JP7373034B1 - 擬似スタティックランダムアクセスメモリ - Google Patents
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Abstract
Description
図2は、本発明の第1実施形態に係るpSRAM(擬似スタティックランダムアクセスメモリ)10の構成例を示すブロック図である。pSRAM10は、第1トランザクション中にメモリのリフレッシュ要求信号Ref_requestが生成された場合に、メモリのリフレッシュ動作を、第1トランザクションが終了してから第1トランザクションの後の第2トランザクションが開始するまでの間に、第1トランザクション中に生成されたリフレッシュ要求信号Ref_requestの数だけ実行するように構成されている。
以下、本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態のpSRAMは、インタリーブ方式でアクセスされる複数のメモリバンクを備える点において第1実施形態と異なっている。以下、第1実施形態と異なる構成について説明する。
11…オシレータ
12…制御部
12a…カウンタ
12b…カウンタ
12c…コンパレータ
13…アービタ
14…コマンド生成部
20…メモリバンク
Claims (10)
- 第1トランザクション中にメモリのリフレッシュ要求が生成された場合に、前記メモリのリフレッシュ動作を、前記第1トランザクションが終了してから前記第1トランザクションの後の第2トランザクションが開始するまでの間に、前記第1トランザクション中に生成されたリフレッシュ要求の数だけ実行するように制御する制御部を備える、
擬似スタティックランダムアクセスメモリ。 - 前記制御部は、
前記第1トランザクション中に生成されたリフレッシュ要求の数をカウントする第1カウンタと、
前記第1トランザクションが終了してから前記第2トランザクションが開始するまでの間に実行されたリフレッシュ動作の数をカウントする第2カウンタと、を備え、
前記第2カウンタによってカウントされたリフレッシュ動作の数が、前記第1カウンタによってカウントされたリフレッシュ要求の数に達するまで、リフレッシュ動作を実行するように制御する、
請求項1に記載の擬似スタティックランダムアクセスメモリ。 - 前記制御部は、
前記第1カウンタによってカウントされたリフレッシュ要求の数と、前記第2カウンタによってカウントされたリフレッシュ動作の数と、を比較するコンパレータを備える、
請求項2に記載の擬似スタティックランダムアクセスメモリ。 - 前記制御部による制御に基づいて、リフレッシュ動作を実行するためのリフレッシュコマンドを生成するコマンド生成部を備え、
前記コマンド生成部は、前記リフレッシュコマンドを生成する毎に、前記リフレッシュコマンドを前記第2カウンタに出力する、
請求項2に記載の擬似スタティックランダムアクセスメモリ。 - 前記コマンド生成部は、前記第1トランザクション中に、メモリセルアレイに対してデータのアクセスを行うためのアクセスコマンドを生成する、
請求項4に記載の擬似スタティックランダムアクセスメモリ。 - リフレッシュ制御信号が、前記第1トランザクションが終了してから前記第2トランザクションが開始するまでの間に前記制御部から入力される毎に、前記リフレッシュ制御信号を前記コマンド生成部に出力するアービタを備え、
前記コマンド生成部は、前記リフレッシュ制御信号が入力される毎に前記リフレッシュコマンドを生成する、
請求項4に記載の擬似スタティックランダムアクセスメモリ。 - インタリーブ方式でアクセスされる複数のメモリバンクを備え、
前記制御部は、
前記第1トランザクションにおいて前記複数のメモリバンクのうち選択されたメモリバンクがアクセスされている場合であって、前記第1トランザクション中にメモリのリフレッシュ要求が生成された場合に、
前記選択されたメモリバンクにおけるリフレッシュ動作を、前記第1トランザクションが終了してから前記第2トランザクションが開始するまでの間に、前記第1トランザクション中に生成されたリフレッシュ要求の数だけ実行するように制御し、
前記複数のメモリバンクのうち前記選択されたメモリバンク以外の他のメモリバンクにおけるリフレッシュ動作を、生成されたリフレッシュ要求に応じて前記第1トランザクション中に実行するように制御する、
請求項1に記載の擬似スタティックランダムアクセスメモリ。 - 前記複数のメモリバンクの各々は、前記制御部を備える、
請求項7に記載の擬似スタティックランダムアクセスメモリ。 - 前記擬似スタティックランダムアクセスメモリは、クロック信号に同期して信号が入力又は出力されるクロック同期型の擬似スタティックランダムアクセスメモリである、
請求項1~8の何れかに記載の擬似スタティックランダムアクセスメモリ。 - 前記擬似スタティックランダムアクセスメモリは、アドレスデータマルチプレックスインタフェース型の擬似スタティックランダムアクセスメモリである、
請求項1~8の何れかに記載の擬似スタティックランダムアクセスメモリ。
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2023
- 2023-03-06 US US18/179,205 patent/US20240055037A1/en active Pending
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