JP7352809B2 - シリコン酸化物のエッチング方法及びエッチング装置 - Google Patents
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Description
本開示のエッチング方法では、上記した種類のガスを、プラズマ状態を伴わずに反応させるので、上記したガスプラズマを発生させることなく、シリコン酸化物のドライエッチングを行う。
上記処理容器内を減圧するための真空排気部と、上記載置部を加熱するための加熱部と、を備える、上記基板から上記シリコン酸化物膜をエッチングするエッチング装置である。
本開示のドライエッチング方法の具体的な実施形態は、二つの実施形態に分けることができる。第1の実施形態は、フッ化水素及び有機アミン化合物を含む処理ガスを、エッチング装置に供給してエッチングする方法であり、第2の実施形態は、有機アミン化合物を含む処理ガスと、フッ化水素を含む処理ガスとを、分けてエッチング装置に供給してエッチングする方法である。
第1の実施形態においては、フッ化水素及び有機アミン化合物を含む処理ガス(ドライエッチングガス)を、エッチング装置に供給し、シリコン酸化物に接触させることで、シリコン酸化物をエッチングする。
結果的には、いずれの場合においても、シリコン酸化物との反応により、ヘキサフルオロケイ酸の有機アミン塩が生成することに変わりはない。
本開示のドライエッチング方法の第2の実施形態は、有機アミン化合物を含む処理ガスと、フッ化水素を含む処理ガスを、分けてエッチング装置に供給してエッチングする方法である。すなわち、第2の実施形態では、シリコン酸化物に有機アミン化合物を含む処理ガスをエッチング装置に供給する工程の後に、フッ化水素を含む処理ガスをエッチング装置に供給する工程を行う。上記した2つの工程の間に、真空引き工程を行ってもよい。
本実施形態のエッチング方法は、酸化シリコン膜を有する被処理基板を載置する載置部を有する処理容器と、前記処理容器にフッ化水素を含む処理ガスを供給するためのフッ化水素ガス供給部と、前記処理容器に有機アミン化合物を含む処理ガスを供給するための有機アミン化合物ガス供給部と、前記処理容器内を減圧するための真空排気部と、前記載置部を加熱するための加熱部と、を備えたことを特徴とするエッチング装置により実施することができる。なお、エッチング装置には、必要に応じて、前記処理容器に不活性ガスを供給するための不活性ガス供給部をさらに備えてもよい。
反応装置1を構成するチャンバー(処理容器)2内には、ヒーター(加熱部)8により加熱されるステージ(載置部)3が設置されている。また、チャンバー2の周囲にもヒーター(図示せず)が設置されており、チャンバー壁を加熱できるようになっている。チャンバー上部に設置されたフッ化水素ガス供給部5a及び有機アミン化合物ガス供給部5bから処理ガスを導入し、ステージ3上に設置した試料(被処理基板)4に対し処理ガスを接触させることができる。チャンバー2内のガスはガス排出ライン6を経由して排出される。チャンバー2は、不活性ガス供給部5cを備えており、必要により不活性ガスを供給してもよい。また、ガス排出ラインには図示しない真空排気ポンプ(真空排気部)が接続され、チャンバー2内を減圧環境にすることができ、さらにチャンバー2には圧力計7が設置されている。なお、フッ化水素ガス供給部5a及び有機アミン化合物ガス供給部5bに代えて、有機アミンフッ化水素塩ガス供給部を設けてもよい。
ヒーター8によりステージ3の温度を所定値にまで加熱した後、フッ化水素ガス供給部5a及び有機アミン化合物ガス供給部5bから第1の実施形態又は第2の実施形態に基づいた条件で、チャンバー2内に処理ガスを導入し、試料4と処理ガスを接触させる。この際に、反応生成物は、反応して生成すると同時に昇華し、ガス排出ライン6を通じてチャンバー2から除去される。
上記した第1の実施形態に係るドライエッチング方法又は第2の実施形態に係るドライエッチング方法を用いることにより、200℃以下の低温でも、プラズマを用いずにシリコン酸化物をエッチングすることが可能である。
まず、チャンバー内のステージ上にウェハA~Cを載置し、チャンバー内を真空引きしたのち、ステージの温度を下記の表1に示す所定の温度にする。その後、チャンバー内に処理ガスを供給して30秒間保持した。その後、チャンバー内を10Pa以下まで真空引きし、不活性ガスで置換した後にウェハA~Cを取り出し、それぞれの膜厚を測定し、エッチング量を評価した。また、光学顕微鏡で熱酸化膜が形成されたシリコンウェハBのエッチング後の熱酸化膜の表面を観察し、表面の残渣の有無を評価した。
なお、実施例1-1では、HFガスとトリメチルアミンガスを別の導入口から同時にチャンバーに供給して、チャンバー内で混合した処理ガスを試料に接触させた。また、実施例1-2では、トリメチルアミンのフッ化水素塩(NMe3・HF)を気化させたガスを、処理ガスとしてチャンバーに供給した。実施例1-3、1-4、1-8、比較例1-1では、実施例1-1のトリメチルアミンに代えて、ジメチルアミン、ジエチルアミン、モノメチルアミン、アンモニアを用い、比較例1-2では、実施例1-2のトリメチルアミンのフッ化水素塩に代えて、フッ化アンモニウム(NH4F)を用いた。実施例1-5~1-7、1-9、比較例1-3では、温度を変更した。実施例1-10~1~11では、実施例1-1と比較して、トリメチルアミンとHFガスの流量比を変えた。比較例1-4ではHFのみ、比較例1-5ではトリメチルアミンのみをアルゴンガスで希釈して供給した。また、比較例1-6~1-8では、実施例1-1のトリメチルアミンに代えて、水、メタノール、イソプロピルアルコールを気化させたガスを供給した。
先に有機アミン化合物を供給し、その後にHFガスを供給する方法にて、エッチング評価を行った。
まず、チャンバー内のステージ上にウェハA~Cを載置し、チャンバー内を10Pa以下まで真空引きしたのち、ステージの温度を表2に示す所定の温度にする。その後、アミンを含む処理ガスをチャンバー内に供給して30Torr(4kPa)の圧力で30秒間保持した。その後、チャンバー内を0.1kPaまで真空引きしたのち、今度はHFガスを含む処理ガスをチャンバー内に供給して30Torr(4kPa)の圧力で30秒間保持した。その後、チャンバー内を10Pa以下まで真空引きし、不活性ガスで置換した後にウェハA~Cを取り出し、それぞれの膜厚を測定し、エッチング量を評価した。また、光学顕微鏡で熱酸化膜が形成されたシリコンウェハBのエッチング後の熱酸化膜の表面を観察し、表面の残渣の有無を評価した。
なお、比較例2-2では、有機アミンを供給する工程を行わずに、HFガスを含む処理ガスを供給する工程のみを行った。
2 チャンバー(処理容器)
3 ステージ(載置部)
4 試料(被処理基板)
5a フッ化水素ガス供給部
5b 有機アミン化合物ガス供給部
5c 不活性ガス供給部
6 ガス排出ライン
7 圧力計
8 ヒーター(加熱部)
Claims (19)
- シリコン酸化物に、気体のフッ化水素及び気体の有機アミン化合物、及び/又は、気体の有機アミン化合物のフッ化水素塩を、プラズマ状態を伴わず、反応させ、
前記反応は、フッ化水素及び有機アミン化合物、及び/又は、有機アミン化合物のフッ化水素塩を含む処理ガスを、シリコン酸化物に接触させる工程からなり、
前記反応により生成した反応生成物は、生成すると同時に気体となり、前記シリコン酸化物が除去されることを特徴とするシリコン酸化物のドライエッチング方法。 - 前記反応させる際の前記シリコン酸化物の温度が、200℃以下であることを特徴とする請求項1に記載のドライエッチング方法。
- 前記処理ガスに含まれるフッ化水素と有機アミン化合物の混合比は、有機アミン化合物のモル数をフッ化水素のモル数で除した値で、0.001以上100以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載のドライエッチング方法。
- 前記有機アミン化合物が、下記の一般式(1)に示される化合物であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載のドライエッチング方法。
- 前記有機アミン化合物が、二級アミンまたは三級アミンであることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のドライエッチング方法。
- 前記二級アミンは、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジノルマルプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミン及びジターシャリーブチルアミンからなる群から選ばれる少なくとも一つの化合物である請求項5に記載のドライエッチング方法。
- 前記三級アミンは、トリメチルアミン、ジメチルエチルアミン、ジエチルメチルアミン及びトリエチルアミンからなる群から選ばれる少なくとも一つの化合物である請求項5に記載のドライエッチング方法。
- シリコン酸化物膜とシリコン窒化物膜の両方が露出した被処理基板に対して、シリコン酸化物膜を、選択的にエッチングする請求項1~7のいずれか1項に記載のドライエッチング方法。
- シリコン酸化物膜のシリコン窒化物膜に対する選択比は、2.5以上であることを特徴とする請求項8に記載のドライエッチング方法。
- シリコン酸化物膜と多結晶シリコン膜の両方が露出した被処理基板に対して、シリコン酸化物膜を、選択的にエッチングする請求項1~7のいずれか1項に記載のドライエッチング方法。
- 前記反応させる際の前記シリコン酸化物の温度が、50℃以上200℃以下であることを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載のドライエッチング方法。
- シリコン酸化物膜を有する半導体基板に対して、請求項1~11のいずれか1項に記載のドライエッチング方法を適用して、シリコン酸化物膜をエッチングする工程を含むことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
- シリコン酸化物膜を有する基板を載置する載置部を有する処理容器と、
前記処理容器にフッ化水素を含む処理ガスを供給するためのフッ化水素ガス供給部と、
前記処理容器に有機アミン化合物を含む処理ガスを供給するための有機アミン化合物ガス供給部と、
前記処理容器内を減圧するための真空排気部と、
前記載置部を加熱するための加熱部と、
を備え、
前記基板から前記シリコン酸化物膜をエッチングする、請求項1に記載のドライエッチング方法に用いるエッチング装置。 - 請求項1に記載のドライエッチング方法に使用するためのフッ化水素。
- 請求項1に記載のドライエッチング方法に使用するための有機アミン化合物。
- 前記有機アミン化合物が、下記の一般式(1)に示される化合物である請求項15に記載の有機アミン化合物。
- シリコン酸化物に、気体のフッ化水素及び気体の有機アミン化合物を、プラズマ状態を伴わず、反応させ、
前記反応は、シリコン酸化物に有機アミン化合物を含む処理ガスを接触させる工程と、
前記シリコン酸化物にフッ化水素を含む処理ガスを接触させる工程と、を交互に繰り返して行うことを特徴とするドライエッチング方法。 - シリコン酸化物膜とシリコン窒化物膜の両方が露出した被処理基板に対して、
気体のフッ化水素及び気体の有機アミン化合物、及び/又は、気体の有機アミン化合物のフッ化水素塩を、プラズマ状態を伴わず、反応させ、
シリコン酸化物膜を、シリコン窒化物膜に対して選択的にエッチングする
ことを特徴とするドライエッチング方法。 - シリコン酸化物に、気体のフッ化水素及び気体の有機アミン化合物を、プラズマ状態を伴わず、反応させる工程と、
気体のフッ化水素及び気体の有機アミン化合物の供給を行わずに前記反応により生成した反応生成物を昇華させる工程とを含み、
前記反応は、シリコン酸化物に有機アミン化合物を含む処理ガスを接触させる工程と、
前記シリコン酸化物にフッ化水素を含む処理ガスを接触させる工程と、を交互に繰り返して行うことを特徴とするドライエッチング方法。
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WO2021205632A1 (ja) * | 2020-04-10 | 2021-10-14 | 株式会社日立ハイテク | エッチング方法 |
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JP2021180281A (ja) * | 2020-05-15 | 2021-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法およびエッチング装置 |
JP7459720B2 (ja) * | 2020-08-11 | 2024-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン酸化膜をエッチングする方法、装置及びシステム |
TW202213495A (zh) * | 2020-08-28 | 2022-04-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 蝕刻方法及蝕刻裝置 |
US11605544B2 (en) * | 2020-09-18 | 2023-03-14 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems for cleaning high aspect ratio structures |
US11295960B1 (en) * | 2021-03-09 | 2022-04-05 | Hitachi High-Tech Corporation | Etching method |
WO2023168170A1 (en) * | 2022-03-03 | 2023-09-07 | Lam Research Corporation | Selective precision etching of semiconductor materials |
JP7398493B2 (ja) * | 2022-03-18 | 2023-12-14 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラム、および基板処理装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100870914B1 (ko) | 2008-06-03 | 2008-11-28 | 주식회사 테스 | 실리콘 산화막의 건식 식각 방법 |
US20090275205A1 (en) | 2008-05-02 | 2009-11-05 | Micron Technology, Inc. | Methods of removing silicon oxide and gaseous mixtures for achieving same |
US20170316946A1 (en) | 2016-04-29 | 2017-11-02 | Applied Materials, Inc. | Methods for chemical etching of silicon |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2981243B2 (ja) * | 1988-12-27 | 1999-11-22 | 株式会社東芝 | 表面処理方法 |
JPH04137532A (ja) | 1990-04-23 | 1992-05-12 | Toshiba Corp | 表面処理方法及びその装置 |
JP2833946B2 (ja) | 1992-12-08 | 1998-12-09 | 日本電気株式会社 | エッチング方法および装置 |
KR100332402B1 (ko) | 1993-05-13 | 2002-10-25 | 어드밴스트 세미컨덕터 매티리얼스 냄로즈 베누트스캡 | Hf와카르복실산혼합물을사용한반도체처리방법 |
US5439553A (en) | 1994-03-30 | 1995-08-08 | Penn State Research Foundation | Controlled etching of oxides via gas phase reactions |
US6065481A (en) | 1997-03-26 | 2000-05-23 | Fsi International, Inc. | Direct vapor delivery of enabling chemical for enhanced HF etch process performance |
US20070123051A1 (en) | 2004-02-26 | 2007-05-31 | Reza Arghavani | Oxide etch with nh4-nf3 chemistry |
WO2007049510A1 (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-03 | Tokyo Electron Limited | 処理方法及び記録媒体 |
JP4890025B2 (ja) | 2005-12-28 | 2012-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及び記録媒体 |
US10283369B2 (en) * | 2016-08-10 | 2019-05-07 | Tokyo Electron Limited | Atomic layer etching using a boron-containing gas and hydrogen fluoride gas |
CN107919277A (zh) * | 2016-10-08 | 2018-04-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 去除晶片上的二氧化硅的方法及制造工艺 |
US11715641B2 (en) * | 2018-09-13 | 2023-08-01 | Central Glass Company, Limited | Method and device for etching silicon oxide |
-
2019
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