JP2011501432A - 改善された効率を有する倒置型oled装置 - Google Patents
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Abstract
Description
a.基板、
b.前記基板上に配置されるカソード、
c.前記カソードから間隔を置いて配置されるアノード、
d.前記アノードと前記カソードとの間に配置される少なくとも1つの発光層、
e.前記アノードと前記発光層(複数可)との間に配置される正孔輸送層、
f.前記カソードと前記発光層(複数可)との間に配置される電子輸送層、
g.前記正孔輸送層と前記アノードとの間に配置されると共に、第1の電子受容層の50体積%超過を構成し、且つ飽和カロメル電極を基準として−0.5V超過の還元電位を有する第1の電子不足有機物質を含む第1の電子受容層、及び
h.前記電子輸送層と前記カソードとの間に配置されると共に、第2の電子受容層の50体積%超過を構成し、且つ飽和カロメル電極を基準として−0.5V超過の還元電位を有する第2の電子不足有機物質を含む第2の電子受容層
を含む倒置型OLED装置によって達成される。
かかる芳香族第3級アミンの1つの類は、テトラアリールジアミンである。所望のテトラアリールジアミンは、アリーレン基を介して結合した2つのジアリールアミノ基を含む。有用なテトラアリールジアミンとしては、式Bによって表されるものが挙げられる。
上記の化学構造式L及びMの様々なアルキル、アルキレン、アリール及びアリーレン部分は、それぞれ順に置換され得る。典型的な置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、並びにフッ化物、塩化物及び臭化物などのハロゲンが挙げられる。様々なアルキル及びアルキレン部分は、1〜約6個の炭素原子を典型的に含有する。シクロアルキル部分は、3〜約10個の炭素原子を含有し得るが、5個、6個又は7個の炭素原子(例えば、シクロペンチル、シクロヘキシル及びシクロヘプチル環構造)を典型的に含有する。アリール及びアリーレン部分は、通常、フェニル及びフェニレン部分である。有用には、正孔輸送ホスト物質は、N,N,N’,N’−テトラアリールベンジジンであり、式BのAreがフェニレン基を表し、nが2であるものである。
CO−1:アルミニウムトリソキシン[別名:トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)]、
CO−2:マグネシウムビオキシン[別名:ビス(8−キノリノラト)マグネシウム(II)]、
CO−3:ビス[ベンゾ{f}−8−キノリノラト]亜鉛(II)、
CO−4:ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)−μ−オキソ−ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)、
CO−5:インジウムトリソキシン[別名:トリス(8−キノリノラト)インジウム]、
CO−6:アルミニウムトリス(5−メチルオキシン)[別名:トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)]、
CO−7:リチウムオキシン[別名:(8−キノリノラト)リチウム(I)]、
CO−8:ガリウムオキシン[別名:トリス(8−キノリノラト)ガリウム(III)]、及び
CO−9:ジルコニウムオキシン[別名:テトラ(8−キノリノラト)ジルコニウム(IV)]
第1群:水素、又は1〜24個の炭素原子を有するアルキル
第2群:5〜20個の炭素原子を有するアリール又は置換アリール
第3群:アントラセニル、ピレニル又はペリレニルの縮合芳香環を完成するのに必要な4〜24個の炭素原子
第4群:フリル、チエニル、ピリジル、キノリニル又は他の複素環系の縮合芳香族複素環を完成するのに必要な5〜24個の炭素原子を有するヘテロアリール又は置換ヘテロアリール
第5群:1〜24個の炭素原子を有するアルコキシルアミノ、アルキルアミノ又はアリールアミノ
第6群:フッ素又はシアノ
第1群:水素、又は1〜24個の炭素原子を有するアルキル
第2群:5〜20個の炭素原子を有するアリール又は置換アリール
第3群:縮合芳香環又は環系を完成する、4〜24個の炭素原子を含有する炭化水素
第4群:単結合を介して結合されるか、又は縮合芳香族複素環系を完成する、チアゾリル、フリル、チエニル、ピリジル、キノリニル又は他の複素環系などの5〜24個の炭素原子を有するヘテロアリール又は置換へテロアリール
第5群:1〜24個の炭素原子を有するアルコキシルアミノ、アルキルアミノ又はアリールアミノ
第6群:フルオロ又はシアノ
比較の底面発光倒置型OLED装置が以下の方法によって製造された。この実施例は、HTLとアノードとの間に第1の電子受容層を使用し、カソードとETLとの間に第2の電子受容層を使用しなかった。
2.共同ホストとして49%の4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(バソフェン又はBphenとしても知られている)及び49%のトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)(ALQ)と、2%のLi金属を含む40nmの混合電子輸送層を真空蒸着した。
4.上記で調製した基板を、68%のNPB(ホストとして)及び30%のNBA(共同ホストとして)と、2%の黄色−橙色発光ドーパントジフェニルテトラ−t−ブチルルブレン(PTBR)との20nmの黄色発光層を真空蒸着することによってさらに処理した。
6.上記で調製した基板を、第1の電子受容層としてヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン(CHATP)の10nm層を真空蒸着することによってさらに処理した。
本発明の底面発光倒置型OLED装置が以下の方法によって製造された。
1.きれいなガラス基板にITOをスパッタリングにより堆積させ、85nmの厚さの透明カソードを形成した。
2.第2の電子受容層としてCHATPの10nm層を真空蒸着することによってさらに処理した。
3.共同ホストとして49%のBphen及び49%のALQと、2%のLi金属を含む40nmの混合電子輸送層を真空蒸着した。
4.上記で調製した基板を、92%のNBAホスト及び7%のNPB共同ホストと、青色発光ドーパントとしての1%のテトラ−t−ブチルペリレン(TBP)とを含む20nmの青色発光層を真空蒸着することによってさらに処理した。
6.上記で調製した基板を、正孔輸送層(HTL)としてNPBの10nm層を真空蒸着することによってさらに処理した。
7.上記で調製した基板を、第1の電子受容層としてCHATPの10nm層を真空蒸着することによってさらに処理した。
8.基板上に100nmのアルミニウム層を蒸発によって堆積させ、アノード層を形成した。
工程1、3、6及び8を以下のようにしたこと以外は、実施例2で上記した通りにして本発明の表面発光倒置型OLED装置が製造された。
1.きれいなガラス基板に、蒸着ボートにおけるアルミニウム金属を気化することにより堆積させて100nmの厚さの層を形成し、この上方に10nmのITO層を堆積させて反射性カソードを形成した。
3.共同ホストとして49%のBphen及び49%のALQと、2%のLi金属を含む25nmの混合電子輸送層を真空蒸着した。
6.上記で調製した基板を、正孔輸送層(HTL)としてNPBの150nm層を真空蒸着することによってさらに処理した。
8.上記で調製した基板を、ITOをスパッタすることによってさらに処理し、50nmの透明アノード層を形成した。
比較の底面発光従来型OLED装置が以下の方法によって製造された。
1.きれいなガラス基板にインジウムスズ酸化物(ITO)をスパッタリングにより堆積させ、85nmの厚さの透明アノードを形成した。
2.上記で調製した基板を、第1の電子受容層としてヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン(CHATP)の10nm層を真空蒸着することによってさらに処理した。
3.上記で調製した基板を、68%のNPB(ホストとして)及び30%のNBA(共同ホストとして)と、2%のPTBRとの20nmの黄色発光層を真空蒸着することによってさらに処理した。
5.共同ホストとして49%のBphen及び49%のALQと、2%のLi金属を含む40nmの混合電子輸送層を真空蒸着した。
6.基板上に100nmのアルミニウム層を蒸発によって堆積させ、カソード層を形成した。
工程6及び7を以下のようにしたこと以外は、実施例4で上記した通りにして比較の底面発光従来型OLED装置が製造された。
6.上記で調製した基板を、第2の電子受容層としてCHATPの10nm層を真空蒸着することによってさらに処理した。
7.基板上に100nmのアルミニウム層を蒸発によって堆積させ、カソード層を形成した。
15 倒置型LED装置
18 倒置型LED装置
20 基板
30 カソード
31a カソード層
31b カソード層
35 第2の電子受容層
40 電子輸送層
50b 青色発光層
50y 黄色発光層
55 正孔輸送層
60 正孔注入層
61 第1の電子受容層
90 アノード
300 方法
310 工程
320 工程
330 工程
340 工程
350 工程
360 工程
370 工程
380 工程。
Claims (9)
- a.基板、
b.前記基板上に配置されるカソード、
c.前記カソードから間隔を置いて配置されるアノード、
d.前記アノードと前記カソードとの間に配置される少なくとも1つの発光層、
e.前記アノードと前記発光層との間に配置される正孔輸送層、
f.前記カソードと前記発光層との間に配置される電子輸送層、
g.前記正孔輸送層と前記アノードとの間に配置されると共に、第1の電子受容層の50体積%超過を構成し、且つ飽和カロメル電極を基準として−0.5V超過の還元電位を有する第1の電子不足有機物質を含む第1の電子受容層、及び
h.前記電子輸送層と前記カソードとの間に配置されると共に、第2の電子受容層の50体積%超過を構成し、且つ飽和カロメル電極を基準として−0.5V超過の還元電位を有する第2の電子不足有機物質を含む第2の電子受容層
を含む倒置型OLED装置。 - 前記第1又は第2の電子不足有機物質は、ヘキサアザトリフェニレン誘導体である請求項1に記載の倒置型OLED装置。
- 前記ヘキサアザトリフェニレン誘導体は、ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレンである請求項2に記載の倒置型OLED装置。
- 前記第1及び第2の電子不足有機物質の両方は、ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレンであり、且つ前記第1及び第2の電子受容層の全体積を実質的に構成する請求項2に記載の倒置型OLED装置。
- 前記第1又は第2の電子不足有機物質の前記還元電位は、−0.1Vよりも大きい請求項1に記載の倒置型OLED装置。
- 前記アノードはアルミニウムを含み、且つ前記カソードはインジウムスズ酸化物を含む請求項1に記載の倒置型OLED装置。
- 前記アノードはインジウムスズ酸化物を含み、且つ前記カソードは、アルミニウム及び前記アルミニウムの上方のインジウムスズ酸化物の層を含む請求項1に記載の倒置型OLED装置。
- a.基板を提供すること、
b.前記基板上にカソードを形成すること、
c.第2の電子受容層の50体積%超過を構成し、且つ飽和カロメル電極を基準として−0.5V超過の還元電位を有する第2の電子不足有機物質を含む第2の電子受容層を前記カソードの上方に堆積すること、
d.電荷移動バッファー層の上方に電子輸送層、前記電子輸送層の上方に1つ以上の発光層、及び最後に堆積された発光層の上方に正孔輸送層を順次堆積すること、
e.第1の電子受容層の50体積%超過を構成し、且つ飽和カロメル電極を基準として−0.5V超過の還元電位を有する第1の電子不足有機物質を含む第1の電子受容層を前記正孔輸送層の上方に堆積すること、及び
f.前記第1の電子受容層と接するアノードを形成すること
を含む倒置型OLED装置の製造方法。 - 前記第1及び第2の電子不足有機物質の両方は、ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレンであり、且つ前記第1及び第2の電子受容層の全体積を実質的に構成する請求項8に記載の方法。
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