JP7349698B2 - 半導体集積回路用のシリコンピラーの作製方法 - Google Patents
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-0.1θ+91≦T≦-0.0375θ+38.5 ・・・(1)
0.051D0-1.89≦T≦0.064D0+3.86 ・・・(2)
(DAmax-DAmin)/2≦1.0 ・・・(A)
(DAmax-DAmin)/2≦0.5 ・・・(B)
12 シリコンピラー
15 初期ピラー
26 酸化膜
D0 初期直径
H0 初期高さ
T 処理時間
θ 処理温度
Claims (7)
- シリコン基板の表面に、円柱状の初期ピラーを形成する初期ピラー形成ステップと、
前記シリコン基板を加熱することにより、前記初期ピラーの表面をドライ酸化により酸化して酸化膜を形成する熱酸化ステップとを有し、
前記初期ピラーの直径は、63nm以下であり、
前記熱酸化ステップは、前記シリコン基板の処理温度をθ℃、酸化する処理時間をT時間及び前記初期ピラーの直径をD 0 nmとしたときに、
840≦θ≦920
-0.1θ+91≦T≦-0.0375θ+38.5
0.051D 0 -1.89≦T≦0.064D 0 +3.86
の各条件を満たす
ことを特徴とする半導体集積回路用のシリコンピラーの作製方法。 - 前記初期ピラー形成ステップは、
前記シリコン基板上に形成された薄膜上にフォトリソグラフィによって所定のレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンをマスクにして、前記薄膜をエッチングしてエッチングマスクとし、
前記エッチングマスクを用いて前記シリコン基板をエッチングすることで前記初期ピラーを形成する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路用のシリコンピラーの作製方法。 - 前記初期ピラー形成ステップは、軸心方向の長さが400nm以下の前記初期ピラーを形成することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体集積回路用のシリコンピラーの作製方法。
- 前記シリコン基板の表面に垂直に起立したシリコンピラーの上端面から前記初期ピラーの高さの20%の距離だけ下方の位置の直径をD20、50%の距離だけ下方の位置の直径をD50、80%の距離だけ下方の距離の位置の直径をD80としたときに、|D20-D50|≦1.8nmかつ|D50-D80|≦1.8nmを満たすことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の半導体集積回路用のシリコンピラーの作製方法。
- 前記熱酸化ステップは、前記シリコン基板の表面に垂直に起立した前記初期ピラーの上端面に酸化を防止するキャップ膜を設けた状態で前記シリコン基板を加熱することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の半導体集積回路用のシリコンピラーの作製方法。
- 前記酸化膜を除去する除去ステップを有することを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の半導体集積回路用のシリコンピラーの作製方法。
- シリコン基板の表面に、円柱状の初期ピラーを形成する初期ピラー形成ステップと、
前記シリコン基板を加熱することにより、前記初期ピラーの表面を酸化して酸化膜を形成する熱酸化ステップとを有し、
前記シリコン基板の表面に垂直に起立したシリコンピラーの上端面から前記初期ピラーの高さの20%の距離だけ下方の位置の直径をD 20 、50%の距離だけ下方の位置の直径をD 50 、80%の距離だけ下方の距離の位置の直径をD 80 としたときに、|D 20 -D 50 |≦1.8nmかつ|D 50 -D 80 |≦1.8nmを満たす
ことを特徴とする半導体集積回路用のシリコンピラーの作製方法。
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LIU, H. I. et al.,Self-limiting oxidation for fabricating sub-5 nm silicon nanowires,Applied Physics Letters,1994年03月14日,Vol. 64, No. 11,pp. 1383-1385 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020202295A (ja) | 2020-12-17 |
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