JP7376611B2 - バナジウムタングステン合金ターゲット素材の製造方法 - Google Patents
バナジウムタングステン合金ターゲット素材の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7376611B2 JP7376611B2 JP2021564487A JP2021564487A JP7376611B2 JP 7376611 B2 JP7376611 B2 JP 7376611B2 JP 2021564487 A JP2021564487 A JP 2021564487A JP 2021564487 A JP2021564487 A JP 2021564487A JP 7376611 B2 JP7376611 B2 JP 7376611B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vanadium
- target material
- temperature
- powder
- tungsten alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013077 target material Substances 0.000 title claims description 75
- NWJUARNXABNMDW-UHFFFAOYSA-N tungsten vanadium Chemical compound [W]=[V] NWJUARNXABNMDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 53
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 31
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 33
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical group [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 24
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims description 22
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 14
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 21
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C27/00—Alloys based on rhenium or a refractory metal not mentioned in groups C22C14/00 or C22C16/00
- C22C27/02—Alloys based on vanadium, niobium, or tantalum
- C22C27/025—Alloys based on vanadium, niobium, or tantalum alloys based on vanadium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/12—Both compacting and sintering
- B22F3/14—Both compacting and sintering simultaneously
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/045—Alloys based on refractory metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Description
前記製造方法は、
(1)バナジウム粉とタングステン粉とを処方に従って混合した後、型に入れるステップと、
(2)炉内に入れて真空引きした後、ホットプレス焼結を行い、前記バナジウムタングステン合金ターゲット素材を取得するステップと、を含むバナジウムタングステン合金ターゲット素材の製造方法を提供する。
前記製造方法は、
(1)バナジウム粉とタングステン粉とを処方に従って混合した後、型に入れるステップと、
(2)炉内に入れて真空引きした後、ホットプレス焼結を行い、前記バナジウムタングステン合金ターゲット素材を取得するステップと、を含み、
前記ホットプレス焼結は、10~15℃/minで定温まで昇温して保温し、その後、5~8℃/minで昇温して保温保圧することを含み、前記保温保圧における温度は1260~1300℃である。
本願は、バナジウムタングステン合金ターゲット素材の製造方法を提供し、バナジウムタングステンターゲット素材は、含有質量%で、11%のWを含み、残りがバナジウムであった。
本願は、バナジウムタングステン合金ターゲット素材の製造方法を提供し、前記バナジウムタングステンターゲット素材は、含有質量%で、19%のWを含み、残りがバナジウムであった。
本願は、バナジウムタングステン合金ターゲット素材の製造方法を提供し、前記バナジウムタングステンターゲット素材は、含有質量%で、15%のWを含み、残りがバナジウムであった。
本願は、バナジウムタングステン合金ターゲット素材の製造方法を提供し、前記バナジウムタングステンターゲット素材は、含有質量%で、13%のWを含み、残りがバナジウムであった。
実施例1との区別は、前記バナジウムタングステン合金におけるWの含有量が25%であり、得られたバナジウムタングステン合金ターゲット素材の緻密度が96.25%であり、ターゲット材に作製した後、スパッタリング過程において異常放電が存在したことだけにある。
実施例1との区別は、前記バナジウムタングステン合金におけるWの含有量が4%であり、得られたバナジウムタングステン合金ターゲット素材の緻密度が97.05%であり、ターゲット材に作製した後、スパッタリング過程において異常放電が存在したことだけにある。
実施例1との区別は、ホットプレス焼結で1280℃に直接昇温して保温し、得られたバナジウムタングステン合金ターゲット素材の緻密度が95.65%であり、ターゲット材に作製した後、スパッタリング過程において異常放電が存在したことだけにある。
実施例1との区別は、前記保温保圧中の温度が1100℃であり、得られたバナジウムタングステン合金ターゲット素材の緻密度が98.15%であり、ターゲット材に作製した後、スパッタリング過程で得られたメッキ膜の厚さが均一でなかったことだけにある。
実施例1との区別は、前記保温保圧中の温度が1400℃であり、得られたバナジウムタングステン合金ターゲット素材の緻密度が97.45%であり、ターゲット材に作製した後、スパッタリング過程で得られたメッキ膜の品質が悪かったことだけにある。
Claims (2)
- バナジウムタングステンターゲット素材は、含有質量%で、11%~19%のWを含み、残りがバナジウムであり、
(1)バナジウム粉とタングステン粉とを処方に従って混合した後、型に入れるステップと、
(2)炉内に入れて真空引きした後、ホットプレス焼結を行い、バナジウムタングステン合金ターゲット素材を取得するステップと、
を含み、
ステップ(1)において、前記混合の方式はドライブレンドであり、前記混合におけるジルコニアボールと粉との質量比は(1~2):10であり、前記混合の時間は24~26hであり、前記バナジウム粉の粒度は74μm未満であり、前記タングステン粉の粒度は2~3μmであり、
ステップ(2)において、前記ホットプレス焼結は、10~15℃/minで定温まで昇温して保温し、その後、5~8℃/minで昇温して保温保圧することを含み、前記定温の温度は1000~1050℃であり、前記保温の時間は1~1.2hであり、前記保温保圧における温度は1260~1300℃であり、前記保温保圧において、120~130min内で35~40MPaに加圧し、前記保温保圧の時間は1.5~2hである、バナジウムタングステン合金ターゲット素材の製造方法。 - ステップ(2)に記載の真空引きの終点は、絶対真空度が40Pa以下になるまで真空引きすることである、請求項1に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011525482.4 | 2020-12-22 | ||
CN202011525482.4A CN112760538B (zh) | 2020-12-22 | 2020-12-22 | 一种钒钨合金靶坯的制备方法 |
PCT/CN2021/086057 WO2022134380A1 (zh) | 2020-12-22 | 2021-04-09 | 一种钒钨合金靶坯的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023512126A JP2023512126A (ja) | 2023-03-24 |
JP7376611B2 true JP7376611B2 (ja) | 2023-11-08 |
Family
ID=75694488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021564487A Active JP7376611B2 (ja) | 2020-12-22 | 2021-04-09 | バナジウムタングステン合金ターゲット素材の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7376611B2 (ja) |
CN (1) | CN112760538B (ja) |
WO (1) | WO2022134380A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114540692B (zh) * | 2022-03-29 | 2022-12-13 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种钒钨合金靶材及其制备方法与应用 |
CN115519123A (zh) * | 2022-09-23 | 2022-12-27 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种钨骨架及其制备方法与用途 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003226963A (ja) | 2002-02-04 | 2003-08-15 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット |
JP2004076064A (ja) | 2002-08-13 | 2004-03-11 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットおよびそれを用いた硬質被膜、硬質膜被覆部材 |
CN104946950A (zh) | 2015-06-10 | 2015-09-30 | 深圳市威勒达科技开发有限公司 | 一种钒钨合金靶材及其制备方法 |
CN105463387A (zh) | 2016-01-22 | 2016-04-06 | 基迈克材料科技(苏州)有限公司 | 采用真空烧结工艺制备金属钨及钒钨合金靶材 |
JP2017088465A (ja) | 2015-11-16 | 2017-05-25 | 住友金属鉱山株式会社 | 焼結体及びその製造方法、スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに酸化物薄膜及びその製造方法 |
CN112538607A (zh) | 2020-11-19 | 2021-03-23 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种钒钨合金靶坯的制备方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102400004B (zh) * | 2011-11-25 | 2014-03-19 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 钨钛合金靶坯及靶材的制造方法 |
CN102699626A (zh) * | 2012-01-04 | 2012-10-03 | 洛阳科威钨钼有限公司 | 一种钨平面靶的制作工艺 |
CN105483624B (zh) * | 2014-09-16 | 2018-06-05 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 钼硅靶材及其组合的制造方法 |
KR102373916B1 (ko) * | 2015-03-23 | 2022-03-11 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 다결정 텅스텐 소결체 및 다결정 텅스텐 합금 소결체 그리고 그것들의 제조 방법 |
JP6677875B2 (ja) * | 2015-03-23 | 2020-04-08 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶タングステン及びタングステン合金焼結体並びにその製造方法 |
CN104928539A (zh) * | 2015-05-15 | 2015-09-23 | 上海柯瑞冶金炉料有限公司 | 一种钒铝硅三元合金靶材及其制备方法 |
-
2020
- 2020-12-22 CN CN202011525482.4A patent/CN112760538B/zh active Active
-
2021
- 2021-04-09 JP JP2021564487A patent/JP7376611B2/ja active Active
- 2021-04-09 WO PCT/CN2021/086057 patent/WO2022134380A1/zh active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003226963A (ja) | 2002-02-04 | 2003-08-15 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット |
JP2004076064A (ja) | 2002-08-13 | 2004-03-11 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットおよびそれを用いた硬質被膜、硬質膜被覆部材 |
CN104946950A (zh) | 2015-06-10 | 2015-09-30 | 深圳市威勒达科技开发有限公司 | 一种钒钨合金靶材及其制备方法 |
JP2017088465A (ja) | 2015-11-16 | 2017-05-25 | 住友金属鉱山株式会社 | 焼結体及びその製造方法、スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに酸化物薄膜及びその製造方法 |
CN105463387A (zh) | 2016-01-22 | 2016-04-06 | 基迈克材料科技(苏州)有限公司 | 采用真空烧结工艺制备金属钨及钒钨合金靶材 |
CN112538607A (zh) | 2020-11-19 | 2021-03-23 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种钒钨合金靶坯的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2023512126A (ja) | 2023-03-24 |
CN112760538A (zh) | 2021-05-07 |
CN112760538B (zh) | 2022-04-12 |
WO2022134380A1 (zh) | 2022-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7376611B2 (ja) | バナジウムタングステン合金ターゲット素材の製造方法 | |
CN111499381B (zh) | 一种磁控溅射用高致密性导电氧化锆陶瓷靶材的制备方法 | |
CN104961463B (zh) | 一种氧化铌旋转靶材及其制备方法 | |
CN112225565A (zh) | 一种钨硅靶坯的制备方法 | |
CN112030120A (zh) | 一种钽硅合金溅射靶材的制备方法 | |
CN112111719A (zh) | 一种钨钛硅合金溅射靶材及其制备方法 | |
WO2017158928A1 (ja) | 酸化物焼結体 | |
CN114990499A (zh) | 一种钼合金靶材的制备方法 | |
CN116377403B (zh) | 钼钛靶材的制备方法 | |
US6500225B2 (en) | Method for producing high density indium-tin-oxide sintered body | |
CN115321969B (zh) | 一种熔融石英陶瓷坩埚的制作方法 | |
CN110777343A (zh) | 一种钼平面溅射靶材的制备方法 | |
CN115959897A (zh) | 一种砂磨工艺制备蒸镀用低密度ito靶材的方法 | |
CN113981387B (zh) | 一种钨硅靶材的制备方法 | |
TWI588267B (zh) | High purity tungsten metal material and preparation method of tungsten target | |
JP4120351B2 (ja) | 高濃度酸化スズitoターゲットとその製造方法 | |
CN104928539A (zh) | 一种钒铝硅三元合金靶材及其制备方法 | |
CN112126903A (zh) | 一种钨烧结靶材的制造方法 | |
US8366994B2 (en) | Method for manufacturing cobalt alloy-based ceramic composite sputtering target | |
CN117488106A (zh) | 一种金属铬粉体与添加剂一体化成型方法 | |
CN111393165B (zh) | 一种镀膜用氧化铈颗粒的制备方法 | |
JP2003002749A (ja) | 酸化インジウム粉末およびitoスパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP4363168B2 (ja) | 酸化チタン焼結体およびその製造方法 | |
CN112517917B (zh) | 一种用于铬钛靶材的CrTiLa合金粉末的制备方法 | |
CN112028120B (zh) | 一种用于镀制光学薄膜的ZrOx及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211029 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230314 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230613 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20230704 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230906 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20230906 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20230925 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231017 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231026 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7376611 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |