JP7381568B2 - デバイスパラメータの測定方法 - Google Patents
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Description
図1は、測定装置の一構成例を示す等価回路図である。本構成例の測定装置10は、スイッチ素子20のデバイスパラメータ(内部ゲート抵抗Rginないしはプラトー電圧Vpなど)を測定するための装置であり、電圧源11と、電流源12と、制御部13と、を有する。また、測定装置10は、スイッチ素子20のゲートに外付けされる外部ゲート抵抗Rgを有している。
図2は、ゲート・ソース間電圧Vgsのターンオフ過渡特性(実線:Rg=RgLの場合、破線:Rg=RgMの場合、一点鎖線:Rg=RgHの場合、ただし、RgL<RgM<RgH)を示すスイッチング波形図である。
図3は、デバイスパラメータの第1導出例を示すフローチャートである。まず、ステップS11では、測定回数を表す変数kが初期値(例えばk=1)に設定される。
図5は、デバイスパラメータの第2導出例を示すフローチャートである。本導出例のステップS11~S14では、第1導出例(図3)と同じく、トランジスタM1の外部ゲート抵抗Rgをm通りの設定値Rg(1)~Rg(m)(ただしRg(1)≠Rg(2)≠…Rg(m))に切り替えながら、スイッチング過渡状態におけるゲート・ソース間電圧Vgsの測定を繰り返すことにより、m通りの測定値Vgs(1)~Vgs(m)が順次取得される。
図7は、デバイスパラメータの第3導出例を示すフローチャートである。まず、ステップS21では、外部ゲート抵抗Rgが第1設定値Rg1に設定される。
図8は、デバイスパラメータの第4導出例を示すフローチャートである。まず、ステップS31では、トランジスタM1のプラトー電圧Vpが導出される。
図10は、ドレイン・ソース間電圧Vdsの変化領域でドレイン電流Idの変動が生じる様子(ここではターンオン過渡特性)を示す図である。なお、本図中において、実線はドレイン・ソース間電圧Vds、破線はドレイン電流Id、一点鎖線はゲート・ソース間電圧Vgsをそれぞれ示している。
図11は、4ピンデバイスの接続例を示す図である。本図では、測定装置10の測定対象として、4ピンパッケージ(本図の吹き出し枠を参照)のスイッチ素子20aが接続されている。すなわち、スイッチ素子20aは、一般的なゲート端子G、ドレイン端子D、及び、ソース端子Sのほかに、ゲート駆動用の第2ソース端子SS(=電圧源11の負極端に接続されることなく制御部13にのみ接続されるソースセンス端子)を備えている。
図12は、3ピンデバイスの接続例を示す図である。本図では、測定装置10の相定対象として、一般的な3ピンパッケージ(本図の吹き出し枠を参照)のスイッチ素子20bが接続されている。すなわち、スイッチ素子20bは、一般的なゲート端子G、ドレイン端子D、及び、ソース端子Sのみを備えており、先出の第2ソース端子SS(図11)は備えていない。
なお、トランジスタM1のデバイスモデル作成に際しては、本測定方法を用いて測定された内部ゲート抵抗Rginないしはプラトー電圧Vpをパラメータ化して、デバイスモデルの等価回路記述に含めるとよい。これにより、トランジスタM1の挙動をシミュレーション上で忠実に再現することが可能となり、延いては、シミュレーションの精度を高めることが可能となる。
なお、上記の実施形態では、MOSFETを測定対象とした例を挙げて説明を行ってきたが、デバイスパラメータの測定対象は何らこれに限定されるものではなく、例えば、IGBTを測定対象とする際にも適用することができる。
また、本明細書中に開示されている種々の技術的特徴は、上記実施形態のほか、その技術的創作の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。すなわち、上記実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示されるものであり、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。
11 電圧源
12 電流源
13 制御部
20、20a、20b スイッチ素子
Cds ドレイン・ソース間寄生容量
Cgs ゲート・ソース間寄生容量
Cgd ゲート・ドレイン間寄生容量
D ドレイン端子
G ゲート端子
M1 Nチャネル型MOS電界効果トランジスタ
Rg 外部ゲート抵抗
Rgin 内部ゲート抵抗
S ソース端子(第1ソース端子)
SS ソースセンス端子(第2ソース端子)
Claims (11)
- スイッチ素子の外部ゲート抵抗をm通り(ただしmは3以上の整数)に切り替えながらスイッチング過渡状態におけるゲート・ソース間電圧(又はゲート・エミッタ間電圧)の測定を繰り返すステップと;
前記スイッチ素子の内部ゲート抵抗とプラトー電圧をそれぞれRgin及びVpとし、m通りの前記外部ゲート抵抗及び前記ゲート・ソース間電圧(又はゲート・エミッタ間電圧)をそれぞれRg(k)及びVgs(k)(ただしk=1、2、…、m)として、数式Vgs(k)=Rg(k)/(Rg(k)+Rgin)×Vpのフィッティング処理を行うことにより、前記内部ゲート抵抗または前記プラトー電圧を導出するステップと;
を有する、デバイスパラメータの測定方法。 - スイッチ素子の外部ゲート抵抗をm通り(ただしmは3以上の整数)に切り替えながらスイッチング過渡状態におけるゲート・ソース間電圧(又はゲート・エミッタ間電圧)の測定を繰り返すステップと;
前記スイッチ素子の内部ゲート抵抗とプラトー電圧をそれぞれRgin及びVpとし、m通りの前記外部ゲート抵抗及び前記ゲート・ソース間電圧(又はゲート・エミッタ間電圧)をそれぞれRg(k)及びVgs(k)(ただしk=1、2、…、m)として、数式1/Vgs(k)=(Rgin/Vp)×(1/Rg(k))+(1/Vp)のフィッティング処理を行うことにより、1/Vgs(k)を1/Rg(k)の一次関数として表現するステップと;
前記一次関数の切片から前記プラトー電圧を導出するステップと;
前記一次関数の傾きと先に導出された前記プラトー電圧から前記内部ゲート抵抗を導出するステップと;
を有する、デバイスパラメータの測定方法。 - スイッチ素子の外部ゲート抵抗を第1設定値としてスイッチング過渡状態におけるゲート・ソース間電圧(又はゲート・エミッタ間電圧)を測定することにより第1測定値を得るステップと;
前記外部ゲート抵抗を前記第1設定値とは異なる第2設定値として前記スイッチング過渡状態における前記ゲート・ソース間電圧(又はゲート・エミッタ間電圧)を測定することにより第2測定値を得るステップと;
前記スイッチ素子の内部ゲート抵抗とプラトー電圧をそれぞれRgin及びVpとし、前記外部ゲート抵抗の前記第1設定値及び前記第2設定値をそれぞれRg1及びRg2とし、前記ゲート・ソース間電圧(又はゲート・エミッタ間電圧)の前記第1測定値及び前記第2測定値をそれぞれVgs1及びVgs2として、数式Rgin=(Vgs1-Vgs2)×Rg1×Rg2/(Rg1×Vgs2-Rg2×Vgs1)から前記内部ゲート抵抗を導出し、数式Vp=(Rg1-Rg2)×Vgs1×Vgs2/(Rg1×Vgs2-Rg2×Vgs1)から前記プラトー電圧を導出するステップと;
を有する、デバイスパラメータの測定方法。 - スイッチ素子のプラトー電圧を導出するステップと;
前記スイッチ素子の外部ゲート抵抗を設定するステップと;
前記スイッチ素子のスイッチング過渡状態におけるゲート・ソース間電圧(又はゲート・エミッタ間電圧)を測定するステップと;
前記スイッチ素子の内部ゲート抵抗、前記外部ゲート抵抗、前記ゲート・ソース間電圧(又はゲート・エミッタ間電圧)、及び、前記プラトー電圧をそれぞれRgin、Rg、Vgs、及び、Vpとして、数式Rgin=Rg×(Vp-Vgs)/Vgsを解くことにより、前記内部ゲート抵抗を導出するステップと;
を有する、デバイスパラメータの測定方法。 - 前記スイッチング過渡状態は、前記スイッチ素子のターンオフ時にドレイン・ソース間電圧が変化している途中の状態である、請求項1~請求項4のいずれか一項に記載の測定方法。
- ゲート端子、ドレイン端子(又はコレクタ端子)、第1ソース端子(又は第1エミッタ端子)、及び、第2ソース端子(又は第2エミッタ端子)を備えたスイッチ素子を測定対象とする、請求項1~請求項5のいずれか一項に記載の測定方法。
- ゲート端子、ドレイン端子(又はコレクタ端子)、及び、ソース端子(又はエミッタ端子)を備えたスイッチ素子を測定対象とする、請求項1~請求項5のいずれか一項に記載の測定方法。
- 前記スイッチ素子のドレイン電流(又はコレクタ電流)を測定し、その結果に応じて前記ソース端子(又はエミッタ端子)に付随するインダクタンス成分の影響をキャンセルするステップをさらに有する、請求項7に記載の測定方法。
- ワイドバンドギャップ半導体のスイッチ素子を測定対象とする、請求項1~請求項8のいずれか一項に記載の測定方法。
- 請求項1~請求項9に記載の測定方法を用いて前記スイッチ素子のデバイスパラメータを測定する、測定装置。
- 請求項1~請求項9に記載の測定方法で測定された前記スイッチ素子のデバイスパラメータを用いて前記スイッチ素子のデバイスモデルを作成する、デバイスモデル作成方法。
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