JP2002231457A - 有機電界発光素子 - Google Patents
有機電界発光素子Info
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Abstract
によって、駆動耐久性に優れた有機電界発光素子を実現
すること。 【解決手段】 一対の電極とその間に挟まれた少なくと
も一層の有機層を有する有機電界発光素子において、少
なくとも一方の電極と有機層との界面に金属拡散防止帯
を設けることにより、駆動耐久性に優れた有機電界発光
素子が得られた。
Description
して広範囲に利用される発光素子であって、安定性に優
れた有機電界発光素子に関するものである。
素子にくらべて明るく、鮮明な表示が可能であるため、
古くから多くの研究者によって研究されてきた。現在実
用レベルに達した電界発光素子としては、無機材料のZ
nSを用いた素子がある。しかし、この様な無機の電界
発光素子は、発光のための駆動電圧として50V以上が
必要であるため、広く使用されるには至っていない。
子である有機電界発光素子は、従来実用的なレベルから
はほど遠いものであったが、1987年にイーストマン
・コダック社のシー・ダブリュ・タン(C.W.Tan
g)らによって開発された積層構造素子によりその特性
が飛躍的に進歩した。彼らは蒸着膜の構造が安定で電子
を輸送することのできる蛍光体からなる層(電子輸送性
発光層)と、正孔を輸送することのできる有機物からな
る層(正孔輸送層)とを積層し、両方のキャリヤーを蛍
光体中に注入して発光させることに成功した。
が向上し、10V以下の電圧で1000cd/m2以上
の発光が得られる様になった。その後多くの研究者によ
ってその特性向上のための研究が行われ、現在では10
000cd/m2以上の発光特性が得られている。
未満の薄い膜に数Vの電圧を印加する。このとき素子に
は1MV/cm近くの強い電界がかかっており、特に電
子注入電極(陰極)と有機膜との界面には、より強い電
界が印加されているものと思われる。有機電界発光素子
の陰極には、その電子注入効率を高くするために、アル
カリ金属またはアルカリ土類金属をその構成材料の一つ
として用いるか、あるいは単独で用いることが一般的に
行われているが、これらの金属は反応性が高いため、界
面近傍の強電界によって有機膜中に拡散した場合に、有
機分子と反応するなどして、素子特性に影響を与えると
考えられる。特に連続駆動時には、強電界下に長時間さ
らされるため、金属の拡散が進行し特性を大きく変化さ
せると思われる。
電界発光素子の素子構成を改良することによって、陰極
から有機膜への金属の拡散を防止し駆動耐久性に優れた
有機電界発光素子を実現することにある。
子は、一対の電極とその間に挟まれた少なくとも一層以
上の有機層を有しており、少なくとも一方の電極と有機
層との界面に金属拡散防止帯が設けられていることを特
徴としたものである。
電極と、前記一対の電極に挟まれた少なくとも一層以上
の有機層と、前記電極と前記有機層との界面に金属拡散
防止帯を有する有機電界発光素子であり、連続定電流駆
動時の輝度低下を抑制するという作用を有する。
と接する電極がリチウム、マグネシウム、カルシウム又
はそれらの化合物を含む請求項1記載の有機電界発光素
子であり、電極にこれらの原子が含まれている場合に、
低電圧でかつ定電流駆動時の電圧変化の少ない素子を実
現することができる。
が、それと接する電極中に含まれている金属と錯形成す
る化合物を含む請求項1又は2記載の有機電界発光素子
であり、定電流駆動時の電圧変化を少なくし、輝度低下
を抑制するという作用を有する。
が、フェナントロリン誘導体、ビピリジン誘導体、ポル
フィリン誘導体、フタロシアニン誘導体又はオキシン誘
導体のいずれかを含む請求項1、2又は3記載の有機電
界発光素子であり、金属と錯形成しやすい分子を用いる
ことにより、より定電流駆動時の輝度低下・電圧変化を
抑制することができるという作用を有する。
が一つの層から構成されており、その厚さが5nm以下で
ある請求項1ないし4のいずれか記載の有機電界発光素
子であり、金属拡散防止体の厚さを薄くすることによ
り、より駆動電圧の低い素子を実現することができると
いう作用を有する。
が島状に形成されている請求項1ないし4のいずれか記
載の有機電界発光素子であり、電極から有機層へ電荷の
注入がスムーズになり駆動電圧の低い素子が得られると
いう作用を有する。
を用いて説明する。
電界発光素子の概略構成を示す断面図である。ガラス基
板1上に陽極2を形成し、その上に正孔注入層3、正孔
輸送層4、発光層5、電子輸送層6、電子注入層7、金
属拡散防止帯8、陰極9を形成したものである。正孔注
入層と正孔輸送層、電子輸送層と電子注入層はそれぞれ
一つの層で兼ねることができる。さらに発光層と正孔注
入輸送層、発光層と電子注入輸送層を兼ねることもでき
る。
化物(ITO)や半透明電極として金薄膜を用いること
ができる。
注入輸送層に大別される。それぞれ、電極からの電荷の
注入を容易にし、注入された電荷を発光領域まで輸送す
るという働きをする。電荷注入層と電荷輸送層を一つの
材料で兼ねる場合と別々の材料を用いる場合とがある。
からの正孔の注入を容易にするため、HOMOレベルの
小さい材料が使用される。具体的には、銅フタロシアニ
ン(CuPc)やトリス{4−[(3-メチルフェニル)
フェニルアミノ]フェニル}アミン(m−MTDAT
A)などがあげられる。
強い材料が使用され、具体的にはN、N‘−ジフェニル
−N、N’−ビス(3−メチルフェニル)1,1‘-ビフ
ェニル−4,4’−ジアミン(TPD)などのトリフェ
ニルアミン誘導体などを用いることができる。
強い材料が用いることができ、具体的にはフェナントロ
リン誘導体,オキサジアゾール誘導体やトリス(8−ヒ
ドロキシキノリノール)アルミニウム(Alq)などに
代表されるキノリノール金属錯体などの使用が検討され
ている。
誘導帯や上記電子輸送材料と金属との混合膜を用いるこ
とが検討されている。
されているが、基本的には電子・正孔の注入が可能でか
つ蛍光・りん光を有する物質であれば使用できる。ま
た、成膜性に優れた材料の中に色素を少量分散させた膜
を発光層として用いることにより、素子の高効率化、長
寿命化および発光色の調整をすることも検討されてい
る。この手法は、単独では結晶化しやすい、あるいは濃
度消光を起こしやすい蛍光色素に対して非常に有効であ
る。
必要であり、従来の技術の項で述べたようなアルカリ金
属またはアルカリ土類金属またはその化合物を構成材料
の一つとして用いることが多い。具体的にはリチウム、
マグネシウムやカルシウム、あるいはこれらの金属や化
合物を他の金属と組み合わせて用いることができる。
電子注入輸送層)と陰極9の間に金属拡散防止帯8を設
けることにより、連続定電流駆動時の輝度低下や電圧上
昇を抑制することができる。この金属拡散防止帯は均一
な層であってもよいし、不均一な島状に形成されていて
もよいが、防止帯の領域としては0.1nmから5nm
程度が望ましい。この金属拡散防止帯には金属と相互作
用を有するような材料を用いることができる。特に金属
と錯化合物を形成することのできるフェナントロリン誘
導体、ビピリジン誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロ
シアニン誘導体、オキシン誘導体などを用いることによ
って、より効率的に陰極からの金属の拡散を防ぐことが
できる。なお、これらの材料は他の材料と混合して用い
てもよい。混合して用いる場合、前述した化合物が50
%以上含まれていることが望ましい。
極としてインジウム錫酸化膜(ITO)をあらかじめ形
成し、電極の形にパターニングしたもの用いた。この基
板を充分に洗浄した後、蒸着する材料と一緒に真空装置
内にセットし、10-4Paまで排気した。その後、正孔
注入輸送層としてN,N'-ビス[4'-(N,N-ジフェニルアミ
ノ)-4-ビフェニリル]-N,N'-ジフェニルベンジジン(T
PT)を50nm製膜した。その後、発光層としてN,
N‘−ビス(1−ピレニル)−N,N’−ビス(o−ト
リル)−m−フェニレンジアミンを25nm製膜した。
5nm製膜した後、バソクプロイン(東京化成製)を
0.5nm製膜し、金属拡散防止帯とした。その後、陰
極としてAlLi混合膜を150nmの厚さで製膜し、
素子を作成した。AlLi混合膜はアルミニウムとリチ
ウムをそれぞれ独立な蒸着元から蒸発させる強蒸着法に
よって作製した。これらの製膜は一度も真空を破ること
なく、連続して行った。
した。素子作製後、直ちに乾燥窒素中で電極の取り出し
を行い、引き続き特性測定を行った。得られた素子に電
圧を印加したところ、均一な緑色の発光が得られた。こ
の素子を乾燥窒素中において、初期輝度1000cd/
m2で連続駆動(定電流)したところ、輝度が初期の半
分である500cd/m2になるのに要する時間(輝度
半減期)は60hであった。また、500h駆動後の電
圧上昇分は1.9Vであった。
ジスチリルアリーレン誘導体(1)を用いたこと以外は
第1の実施例と同様に素子を作製した。
発光が得られた。この素子を乾燥窒素中において、初期
輝度1000cd/m2で連続駆動(定電流)したとこ
ろ、輝度半減期は180hであった。また、500h駆
動後の電圧上昇分は3.0Vであった。
0、15、20−テトラフェニル−21H、23H-ポ
ルフィンを用いたこと以外は第1の実施例と同様に素子
を作製した。得られた素子に電圧を印加したところ、均
一な緑色の発光が得られた。この素子を乾燥窒素中にお
いて、初期輝度1000cd/m2で連続駆動(定電
流)したところ、輝度半減期は75hであった。また、
500h駆動後の電圧上昇分は2.6Vであった。
‘−ジフェニル−2、2‘−ジピリジンを用いたこと以
外は第1の実施例と同様に素子を作製した。得られた素
子に電圧を印加したところ、均一な緑色の発光が得られ
た。この素子を乾燥窒素中において、初期輝度1000
cd/m2で連続駆動(定電流)したところ、輝度半減
期は50hであった。また、500h駆動後の電圧上昇
分は3.3Vであった。
極としてインジウム錫酸化膜(ITO)をあらかじめ形
成し、電極の形にパターニングしたもの用いた。この基
板を充分に洗浄した後、蒸着する材料と一緒に真空装置
内にセットし、10-4Paまで排気した。その後、正孔
注入輸送層としてN,N'-ビス[4'-(N,N-ジフェニルアミ
ノ)-4-ビフェニリル]-N,N'-ジフェニルベンジジン(T
PT)を50nm製膜した。その後、発光層としてN,
N‘−ビス(1−ピレニル)−N,N’−ビス(o−ト
リル)−m−フェニレンジアミンを25nm製膜した。
5nm製膜した後、バソクプロイン(東京化成製)を
0.2nm製膜し、金属拡散防止帯とした。その後、陰
極としてCaを10nm製膜した後、Alを150nm
の厚さで製膜し、素子を作成した。これらの製膜は一度
も真空を破ることなく、連続して行った。
した。素子作製後、直ちに乾燥窒素中で電極の取り出し
を行い、引き続き特性測定を行った。得られた素子に電
圧を印加したところ、均一な緑色の発光が得られた。こ
の素子を乾燥窒素中において、初期輝度1000cd/
m2で連続駆動(定電流)したところ、輝度が初期の半
分である500cd/m2になるのに要する時間(輝度
半減期)は40hであった。また、500h駆動後の電
圧上昇分は2.9Vであった。
極としてインジウム錫酸化膜(ITO)をあらかじめ形
成し、電極の形にパターニングしたもの用いた。この基
板を充分に洗浄した後、蒸着する材料と一緒に真空装置
内にセットし、10-4Paまで排気した。その後、正孔
注入輸送層としてN,N'-ビス[4'-(N,N-ジフェニルアミ
ノ)-4-ビフェニリル]-N,N'-ジフェニルベンジジン(T
PT)を50nm製膜した。その後、発光層としてN,
N‘−ビス(1−ピレニル)−N,N’−ビス(o−ト
リル)−m−フェニレンジアミンを25nm製膜した。
5nm製膜した後、4、7−ジフェニル−1、10-フ
ェナンスロリンを0.01nm/sの蒸着速度で30秒
間堆積し、金属拡散防止帯とした。その後、陰極として
AlLi混合膜を150nmの厚さで製膜し、素子を作
成した。AlLi混合膜はアルミニウムとリチウムをそ
れぞれ独立な蒸着元から蒸発させる強蒸着法によって作
製した。これらの製膜は一度も真空を破ることなく、連
続して行った。
した。素子作製後、直ちに乾燥窒素中で電極の取り出し
を行い、引き続き特性測定を行った。得られた素子に電
圧を印加したところ、均一な緑色の発光が得られた。こ
の素子を乾燥窒素中において、初期輝度1000cd/
m2で連続駆動(定電流)したところ、輝度が初期の半
分である500cd/m2になるのに要する時間(輝度
半減期)は95hであった。また、500h駆動後の電
圧上昇分は2.1Vであった。
止帯を設けなかったこと以外は第1の実施例と同様に素
子を作製した。この素子に電圧を印加したところ、均一
な緑色の発光が得られた。初期輝度1000cd/m2
で連続駆動(定電流)したときの輝度半減期は18h、
500h駆動後の電圧上昇分は4.1Vであった。
止帯を設けなかったこと以外は第2の実施例と同様に素
子を作製した。この素子に電圧を印加したところ、均一
な青緑色の発光が得られた。初期輝度1000cd/m
2で連続駆動(定電流)したところ。輝度が半分である
500cd/m2になるのに要する時間(輝度半減期)
は110hであった。また、500h駆動後の電圧上昇
分は3.7Vであった。
に示した結果より、本実施例で得られた素子は比較例で
得られた素子よりも駆動耐久性に優れていることが明ら
かになった。
性に優れた有機電界発光素子が得られるという有利な効
果が得られる。
Claims (6)
- 【請求項1】 一対の電極と、前記一対の電極に挟まれ
た少なくとも一層以上の有機層と、前記電極と前記有機
層との界面に金属拡散防止帯を有する有機電界発光素
子。 - 【請求項2】 金属拡散防止帯と接する電極がリチウ
ム、マグネシウム、カルシウム又はそれらの化合物を含
む請求項1記載の有機電界発光素子。 - 【請求項3】 金属拡散防止帯が、それと接する電極中
に含まれている金属と錯形成する化合物を含む請求項1
又は2記載の有機電界発光素子。 - 【請求項4】 金属拡散防止帯が、フェナントロリン誘
導体、ビピリジン誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロ
シアニン誘導体又はオキシン誘導体のいずれかを含む請
求項1、2又は3記載の有機電界発光素子。 - 【請求項5】 金属拡散防止帯が一つの層から構成され
ており、その厚さが5nm以下である請求項1ないし4の
いずれか記載の有機電界発光素子。 - 【請求項6】 金属拡散防止帯が島状に形成されている
請求項1ないし4のいずれか記載の有機電界発光素子。
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KR100696509B1 (ko) | 2005-04-15 | 2007-03-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시장치 및 그 제조방법 |
US7550919B2 (en) | 2003-03-28 | 2009-06-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Organic electroluminescent device with reduced initial drive voltage and manufacturing method thereof |
WO2009107187A1 (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | パイオニア株式会社 | 有機電界発光素子 |
WO2012039294A1 (ja) * | 2010-09-21 | 2012-03-29 | 三井金属鉱業株式会社 | 電極箔および有機デバイス |
JP2014082524A (ja) * | 2005-03-29 | 2014-05-08 | Konica Minolta Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP7371193B2 (ja) | 2014-04-30 | 2023-10-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子 |
-
2001
- 2001-02-02 JP JP2001026415A patent/JP3690286B2/ja not_active Expired - Lifetime
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WO2012039294A1 (ja) * | 2010-09-21 | 2012-03-29 | 三井金属鉱業株式会社 | 電極箔および有機デバイス |
JP2012069286A (ja) * | 2010-09-21 | 2012-04-05 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 電極箔および有機デバイス |
US8586976B2 (en) | 2010-09-21 | 2013-11-19 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Electrode foil and organic device |
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