面に1nm以上から5nm以内の厚さのシリコン酸化膜が形成されていることを特徴とする電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材。 - 請求項1記載の電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材において、
前記シリコン酸化膜が酸化処理により形成されたものであることを特徴とする電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材。 - 請求項1記載の電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材において、
前記回折格子の配列として縦方向回折格子の配列及び横方向回折格子の配列を備えていることを特徴とする電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材。 - 少なくともシリコンを含み、予めピッチ寸法が求められている回折格子の配列よりなる電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材の製造方法において、
シリコン基板をエッチングすることにより回折格子の溝パターンを作成し、
前記溝パターンの表面に酸化処理により1nm以上から5nm以内のシリコン酸化膜を形成することを特徴とする電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材の製造方法。 - 請求項4記載の電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材の製造方法において、
表面の酸化処理方法としてガスとして酸素を用いたプラズマにさらすことを特徴とする電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材の製造方法。 - 請求項4記載の電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材の製造方法において、
フッ酸処理により表面酸化膜を除去した後に、酸化処理を行うことを特徴とする電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材の製造方法。 - ピッチが60nm以下の回折格子の配列よりなる電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材において、
寸法校正用標準部材の溝パターンの表面積が、電子ビームによって走査される走査面積の3.1倍以上であることを特徴とする電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材。 - 寸法校正用標準部材を用いた電子顕微鏡装置の校正方法であって、
少なくとも回折格子単位の溝パターンの表面に1nm以上から5nm以内のシリコン酸化膜が形成されており、かつシリコン基板上に予めピッチ寸法が求められている回折格子の配列よりなる回折格子単位パターンを備える寸法校正用標準部材を配置し、前記回折格子単位パターンを測長し、その測長結果と前記ピッチ寸法の差を計算して基準値と比較し校正するようにしたことを特徴とする電子顕微鏡装置の校正方法。
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