JP7371193B2 - 発光素子 - Google Patents
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Description
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・
オブ・マター)に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装
置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として
挙げることができる。
た発光素子に関する研究開発が盛んに行われている。エレクトロルミネッセンスを利用し
た発光素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の物質を含む層(以下、発光層とい
う)を挟んだものである。発光素子の電極間に電圧を印加することにより、発光性の物質
から発光を得ることができる。
れる場合と、陰極として機能する電極が基板上に先に形成される場合とがある。先に示し
た作製プロセスで形成される素子構造を「順構造」、後に示したプロセスに基づき形成さ
れる素子構造を「逆構造」と呼ぶ。これらは、単純に発光素子の素子構造が基板上で反転
しているというだけでなく、作製プロセスに起因して素子構造も異なる場合がある。(例
えば、特許文献1)。
(Oxide Semiconductor)をFETの半導体層に適用する構造の提案
もされている(以下、OS-FET)。特に酸化物半導体としてIGZO(Indium
Gallium Zinc Oxide)を使用したOS‐FETは、多数キャリアが
電子でありn型となるため、OS‐FETと、その接続が陰極となる逆構造の発光素子と
を組み合わせることにより素子特性を向上させることができる、との提案もされている(
例えば、非特許文献1)。
あり、従来よりも素子特性を向上させることが期待できる。しかしながら、逆構造の発光
素子の場合、陰極上にアルカリ金属またはアルカリ土類金属を有する電子注入層、電子輸
送層、発光層の順に積層されることになる。このとき、アルカリ金属またはアルカリ土類
金属を有する電子注入層が、先に形成された陰極と接すると、特に酸化物透明導電膜を有
する陰極と接すると、EL素子の駆動電圧の上昇や素子寿命の低下を引き起こすことが問
題になる。
明の一態様は、新規の発光素子の構造を提供することを課題の一とする。また、本発明の
一態様は、新規な逆構造の発光素子を提供することを課題の一とする。
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
に発光層を有し、陰極と発光層との間に第1の層を有し、第1の層と発光層との間に第2
の層を有し、第2の層は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属を有し、第1の層は、
電子輸送性材料を有する発光素子である。
1の層上の第2の層と、第2の層上の発光層と、発光層上の陽極と、を有し、第2の層は
、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属を有し、第1の層は、電子輸送性材料を有する
発光素子である。
陰極との間に発光層を有し、陰極と発光層との間に第1の層を有し、第1の層と発光層と
の間に第2の層を有し、第3の層を有し、第3の層は、陰極と第1の層との間に設けられ
、第3の層は、正孔輸送性材料と電子受容体とを有し、第2の層は、アルカリ金属若しく
はアルカリ土類金属を有し、第1の層は、電子輸送性材料を有する発光素子である。
1の層上の第2の層と、第2の層上の発光層と、発光層上の陽極と、第3の層を有し、第
3の層は、陰極と第1の層との間に設けられ、第3の層は、正孔輸送性材料と電子受容体
とを有し、第2の層は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属を有し、第1の層は、電
子輸送性材料を有する発光素子である。
しくはアルカリ土類金属が陰極に拡散することを抑制することができる機能を有していて
もよい。
ソフェナントロリン(BPhen)若しくはトリス(8-キノリノラト)アルミニウム(
Alq3)を有していてもよい。また、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属は、リチ
ウム、カルシウムのいずれか一としてもよい。
と、インジウムと、を有していてもよい。なお、陰極は、酸素を有する導電材料を有して
いてもよい。陰極は、透光性を有する材料を含んでいてもよい。陰極は、インジウム、錫
、及び酸素を有していてもよい。
有する発光装置であって、陰極は、電界効果トランジスタと電気的に接続されていてもよ
い。なお、電界効果トランジスタは、n型電界効果トランジスタとしてもよい。該電界効
果トランジスタは、半導体層に酸化物半導体を有していてもよい。該酸化物半導体は、イ
ンジウムと、スズと、ガリウムと、を有する酸化物半導体としてもよい。
発明の一態様に係る発光装置と、カラーフィルターとを用いて電子機器としてもよい。本
明細書で開示する発明の一態様に係る発光素子と、または、本明細書で開示する発明の一
態様に係る発光装置と、タッチパネルとを用いて電子機器としてもよい。本明細書で開示
する発明の一態様に係る発光素子と、または、本明細書で開示する発明の一態様に係る発
光装置と、筐体とを用いて、照明装置としてもよい。
ルカリ土類金属が、先に形成された陰極と接すると、EL素子の駆動電圧の上昇や発光効
率の低下を引き起こす。特に、陰極が酸化物導電膜を有しているときに問題は顕著となる
。これを防ぐために、陰極と電子注入層との間に、バッファーとなる層(以下、単に層と
もいう)を設ける。
層の導電性が向上する。そのため、該層がない場合と比較して、逆構造を適用した発光素
子は、駆動電圧が上昇することなく発光することができる。
、新規の発光素子の構造を提供することができる。また、本発明の一態様により、新規な
逆構造の発光素子を提供することができる。
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれ
ば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。
の大きさや厚さ等は、個々に説明の明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、
必ずしも各構成要素はその大きさに限定されず、また各構成要素間での相対的な大きさに
限定されない。
るものであって工程の順番や上下の位置関係などを示すものではない。そのため、例えば
、「第1の」を「第2の」又は「第3の」などと適宜置き換えて説明することができる。
また、本明細書等に記載されている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられ
る序数詞は一致しない場合がある。
分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また
、同様の機能を有する部分を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さ
ない場合がある。
みを帯びていない度合)および明度(明るさ即ち光の強弱)の三要素によって規定された
ものである。また、本明細書において色とは、上述の三要素のうちのいずれか一つの要素
のみ、または任意で選んだ2つの要素のみを示してもよい。また、本明細書において、2
つの光の色が異なるとは、上述の三要素のうちいずれか少なくとも一つが異なることをい
い、さらに、2つの光のスペクトルの形状若しくは各ピークの相対強度比の分布が異なる
ことをも含む。
じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜
」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用
語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子について図1を用いて説明する。
を示した図である。本実施の形態においては、EL層の数を1としているが、2以上のE
L層を積層したタンデム型構造としてもよい。基板100上に陰極101を形成し、陰極
101上に層102を形成し、層102上に電子注入層103を形成し、電子注入層10
3上に電子輸送層104、発光層105、正孔輸送層106、正孔注入層107、及び、
陽極108をこの順番で形成して発光素子を作製する。基板100と陰極101との間に
は電界効果トランジスタ(FET)が形成されていてもよく、陰極101には電界効果ト
ランジスタ(FET)から供給される信号が入力される。
他の導電性材料、およびこれらの混合物などを用いることができる。例えば、仕事関数の
大きい材料である、酸化インジウム-酸化スズ(ITO:Indium Tin Oxi
de)、珪素または酸化珪素を含有した酸化インジウム-酸化スズ、酸化インジウム-酸
化亜鉛(Indium Zinc Oxide)、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有
した酸化インジウム等の酸化物導電膜を用いることができる。これらの酸化物導電膜は、
スパッタリング法により形成することができる。または、ゾル-ゲル法などを用いて形成
することができる。例えば、酸化インジウム-酸化亜鉛(Indium Zinc Ox
ide)は、酸化インジウムに対し1wt%以上20wt%以下の酸化亜鉛を加えたター
ゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン
及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0
.5wt%以上5wt%以下、酸化亜鉛を0.1wt%以上1wt%以下含有したターゲ
ットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、金(Au)、白金
(Pt)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo
)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、または金属材料
の窒化物(例えば、窒化チタン)等を用いることができる。また、ユーロピウム(Eu)
、イッテルビウム(Yb)等の希土類金属、またはこれらを含む合金等を用いることがで
きる。また、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、アルミニウムを含む合金(AlSi)
等を用いることができる。また、陰極は単層膜に限らず、積層膜で形成することもできる
。
(具体的には4.0eV以上)金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを
用いて形成することが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム-酸化スズ(IT
O:Indium Tin Oxide)、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化イ
ンジウム-酸化スズ、酸化インジウム-酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有
した酸化インジウム等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタリン
グ法により成膜されるが、ゾル-ゲル法などを応用して作製しても構わない。作製方法の
例としては、酸化インジウム-酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し1乃至20wt%の酸
化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成する方法などがある。ま
た、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し
酸化タングステンを0.5乃至5wt%、酸化亜鉛を0.1乃至1wt%含有したターゲ
ットを用いてスパッタリング法により形成することもできる。この他、金(Au)、白金
(Pt)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデンMo)
、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、または金属材料の
窒化物(例えば、窒化チタン)等が挙げられる。グラフェンも用いることができる。
することができる。その一方で、陽極108を、透光性がなく反射性を有する材料で形成
し、陰極101に透光性を与えることにより、ボトムエミッション構造の発光素子とする
ことができる。
EL層は、少なくとも発光物質を有する発光層を有し、逆構造においては陰極側から電子
注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層の順に形成される。各層は必ずし
も単層である必要はなく、2以上の層から構成されてもよい。また、電子注入層及び電子
輸送層の機能を1の層で実現してもよく、正孔輸送層及び正孔注入層の機能を1の層で実
現することもできる。また、発光層以外の層のうち1又は複数の層が省略される場合もあ
る。
る。電子注入層103は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層103には
、フッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF2
)、酸化リチウム(LiOx)等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれ
らの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム(ErF3)のような希土類
金属化合物を用いることができる。また、電子輸送層を構成しうる物質を用いることもで
きる。
いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するた
め、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生し
た電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば後述の電子輸送層
を構成しうる物質(金属錯体や複素芳香族化合物等)を用いることができる。電子供与体
としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ
金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、
カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物や
アルカリ土類金属酸化物が好ましく、酸化リチウム、酸化カルシウム、酸化バリウム等が
挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、
テトラチアフルバレン(略称:TTF)等の有機化合物を用いることもできる。
の高い物質を含む層である。電子輸送層104には、Alq3、トリス(4-メチル-8
-キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Almq3)、ビス(10-ヒドロキ
シベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(II)(略称:BeBq2)、ビス(2-メチ
ル-8-キノリノラト)(4-フェニルフェノラト)アルミニウム(III)(略称:B
Alq)、ビス[2-(2-ベンゾオキサゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(略称:Z
nPBO)、ビス[2-(2-ベンゾチアゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(略称:Z
nBTZ)などの金属錯体を用いることができる。また、2-(4-ビフェニリル)-5
-(4-tert-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール(略称:PBD)
、1,3-ビス[5-(p-tert-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾー
ル-2-イル]ベンゼン(略称:OXD-7)、3-(4-ビフェニリル)-4-フェニ
ル-5-(4-tert-ブチルフェニル)-1,2,4-トリアゾール(略称:TAZ
)、3-(4-tert-ブチルフェニル)-4-(4-エチルフェニル)-5-(4-
ビフェニリル)-1,2,4-トリアゾール(略称:p-EtTAZ)、BPhen、バ
ソキュプロイン(略称:BCP)、4,4’-ビス(5-メチルベンゾオキサゾール-2
-イル)スチルベン(略称:BzOs)などの複素芳香族化合物も用いることができる。
また、ポリ(2,5-ピリジンジイル)(略称:PPy)、ポリ[(9,9-ジヘキシル
フルオレン-2,7-ジイル)-co-(ピリジン-3,5-ジイル)](略称:PF-
Py)、ポリ[(9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル)-co-(2,2’
-ビピリジン-6,6’-ジイル)](略称:PF-BPy)のような高分子化合物を用
いることもできる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を
有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質
を電子輸送層104として用いてもよい。
したものとしてもよい。
である。発光層105は、発光物質のみで構成されていても、ホスト材料中に発光物質が
分散された状態で構成されていても良い。
は、蛍光であっても燐光であっても良い。なお、上記発光物質としては、例えば、以下の
ようなものが挙げられる。
ニル]ピリジナト-N,C2’}イリジウム(III)ピコリナート(略称:Ir(CF
3ppy)2(pic))、ビス[2-(4’,6’-ジフルオロフェニル)ピリジナト
-N,C2’]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:FIr(acac)
)、トリス(2-フェニルピリジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(ppy)3
)、ビス(2-フェニルピリジナト)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称
:Ir(ppy)2(acac))、トリス(アセチルアセトナト)(モノフェナントロ
リン)テルビウム(III)(略称:Tb(acac)3(Phen))、ビス(ベンゾ
[h]キノリナト)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(bzq)
2(acac))、ビス(2,4-ジフェニル-1,3-オキサゾラト-N,C2’)イ
リジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(dpo)2(acac))、ビ
ス{2-[4’-(パーフルオロフェニル)フェニル]ピリジナト-N,C2’}イリジ
ウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(p-PF-ph)2(acac))
、ビス(2-フェニルベンゾチアゾラト-N,C2’)イリジウム(III)アセチルア
セトナート(略称:Ir(bt)2(acac))、ビス[2-(2’-ベンゾ[4,5
-α]チエニル)ピリジナト-N,C3’]イリジウム(III)アセチルアセトナート
(略称:Ir(btp)2(acac))、ビス(1-フェニルイソキノリナト-N,C
2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(piq)2(acac
))、(アセチルアセトナト)ビス[2,3-ビス(4-フルオロフェニル)キノキサリ
ナト]イリジウム(III)(略称:Ir(Fdpq)2(acac))、(アセチルア
セトナト)ビス(3,5-ジメチル-2-フェニルピラジナト)イリジウム(III)(
略称:[Ir(mppr-Me)2(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス(5
-イソプロピル-3-メチル-2-フェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:
[Ir(mppr-iPr)2(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス(2,3
,5-トリフェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(tppr)2(a
cac))、ビス(2,3,5-トリフェニルピラジナト)(ジピバロイルメタナト)イ
リジウム(III)(略称:[Ir(tppr)2(dpm)])、(アセチルアセトナ
ト)ビス(6-tert-ブチル-4-フェニルピリミジナト)イリジウム(III)(
略称:[Ir(tBuppm)2(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス(4,
6-ジフェニルピリミジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(dppm)2(a
cac)])、2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23
H-ポルフィリン白金(II)(略称:PtOEP)、トリス(1,3-ジフェニル-1
,3-プロパンジオナト)(モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:E
u(DBM)3(Phen))、トリス[1-(2-テノイル)-3,3,3-トリフル
オロアセトナト](モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:Eu(TT
A)3(Phen))などが挙げられる。
トリス(8-キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Alq)、トリス(4-メ
チル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Almq3)、ビス(10-
ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(II)(略称:BeBq2)、ビス(
2-メチル-8-キノリノラト)(4-フェニルフェノラト)アルミニウム(III)(
略称:BAlq)、ビス(8-キノリノラト)亜鉛(II)(略称:Znq)、ビス[2
-(2-ベンゾオキサゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(略称:ZnPBO)、ビス[
2-(2-ベンゾチアゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(略称:ZnBTZ)などの金
属錯体、2-(4-ビフェニリル)-5-(4-tert-ブチルフェニル)-1,3,
4-オキサジアゾール(略称:PBD)、1,3-ビス[5-(p-tert-ブチルフ
ェニル)-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン(略称:OXD-7)、
3-(4-ビフェニリル)-4-フェニル-5-(4-tert-ブチルフェニル)-1
,2,4-トリアゾール(略称:TAZ)、2,2’,2’’-(1,3,5-ベンゼン
トリイル)-トリス(1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール)(略称:TPBI)、
バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)、9-
[4-(5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル)フェニル]-9H-
カルバゾール(略称:CO11)などの複素環化合物、4,4’-ビス[N-(1-ナフ
チル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)、N,N’-ビス(3-メチ
ルフェニル)-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン
(略称:TPD)、4,4’-ビス[N-(スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル
)-N―フェニルアミノ]ビフェニル(略称:BSPB)などの芳香族アミン化合物が挙
げられる。また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン
誘導体、ジベンゾ[g,p]クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられ、具体
的には、9,10-ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth)、N,N-ジフェニ
ル-9-[4-(10-フェニル-9-アントリル)フェニル]-9H-カルバゾール-
3-アミン(略称:CzA1PA)、4-(10-フェニル-9-アントリル)トリフェ
ニルアミン(略称:DPhPA)、4-(9H-カルバゾール-9-イル)-4’-(1
0-フェニル-9-アントリル)トリフェニルアミン(略称:YGAPA)、N,9-ジ
フェニル-N-[4-(10-フェニル-9-アントリル)フェニル]-9H-カルバゾ
ール-3-アミン(略称:PCAPA)、N,9-ジフェニル-N-{4-[4-(10
-フェニル-9-アントリル)フェニル]フェニル}-9H-カルバゾール-3-アミン
(略称:PCAPBA)、9,10-ジフェニル-2-[N-フェニル-N-(9-フェ
ニル-9H-カルバゾール-3-イル)アミノ]アントラセン(略称:2PCAPA)、
6,12-ジメトキシ-5,11-ジフェニルクリセン、N,N,N’,N’,N’’,
N’’,N’’’,N’’’-オクタフェニルジベンゾ[g,p]クリセン-2,7,1
0,15-テトラアミン(略称:DBC1)、9-[4-(10-フェニル-9-アント
リル)フェニル]-9H-カルバゾール(略称:CzPA)、3,6-ジフェニル-9-
[4-(10-フェニル-9-アントリル)フェニル]-9H-カルバゾール(略称:D
PCzPA)、9,10-ビス(3,5-ジフェニルフェニル)アントラセン(略称:D
PPA)、9,10-ジ(2-ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、2-tert
-ブチル-9,10-ジ(2-ナフチル)アントラセン(略称:t-BuDNA)、9,
9’-ビアントリル(略称:BANT)、9,9’-(スチルベン-3,3’-ジイル)
ジフェナントレン(略称:DPNS)、9,9’-(スチルベン-4,4’-ジイル)ジ
フェナントレン(略称:DPNS2)、1,3,5-トリ(1-ピレニル)ベンゼン(略
称:TPB3)などを挙げることができる。これら及び公知の物質の中から、上記発光物
質のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャップを有する物質を、一種もしくは複
数種選択して用いればよい。また、発光物質が燐光を発する物質である場合、ホスト材料
としては、発光物質の三重項励起エネルギー(基底状態と三重項励起状態とのエネルギー
差)よりも三重項励起エネルギーの大きい物質を選択すれば良い。
第2の発光層を電子輸送層104側から順に積層して発光層105とする場合、第1の発
光層のホスト材料として電子輸送性を有する物質を用い、第2の発光層のホスト材料とし
て正孔輸送性を有する物質を用いる構成などがある。
の高い物質として、例えば、4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミ
ノ]ビフェニル(略称:NPB)やN,N’-ビス(3-メチルフェニル)-N,N’-
ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン(略称:TPD)、4,4
’,4’’-トリス(カルバゾール-9-イル)トリフェニルアミン(略称:TCTA)
、4,4’,4’’-トリス(N,N-ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:
TDATA)、4,4’,4’’-トリス[N-(3-メチルフェニル)-N-フェニル
アミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、4,4’-ビス[N-(スピロ-
9,9’-ビフルオレン-2-イル)-N―フェニルアミノ]ビフェニル(略称:BSP
B)などの芳香族アミン化合物、3-[N-(9-フェニルカルバゾール-3-イル)-
N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA1)、3,6-
ビス[N-(9-フェニルカルバゾール-3-イル)-N-フェニルアミノ]-9-フェ
ニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)、3-[N-(1-ナフチル)-N-(9-
フェニルカルバゾール-3-イル)アミノ]-9-フェニルカルバゾール(略称:PCz
PCN1)等が挙げられる。その他、4,4’-ジ(N-カルバゾリル)ビフェニル(略
称:CBP)、1,3,5-トリス[4-(N-カルバゾリル)フェニル]ベンゼン(略
称:TCPB)、CzPA等のカルバゾール化合物、等を用いることができる。ここに述
べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電
子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
ニルアミン)(略称:PVTPA)、ポリ[N-(4-{N’-[4-(4-ジフェニル
アミノ)フェニル]フェニル-N’-フェニルアミノ}フェニル)メタクリルアミド](
略称:PTPDMA)、ポリ[N,N’-ビス(4-ブチルフェニル)-N,N’-ビス
(フェニル)ベンジジン](略称:Poly-TPD)などの高分子化合物を用いること
もできる。
の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物
やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用い
ることができる。この他、フタロシアニン(略称:H2Pc)や銅フタロシアニン(Cu
Pc)等のフタロシアニン系の化合物、4,4’-ビス[N-(4-ジフェニルアミノフ
ェニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DPAB)、N,N’-ビス{4-
[ビス(3-メチルフェニル)アミノ]フェニル}-N,N’-ジフェニル-(1,1’
-ビフェニル)-4,4’-ジアミン(略称:DNTPD)等の芳香族アミン化合物、或
いはポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)(PE
DOT/PSS)等の高分子化合物等によっても正孔注入層107を形成することができ
る。
合材料を用いることができる。なお、正孔輸送性の物質にアクセプター性物質を含有させ
たものを用いることにより、電極の仕事関数に依らず電極を形成する材料を選ぶことがで
きる。つまり、正孔注入層107として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小
さい材料も用いることができるようになる。アクセプター性物質としては、7,7,8,
8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン(略称:F4-TCN
Q)、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる
。また元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる
。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデ
ン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。
中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好
ましい。
、芳香族炭化水素、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)など、種々
の有機化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔
輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10-6cm2/Vs以上
の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。以下では、複合材料における正孔輸送
性の物質として用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。
ニル-p-フェニレンジアミン(略称:DTDPPA)、4,4’-ビス[N-(4-ジ
フェニルアミノフェニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DPAB)、N,
N’-ビス{4-[ビス(3-メチルフェニル)アミノ]フェニル}-N,N’-ジフェ
ニル-(1,1’-ビフェニル)-4,4’-ジアミン(略称:DNTPD)、1,3,
5-トリス[N-(4-ジフェニルアミノフェニル)-N-フェニルアミノ]ベンゼン(
略称:DPA3B)等を挙げることができる。
9-フェニルカルバゾール-3-イル)-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾ
ール(略称:PCzPCA1)、3,6-ビス[N-(9-フェニルカルバゾール-3-
イル)-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)、
3-[N-(1-ナフチル)-N-(9-フェニルカルバゾール-3-イル)アミノ]-
9-フェニルカルバゾール(略称:PCzPCN1)等を挙げることができる。
(N-カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、1,3,5-トリス[4-(N-カ
ルバゾリル)フェニル]ベンゼン(略称:TCPB)、9-[4-(10-フェニル-9
-アントリル)フェニル]-9H-カルバゾール(略称:CzPA)、1,4-ビス[4
-(N-カルバゾリル)フェニル]-2,3,5,6-テトラフェニルベンゼン等を用い
ることができる。
ブチル-9,10-ジ(2-ナフチル)アントラセン(略称:t-BuDNA)、2-t
ert-ブチル-9,10-ジ(1-ナフチル)アントラセン、9,10-ビス(3,5
-ジフェニルフェニル)アントラセン(略称:DPPA)、2-tert-ブチル-9,
10-ビス(4-フェニルフェニル)アントラセン(略称:t-BuDBA)、9,10
-ジ(2-ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、9,10-ジフェニルアントラセ
ン(略称:DPAnth)、2-tert-ブチルアントラセン(略称:t-BuAnt
h)、9,10-ビス(4-メチル-1-ナフチル)アントラセン(略称:DMNA)、
2-tert-ブチル-9,10-ビス[2-(1-ナフチル)フェニル]アントラセン
、9,10-ビス[2-(1-ナフチル)フェニル]アントラセン、2,3,6,7-テ
トラメチル-9,10-ジ(1-ナフチル)アントラセン、2,3,6,7-テトラメチ
ル-9,10-ジ(2-ナフチル)アントラセン、9,9’-ビアントリル、10,10
’-ジフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス(2-フェニルフェニル
)-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス[(2,3,4,5,6-ペンタフェ
ニル)フェニル]-9,9’-ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペ
リレン、2,5,8,11-テトラ(tert-ブチル)ペリレン等が挙げられる。また
、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、1×10-6c
m2/Vs以上の正孔移動度を有し、炭素数14から42である芳香族炭化水素を用いる
ことがより好ましい。
。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、4,4’-ビス(2,2-ジ
フェニルビニル)ビフェニル(略称:DPVBi)、9,10-ビス[4-(2,2-ジ
フェニルビニル)フェニル]アントラセン(略称:DPVPA)等が挙げられる。
ルアミン)(略称:PVTPA)、ポリ[N-(4-{N’-[4-(4-ジフェニルア
ミノ)フェニル]フェニル-N’-フェニルアミノ}フェニル)メタクリルアミド](略
称:PTPDMA)、ポリ[N,N’-ビス(4-ブチルフェニル)-N,N’-ビス(
フェニル)ベンジジン](略称:Poly-TPD)等の高分子化合物を用いることもで
きる。
い発光素子を得ることが可能となる。
5と、正孔輸送層106と、正孔注入層107とが形成され、EL層が形成される。なお
、EL層は発光層が必須であるが、他の層のうち1又は複数の層が省略される場合もある
。また、タンデム型の発光素子において形成される複数のEL層の各層の構成は、それぞ
れ同様の材料・厚さとすることも可能であり、それぞれ異なるものとすることも可能であ
り、一部を同様とし他を異なるものとすることも可能である。
本発明の一態様において、陰極101と電子注入層103との間に、層102を形成する
。層102は、電子注入層103を形成する材料に含まれるアルカリ金属、又はアルカリ
土類金属が、直接陰極101と接することを防止する機能を有する。
部に射出するための透光性を有する陰極として、銀マグネシウム合金(AgMg)等の比
較的低い仕事関数を有し、電子の注入の容易な材料が用いられる。このような材料と電子
注入層に用いられるアルカリ金属またはアルカリ土類金属とでは、仕事関数が比較的近接
しており、陰極から電子注入層へのキャリアの注入が比較的容易に行われる。
た場合、透明導電性酸化物はフェルミ準位が比較的高く、アルカリ金属またはアルカリ土
類金属を有する電子注入層と接したときにエネルギー障壁が形成され、陰極からの電子の
注入が阻害される。すると、発光素子の駆動電圧が高くなり、パワー効率が低下し、寿命
が低下するため問題となる。
層103との間に、該金属が陰極と接することを防止する機能を有し、キャリア注入障壁
を緩和するバッファーとなる層102を設ける。当該層の機能により、陰極からEL層へ
のキャリアの注入を容易にし、発光素子の駆動電圧を低く抑えることができ、素子のパワ
ー効率を向上することができ、寿命を向上することができる。そのため、良好な特性を有
する逆構造の発光素子を実現することができる。
に用いられる材料としては、電子輸送性の高い材料であることが好ましい。特に、アルカ
リ金属乃至アルカリ土類金属が拡散して取り込まれたときに、該金属を電子供与体(ドナ
ー)として機能させることができる有機化合物材料であることが好ましい。そのような有
機化合物材料に電子供与体(ドナー)としてアルカリ金属乃至アルカリ土類金属が混入し
た複合材料は、電子供与体(ドナー)によって該有機化合物に電子が発生するため、電子
注入性及び輸送性に優れている。そのため、陰極101と電子注入層103との間に層1
02を設けても、発光素子に必要な電子注入性と輸送性とを確保することができる。層1
02のこのような機能を考慮すると、層102と電子注入層103とで、2層の電子注入
層を形成していると捉えることができる場合もある。
PBO、ZnBTZなどの金属錯体を用いることができる。また、PBD、OXD-7、
TAZ、3-(4-tert-ブチルフェニル)-4-(4-エチルフェニル)-5-(
4-ビフェニリル)-1,2,4-トリアゾール(略称:p-EtTAZ)、BPhen
、BCP、4,4’-ビス(5-メチルベンゾオキサゾール-2-イル)スチルベン(略
称:BzOs)などの複素芳香族化合物も用いることができる。また、ポリ(2,5-ピ
リジンジイル)(略称:PPy)、ポリ[(9,9-ジヘキシルフルオレン-2,7-ジ
イル)-co-(ピリジン-3,5-ジイル)](略称:PF-Py)、ポリ[(9,9
-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル)-co-(2,2’-ビピリジン-6,6’
-ジイル)](略称:PF-BPy)のような高分子化合物を用いることもできる。ここ
に述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。
電子注入層103とは異なる材料を用いることで、電子注入性及び輸送性の性能の選択の
幅を広げることができる。また、上記材料を2種以上混合して当該層102を形成しても
よい。また、当該層102は単層だけではなく、2以上の層を積層したものとしてもよい
。また、陰極101と電子注入層103との間に、当該層102以外にさらに層を形成し
てもよい。ただし、層102の機能である、電子注入層103が有する金属が陰極101
と接することを防止する機能と、該金属の拡散を防止する機能と、を発揮するために、該
金属が拡散し得る領域に層102を有する構成としてもよい。言い換えると、層102と
電子注入層103との距離は、該金属が拡散し得る距離よりも小さい距離としてもよい。
また、金属が陰極101と接することを防止する機能をより確実とし、また、金属が拡散
する領域を小さくするため、図1に示す通り、層102と電子注入層103とが接する構
成とすることも好ましい。また、キャリアの移動距離をより小さくするために、図1に示
す通り、陰極101と電子注入層103との間に層102以外の層を有さない構成とする
ことも好ましい。
材料で構成すればよく、他の層には多様の材料を用いることができる。発光素子における
光路長が発光素子から射出される光の波長に影響を与えることが知られているが、層10
2中の当該他の層に透光性を有する導電性の高い材料を用いることにより、所望の光を取
り出すための発光素子の光学調整を行うことができる。例えば、正孔輸送性の高い有機化
合物に電子受容体(アクセプター)を添加して層102中の当該他の層を形成してもよい
。
-フェニル-9H-カルバゾール(略称:PCPN)、3-[4-(9-フェナントリル
)-フェニル]-9-フェニル-9H-カルバゾール(略称:PCPPn)、4-フェニ
ル-4’-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)トリフェニルアミン(略称
:PCBA1BP)、4、4’-ジ(1-ナフチル)-4’’-(9-フェニル-9H-
カルバゾール-3-イル)トリフェニルアミン(略称:PCBNBB)、4-フェニルジ
フェニル-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)アミン(略称:PCA1B
P)、3,3’-ビス(9-フェニル-9H-カルバゾール)(略称:PCCP)、N-
[4-(9H-カルバゾール-9-イル)フェニル]-N-(4-フェニル)フェニルア
ニリン(略称:YGA1BP)、1,3,5-トリ(ジベンゾチオフェン-4-イル)-
ベンゼン(略称:DBT3P-II)、4,4’,4’’-(ベンゼン-1,3,5-ト
リイル)トリ(ジベンゾフラン)(略称:DBF3P-II)、4-フェニル-4’-(
9-フェニルフルオレン-9-イル)トリフェニルアミン(略称:BPAFLP)、4-
[3-(トリフェニレン-2-イル)フェニル]ジベンゾチオフェン(略称:mDBTP
Tp-II)、4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニ
ル(略称:NPB)やN,N’-ビス(3-メチルフェニル)-N,N’-ジフェニル-
[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン(略称:TPD)、4,4’,4’’-
トリス(カルバゾール-9-イル)トリフェニルアミン(略称:TCTA)、4,4’,
4’’-トリス(N,N-ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)
、4,4’,4’’-トリス[N-(3-メチルフェニル)-N-フェニルアミノ]トリ
フェニルアミン(略称:MTDATA)、4,4’-ビス[N-(スピロ-9,9’-ビ
フルオレン-2-イル)-N―フェニルアミノ]ビフェニル(略称:BSPB)などの芳
香族アミン化合物、3-[N-(9-フェニルカルバゾール-3-イル)-N-フェニル
アミノ]-9-フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA1)、3,6-ビス[N-(
9-フェニルカルバゾール-3-イル)-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾ
ール(略称:PCzPCA2)、3-[N-(1-ナフチル)-N-(9-フェニルカル
バゾール-3-イル)アミノ]-9-フェニルカルバゾール(略称:PCzPCN1)等
が挙げられる。その他、4,4’-ジ(N-カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)
、1,3,5-トリス[4-(N-カルバゾリル)フェニル]ベンゼン(略称:TCPB
)等のカルバゾール化合物やアミン化合物、ジベンゾチオフェン化合物、ジベンゾフラン
化合物、フルオレン化合物、トリフェニレン化合物、フェナントレン化合物等を用いるこ
とができる。
第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化モリブデンが特に
好ましい。
上の自然数)設け、各EL層203間に中間層204を設けたタンデム型EL発光素子に
おいて、アルカリ金属乃至アルカリ土類金属が陰極と接することを防止することができる
機能を有する層202を設けることもできる。なお、各EL層は少なくとも発光層を有し
、電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層及び正孔注入層の全部または一部をさらに有する
。
された発光素子について説明してきた。しかし、陰極にフェルミ準位が比較的高い材料を
有し、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を有する電子注入層を有していれば、陰極と
電子注入層との間にアルカリ金属またはアルカリ土類金属が陰極と接することを防止する
機能を有する層を設けることにより、発光素子は、駆動電圧の低下やパワー効率の向上、
長寿命化といった効果を享受することができる。
光素子を作製することができる。
本実施の形態においては、実施の形態1に記載の発光素子を有する発光装置について説明
する。
発光装置でもよい。また、本実施の形態に示す発光装置には、他の実施形態で説明した発
光素子を適用することが可能である。
’で切断した断面図である。本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、
素子基板501上に設けられた画素部502と、駆動回路部(ソース線駆動回路)503
と、駆動回路部(ゲート線駆動回路)504a、504bと、を有する。画素部502、
駆動回路部503、及び駆動回路部504a、504bは、シール材505によって、素
子基板501と封止基板506との間に封止されている。
外部からの信号(例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号
等)や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線507が設けられる。
ここでは、外部入力端子としてFPC(フレキシブルプリントサーキット)508を設け
る例を示している。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリ
ント配線基板(PWB)が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、
発光装置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むも
のとする。
及び画素部が形成されているが、ここでは、ソース線駆動回路である駆動回路部503と
、画素部502が示されている。
せたCMOS回路が形成される例を示している。なお、駆動回路部を形成する回路は、種
々のCMOS回路、PMOS回路もしくはNMOS回路で形成しても良い。また、スタガ
型、逆スタガ型いずれのFETを用いてもよい。さらに、FETに用いられる半導体膜の
結晶性についても特に限定されず、非晶質でも結晶性を有していてもよい。また、半導体
層に酸化物半導体を用いても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成し
たドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に駆動回路
を形成することもできる。
用FET512の配線(ソース電極又はドレイン電極)に電気的に接続された陰極513
とを含む複数の画素により形成される。なお、陰極513の端部を覆って絶縁物514が
形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂を用いることにより形成する。
または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。例えば、絶縁物
514の材料としてポジ型の感光性アクリル樹脂を用いた場合、絶縁物514の上端部に
曲率半径(0.2μm以上3μm以下)を有する曲面を持たせることが好ましい。また、
絶縁物514として、ネガ型の感光性樹脂、或いはポジ型の感光性樹脂のいずれも使用す
ることができ、有機化合物に限らず無機化合物、例えば、酸化シリコン、酸窒化シリコン
等、の両者を使用することができる。
は、少なくとも発光層が設けられている。また、EL層515には、発光層の他に正孔注
入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等を適宜設けることができる。また、電子注
入層と陰極513との間に、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の移動を抑制する機能
を有する層を設けることがきる。なお、陰極513から陽極516までの構造を実施の形
態1に記載の発光素子とすることができる。
示す材料を用いることができる。また、ここでは図示しないが、陽極516は外部入力端
子であるFPC508に電気的に接続されている。
02において、複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。画素部50
2には、3種類(R、G、B)の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フ
ルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、カラーフィルターと組み合
わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。
素子基板501、封止基板506、およびシール材505で囲まれた空間520に発光素
子519が備えられた構造になっている。なお、空間520には、不活性気体(窒素やア
ルゴン等)が充填される場合の他、シール材505で充填される構成も含むものとする。
できるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板506に
用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRP(Fiber-Reinforce
d Plastics)、PVF(ポリビニルフロライド)、ポリエステルまたはアクリ
ル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
とが出来る。基板の種類は、特定のものに限定されることはない。その基板の一例として
は、半導体基板(例えば単結晶基板又はシリコン基板)、SOI基板、ガラス基板、石英
基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホ
イルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板
、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどがある。ガラス基
板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダ
ライムガラスなどがある。可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例と
しては、以下のものがあげられる。例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポ
リエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルサルフォン(PES)に代表されるプ
ラスチックがある。または、一例としては、アクリル等の合成樹脂などがある。または、
一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニル
などがある。または、一例としては、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無
機蒸着フィルム、又は紙類などがある。特に、半導体基板、単結晶基板、又はSOI基板
などを用いてトランジスタを製造することによって、特性、サイズ、又は形状などのばら
つきが少なく、電流能力が高く、サイズの小さいトランジスタを製造することができる。
このようなトランジスタによって回路を構成すると、回路の低消費電力化、又は回路の高
集積化を図ることができる。
形成してもよい。または、基板とトランジスタの間や、基板と発光素子の間に剥離層を設
けてもよい。剥離層は、その上に半導体装置を一部あるいは全部完成させた後、基板より
分離し、他の基板に転載するために用いることができる。その際、トランジスタや発光素
子は耐熱性の劣る基板や可撓性の基板にも転載できる。なお、上述の剥離層には、例えば
、タングステン膜と酸化シリコン膜との無機膜の積層構造の構成や、基板上にポリイミド
等の有機樹脂膜が形成された構成等を用いることができる。
ジスタや発光素子を転置し、別の基板上にトランジスタや発光素子を配置してもよい。ト
ランジスタや発光素子が転置される基板の一例としては、上述したトランジスタや発光素
子を形成することが可能な基板に加え、紙基板、セロファン基板、アラミドフィルム基板
、ポリイミドフィルム基板、石材基板、木材基板、布基板(天然繊維(絹、綿、麻)、合
成繊維(ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル)若しくは再生繊維(アセテート、キュ
プラ、レーヨン、再生ポリエステル)などを含む)、皮革基板、又はゴム基板などがある
。これらの基板を用いることにより、特性のよいトランジスタの形成、消費電力の小さい
トランジスタの形成、壊れにくい装置の製造、耐熱性の付与、軽量化、又は薄型化を図る
ことができる。
み合わせて用いることができる。
本実施の形態では、実施の形態1に記載の発光素子を適用して作製された発光装置を用い
て完成させた様々な電子機器の一例について、図4を用いて説明する。
ョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオ
カメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置とも
いう)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機
などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図4に示す。
体7101に表示部7103が組み込まれている。表示部7103により、映像を表示す
ることが可能であり、発光装置を表示部7103に用いることができる。また、ここでは
、スタンド7105により筐体7101を支持した構成を示している。なお、表示部71
03は、実施の形態1に記載の発光素子をマトリクス状に配列して構成された発光装置を
有している。
コン操作機7110により行うことができる。リモコン操作機7110が備える操作キー
7109により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部7103に表示され
る映像を操作することができる。また、リモコン操作機7110に、当該リモコン操作機
7110から出力する情報を表示する表示部7107を設ける構成としてもよい。
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線によ
る通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)又は双方向(送
信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
ボード7204、外部接続ポート7205、ポインティングデバイス7206等を含む。
なお、コンピュータは、発光装置をその表示部7203に用いることにより作製される。
なお、表示部7203は、実施の形態1に記載の発光素子をマトリクス状に配列して構成
された発光装置を有している。
ており、連結部7303により、開閉可能に連結されている。筐体7301には表示部7
304が組み込まれ、筐体7302には表示部7305が組み込まれている。なお、表示
部7304、7305は、実施の形態1に記載の発光素子をマトリクス状に配列して構成
された発光装置を有している。
7307、LEDランプ7308、入力手段(操作キー7309、接続端子7310、マ
イクロフォン7312)、センサ7311(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回
転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電
力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定あるいは感知する機能を
含むもの)等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、
少なくとも表示部7304および表示部7305の両方、又は一方に発光装置を用いてい
ればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。
み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する
機能を有する。なお、図4(C)に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、
様々な機能を有することができる。
組み込まれた表示部7402の他、操作ボタン7403、外部接続ポート7404、スピ
ーカ7405、マイク7406などを備えている。なお、携帯電話機7400は、発光装
置を表示部7402に用いることにより作製される。なお、表示部7402は、実施の形
態1に記載の発光素子をマトリクス状に配列して構成された発光装置を有している。
を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、
表示部7402を指などで触れることにより行うことができる。
示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表示
モードと入力モードの2つのモードが混合した表示+入力モードである。
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合
、表示部7402の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好ま
しい。
とで、携帯電話機7400の向き(縦か横か)を判断して、表示部7402の画面表示を
自動的に切り替えるようにすることができる。
ボタン7403の操作により行われる。また、表示部7402に表示される画像の種類に
よって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画の
データであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
部7402のタッチ操作による入力が一定期間ないと判断される場合には、画面のモード
を入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
02に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。ま
た、表示部に近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮
像することもできる。
いた状態であり、タブレット型端末は、筐体9630、表示部9631a、表示部963
1b、表示モード切り替えスイッチ9034、電源スイッチ9035、省電力モード切り
替えスイッチ9036、留め具9033、操作スイッチ9038、を有する。なお、当該
タブレット型端末は、発光装置を表示部9631a、表示部9631bの一方又は両方に
用いることにより作製される。なお、表示部9631a、表示部9631bの一方又は両
方は、実施の形態1に記載の発光素子をマトリクス状に配列して構成された発光装置を有
している。
た操作キー9637に触れることでデータ入力をすることができる。なお、表示部963
1aにおいては、一例として半分の領域が表示のみの機能を有する構成、もう半分の領域
がタッチパネルの機能を有する構成を示しているが該構成に限定されない。表示部963
1aの全ての領域がタッチパネルの機能を有する構成としても良い。例えば、表示部96
31aの全面をキーボードボタン表示させてタッチパネルとし、表示部9631bを表示
画面として用いることができる。
をタッチパネルの領域9632bとすることができる。また、タッチパネルのキーボード
表示切り替えボタン9639が表示されている位置に指やスタイラスなどで触れることで
表示部9631bにキーボードボタン表示することができる。
ッチ入力することもできる。
切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替えス
イッチ9036は、タブレット型端末に内蔵している光センサで測定される使用時の外光
の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光セン
サだけでなく、ジャイロセンサや加速度センサ等の検出器を内蔵させてもよい。
いるが特に限定されず、一方のサイズともう一方のサイズが異なっていてもよく、表示の
品質も異なっていてもよい。例えば一方が他方よりも高精細な表示を行える表示パネルと
してもよい。
3、充放電制御回路9634、バッテリー9635、DCDCコンバータ9636を有す
る。
することができる。従って、表示部9631a、表示部9631bを保護できるため、耐
久性に優れ、長期使用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末を提供できる。
日付又は時刻などの様々な情報を静止画、動画、あるいはテキスト画像として表示部に表
示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ入力機能、様々
なソフトウェア(プログラム)によって処理を制御する機能、等を有することができる。
表示部、または映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池9633は、
表示部9631aと表示部9631bの一方または両方に電力を供給するバッテリー96
35の充電を行う構成とすることができるため好適である。なおバッテリー9635とし
ては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。
ブロック図を示し説明する。図5(C)には、太陽電池9633、バッテリー9635、
DCDCコンバータ9636、コンバータ9638、スイッチSW1乃至SW3、表示部
9631について示しており、バッテリー9635、DCDCコンバータ9636、コン
バータ9638、スイッチSW1乃至SW3が、図5(B)に示す充放電制御回路963
4のそれらに対応する。
電池9633で発電した電力は、バッテリー9635を充電するための電圧となるようD
CDCコンバータ9636で昇圧または降圧される。そして、表示部9631の動作に太
陽電池9633からの電力が用いられる際にはスイッチSW1をオンにし、コンバータ9
638で表示部9631に必要な電圧に昇圧または降圧することとなる。また、表示部9
631での表示を行わない際には、SW1をオフにし、SW2をオンにしてバッテリー9
635の充電を行う構成とすればよい。
電素子(ピエゾ素子)や熱電変換素子(ペルティエ素子)などの他の発電手段によるバッ
テリー9635の充電を行う構成であってもよい。例えば、無線(非接触)で電力を送受
信して充電する無接点電力伝送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う構成
としてもよい。
光素子であるため、発光効率が高く、駆動電圧が低く、かつ寿命が長い。そのため、消費
電力が低減され、駆動電圧が低く、かつ、信頼性の高い電子機器を製造することができる
。なお、上記実施の形態で説明した表示部を具備していれば、図5に示した電子機器に特
に限定されないことは言うまでもない。
る。発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能で
ある。
み合わせて用いることができる。
本実施の形態では、実施の形態1に記載の発光素子を適用して作製された発光装置を用い
て完成させた照明装置の一例について、図6を用いて説明する。
面積化も可能であるため、大面積の照明装置を形成することもできる。その他、曲面を有
する筐体を用いることで、発光領域が曲面を有する照明装置8002を形成することもで
きる。本実施の形態で示す発光装置に含まれる発光素子は薄膜状であり、筐体のデザイン
の自由度が高い。したがって、様々な意匠を凝らした照明装置を形成することができる。
さらに、室内の壁面に大型の照明装置8003を備えても良い。
装置8004とすることができる。なお、その他の家具の一部に発光装置を用いることに
より、家具としての機能を備えた照明装置とすることができる。
した照明装置は、実施の形態1に記載の発光素子をマトリクス状に配列して構成された発
光装置を有している。発光装置に含まれる発光素子は、発光効率の良好な発光素子とする
ことが可能である。また、駆動電圧の低い発光素子とすることが可能である。また、寿命
の長い発光素子とすることが可能である。そのため、当該発光素子で構成される発光装置
を適用した照明装置は、消費電力の低減された照明装置とすることができる。また、駆動
電圧の低い照明装置とすることが可能である。また、信頼性の高い照明装置とすることが
できる。なお、これらの照明装置は本発明の一態様に含まれるものとする。
み合わせて用いることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子を用いて作製される発光装置について
、図13を用いて説明する。
C-D間の断面図を示す。
含む発光部2002を有する。また、発光装置は、発光部2002の外周を囲むように第
1の封止材2005aが設けられ、第1の封止材2005aの外周を囲むように第2の封
止材2005bが設けられた構造(いわゆる、二重封止構造)である。
封止材2005aにより囲まれた空間に配置されている。発光部2002は実施の形態1
に記載の発光素子を有する。
れ、第1の基板2001および第2の基板2006に接する構成に限られない。例えば、
第1の基板2001上に形成された絶縁膜や導電膜が、第1の封止材2005aと接する
構成であっても良い。
005bがガラス層とすることにより、外部からの水分や酸素などの不純物の入り込みを
抑制する効果(以下、封止性と呼ぶ)を高めることができる。
ラス層に割れやひび(以下、クラックと呼ぶ)が発生することを抑制することができる。
また、第2の封止材2005bによる、封止性が十分に得られなくなった場合において、
第1の空間2013に水分や酸素などの不純物が侵入したときでも、第1の封止材200
5aの高い封止性により、第2の空間2011内に不純物が入り込むのを抑制することが
できる。よって、発光素子に含まれる有機化合物や金属材料等の不純物による劣化を抑制
することができる。
し、第2の封止材2005bが乾燥剤を含む樹脂層とすることもできる。
大きくなる。よって、外力等による歪みが比較的小さい第1の封止材2005aをガラス
層とし、第2の封止材2005bを、耐衝撃性や耐熱性に優れ、外力等による変形で壊れ
にくい樹脂層とすることにより、第1の空間2013に水分や酸素が侵入することを抑制
することができる。
を有していてもよい。
えば、ガラスフリットやガラスリボン等を用いて形成することができる。なお、ガラスフ
リットやガラスリボンには、少なくともガラス材料が含まれることとする。
酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、酸化セシウム
、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化テルル
、酸化アルミニウム、二酸化珪素、酸化鉛、酸化スズ、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、
酸化鉄、酸化銅、二酸化マンガン、酸化モリブデン、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化タン
グステン、酸化ビスマス、酸化ジルコニウム、酸化リチウム、酸化アンチモン、ホウ酸鉛
ガラス、リン酸スズガラス、バナジン酸塩ガラス又はホウケイ酸ガラス等を含む。赤外光
を吸収させるため、少なくとも一種類以上の遷移金属を含むことが好ましい。
フリットペーストを塗布し、これに加熱処理、またはレーザ照射などを行う。フリットペ
ーストには、上記フリット材と、有機溶媒で希釈した樹脂(バインダとも呼ぶ)とが含ま
れる。フリットペーストには、公知の材料、構成を用いることができる。また、フリット
材にレーザ光の波長の光を吸収する吸収剤を添加したものを用いても良い。また、レーザ
として、例えばNd:YAGレーザや半導体レーザなどを用いることが好ましい。また、
レーザ照射の際のレーザの照射形状は、円形でも四角形でもよい。
近いほど、熱応力によりガラス層や基板にクラックが入ることを抑制できる。
、紫外線硬化樹脂等の光硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂等の公知の材料を用いて形成するこ
とができるが、特に水分や酸素を透過しない材料を用いることが好ましい。特に、光硬化
性樹脂を用いることが好ましい。発光素子は、耐熱性の低い材料を含む場合がある。光硬
化性樹脂は光が照射されることで硬化するため、発光素子が加熱されることで生じる、膜
質の変化や有機化合物自体の劣化を抑制することができ、好ましい。さらに、本発明の一
態様である発光素子に用いることができる有機化合物を用いてもよい。
は、公知の材料を用いることができる。乾燥剤としては、化学吸着によって水分を吸着す
る物質、物理吸着によって水分を吸着する物質のいずれを用いてもよい。例えば、アルカ
リ金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物(酸化カルシウムや酸化バリウム等)、硫酸
塩、金属ハロゲン化物、過塩素酸塩、ゼオライト、シリカゲル等が挙げられる。
、希ガスや窒素ガス等の不活性ガス、または有機樹脂等を有していてもよい。なお、これ
らの空間内は、大気圧状態または減圧状態である。
封止材2005bの一方が、生産性や封止性に優れたガラス層を含み、他方が、耐衝撃性
や耐熱性に優れ、外力等による変形で壊れにくい樹脂層を含む二重封止構造であり、乾燥
剤を内部に有することもできる構成であることから、外部からの水分や酸素などの不純物
の入り込みを抑制する封止性を高めることができる。
よる発光素子の劣化が抑制された発光装置を提供することができる。
合わせることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子を適用して作製された発光装置につい
て図14を用いて説明する。
ている。また発光素子3120a、3120b、3120cは、下部電極3103a、3
103b、3103cと、上部電極3119の間に複数の発光層を有する発光素子である
。
、3103b、3103cを有する。下部電極3103a、3103b、3103cは、
発光素子の陰極として機能することができる。なお下部電極3103a、3103b、3
103cの下に、反射電極を設けてもよい。また下部電極3103a、3103b上に、
透明導電膜3105a、3105bを設けてもよい。透明導電膜3105a、3105b
は、異なる色を発する素子毎に厚さが異なることが好ましい。図示しないが、下部電極3
103c上にも透明導電膜を設けてもよい。また、下部電極3103a、3103b、3
103c自体を透明導電膜としてもよい。また、透明導電膜は酸化物透明導電膜としても
よい。
する。より具体的には、隔壁3107aは、下部電極3103a及び透明導電膜3105
aの一方の端部を覆う。また、隔壁3107bは、下部電極3103a及び透明導電膜3
105aの他方の端部、並びに下部電極3103b及び透明導電膜3105bの一方の端
部を覆う。また、隔壁3107cは、下部電極3103b及び透明導電膜3105bの他
方の端部、並びに下部電極3103cの一方の端部を覆う。また、隔壁3107dは、下
部電極3103cの他方の端部を覆う。
107a、3107b、3107c、3107d上に、層3110を有する。層3110
は、電子注入層3112が有するアルカリ金属またはアルカリ土類金属の移動を抑制する
機能を有する。
入層3112上に、電子輸送層3113を有する。
、発光層3114上に正孔輸送層3116を有する。正孔輸送層3116上に、さらに正
孔注入層3118を有する。
電極3119は、発光素子の陽極として機能することができる。
合わせることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子を適用して作製された照明装置につい
て図15を用いて説明する。
である。図15(A)、(B)、(C)は基板側に光を取り出すボトムエミッション型の
照明装置である。図15(A)の一点鎖線G-Hにおける断面を図15(B)に示す。
007を有する。また、基板4005の外側に凹凸を有する基板4003を有する。逆構
造の発光素子4007は、下部電極4013と、EL層4014と、上部電極4015を
有する。なお、EL層4014は2つ以上のEL層と、各EL層間に中間層を有していて
もよい。
1と電気的に接続される。また、下部電極4013と電気的に接続される補助配線401
7を設けてもよい。
4019と発光素子4007の間に乾燥剤4023が設けられていることが好ましい。
の取り出し効率を向上させることができる。また、基板4003に代えて、図15(C)
の照明装置4001のように、基板4025の外側に拡散板4027を設けてもよい。
装置である。
る。発光素子4107は、下部電極4113と、EL層4114と、上部電極4115を
有する。なお、EL層4114は2つ以上のEL層と、各EL層間に中間層を有していて
もよい。
1と電気的に接続される。また上部電極4115と電気的に接続される補助配線4117
を設けてもよい。また補助配線4117の下部に、絶縁層4131を設けてもよい。
た、封止基板4103と発光素子4107の間に平坦化膜4105およびバリア膜412
9を設けてもよい。
た光の取り出し効率を向上させることができる。また、封止基板4103に代えて、図1
5(E)の照明装置4101のように、発光素子4107の上に拡散板4127を設けて
もよい。
合わせることができる。
本実施の形態においては、本発明の一態様の発光装置と組み合わせることができるタッチ
センサ、及びモジュールについて、図16乃至図19を用いて説明する。
、タッチセンサ4500の電極の構成例を示す平面図である。
列された複数の導電層4510と、X軸方向と交差するY軸方向に配列された複数の導電
層4520とが形成されている。図16(A)、(B)に示すタッチセンサ4500は、
複数の導電層4510が形成された平面図と、複数の導電層4520が形成された平面図
と、を分離して表示されている。
17に示すように、導電層4510と導電層4520の交差する部分には、容量4540
が形成される。
いる。複数の導電層4510及び複数の導電層4520は、導電膜の四辺形状の部分の位
置が重ならないように、配置されている。導電層4510と導電層4520の交差する部
分には、導電層4510と導電層4520が接触しないように間に絶縁膜が設けられてい
る。
4510cと導電層4520との接続構造の一例を説明する断面図であり、導電層451
0(導電層4510a、4510b、4510c)と導電層4520が交差する部分の断
面図を一例として示す。
0b、ならびに、絶縁層4810上の2層目の導電層4510cにより構成される。導電
層4510aと導電層4510bは、導電層4510cにより接続されている。導電層4
520は、1層目の導電層により形成される。導電層4510、4520及び4710の
一部を覆って絶縁層4820が形成されている。絶縁層4810、4820として、例え
ば、酸化窒化シリコン膜を形成すればよい。なお、基板4910と導電層4710、45
10a、4510b、4520の間に絶縁膜でなる下地膜を形成してもよい。下地膜とし
ては、例えば、酸化窒化シリコン膜を形成することができる。
を有する導電材料で形成される。例えば、透光性を有する導電材料として、酸化珪素を含
む酸化インジウムスズ、酸化インジウムスズ、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛、ガリウム
を添加した酸化亜鉛等がある。
接続用端子を構成する。導電層4520も、導電層4510aと同様、他の導電層471
0に接続される。導電層4710は、例えば、タングステン膜から形成することができる
。
層4710とFPCとを電気的に接続するために、導電層4710上の絶縁層4810及
び絶縁層4820には開口が形成されている。絶縁層4820上には、基板4920が接
着剤又は接着フィルム等により貼り付けられている。接着剤又は接着フィルムにより基板
4910側を表示パネルのカラーフィルター基板に取り付けることで、タッチパネルが構
成される。
いて説明を行う。
、FPC5003に接続されたタッチパネル5004、FPC5005に接続された表示
パネル5006、バックライトユニット5007、フレーム5009、プリント基板50
10、バッテリー5011を有する。バックライトユニット5007には、例えば実施の
形態7で示した照明装置などを用いることができる。
006のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
006に重畳して用いることができる。また、表示パネル5006の対向基板(封止基板
)に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。また、表示パネル50
06の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。
クライトユニット5007上に光源5008を配置する構成について例示したが、これに
限定さない。例えば、バックライトユニット5007の端部に光源5008を配置し、さ
らに光拡散板を用いる構成としてもよい。
により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレー
ム5009は、放熱板としての機能を有していてもよい。
処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても
良いし、別途設けたバッテリー5011による電源であってもよい。バッテリー5011
は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
設けてもよい。
組み合わせて用いることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子の構造について、図20を用いて説明
する。
素子6002は、第1の電極6003、EL層6004、第2の電極6005を有してい
る。なお、EL層は2つ以上のEL層と、各EL層間の中間層とを有していてもよい。ま
た、図20(A)に示す発光素子では、第2の電極6005上にバッファー層6006が
形成されており、バッファー層6006上には、第3の電極6007が形成されている。
バッファー層6006を設けることにより、第2の電極6005表面で発生する表面プラ
ズモンによる光の取出し効率の低下を防ぐことができる。
気的に接続されている。コンタクト部6008は、図の位置に限定されることはなく、発
光領域に形成されていてもよい。
の機能を有しており、少なくとも一方の電極が透光性を有していれば光を取り出すことが
できるが、両方が透光性の材料で形成されていてもよい。第1の電極6003が、EL層
6004からの光を透過させる機能を有する場合には、ITO等の酸化物透明導電膜を用
いることができる。また、第1の電極6003が、EL層6004からの光を透過させな
い電極として機能する場合には、ITOと銀などを複数積層させた導電膜を用いてもよい
。
電極6005の膜厚は、第3の電極6007の膜厚より薄い方が好ましく、また逆側に光
を出す構成の場合には、第2の電極6005の膜厚は、第3の電極6007の膜厚より厚
い方が好ましい。但し、この限りではない。
、窒化ケイ素膜)などを用いることができる。
を用いることにより、光の取出し効率を向上させてもよい。
た光散乱層6100が形成され、光散乱層6100と接して、有機樹脂からなる高屈折率
層6103が形成され、高屈折率層6103と接して、発光素子などを含む素子層610
4が形成される構成である。
高屈折率層6103には、ポリエチレンナフタレート(PEN)等の高屈折率(例えば、
屈折率が1.7以上1.8以下)材料を用いることができる。
とした。
まず、基板100として、ガラス基板を用意した。
を膜厚110nmとなるように形成し、陰極101を形成した。ITSO表面は、2mm
角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mm
とした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、
200℃で1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。
たホルダーに固定した。その後、10-4Pa程度まで真空蒸着装置内部を減圧し、真空
蒸着装置内の加熱室において170℃で30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程
度放冷した。
en)を5nm蒸着して形成した。形成したBPhen膜は、アルカリ金属またはアルカ
リ土類金属と陰極との接触を防止するバッファーとなる層102として機能する。
ェナントロリン(略称:BPhen)を10nm蒸着することにより、電子注入層103
を形成した。
、その下層にLiが拡散していくが、層102があるために、陰極101へのLiの到達
が抑制される。層102がない逆構造の発光素子を作製すると、Liが陰極と接して素子
の駆動電圧の上昇やパワー効率及び寿命の低下を引き起こす。
ビフェニル-3-イル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mDBTBPDBq
-II)を20nmの膜厚となるように形成し、電子輸送層104を形成した。
4、4’-ジ(1-ナフチル)-4’’-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イ
ル)トリフェニルアミン(略称:PCBNBB)と、上記構造式(v)で表されるである
ビス(2,3,5-トリフェニルピラジナト)(ジピバロイルメタナト)イリジウム(I
II)(略称:[Ir(tppr)2(dpm)])とを、重量比0.8:0.2:0.
06(=2mDBTBPDBq-II:PCBNBB:[Ir(tppr)2(dpm)
])となるように30nm共蒸着し、発光層105を形成した。
ルフルオレン-9-イル)トリフェニルアミン(略称:BPAFLP)を20nmの膜厚
で形成し、正孔輸送層106とした。
ル)-フェニル]-9-フェニル-9H-カルバゾール(略称:PCPPn)と酸化モリ
ブデンを、PCPPn:酸化モリブデン=1:0.5(重量比)となるように、膜厚30
nmとなるよう共蒸着することにより、正孔注入層107を形成した。
、陽極108を形成した。
層106、正孔注入層107および陽極108により、発光素子1を完成させた。なお、
本明細書の実施例全てにおいて、蒸着は抵抗加熱法によって行った。
比較発光素子1は、層102以外、ほぼ発光素子1と同様に形成した。層102は形成せ
ずに、陰極101上に電子注入層103を形成した。
光素子1の作製方法を参照されたい。
は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の移動を抑制する層102の有無である。比較
発光素子1と発光素子1の積層構造を、下記表1にまとめる。
以上により得られた発光素子1及び比較発光素子1を、窒素雰囲気のグローブボックス内
において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業(素子周辺へのシール材塗布
、UV処理、及び80℃にて1時間の熱処理)を行った後、発光素子1及び比較発光素子
1の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行
った。
示す。図7では縦軸が電流効率(cd/A)、横軸が輝度(cd/m2)を示す。図8で
は縦軸が電流(mA)、横軸が電圧(V)を示す。
した。
、比較発光素子1は、層102が存在しないため、アルカリ金属であるリチウムを含む電
子注入層103と陰極101とが直接接する構造であり、陰極と電子注入層間の電子注入
障壁が大きいためである。
さらに、発光素子1及び比較発光素子1について信頼性試験を行った。定電流駆動時の規
格化した輝度時間変化を図9に示す。図9では縦軸が規格化輝度(%)、横軸が時間(h
)を示す。信頼性試験において、発光素子1は試験開始から480時間経過後に初期輝度
の約69%の輝度を維持した。一方で、比較発光素子1は試験開始から110時間を満た
ずして輝度が初期値から50%以下となったため、途中で試験を中止した。
電流駆動時の電圧変化が非常に大きい。発光素子1は比較発光素子1より信頼性が良いこ
とがわかる。層102を有する逆構造の発光素子は、層102の機能により逆構造の利点
を得つつ信頼性の良い発光素子とすることができる。
構造式と略称については省略する。素子構造も図1と同様の構造とした。
まず、基板100として、ガラス基板を用意した。
を膜厚110nmとなるように形成し、陰極101を形成した。ITSO表面は、2mm
角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mm
とした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、
200℃で1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。
たホルダーに固定した。その後、10-4Pa程度まで真空蒸着装置内部を減圧し、真空
蒸着装置内の加熱室において170℃で30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程
度放冷した。
:0.5(重量比)となるように共蒸着した。膜厚は15nmとした。次に、BPhen
を5nm蒸着して形成した。PCPPnと酸化モリブデンの共蒸着膜及びBPhen膜は
、併せてアルカリ金属またはアルカリ土類金属と陰極との接触を防止するバッファーとな
る層102として機能する。
nを10nm蒸着することにより、電子注入層103を形成した。
、その下層にLiが拡散していくが、層102があるために、陰極101へのLiの到達
が抑制される。層102がない逆構造の発光素子を作製すると、Liが陰極と接して素子
の駆動電圧の上昇やパワー効率及び寿命の低下を引き起こす。
104を形成した。
pr)2(dpm)]とを、重量比0.8:0.2:0.06(=2mDBTBPDBq
-II:PCBNBB:[Ir(tppr)2(dpm)])となるように30nm共蒸
着し、発光層105を形成した。
。
ン=1:0.5(重量比)となるように膜厚15nmとなるよう共蒸着することにより、
正孔注入層107を形成した。
、陽極108を形成した。
層106、正孔注入層107および陽極108により、発光素子2を完成させた。なお、
本明細書の実施例全てにおいて、蒸着は抵抗加熱法によって行った。
比較発光素子2は、層102の有無及び発光層105の膜厚以外、ほぼ発光素子2と同様
に形成した。層102は形成せずに、陰極101上に電子注入層103を形成した。また
、発光層105の膜厚を40nmとなるように形成した。
返しとなる記載を省略する。発光素子2の作製方法を参照されたい。
は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の移動を抑制する層102の有無、及び、発光
層105の膜厚である。比較発光素子2と発光素子2の積層構造を、下記表3にまとめる
。
以上により得られた発光素子2及び比較発光素子2を、窒素雰囲気のグローブボックス内
において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業(素子周辺へのシール材塗布
、UV処理、及び80℃にて1時間の熱処理)を行った後、発光素子2及び比較発光素子
2の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行
った。
1に示す。図10では縦軸が電流効率(cd/A)、横軸が輝度(cd/m2)を示す。
図11では縦軸が電流(mA)、横軸が電圧(V)を示す。
した。
これは、比較発光素子2は、層102が存在しないため、アルカリ金属またはアルカリ土
類金属を含む電子注入層103と陰極101とが直接接する構造であり、陰極と電子注入
層間の電子注入障壁が大きいためである。
さらに、発光素子2及び比較発光素子2について信頼性試験を行った。定電流駆動時の駆
動時の規格化した輝度時間変化を図12に示す。図12では縦軸が規格化輝度(%)、横
軸が時間(h)を示す。
の輝度を維持した。一方で、比較発光素子2は試験開始から330時間経過後に初期輝度
の約55%の輝度となった。
動時の電圧変化が低く抑えられており、信頼性が良いことがわかる。層102を有する逆
構造の発光素子は、層102の機能により逆構造の利点を得つつ信頼性の良い発光素子と
することができる。
101 陰極
102 層
103 電子注入層
104 電子輸送層
105 発光層
106 正孔輸送層
107 正孔注入層
108 陽極
200 基板
201 陰極
202 層
203 EL層
205 陽極
204 中間層
501 素子基板
502 画素部
503 駆動回路部(ソース線駆動回路)
504a、504b 駆動回路部(ゲート線駆動回路)
505 シール材
506 封止基板
507 配線
508 FPC(フレキシブルプリント基板)
509 nチャネル型FET
510 pチャネル型FET
511 スイッチングFET
512 電流制御用FET
513 陰極
514 絶縁物
515 EL層
516 陽極
519 発光素子
520 空間
2001 第1の基板
2002 発光部
2005a 第1の封止材
2005b 第2の封止材
2006 第2の基板
2011 第2の空間
2013 第1の空間
3100 発光装置
3101 基板
3103a 下部電極
3103b 下部電極
3103c 下部電極
3105a 透明導電膜
3105b 透明導電膜
3107a 隔壁
3107b 隔壁
3107c 隔壁
3107d 隔壁
3110 層
3112 電子注入層
3113 電子輸送層
3114 発光層
3116 正孔輸送層
3118 正孔注入層
3119 上部電極
3120a 発光素子
3120b 発光素子
3120c 発光素子
4000 照明装置
4001 照明装置
4003 基板
4005 基板
4007 発光素子
4009 電極
4011 電極
4013 下部電極
4014 EL層
4015 上部電極
4017 補助配線
4019 封止基板
4021 シール材
4023 乾燥剤
4025 基板
4027 拡散板
4100 照明装置
4101 照明装置
4103 封止基板
4105 平坦化膜
4107 逆構造の発光素子
4109 電極
4111 電極
4113 下部電極
4114 EL層
4115 上部電極
4117 補助配線
4121 シール材
4125 基板
4127 拡散板
4129 バリア膜
4131 絶縁層
4500 タッチセンサ
4510 導電層
4510a 導電層
4510b 導電層
4510c 導電層
4520 導電層
4540 容量
4710 導電層
4810 絶縁層
4820 絶縁層
4910 基板
4920 基板
5000 モジュール
5001 上部カバー
5002 下部カバー
5003 FPC
5004 タッチパネル
5005 FPC
5006 表示パネル
5007 バックライトユニット
5008 光源
5009 フレーム
5010 プリント基板
5011 バッテリー
6001 基板
6002 発光素子
6003 第1の電極
6004 EL層
6005 第2の電極
6006 バッファー層
6007 第3の電極
6008 コンタクト部
6100 光散乱層
6101 光散乱体
6102 空気層
6103 高屈折率層
6104 素子層
7100 テレビジョン装置
7101 筐体
7103 表示部
7105 スタンド
7107 表示部
7109 操作キー
7110 リモコン操作機
7201 本体
7202 筐体
7203 表示部
7204 キーボード
7205 外部接続ポート
7206 ポインティングデバイス
7301 筐体
7302 筐体
7303 連結部
7304 表示部
7305 表示部
7306 スピーカ部
7307 記録媒体挿入部
7308 LEDランプ
7309 操作キー
7310 接続端子
7311 センサ
7312 マイクロフォン
7400 携帯電話機
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク
8001 照明装置
8002 照明装置
8003 照明装置
8004 照明装置
9033 留め具
9034 表示モード切り替えスイッチ
9035 電源スイッチ
9036 省電力モード切り替えスイッチ
9038 操作スイッチ
9630 筐体
9631 表示部
9631a 表示部
9631b 表示部
9632a タッチパネルの領域
9632b タッチパネルの領域
9633 太陽電池
9634 充放電制御回路
9635 バッテリー
9636 DCDCコンバータ
9637 操作キー
9638 コンバータ
9639 ボタン
Claims (2)
- 基板上に設けられた陰極と、
前記陰極上の第1のバッファー層と、
前記第1のバッファー層上の第2のバッファー層と、
前記第2のバッファー層上の第1の電子注入層と、
前記第1の電子注入層上の第2の電子注入層と、
前記第2の電子注入層上の電子輸送層と、
前記電子輸送層上の発光層と、
前記発光層上の正孔輸送層と、
前記正孔輸送層上の正孔注入層と、
前記正孔輸送層上の陽極と、を有し、
前記陰極は、酸化物導電膜を有し、
前記第1のバッファー層は、正孔輸送性材料及びアクセプターを有し、
前記第2のバッファー層は、第1の電子輸送性材料を有し、
前記第1の電子注入層は、リチウムを有し、
前記第2の電子注入層は、前記第1の電子輸送性材料を有し、
前記電子輸送層は、第2の電子輸送性材料を有し、
前記陽極は、アルミニウムを有し、
前記第2のバッファー層は、前記第1の電子注入層が有するリチウムが前記陰極に拡散することを抑制することができる機能を有する、発光素子。 - 請求項1において、
前記発光層は、前記第2の電子輸送性材料と、発光材料と、を有する、発光素子。
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