JP7347860B2 - エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

Info

Publication number
JP7347860B2
JP7347860B2 JP2022012454A JP2022012454A JP7347860B2 JP 7347860 B2 JP7347860 B2 JP 7347860B2 JP 2022012454 A JP2022012454 A JP 2022012454A JP 2022012454 A JP2022012454 A JP 2022012454A JP 7347860 B2 JP7347860 B2 JP 7347860B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
substituted
unsubstituted
carbon atoms
ring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2022012454A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022121387A (ja
Inventor
宏博 李
鋒 李
珍 王
明 桑
維 蔡
剣飛 姚
陽 王
剛 楊
俊飛 王
尚 丁
▲チ▼ 劉
志遠 ▲クアン▼
伝軍 夏
Original Assignee
北京夏禾科技有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 北京夏禾科技有限公司 filed Critical 北京夏禾科技有限公司
Publication of JP2022121387A publication Critical patent/JP2022121387A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7347860B2 publication Critical patent/JP7347860B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/341Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

本発明は、エレクトロルミネッセンス素子に関する。より特に、式1で表される構造を有するL配位子を含む第1金属錯体と、式3で表される構造を有する第1化合物とを含むエレクトロルミネッセンス素子、該エレクトロルミネッセンス素子を含む電子装置、および第1金属錯体と第1化合物とを含む化合物の組合せに関する。
有機電子素子は、有機発光ダイオード(OLEDs)、有機電界効果トランジスタ(O-FETs)、有機発光トランジスタ(OLETs)、有機起電セル(OPVs)、色素-増感太陽電池(DSSCs)、有機光検出器、有機感光装置、有機電界効果素子(OFQDs)、発光電気化学セル(LECs)、有機レーザダイオードおよび有機プラズマ発光素子を含むが、それに限定されない。
1987年、イーストマンコダック(Eastman Kodak)のTangおよびVan Slykeにより、電子輸送層および発光層として、アリールアミン正孔輸送層とトリス-8-ヒドロキシキノリン-アルミニウム層とを含む二層有機エレクトロルミネセント素子が報道されている(Applied Physics Letters、1987、51(12):913~915)。素子に対してバイアスが一旦印加されると、緑色光が素子から発射される。この発明は、現代の有機発光ダイオード(OLEDs)の発展に対する基礎を築き上げている。最も先進的なOLEDsは、電荷注入・輸送層、電荷・励起子ブロッキング層、および陰極と陽極との間の1つまたは複数の発光層などの複数の層を含んでもよい。OLEDsは、自発光性ソリッドステート素子であるので、表示および照明の適用に対して極めて大きな潜在力を提供している。また、有機材料の固有な特性、例えばそれらの可撓性は、可撓性基板で行った製造などの特殊な適用に非常に適合するようになっている。
OLEDは、その発光メカニズムに応じて、3種の異なるタイプに分けられている。Tangおよびvan Slykeにより発明されたOLEDは、蛍光OLEDであり、一重項発光のみを使用する。素子において生成した三重項が非輻射減衰通路により浪費され、蛍光OLEDの内部量子効率(IQE)が25%に過ぎないため、この制限はOLEDの商業化を妨害している。1997年、ForrestおよびThompsonにより、錯体含有重金属からの三重項発光を発光体として用いるりん光OLEDが報道されている。そのため、一重項および三重項を収穫し、100%のIQEを実現することができる。その効率が高いため、りん光OLEDの発見および発展は、直接的にアクティブマトリクスOLED(AMOLED)の商業化に貢献する。最近、Adachiは、有機化合物の熱活性化遅延蛍光(TADF)によって高効率を実現している。これらの発光体は、小さい一重項-三重項ギャップを有するため、励起子が三重項から一重項に戻るトランジションが可能となる。TADF素子において、三重項励起子がリバースシステム間で貫通すること(逆項間交差)によって一重項励起子を生成することに起因してIQEが高くなっている。
OLEDsは、さらに、所用材料の形態に応じて、小分子とポリマーOLEDに分けられてもよい。小分子とは、ポリマーではない、有機または有機金属のいずれかの材料を指し、精確な構造を有すれば、小分子の分子量が大きくてもよい。明確な構造を有するデンドリマーは、小分子と認められている。ポリマーOLEDは、共役ポリマーと、側鎖の発光基を有する非共役ポリマーとを含む。製造過程において後重合を発生すると、小分子OLEDがポリマーOLEDになり得る。
様々なOLEDの製造方法が公知されている。小分子OLEDは、一般的に、真空熱蒸発により製造されるものである。ポリマーOLEDは、例えばスピンコート、インクジェット印刷およびノズル印刷などの溶液法により製造されるものである。材料が溶剤に溶解または分散することが可能であれば、小分子OLEDも溶液法により製造されることができる。
OLEDの発光色は、発光材料の構造設計により実現することができる。OLEDは、所望のスペクトルを実現するように、1つまたは複数の発光層を含んでもよい。緑色、黄色、赤色OLEDにおいて、りん光材料は、既に商業化の実現に成功したが、青色のりん光素子には、依然として、青色が飽和せず、耐用年数が短く、作業電圧が高いなどの問題が存在する。市販のフルカラーOLEDディスプレイは、一般的に混合策略を用い、青色の蛍光、および黄色、赤色または緑色のりん光を用いる。現在、りん光OLEDの効率が高輝度の場合に急速に低下するという問題が存在する。また、より飽和した発光スペクトル、より高い効率、およびより長いデバイス耐用年数を有することが望まれている。
中国特許出願公開第111808142号明細書では、以下のような一般式構造を有する金属錯体、
Figure 0007347860000001
および、その有機エレクトロルミネッセンス素子における使用が開示されており、以下の具体的な化合物がさらに開示されている。
Figure 0007347860000002
そのうち、有機エレクトロルミネッセンス素子における発光層には、該金属錯体およびホスト材料が含まれており、ホスト材料は、4,4'-N,N'-ビフェニルジカルバゾール(CBP)、8-ヒドロキシキノリン、金属フェノキシベンゾチアゾール化合物、ポリフルオレン、芳香族縮合環、亜鉛錯体のうちの1種または複数種の混合である。素子の実施例では、CBPがホスト材料として用いられた素子の構造のみ開示されており、CBP以外のホスト化合物および該金属錯体の素子における組合せ使用が着目されていない。
米国特許出願公開第2020/0251666号明細書では、以下の構造を有する配位子を含む金属錯体、
Figure 0007347860000003
および、該金属錯体の有機エレクトロルミネッセンス素子における使用が開示されており、以下の一般式構造を有する金属錯体がさらに開示されており、
Figure 0007347860000004
且つ、以下の金属錯体
Figure 0007347860000005
および、該錯体の
Figure 0007347860000006
ホスト材料における使用がさらに開示されている。該出願では、本願に係る特定の(ヘテロ)アリール基置換を有する金属錯体、およびその有機エレクトロルミネッセンス素子における使用が開示されておらず、本願に係る特定の(ヘテロ)アリール基置換を有する金属錯体がトリアジン骨格を有するホスト材料においてより優れた性能を有することが教示されていない。
米国特許出願公開第2020/0287144号明細書では、以下の配位子を有する金属錯体、
Figure 0007347860000007
および、該金属錯体の有機エレクトロルミネッセンス素子における使用が開示されており(ただし、Xは、シリコン、ゲルマニウムから選ばれる)、以下の構造などがさらに開示されている。
Figure 0007347860000008
Figure 0007347860000009
そのうち、有限なホスト材料がさらに開示されている。実施例では、CBPがホスト材料として用いられた素子の構造のみ開示されている。該出願では、配位子に含まれたシリル基およびゲルマニウムアルキル基が素子の性能に対する影響が着目されており、ジベンゾフラン上に本願に係る特定の(ヘテロ)アリール基置換を有する金属錯体が素子の性能に対する向上が着目されておらず、異なるホスト材料が素子の性能に対する向上も着目されていない。
米国特許出願公開第2010/187977号明細書では、以下の一般式構造を有する化合物、
Figure 0007347860000010
(ただし、環Aは、
Figure 0007347860000011
で表される)、および前記化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子が開示されている。該出願では、一部のりん光ドーパンドが開示されているが、本願に係る特定の(ヘテロ)アリール基置換を有する配位子を含む金属錯体がりん光ドーパンドとして用いられること、およびこのようなホスト材料に使用される場合に素子の性能に対する影響が開示、教示されていない。
米国特許出願公開第2017/0186965号明細書では、
Figure 0007347860000012
で表される構造を有する化合物、および前記化合物を含むエレクトロルミネッセンス素子が開示されている。しかし、該出願の実施例では、フェニルピリジン系IrおよびPt錯体がりん光ドーパンドとして用いられるのみに関する。該出願では、本願に係る特定の(ヘテロ)アリール基置換を有する配位子を含む金属錯体がりん光ドーパンドとして、このようなホスト材料に使用される場合、素子がより優れた性能を取得することができることが着目されていない。
米国特許出願公開第2020/0127213号明細書では、発光層に
Figure 0007347860000013
で表される第1ホストと、
Figure 0007347860000014
で表される第2ホストと、を含む有機光電装置が開示されている。該出願では、一部のりん光ドーパンドが例示されているが、該出願では、本願に係る特定の(ヘテロ)アリール基置換を有する配位子を含む金属錯体がりん光ドーパンドとして、このようなホスト材料に使用される場合、素子がより優れた性能を取得することができることが着目されていない。
米国特許出願公開第2019/363261号明細書では、
Figure 0007347860000015
により結合された化合物、および前記化合物を含むエレクトロルミネッセンス素子が開示されている。該出願の実施例では、フェニルピリジン系Ir錯体が発光ドーパンドであるのみに関する。該出願では、本願に係る特定の(ヘテロ)アリール基置換を有する配位子を含む金属錯体がりん光ドーパンドとして、このようなホスト材料に使用される場合、素子がより優れた性能を取得することができることが着目されていない。
特開2017-107992号公報では、以下の一般式構造を有する有機化合物、および前記化合物を含む有機発光素子が開示されている。
Figure 0007347860000016
(ただし、Xは、酸素または硫であり、R~Rは、それぞれ独立して水素、アルキル基、シアノ基またはフッ素である。)該出願の実施例では、フェニルピリジン系Ir錯体がりん光ドーパンドであるのみに関する。該出願では、本願に係る特定の(ヘテロ)アリール基置換を有する配位子を含む金属錯体がりん光ドーパンドとして、このようなホスト材料に使用される場合、素子がより優れた性能を取得することができることが着目されていない。
中国特許出願公開第111808142号明細書 米国特許出願公開第2020/0251666号明細書 米国特許出願公開第2020/0287144号明細書 米国特許出願公開第2010/187977号明細書 米国特許出願公開第2017/0186965号明細書 米国特許出願公開第2020/0127213号明細書 米国特許出願公開第2019/363261号明細書 特開2017-107992号公報
Applied Physics Letters、1987、51(12):913~915
本発明は、上述した問題の少なくとも一部を解決するために、式1で表される構造を有するL配位子を含む第1金属錯体と、式3で表される第1化合物とを含む一連のエレクトロルミネッセンス素子を提供することを目的とする。
本発明の一実施例によれば、陽極、陰極、および陽極と陰極との間に設けられた、少なくとも第1金属錯体と第1化合物とを含む有機層を含むエレクトロルミネッセンス素子であって、
第1金属錯体は、金属M、および金属Mと配位する配位子Lを含み、配位子Lは、式1で表される構造を有する、エレクトロルミネッセンス素子が開示される。
Figure 0007347860000017
(式1中、金属Mは、相対原子質量が40超えの金属から選ばれ、
Cyは、出現毎に同一または異なって置換または非置換の環原子数6~24の芳香族環、置換または非置換の環原子数5~24のヘテロ芳香族環、またはこれらの組合せから選ばれ、
Xは、O、S、Se、NR’、CR’R’、SiR’R’およびGeR’R’からなる群から選ばれ、2つのR’が同時に存在する場合、2つのR’は、同一または異なり、
~Xは、出現毎に同一または異なってC、CRまたはNから選ばれ、X~Xのうちの少なくとも1つは、Cであり、前記Cyに結合し、
、X、XまたはXは、金属-炭素結合または金属-窒素結合により前記金属Mに結合し、
~Xのうちの少なくとも1つは、CRであり、且つ前記Rは、式2で表される構造を有するArであり、
Figure 0007347860000018
aは、0、1、2、3、4または5から選ばれ、
a1およびRa2は、出現毎に同一または異なって一置換、複数置換または無置換を表し、
環Arおよび環Arは、出現毎に同一または異なって環原子数6~30の芳香族環、環原子数5~30のヘテロ芳香族環、またはこれらの組合せから選ばれ、且つ環Arおよび環Arの環原子数の合計が8以上であり、
「*」は、式2の結合箇所を表し、
第1化合物は、式3で表される構造を有し、
Figure 0007347860000019
~Eは、出現毎に同一または異なってC、CRまたはNから選ばれ、且つE~Eのうちの少なくとも2つは、Nであり、E~Eのうちの少なくとも1つは、Cであり、式4に結合し、
Figure 0007347860000020
Qは、出現毎に同一または異なっては、O、S、Se、N、NR’’、CR’’R’’、SiR’’R’’、GeR’’R’’およびR’’C=CR’’からなる群から選ばれ、2つのR’’が同時に存在する場合、2つのR’’は、同一または異なってもよく、
pは、0または1であり、rは、0または1であり、
QがNから選ばれる場合、pは、0であり、rは、1であり、
QがO、S、Se、NR’’、CR’’R’’、SiR’’R’’、GeR’’R’’およびR’’C=CR’’からなる群から選ばれる場合、pは、1であり、rは、0であり、
Lは、出現毎に同一または異なって単結合、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキレン基、置換または非置換の炭素原子数3~20のシクロアルキレン基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリーレン基、置換または非置換の炭素原子数3~20のヘテロアリーレン基、またはこれらの組合せから選ばれ、
~Qは、出現毎に同一または異なってC、CRまたはNから選ばれ、
「*」は、式4と式3との結合箇所を表し、
R’、R、Ra1、Ra2、R、R’’およびRは、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のヘテロアルキル基、置換または非置換の環原子数3~20のヘテロ環基、置換または非置換の炭素原子数7~30のアラルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルコキシ基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリールオキシ基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルケニル基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルキニル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールシリル基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数0~20のアミン基、アシル基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、シアノ基、イソシアノ基、ヒドロキシ基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、ホスフィノ基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれ、
隣り合う置換基R’、R、Ra1、Ra2は、結合して環を形成していてもよく、
隣り合う置換基R、R’’、Rは、結合して環を形成していてもよい。)
本発明の一実施例によれば、上述した実施例に記載されたエレクトロルミネッセンス素子を含む電子装置が開示される。
本発明の他の実施例によれば、上述した実施例に記載された第1金属錯体と、第1化合物とを含む化合物の組合せが開示される。
本発明は、式1で表される構造を有するL配位子を含む第1金属錯体と、式3で表される構造を有する第1化合物とを含む一連のエレクトロルミネッセンス素子を提供することを目的とする。2種の化合物の組合せを選択することにより、従来技術に対して、有機エレクトロルミネッセンス素子の性能を明らかに向上させることができ、例えば、素子の効率、特にEQEを向上させる、或いは、駆動電圧を低下させ、半値全幅を低減させることができ、最終に素子の綜合性能を明らかに向上させるという有益な効果を達成する。
本発明に係るエレクトロルミネッセンス素子100が含まれ得る模式図である。 本発明に係る他のエレクトロルミネッセンス素子200が含まれ得る模式図である。
OLEDは、ガラス、プラスチック、および金属などの様々な基板で製造することができる。図1は、有機発光装置100を例示的に制限せずに示している。図面に対して、必ずしも縮尺どおりに製作するわけではなく、図において、必要に応じて一部の層構造を省略してもよい。装置100には、基板101、陽極110、正孔注入層120、正孔輸送層130、電子ブロッキング層140、発光層150、正孔ブロッキング層160、電子輸送層170、電子注入層180および陰極190が含まれてもよい。装置100は、記載される層を順に堆積することにより製造されてもよい。各層の性質、機能および例示的な材料については、米国特許US7279704B2の第6~10欄においてより詳細に記載されており、そのすべての内容を本明細書に援用する。
これらの層のそれぞれには、より多くの実例がある。例示的には、全文を援用するように組み込まれた米国特許第5844363号において、可撓性で透明な基板-陽極の組合せが開示されている。例えば、全文を援用するように組み込まれた米国特許出願公開第2003/0230980号において、p型ドープの正孔輸送層の実例は50:1のモル比でF-TCNQがドーピングされたm-MTDATAであることが開示されている。全文を援用するように組み込まれた、トンプソン(Thompson)らによる米国特許第6303238号において、ホスト材料の実例が開示されている。例えば、全文を援用するように組み込まれた米国特許出願公開第2003/0230980号において、n型ドープの電子輸送層の実例は1:1のモル比でLiがドーピングされたBPhenであることが開示されている。全文を援用するように組み込まれた米国特許第5703436号および第5707745号において、例えばMg:Agなどの金属薄層と、その上に被覆された、スパッタ堆積された透明な導電ITO層とを有する複合陰極を含む陰極の実例が開示されている。全文を援用するように組み込まれた米国特許第6097147号および米国特許出願公開第2003/0230980号において、より詳細に、ブロッキング層の原理と使用が記載されている。全文を援用するように組み込まれた米国特許出願公開第2004/0174116号において注入層の実例が提供されている。全文を援用するように組み込まれた米国特許出願公開第2004/0174116号において、保護層が記載されている。
非限定的な実施例により上述した分層構造が提供される。上述した各種の層を組み合わせることによってOLEDの機能が実現することができ、或いは、一部の層を完全に省略することができる。それは、明確に記載されていない他の層を含んでもよい。それぞれの層内に、最適な性能を実現するように、単一の材料または多種の材料の混合物を使用することができる。機能層はいずれも、複数なサブ層を含んでもよく、例えば、発光層は、所望の発光スペクトルを実現するように、2層の異なる発光材料を有してもよい。
一実施例において、OLEDは、陰極と陽極との間に設けられた「有機層」を有すると記載されてもよい。当該有機層は、1つまたは複数の層を含んでもよい。
OLEDにもカプセル化層が必要であり、図2に示すように、有機発光装置200が例示的に制限せずに示されている。図1との相違点は、水分および酸素などの外界からの有害物質を防止するように、陰極190上にカプセル化層102を含んでもよい。ガラス、または有機-無機混合層などのカプセル化機能を提供可能ないかなる材料も、カプセル化層として用いられてもよい。カプセル化層は、OLED素子の外部に、直接または間接的に配置されるべきである。多層薄膜カプセル化については、米国特許US7968146B2において記載されており、そのすべての内容を本明細書に援用する。
本発明の実施例により製造される素子は、当該素子の1つまたは複数の電子部材モジュール(或いは、ユニット)を有する各種の消費製品に組み込まれてもよい。これらの消費製品は、例えば、フラットパネルディスプレイ、モニタ、医療用モニタ、テレビ、ビルボード、室内または室外用照明ランプおよび/または信号ランプ、ヘッドアップディスプレイ、全部または一部透明のディスプレイ、可撓性ディスプレイ、スマートフォン、フラットパネルコンピューター、フラットパネル携帯電話、ウェアラブル素子、スマートウォッチ、ラップトップコンピューター、デジタルカメラ、携帯型ビデオカメラ、ファインダー、マイクロディスプレイ、3-Dディスプレイ、車載ディスプレイおよびテールライトを含む。
本明細書に記載される材料および構造は、上述にて列挙されている他の有機電子素子にも用いられてもよい。
「頂部」とは、基板から最も遠く、「底部」とは、基板から最も近いことを意味する。第1層が第2層「上」に設けられていると記載されている場合、第1層が基板から相対的に遠いように設けられている。第1層が第2層「と」「接触する」ことを規定していない限り、第1層と第2層との間に他の層が存在してもよい。例示的には、陰極と陽極との間に各種の有機層が存在しても、依然として、陰極が陽極「上」に設けられていると記載されることができる。
「溶液が処理可能である」とは、溶液または懸濁液の形態で液体媒体に溶解、分散または輸送可能であり、および/または液体媒体から堆積可能であることを意味する。
配位子は、直接的に発射材料の感光性質を促成すると、「感光性」と呼ばれてもよいことが信じられている。配位子は、発射材料の感光性質を促成しないと、「補助性」と呼ばれてもよい。しかし、補助性の配位子は、感光性配位子の性質を変更することができることが信じられている。
蛍光OLEDの内部量子効率(IQE)は、遅延蛍光の存在によって25%のスピン統計による制限を超えてもよいことが信じられている。遅延蛍光は、一般的に2つのタイプ、すなわちP型遅延蛍光およびE型遅延蛍光に分けられてもよい。P型遅延蛍光は、三重項-三重項消滅(TTA)により生成される。
一方、E型遅延蛍光は、2つの三重項の衝突ではなく、三重項と一重項との励起状態の変換に依存する。E型遅延蛍光を生成可能な化合物は、エネルギー状態の変換を行うように、極めて小さい一重項-三重項ギャップを有することが必要である。熱エネルギーは、三重項から一重項までの遷移を活性化することができる。このようなタイプの遅延蛍光は、熱活性化遅延蛍光(TADF)とも呼ばれる。TADFの顕著な特徴は、遅延成分が温度の上昇と伴って向上することにある。リバースシステム(RISC)間の貫通(逆項間交差)の速度が十分に速いと、三重項からの非輻射減衰を最小化させ、バックフィルした一重項の励起状態の割合は75%に達することができる。一重項の合計割合は100%であってもよく、エレクトロによる励起子のスピン統計の25%をはるかに超えている。
E型遅延蛍光の特徴は、励起複合物系または単一の化合物から見える。理論に限定されず、E型遅延蛍光は、発光材料が小さい一重項-三重項エネルギーギャップ(ΔES-T)を有する必要がある。有機非金属含有の供与体・受容体発光材料は、この点を実現する可能性がある。これらの材料の発射は、通常、供与体・受容体電荷遷移(CT)型発射であると特徴付けられる。これらの供与体・受容体型化合物において、HOMOとLUMOとの空間分離は、一般的に小さいΔES-Tを生成することになる。これらの状態は、CT状態を含んでもよい。通常、供与体・受容体発光材料は、電子供与体部分(例えば、アミン基またはカルバゾール誘導体)と電子受容体部分(例えば、N含有の六員芳香族環)を結合することにより構築される。
置換基の専門用語の定義について
ハロゲンまたはハロゲン化物とは、本明細書に用いられるように、フッ素、塩素、臭素およびヨウ素を含む。
アルキル基とは、本明細書に用いられるように直鎖および分岐鎖のアルキル基を含む。アルキル基は、炭素原子数1~20のアルキル基であってもよく、炭素原子数1~12のアルキル基であることが好ましく、炭素原子数1~6のアルキル基であることがより好ましい。アルキル基の実例は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n-ブチル、sec-ブチル、イソブチル、tert-ブチル、n-ペンチル、n-ヘキシル、n-ヘプチル、n-オクチル、n-ノニル、n-デシル、n-ウンデシル、n-ドデシル、n-トリデシル、n-テトラデシル、n-ペンタデシル、n-ヘキサデシル、n-ヘプタデシル、n-オクタデシル、ネオペンチル、1-メチルペンチル、2-メチルペンチル、1-ペンチルヘキシル、1-ブチルペンチル、1-ヘプチルオクチル、および3-メチルペンチルを含む。そのうち、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n-ブチル、sec-ブチル、イソブチル、tert-ブチル、n-ペンチル、ネオペンチルおよびn-ヘキサンであることが好ましい。また、アルキル基は、置換されていてもよい。
シクロアルキル基とは、本明細書に用いられるように環状のアルキル基を含む。シクロアルキル基は、環炭素原子数3~20のシクロアルキル基であってもよく、炭素原子数4~10のシクロアルキル基であることが好ましい。シクロアルキル基の実例は、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、4-メチルシクロヘキシル、4,4-ジメチルシクロヘキシル、1-アダマンチル、2-アダマンチル、1-ノルボルニル基、2-ノルボルニル基などを含む。そのうち、シクロペンチル、シクロヘキシル、4-メチルシクロヘキシル、4,4-ジメチルシクロヘキシルであることが好ましい。また、シクロアルキル基は、置換されていてもよい。
ヘテロアルキル基とは、本明細書に用いられるように、アルキル鎖のうちの1つまたは複数の炭素が、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、リン原子、ケイ素原子、ゲルマニウム原子およびホウ素原子からなる群から選ばれるヘテロ原子で置換されてなる。ヘテロアルキル基は、炭素原子数1~20のヘテロアルキル基であってもよく、炭素原子数1~10のヘテロアルキル基であることが好ましく、炭素原子数1~6のヘテロアルキル基であることがより好ましい。ヘテロアルキル基の実例は、メトキシメチル基、エトキシメチル基、エトキシエチル基、メチルチオメチル基、エチルチオメチル基、エチルチオエチル基、メトキシメトキシメチル基、エトキシメトキシメチル基、エトキシエトキシエチル基、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、メルカプトメチル基、メルカプトエチル基、メルカプトプロピル基、アミノメチル基、アミノエチル基、アミノプロピル基、ジメチルアミノメチル基、トリメチルゲルマニウムメチル基、トリメチルゲルマニウムエチル基、トリメチルゲルマニウムイソプロピル基、ジメチルエチルゲルマニウムメチル基、ジメチルイソプロピルゲルマニウムメチル基、tert-ブチルジメチルゲルマニウムメチル基、トリエチルゲルマニウムメチル基、トリエチルゲルマニウムエチル基、トリイソプロピルゲルマニウムメチル基、トリイソプロピルゲルマニウムエチル基、トリメチルシリルメチル基、トリメチルシリルイソプロピル基、トリメチルシリルイソプロピル基、トリイソプロピルシリルメチル基、トリイソプロオイルシリルエチル基。また、ヘテロアルキル基は、置換されていてもよい。
アルケニル基とは、本明細書に用いられるように、直鎖、分岐鎖および環状オレフィン基を含む。鎖状のアルケニル基は、炭素原子数2~20のアルケニル基であってもよく、炭素原子数2~10のアルケニル基であることが好ましい。アルケニル基の例は、ビニル基、プロピレン基、1-ブテニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基、1,3-ブタジエニル基、1-メチルビニル基、スチリル基、2,2-ジフェニルビニル基、1,2-ジフェニルビニル基、1-メチルアリル基、1,1-ジメチルアリル基、2-メチルアリル基、1-フェニルアリル基、2-フェニルアリル基、3-フェニルアリル基、3,3-ジフェニルアリル基、1,2-ジメチルアリル基、1-フェニル-1-ブテニル基、3-フェニル-1-ブテニル基、シクロペンテニル基、シクロペンタジエニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘプテニル基、シクロヘプタトリエニル基、シクロオクテニル基、シクロオクタテトラエニル基およびノルボルニルアルケニル基を含む。また、アルケニル基は、置換されていてもよい。
アルキニル基とは、本明細書に用いられるように、直鎖のアルキニル基を含む。アルキニル基は、炭素原子数2~20のアルキニル基であってもよく、炭素原子数2~10のアルキニル基であることが好ましい。アルキニル基の実例は、エチニル基、プロピニル基、プロパルギル基、1-ブチニル基、2-ブチニル基、3-ブチニル基、1-ペンチニル基、2-ペンチニル基、3,3-ジメチル-1-ブチニル基、3-エチル-3-メチル-1-ペンチニル基、3,3-ジイソプロピル1-ペンチニル基、フェニルエチニル基、フェニルプロピニル基などを含む。そのうち、エチニル基、プロピニル基、プロパルギル基、1-ブチニル基、2-ブチニル基、3-ブチニル基、1-ペンチニル基、フェニルエチニル基であることが好ましい。また、アルキニル基は、置換されていてもよい。
アリール基または芳香族基とは、本明細書に用いられるように、非縮合および縮合系を考慮する。アリール基は、炭素原子数6~30のアリール基であってもよく、炭素原子数6~20のアリール基であることが好ましく、炭素原子数6~12のアリール基であることがより好ましい。アリール基の例は、フェニル、ビフェニル、ターフェニル、トリフェニレン、テトラフェニレン、ナフタレン、アントラセン、フェナレン、フェナントレン、フルオレン、ピレン、クリセン、ペリレン、およびアズレンを含み、フェニル、ビフェニル、ターフェニル、トリフェニレン、フルオレンおよびナフタレンであることが好ましい。非縮合アリール基の例は、フェニル、ビフェニル-2-イル、ビフェニル-3-イル、ビフェニル-4-イル、p-ターフェニル-4-イル、p-ターフェニル-3-イル、p-トリビフェニル-2-イル、m-ターフェニル-4-イル、m-ターフェニル-3-イル、m-ターフェニル-2-イル、o-トリル、m-トリル、p-トリル、p-(2-フェニルプロピル)フェニル、4’-メチルビフェニル、4’’-tert-ブチル-p-ターフェニル-4-イル、o-クミル、m-クミル、p-クミル、2,3-キシリル、3,4-キシリル、2,5-ジメチルフェニル、メシチレンおよびm-テトラフェニルを含む。また、アリール基は、置換されていてもよい。
複素環基または複素環とは、本明細書に用いられるように、非芳香族の環状基を考慮する。非芳香族複素環基は、環原子数3~20の飽和複素環基および環原子数3~20の不飽和非芳香族複素環基を含み、そのうちの少なくとも1つの環原子は、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、ケイ素原子、リン原子、ゲルマニウム原子およびホウ素原子からなる群から選ばれ、非芳香族複素環基は、環原子数3~7のものであることが好ましく、窒素、酸素、ケイ素または硫黄などの少なくとも1つのヘテロ原子を含む。非芳香族複素環基の実例は、オキシラニル、オキセタニル、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロピラニル、ジオキソペンチル、ジオキサニル、アジリジニル、ジヒドロピロール、テトラヒドロピロリル、ピペリジニル、オキサゾリジニル、モルホリニル、ピペラジニル、オキサシクロヘプタトリエニル、チアシクロヘプタトリエニル、アザシクロヘプタトリエニルおよびテトラヒドロシロールを含む。また、複素環基は、置換されていてもよい。
ヘテロアリール基とは、本明細書に用いられるように、ヘテロ原子数1~5の非縮合および縮合ヘテロ芳香族基を含んでもよく、そのうちの少なくとも1つのヘテロ原子は、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、ケイ素原子、リン原子、ゲルマニウム原子およびホウ素原子からなる群から選ばれる。イソアリール基とは、ヘテロアリール基も指す。ヘテロアリール基は、炭素原子数3~30のヘテロアリール基であってもよく、炭素原子数3~20のヘテロアリール基であることが好ましく、炭素原子数3~12のヘテロアリール基であることがより好ましい。好適なヘテロアリール基は、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ピリドインドール、ピロロピリジン、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、オキサトリアゾール、ジオキサゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、オキサジン、オキサチアジン、オキサジアジン、インドール、ベンズイミダゾール、インダゾール、インデノアジン、ベンゾオキサゾール、ベンズイソオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、キナゾリン、キノキサリン、ナフチリジン、フタラジン、プテリジン、キサンテン、アクリジン、フェナジン、フェノチアジン、ベンゾフランピリジン、フランジピリジン、ベンゾチエノピリジン、チエノビピリジン、ベンゾセレノピリジン、およびセレンベンゾピリジンを含み、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、イミダゾール、ピリジン、トリアジン、ベンズイミダゾール、1,2-アザボラン、1,3-アザボラン、1,4-アザボラン、ボラゾールおよびそのアザ類似物を含むことが好ましい。また、ヘテロアリール基は、置換されていてもよい。
アルコキシ基とは、本明細書に用いられるように、-O-アルキル基、-O-シクロアルキル基、-O-ヘテロアルキル基または-O-複素環基で表される。アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロアルキル基および複素環基の例および好ましい例は、上記例と同様である。アルコキシ基は、炭素原子数1~20のアルコキシ基であってもよく、炭素原子数1~6のアルコキシ基であることが好ましい。アルコキシ基の例は、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロプロピルオキシ、シクロブチルオキシ、シクロペンチルオキシ、シクロヘキシルオキシ、テトラヒドロフラニルオキシ、テトラヒドロピラニルオキシ、メトキシプロピルオキシ、エトキシエチルオキシ、メトキシメチルオキシおよびエトキシメチルオキシを含む。また、アルコキシ基は、置換されていてもよい。
アリールオキシ基とは、本明細書に用いられるように、-O-アリール基または-O-ヘテロアリール基で表される。アリール基およびヘテロアリール基の例および好ましい例は、上記例と同様である。アリールオキシ基は、炭素原子数6~30のアリールオキシ基であってもよく、炭素原子数6~20のアリールオキシ基であることが好ましい。アリールオキシ基の例は、フェノキシおよびビフェノキシを含む。また、アリールオキシ基は、置換されていてもよい。
アラルキル基とは、本明細書に用いられるように、アリール基で置換されたアルキル基を含む。アラルキル基は、炭素原子数7~30のアラルキル基であってもよく、炭素原子数7~20のアラルキル基であることが好ましく、炭素原子数7~13のアラルキル基であることがより好ましい。アラルキル基の例は、ベンジル、1-フェニルエチル、2-フェニルエチル、1-フェニルイソプロピル、2-フェニルイソプロピル、フェニル-tert-ブチル、α-ナフチルメチル、1-α-ナフチルエチル、2-α-ナフチルエチル、1-α-ナフチルイソプロピル、2-α-ナフチルイソプロピル、β-ナフチルメチル、1-β-ナフチル-エチル、2-β-ナフチル-エチル、1-β-ナフチルイソプロピル、2-β-ナフチルイソプロピル、p-メチルベンジル、m-メチルベンジル、o-メチルベンジル、p-クロロベンジル、m-クロロベンジル、o-クロロベンジル、p-ブロモベンジル、m-ブロモベンジル、o-ブロモベンジル、p-ヨードベンジル、m-ヨードベンジル、o-ヨードベンジル、p-ヒドロキシベンジル、m-ヒドロキシベンジル、o-ヒドロキシベンジル、p-アミノベンジル、m-アミノベンジル、o-アミノベンジル、p-ニトロベンジル、m-ニトロベンジル、o-ニトロベンジル、p-シアノベンジル、m-シアノベンジル、o-シアノベンジル、1-ヒドロキシ-2-フェニルイソプロピルおよび1-クロロ-2-フェニルイソプロピルを含む。そのうち、ベンジル、p-シアノベンジル、m-シアノベンジル、o-シアノベンジル、1-フェニルエチル、2-フェニルエチル、1-フェニルイソプロピルおよび2-フェニルイソプロピルであることが好ましい。また、アラルキル基は、置換されていてもよい。
アルキルシリル基とは、本明細書に用いられるように、アルキル基で置換されたシリル基を含む。アルキルシリル基は、炭素原子数3~20のアルキルシリル基であってもよく、炭素原子数3~10のアルキルシリル基であることが好ましい。アルキルシリル基の例は、トリメチルシリル、トリエチルシリル、メチルジエチルシリル、エチルジメチルシリル、トリプロピルシリル、トリブチルシリル、トリイソプロピルシリル、メチルジイソプロピルシリル、ジメチルイソプロピルシリル、トリ-tert-ブチルシリコン、トリイソブチルシリル、ジメチル-tert-ブチルシリル、およびメチルジ-tert-ブチルシリルを含む。また、アルキルシリル基は、置換されていてもよい。
アリールシリル基とは、本明細書に用いられるように、少なくとも1つのアリール基で置換されたシリル基を含む。アリールシリル基は、炭素原子数6~30のアリールシリル基であってもよく、炭素原子数8~20のアリールシリル基であることが好ましい。アリールシリル基の例は、トリフェニルシリル、フェニルジビフェニルシリル、ジフェニルビフェニルシリル、フェニルジエチルシリル、ジフェニルエチルシリル、フェニルジメチルシリル、ジフェニルメチルシリル、フェニルジイソプロピルシリル、ジフェニルイソプロピルシリル、ジフェニルブチルシリル、ジフェニルイソブチルシリル、ジフェニル-tert-ブチルシリルを含む。また、アリールシリル基は、置換されていてもよい。
アルキルゲルマニウム基とは、本明細書に用いられるように、アルキル基で置換されたゲルマニウム基を含む。アルキルゲルマニウム基は、炭素原子数3~20のアルキルゲルマニウム基であってもよく、炭素原子数3~10のアルキルゲルマニウム基であることが好ましい。アルキルゲルマニウム基の例は、トリメチルゲルマニウム基、トリエチルゲルマニウム基、メチルジエチルゲルマニウム基、エチルジメチルゲルマニウム基、トリプロピルゲルマニウム基、トリブチルゲルマニウム基、トリイソプロピルゲルマニウム基、メチルジイソプロピルゲルマニウム基、ジメチルイソプロピルゲルマニウム基、トリ-tert-ブチルゲルマニウム基、トリイソブチルゲルマニウム基、ジメチル-tert-ブチルゲルマニウム基、メチルジ-tert-ブチルゲルマニウム基を含む。また、アルキルゲルマニウム基は、置換されていてもよい。
アリールゲルマニウム基とは、本明細書に用いられるように、少なくとも1つのアリール基またはヘテロアリール基で置換されたゲルマニウム基を含む。アリールゲルマニウム基は、炭素原子数6~30のアリール基ゲルマニウム基であってもよく、炭素原子数8~20のアリールゲルマニウム基であることが好ましい。アリールゲルマニウム基の例は、トリフェニルゲルマニウム基、フェニルジビフェニルゲルマニウム基、ジフェニルビフェニルゲルマニウム基、フェニルジエチルゲルマニウム基、ジフェニルエチルゲルマニウム基、フェニルジメチルゲルマニウム基、ジフェニルメチルゲルマニウム基、フェニルジイソプロピルゲルマニウム基、ジフェニルイソプロピルゲルマニウム基、ジフェニルブチルゲルマニウム基、ジフェニルイソブチルゲルマニウム基、ジフェニル-tert-ブチルゲルマニウム基を含む。また、アリールゲルマニウム基は、置換されていてもよい。
アザジベンゾフラン、アザジベンゾチオフェンなどにおける「アザ」とは、対応する芳香族フラグメントにおける1つまたは複数のC-H基が窒素原子に置換されることを指す。例えば、アザトリフェニレンは、ジベンゾ[f,h]キノキサリン、ジベンゾ[f,h]キノリン、および環系において2つ以上の窒素を有する他の類似物を含む。当業者であれば、上述したアザ誘導体の他の窒素類似物を容易に想到することができ、且つこれらの類似物は、すべて本明細書に記載される専門用語に含まれるものとして確定される。
本発明において、特に断りのない限り、置換のアルキル基、置換のシクロアルキル基、置換のヘテロアルキル基、置換の複素環基、置換のアラルキル基、置換のアルコキシ基、置換のアリールオキシ基、置換のアルケニル基、置換のアルキニル基、置換のアリール基、置換のヘテロアリール基、置換のアルキルシリル基、置換のアリールシリル基、置換のアルキルゲルマニウム基、置換のアリールゲルマニウム基、置換のアミノ基、置換のアシル基、置換のカルボニル基、置換のカルボキシル基、置換のエステル基、置換のスルフィニル基、置換のスルホニル基、置換のホスフィノ基からなる群のうちのいずれかの用語を使用すると、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロアルキル基、ヘテロシクリル基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルケニル基、アルキニル、アリール基、ヘテロアリール基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルキルゲルマニウム基、アリールゲルマニウム基、アミノ基、アシル基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、スルフィニル基、スルホニル基、およびホスフィノ基のうちのいずれか1つの基が、重水素、ハロゲン、非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、非置換の炭素原子数1~20のヘテロアルキル基、非置換の環原子数3~20の複素環基、非置換の炭素原子数7~30のアラルキル基、非置換の炭素原子数1~20のアルコキシ基、非置換の炭素原子数6~30のアリールオキシ基、非置換の炭素原子数2~20のアルケニル基、非置換の炭素原子数2~20のアルキニル基、非置換の炭素原子数6~30のアリール基、非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、非置換の炭素原子数6~20のアリールシリル基、非置換の炭素原子数3~20のアルキルゲルマニウム基、非置換の炭素原子数6~20のアリールゲルマニウム基、非置換の炭素原子数0~20のアミノ基、アシル基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、シアノ基、イソシアノ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、スルフィニル基、スルホニル基、ホスフィノ基およびこれらの組合せから選ばれる1つまたは複数により置換され得ることを意味する。
分子フラグメントについて、置換基または他の形態で他の部分に結合させると記載する場合、フラグメント(例えば、フェニル基、フェニレン基、ナフチル基、ジベンゾフラニル基)であるか否か、或いは、分子全体(例えば、ベンゼン、ナフタレン、ジベンゾフラン)であるか否かにより、その名称を確定することができることを理解すべきである。本明細書に用いられるように、置換基の指定、或いはフラグメントの結合の異なる形態は、均等であると認められている。
本明細書で言及される化合物において、水素原子が重水素で一部または全部置換されてもよい。他の原子、例えば炭素および窒素も、それらの他の安定した同位体で置換されてもよい。素子の効率および安定性を向上させるために、化合物において他の安定した同位体の置換が好ましい可能性がある。
本明細書で言及される化合物において、複数置換とは、二重置換を含む、最も多くの使用可能な置換に達するまでの範囲を指す。本明細書で言及される化合物中のある置換基は、複数置換(二重置換、三重置換、四重置換などを含む)を意味すると、その置換基はその結合構造上の複数の利用可能な置換位置に存在してもよいことを意味し、複数の利用可能な置換位置にいずれも存在する当該置換基は、同じ構造であってもよいし、異なる構造であってもよい。
本明細書で言及される化合物において、隣り合う置換基が結合して環を形成していてもよいように特に限定されない限り、前記化合物における隣り合う置換基は結合して環を形成することができない。本明細書で言及される化合物において、隣り合う置換基が結合して環を形成していてもよいことは、隣り合う置換基が結合して環を形成してもよい情況を含むだけでなく、隣り合う置換基が結合して環を形成しない情況を含む。隣り合う置換基が結合して環を形成していてもよい場合、形成される環は、単環または多環、および脂環、ヘテロ脂環、アリール環、またはヘテロアリール環であってもよい。このような記述において、隣り合う置換基は、同一の原子に結合された置換基、互いに直接結合する炭素原子に結合された置換基、または更に離れた炭素原子に結合された置換基を指してもよい。好ましくは、隣り合う置換基は、同一の炭素原子に結合された置換基および互いに直接結合する炭素原子に結合された置換基を指す。
隣り合う置換基が結合して環を形成していてもよいという記述も、同一の炭素原子に結合された2つの置換基が化学結合により互いに結合して環を形成することを意味すると認められ、下記式で例示することができる。
Figure 0007347860000021
隣り合う置換基が結合して環を形成していてもよいという記述も、互いに直接結合する炭素原子に結合された2つ置換基が化学結合により互いに結合して環を形成することを意味すると認められ、下記式で例示することができる。
Figure 0007347860000022
隣り合う置換基が結合して環を形成していてもよいという記述も、さらに離れる炭素原子に結合された2つの置換基が化学結合により互いに結合して環を形成することを意味すると認められ、下記式で例示することができる。
Figure 0007347860000023
また、隣り合う置換基が結合して環を形成していてもよいという記述も、互いに直接結合する炭素原子に結合された2つ置換基の一方が水素を表す場合に、第2置換基は水素原子が結合された位置に結合されて環を形成することを意味すると認められている。下記式で例示する。
Figure 0007347860000024
本発明の一実施例によれば、
陽極、
陰極、および、
陽極と陰極との間に設けられた、少なくとも第1金属錯体と第1化合物とを含む有機層を含むエレクトロルミネッセンス素子であって、
第1金属錯体は、金属M、および金属Mと配位する配位子Lを含み、配位子Lは、式1で表される構造を有する、エレクトロルミネッセンス素子が開示される。
Figure 0007347860000025
(式1中、金属Mは、相対原子質量が40超えの金属から選ばれ、
Cyは、出現毎に同一または異なって置換または非置換の環原子数6~24の芳香族環、置換または非置換の環原子数5~24のヘテロ芳香族環、またはこれらの組合せから選ばれ、
Xは、O、S、Se、NR’、CR’R’、SiR’R’およびGeR’R’からなる群から選ばれ、2つのR’が同時に存在する場合、2つのR’は、同一または異なり、
~Xは、出現毎に同一または異なってC、CRまたはNから選ばれ、X~Xのうちの少なくとも1つは、Cであり、前記Cyに結合し、
、X、XまたはXは、金属-炭素結合または金属-窒素結合により前記金属Mに結合し、
~Xのうちの少なくとも1つは、CRであり、且つ前記Rは、式2で表される構造を有するArであり、
Figure 0007347860000026
aは、0、1、2、3、4または5から選ばれ、
a1およびRa2は、出現毎に同一または異なって一置換、複数置換または無置換を表し、
環Arおよび環Arは、出現毎に同一または異なって環原子数6~30の芳香族環、環原子数5~30のヘテロ芳香族環、またはこれらの組合せから選ばれ、且つ環Arおよび環Arの環原子数の合計が8以上であり、
「*」は、式2の結合箇所を表し、
第1化合物は、式3で表される構造を有し、
Figure 0007347860000027
~Eは、出現毎に同一または異なってC、CRまたはNから選ばれ、且つE~Eのうちの少なくとも2つは、Nであり、E~Eのうちの少なくとも1つは、Cであり、式4に結合し、
Figure 0007347860000028
Qは、出現毎に同一または異なっては、O、S、Se、N、NR’’、CR’’R’’、SiR’’R’’、GeR’’R’’およびR’’C=CR’’からなる群から選ばれ、2つのR’’が同時に存在する場合、2つのR’’は、同一または異なってもよく、
pは、0または1であり、rは、0または1であり、
QがNから選ばれる場合、pは、0であり、rは、1であり、
QがO、S、Se、NR’’、CR’’R’’、SiR’’R’’、GeR’’R’’およびR’’C=CR’’からなる群から選ばれる場合、pは、1であり、rは、0であり、
Lは、出現毎に同一または異なって単結合、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキレン基、置換または非置換の炭素原子数3~20のシクロアルキレン基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリーレン基、置換または非置換の炭素原子数3~20のヘテロアリーレン基、またはこれらの組合せから選ばれ、
~Qは、出現毎に同一または異なってC、CRまたはNから選ばれ、
「*」は、式4と式3との結合箇所を表し、
R’、R(X~Xに存在した、上記特定のR以外の他のRを指す)、Ra1、Ra2、R、R’’およびRは、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のヘテロアルキル基、置換または非置換の環原子数3~20のヘテロ環基、置換または非置換の炭素原子数7~30のアラルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルコキシ基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリールオキシ基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルケニル基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルキニル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールシリル基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数0~20のアミン基、アシル基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、シアノ基、イソシアノ基、ヒドロキシ基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、ホスフィノ基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれ、
隣り合う置換基R’、R、Ra1、Ra2は、結合して環を形成していてもよく、
隣り合う置換基R、R’’、Rは、結合して環を形成していてもよい。)
本明細書において、「隣り合う置換基R’、R、Ra1、Ra2が結合して環を形成していてもよい」とは、隣り合う置換基グループ、たとえば、2つの置換基R’同士、2つの置換基R同士、2つの置換基Ra1同士、2つの置換基Ra2同士、置換基R’およびR同士、置換基Ra1およびRa2同士のうちのいずれか1つまたは複数が結合して環を形成していてもよいことを意味する。明らかには、これらの置換基同士がいずれも結合して環を形成しなくてもよい。
本明細書において、「隣り合う置換基R、R’’、Rが結合して環を形成していてもよい」とは、隣り合う置換基グループ、たとえば、2つの置換基R同士、2つの置換基R’’同士、2つの置換基R同士、置換基R’’およびR同士のうちのいずれか1つまたは複数が結合して環を形成していてもよいことを意味する。明らかには、これらの置換基同士がいずれも結合して環を形成しなくてもよい。
本明細書において、芳香族環およびヘテロ芳香族環における「環原子」は、原子が結合して、芳香性を有する環状構造(例えば、単一環の(ヘテロ)芳香族環、縮合環の(ヘテロ)芳香族環)のうち該環自身を構成するものを示す。環における炭素原子およびヘテロ原子(O、S、N、SeまたはSiなどを含んだが、それに限定されない)は、いずれも環原子数に計上される。該環が置換基で置換された場合、置換基に含まれる原子は、環原子数に計上されていない。例えば、フェニル基、ピリジル基、トリアジン基の環原子数は、いずれも6である。融合ビチオフェン、融合ビフランの環原子数は、8である。ベンゾチエニル基、ベンゾフラン基の環原子数は、いずれも9である。ナフチル基、キノリル基、イソキノリル基、キノリジニル基、キノキサリン基の環原子数は、いずれも10である。ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、フルオレン、アザジベンゾチオフェン、アザジベンゾフランおよびアザフルオレンの環原子数は、いずれも13である。ここで記載された各種の例は、例示に過ぎず、他の状況は、これによって類推する。式2におけるaが0である場合、Arが
Figure 0007347860000029
で表される構造を有することを示す。その際に、「環Arおよび環Arの環原子数の合計が8以上である」とは、環Arが環原子数の合計が8以上の芳香族環またはヘテロ芳香族環であることを示す。式2におけるaが1である場合、Arが
Figure 0007347860000030
で表される構造を有することを示す。例えば、その際に、環Arおよび環Arがいずれもフェニル基であり、Ra1およびRa2がいずれも水素である場合、環Arおよび環Arの環原子数の合計が12であり、また、例えば、その際に、環Arおよび環Arがいずれもフェニル基であり、Ra1がいずれも水素であり、Ra2が一置換であり、且つフェニル基である場合、環Arおよび環Arの環原子数の合計が12である。他の状況は、これによって類推する。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、Cyは、以下の構造からなる群から選ばれるいずれか1つの構造である。
Figure 0007347860000031
Figure 0007347860000032
(Rは、出現毎に同一または異なって一置換、複数置換、または無置換を表し、いずれか1つの構造において複数のRが存在する場合、前記Rは同一または異なってもよく、
Rは、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のヘテロアルキル基、置換または非置換の環原子数3~20のヘテロ環基、置換または非置換の炭素原子数7~30のアラルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルコキシ基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリールオキシ基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルケニル基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルキニル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールシリル基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数0~20のアミン基、アシル基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、シアノ基、イソシアノ基、ヒドロキシ基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、ホスフィノ基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれ、
2つの隣り合う置換基Rは、結合して環を形成していてもよく、
「#」は、金属Mとの結合箇所を表し、
Figure 0007347860000033
は、X、X、XまたはXとの結合箇所を表す。)
本明細書において、「2つの隣り合う置換基Rが結合して環を形成していてもよい」とは、そのうちのいずれか2つの隣り合う置換基R同士からなる置換基グループのうちのいずれか1つまたは複数が結合して環を形成してもよいことを意味する。明らかには、これらの置換基同士がいずれも結合して環を形成しなくてもよい。
本発明の一実施例によれば、Lは、出現毎に同一または異なって以下の構造からなる群から選ばれ、
Figure 0007347860000034
Figure 0007347860000035
Figure 0007347860000036
Figure 0007347860000037
Figure 0007347860000038
Figure 0007347860000039
Xは、O、S、Se、NR’、CR’R’、SiR’R’およびGeR’R’からなる群から選ばれ、2つのR’が同時に存在する場合、2つのR’は、同一または異なり、
RおよびRは、出現毎に同一または異なって一置換、複数置換、または無置換を表し、
のうちの少なくとも1つは、式2で表される構造を有するArであり、
Figure 0007347860000040
aは、0、1、2、3、4または5から選ばれ、
環Arおよび環Arは、出現毎に同一または異なって環原子数6~30の芳香族環、環原子数5~30のヘテロ芳香族環、またはこれらの組合せから選ばれ、且つ環Arおよび環Arの環原子数の合計が8以上であり、
a1およびRa2は、出現毎に同一または異なって一置換、複数置換、または無置換を表し、
R、R’、R、Ra1およびRa2は、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のヘテロアルキル基、置換または非置換の環原子数3~20のヘテロ環基、置換または非置換の炭素原子数7~30のアラルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルコキシ基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリールオキシ基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルケニル基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルキニル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールシリル基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数0~20のアミン基、アシル基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、シアノ基、イソシアノ基、ヒドロキシ基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、ホスフィノ基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれ、
隣り合う置換基R、R’、R、Ra1およびRa2は、結合して環を形成していてもよく、
「*」は、式2の結合箇所を表す。
本明細書において、「隣り合う置換基R、R’、R、Ra1およびRa2が結合して環を形成していてもよい」とは、隣り合う置換基グループ、たとえば、2つの置換基R同士、2つの置換基R’同士、2つの置換基R同士、2つの置換基Ra1同士、2つの置換基Ra2同士、置換基R’およびR同士、置換基Ra1およびRa2同士のうちのいずれか1つまたは複数が結合して環を形成していてもよいことを意味する。明らかには、これらの置換基同士がいずれも結合して環を形成しなくてもよい。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体は、M(L(L(Lの一般式を有する。
(Mは、出現毎に同一または異なってCu、Ag、Au、Ru、Rh、Pd、Os、IrおよびPtからなる群から選ばれ、好ましくは、Mは、出現毎に同一または異なってPtまたはIrから選ばれ、
、LおよびLは、それぞれ金属Mと配位する第1、第2および第3配位子であり、Lおよび前記LまたはLは、同一または異なってもよく、L、LおよびLは、結合して多座配位子を形成していてもよく、
mは、1、2または3から選ばれ、nは、0、1または2から選ばれ、qは、0、1または2から選ばれ、m+n+qは、金属Mの酸化状態に等しく、mが2以上である場合、複数のLは、同一または異なり、nが2である場合、2つのLは、同一または異なり、qが2である場合、2つのLは、同一または異なり、
およびLは、出現毎に同一または異なって
Figure 0007347860000041
からなる群のうちのいずれか1種で表される構造から選ばれ、
は、出現毎に同一または異なってO、S、Se、NRN1、CRC1C2からなる群から選ばれ、
、Rは、出現毎に同一または異なって一置換、複数置換、または無置換を表し、
、R、R、RN1、RC1およびRC2は、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のヘテロアルキル基、置換または非置換の環原子数3~20のヘテロ環基、置換または非置換の炭素原子数7~30のアラルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルコキシ基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリールオキシ基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルケニル基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルキニル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールシリル基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数0~20のアミン基、アシル基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、シアノ基、イソシアノ基、ヒドロキシ基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、ホスフィノ基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれ、
隣り合う置換基R、R、R、RN1、RC1およびRC2は、結合して環を形成していてもよい。)
本明細書において、「隣り合う置換基R、R、R、RN1、RC1およびRC2が結合して環を形成していてもよい」とは、隣り合う置換基グループ、たとえば、2つの置換基R同士、2つの置換基R同士、置換基RおよびR同士、置換基RおよびR同士、置換基RおよびR同士、置換基RおよびRN1同士、置換基RおよびRN1同士、置換基RおよびRC1同士、置換基RおよびRC2同士、置換基RおよびRC1同士、置換基RおよびRC2同士、並びにRC1およびRC2同士のうちのいずれか1つまたは複数が結合して環を形成していてもよいことを意味する。明らかには、これらの置換基同士がいずれも結合して環を形成しなくてもよい。
本発明の一実施例によれば、金属Mは、出現毎に同一または異なってCu、Ag、Au、Ru、Rh、Pd、Os、IrおよびPtからなる群から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、金属Mは、出現毎に同一または異なってPtまたはIrから選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体Ir(L(L3-mは、式5で表される構造を有する。
Figure 0007347860000042
(mは、1、2または3から選ばれ、mが1から選ばれる場合、2つのLは、同一または異なり、mが2または3から選ばれる場合、複数のLは、同一または異なり、
Xは、O、S、Se、NR’、CR’R’、SiR’R’およびGeR’R’からなる群から選ばれ、2つのR’が同時に存在する場合、2つのR’は、同一または異なり、
~Yは、出現毎に同一または異なってCRまたはNから選ばれ、
~Xは、出現毎に同一または異なってCRまたはNから選ばれ、
~Xのうちの少なくとも1つは、CRであり、且つRは、式2で表される構造を有するArであり、
Figure 0007347860000043
aは、0、1、2、3、4または5から選ばれ、
a1およびRa2は、出現毎に同一または異なって一置換、複数置換または無置換を表し、
環Arおよび環Arは、出現毎に同一または異なって環原子数6~30の芳香族環、環原子数5~30のヘテロ芳香族環、またはこれらの組合せから選ばれ、且つ環Arおよび環Arの環原子数の合計が8以上であり、
R’、R、R、R~R、Ra1およびRa2は、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のヘテロアルキル基、置換または非置換の環原子数3~20のヘテロ環基、置換または非置換の炭素原子数7~30のアラルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルコキシ基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリールオキシ基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルケニル基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルキニル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールシリル基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数0~20のアミン基、アシル基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、シアノ基、イソシアノ基、ヒドロキシ基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、ホスフィノ基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれ、
「*」は、式2の結合箇所を表し、
隣り合う置換基R’、R、R、Ra1、Ra2は、結合して環を形成していてもよく、
隣り合う置換基R~Rは、結合して環を形成していてもよい。)
本明細書において、「隣り合う置換基R’、R、R、Ra1、Ra2が結合して環を形成していてもよい」とは、隣り合う置換基グループ、たとえば、2つの置換基R’同士、2つの置換基R同士、2つの置換基R同士、2つの置換基Ra1同士、2つの置換基Ra2同士、2つの置換基Ra1およびRa2同士、2つの置換基R’およびR同士のうちのいずれか1つまたは複数が結合して環を形成していてもよいことを意味する。明らかには、これらの置換基同士がいずれも結合して環を形成しなくてもよい。「隣り合う置換基R~Rが結合して環を形成していてもよい」とは、隣り合う置換基グループ、たとえば、隣り合う置換基RおよびR同士、隣り合う置換基RおよびR同士、隣り合う置換基RおよびR同士、隣り合う置換基RおよびR同士、隣り合う置換基RおよびR同士、隣り合う置換基RおよびR同士、隣り合う置換基RおよびR同士のうちのいずれか1つまたは複数が結合して環を形成していてもよいことを意味する。明らかには、これらの置換基同士がいずれも結合して環を形成しなくてもよい。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体Ir(L(L3-mは、式5Aで表される構造を有する。
Figure 0007347860000044
(mは、1、2または3から選ばれ、mが1から選ばれる場合、2つのLは、同一または異なり、mが2または3から選ばれる場合、複数のLは、同一または異なり、
Xは、O、S、Se、NR’、CR’R’、SiR’R’およびGeR’R’からなる群から選ばれ、2つのR’が同時に存在する場合、2つのR’は、同一または異なり、
およびRは、出現毎に同一または異なって一置換、複数置換または無置換を表し、
のうちの少なくとも1つは、式2で表される構造を有するArであり、
Figure 0007347860000045
aは、0、1、2、3、4または5から選ばれ、
環Arおよび環Arは、出現毎に同一または異なって環原子数6~30の芳香族環、環原子数5~30のヘテロ芳香族環、またはこれらの組合せから選ばれ、且つ環Arおよび環Arの環原子数の合計が8以上であり、
a1およびRa2は、出現毎に同一または異なって一置換、複数置換または無置換を表し、
R’、R、R、R~R、Ra1およびRa2は、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のヘテロアルキル基、置換または非置換の環原子数3~20のヘテロ環基、置換または非置換の炭素原子数7~30のアラルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルコキシ基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリールオキシ基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルケニル基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルキニル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールシリル基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数0~20のアミン基、アシル基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、シアノ基、イソシアノ基、ヒドロキシ基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、ホスフィノ基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれ、
「*」は、式2の結合箇所を表し、
隣り合う置換基R’、R、R、Ra1、Ra2は、結合して環を形成していてもよく、
隣り合う置換基R~Rは、結合して環を形成していてもよい。)
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、X~Xは、出現毎に同一または異なってCおよびCRから選ばれ、且つRのうちの少なくとも1つはArである。
本発明の一実施例によれば、式5中、X~Xは、出現毎に同一または異なってCRから選ばれる。
本発明の一実施例によれば、式5中、Y~Yは、出現毎に同一または異なってCRから選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、X~Xのうちの少なくとも1つは、Nであり、例えば、X~Xのうちの1つまたは2つは、Nである。
本発明の一実施例によれば、式5中、X~Xのうちの少なくとも1つは、Nであり、例えば、X~Xのうちの1つまたは2つは、Nである。
本発明の一実施例によれば、式5中、Y~Yのうちの少なくとも1つは、Nであり、例えば、Y~Yのうちの1つまたは2つは、Nである。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、X~Xのうちの少なくとも1つはCRから選ばれ、且つ前記Rは、Arである。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、XおよびXのうちの少なくとも1つはCRから選ばれ、且つ前記Rは、Arである。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、Xは、CRから選ばれ、且つ前記Rは、Arである。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、X~Xのうちの少なくとも2つはCRから選ばれ、そのうちの少なくとも1つのRはArであり、少なくとも他の1つのRは、フッ素またはシアノ基から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、XおよびXは、CRから選ばれ、そのうちの1つはCRから選ばれ、かつ前記Rは、Arであり、他の1つのRは、フッ素またはシアノ基から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、Xは、CRから選ばれ、且つ前記Rは、Arであり、Xは、CRから選ばれ、且つ前記Rは、フッ素またはシアノ基から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、Xは、CRから選ばれ、且つ前記Rは、Arであり、Xは、CRから選ばれ、且つ前記Rは、フッ素またはシアノ基から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、aは、0、1、2または3から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、aは、1から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、Xは、OまたはSから選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、Xは、Oから選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、Ra1およびRa2は、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数7~30のアラルキル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールシリル基、シアノ基、イソシアノ基、ヒドロキシ基、スルファニル基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、Ra1およびRa2は、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、Ra1およびRa2は、出現毎に同一または異なって水素、重水素、フッ素、置換または非置換の炭素原子数1~6のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~6のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数6~18のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~18のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~15のアルキルシリル基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、Ra1およびRa2は、出現毎に同一または異なって水素、重水素、フッ素、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、重水素化メチル基、重水素化エチル基、重水素化プロピル基、重水素化イソプロピル基、重水素化n-ブチル基、重水素化イソブチル基、重水素化tert-ブチル基、重水素化シクロペンチル基、重水素化シクロヘキシル基、フェニル基、ピリジル基、トリメチルシリル基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、Ar中、環Arおよび環Arは、出現毎に同一または異なって環原子数6~18の芳香族環、環原子数5~18のヘテロ芳香族環、またはこれらの組合せから選ばれ、且環Arおよび環Arの環原子数の合計が8以上30以下である。
本発明の一実施例によれば、Ar中、環Arおよび環Arの環原子数の合計が8以上24以下である。
本発明の一実施例によれば、Ar中、環Arおよび環Arの環原子数の合計が8以上18以下である。
本発明の一実施例によれば、Ar中、環Arおよび環Arは、出現毎に同一または異なって環原子数5または6の芳香族環、または環原子数5または6のヘテロ芳香族環、またはこれらの組合せから選ばれる。
本発明の一実施例によれば、Ar中、環Arおよび環Arは、出現毎に同一または異なって環原子数6の芳香族環またはヘテロ芳香族環から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、Ar中、環Arおよび環Arは、出現毎に同一または異なって環原子数6の芳香族環から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、Ar中、環Arおよび環Arは、出現毎に同一または異なってベンゼン環、ピリジン環、ナフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、フルオレン環、シリコンフルオレン環、キノリン環、イソキノリン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、融合ビチオフェン環、融合ビフラン環、インデン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、トリアジン環、トリフェニレン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環、アザフルオレン環、アザジベンゾフラン環、アザジベンゾチオフェン環、およびこれらの組合せからなる群から選ばれ、且つ環Arおよび環Arの環原子数の合計が8以上30以下である。
本発明の一実施例によれば、Ar中、環Arおよび環Arは、出現毎に同一または異なって環原子数6の芳香族環、または環原子数5または6のヘテロ芳香族環、またはこれらの組合せから選ばれる。
本発明の一実施例によれば、Ar中、環Arおよび環Arは、出現毎に同一または異なって環原子数6の芳香族環またはヘテロ芳香族環から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、Ar中、環Arおよび環Arは、出現毎に同一または異なって環原子数6の芳香族環から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、Arは、出現毎に同一または異なって
Figure 0007347860000046
Figure 0007347860000047
Figure 0007347860000048
および、これらの組合せからなる群から選ばれ、
上記基における水素は、一部または全部重水素化されていてもよく、「*」は、前記置換基の結合箇所を表す。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、Rは、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のヘテロアルキル基、置換または非置換の環原子数3~20のヘテロ環基、置換または非置換の炭素原子数7~30のアラルキル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールシリル基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、Rは、出現毎に同一または異なって水素、重水素、フッ素、置換または非置換の炭素原子数1~6のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~6のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数6~12のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~12のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~6のアルキルシリル基、シアノ基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、Rは、出現毎に同一または異なって水素、重水素、フッ素、置換または非置換の炭素原子数1~6のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~6のシクロアルキル基、シアノ基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、X~Xのうちの少なくとも2つはCRから選ばれ、そのうちの少なくとも1つのRは、Arであり、他の少なくとも1つのRは、水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、シアノ基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、X~Xのうちの少なくとも2つはCRから選ばれ、そのうちの少なくとも1つのRは、Arであり、他の少なくとも1つのRは、水素、重水素、フッ素、置換または非置換の炭素原子数1~6のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~6のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数6~12のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~12のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~6のアルキルシリル基、シアノ基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、X~Xのうちの少なくとも2つはCRから選ばれ、そのうちの少なくとも1つのRは、Arであり、他の少なくとも1つのRは、重水素、フッ素、置換または非置換の炭素原子数1~6のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~6のシクロアルキル基、シアノ基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、X~Xのうちの少なくとも3つは、CRから選ばれ、そのうちの少なくとも1つのRは、Arであり、少なくとも1つのRは、フッ素またはシアノ基から選ばれ、他の少なくとも1つのRは、重水素、置換または非置換の炭素原子数1~6のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~6のシクロアルキル基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、Rは、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のヘテロアルキル基、置換または非置換の環原子数3~20のヘテロ環基、置換または非置換の炭素原子数7~30のアラルキル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールシリル基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、Rは、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、Rは、出現毎に同一または異なって水素、重水素、置換または非置換の炭素原子数1~6のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~6のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数6~18のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~18のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~15のアルキルシリル基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、少なくとも1つのRは、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、R、R、R、Rのうちの少なくとも1つまたは少なくとも2つまたは少なくとも3つまたは全部は、重水素、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、R、R、R、Rのうちの少なくとも1つまたは少なくとも2つまたは少なくとも3つまたは全部は、重水素、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、R、R、R、Rのうちの少なくとも1つまたは少なくとも2つまたは少なくとも3つまたは全部は、重水素、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれ、上記基における水素は、一部または全部重水素化されていてもよい。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、R’は、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、または置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、R’は、メチル基または重水素化メチル基である。
本発明の一実施例によれば、Lは、出現毎に同一または異なってLa1-1~La1-509、La2-1~La2-538、La3-1~La3-249、La4-1~La4-244およびLa5-1~La5-111からなる群から選ばれる。La1-1~La1-509、La2-1~La2-538、La3-1~La3-249、La4-1~La4-244およびLa5-1~La5-111の具体的な構造は、請求項17に示される。
本発明の一実施例によれば、Lは、出現毎に同一または異なってLb1~Lb128からなる群から選ばれる。Lb1~Lb128の具体的な構造は、請求項18に示される。
本発明の一実施例によれば、Lは、出現毎に同一または異なってLc1~Lc360からなる群から選ばれる。Lc1~Lc360の具体的な構造は、請求項19に示される。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体は、Ir(L(L)の構造を有し、Lは、出現毎に同一または異なってLa1-1~La1-509、La2-1~La2-538、La3-1~La3-249、La4-1~La4-244およびLa5-1~La5-111からなる群から選ばれるいずれか1種またはいずれか2種であり、Lは、Lb1~Lb128からなる群から選ばれるいずれか1種である。La1-1~La1-509、La2-1~La2-538、La3-1~La3-249、La4-1~La4-244およびLa5-1~La5-111の具体的な構造は、請求項17に示され、Lb1~Lb128の具体的な構造は、請求項18に示される。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体は、Ir(L)(Lの構造を有し、Lは、出現毎に同一または異なってLa1-1~La1-509、La2-1~La2-538、La3-1~La3-249、La4-1~La4-244およびLa5-1~La5-111からなる群から選ばれるいずれか1種であり、Lは、Lb1~Lb128からなる群から選ばれるいずれか1種またはいずれか2種である。La1-1~La1-509、La2-1~La2-538、La3-1~La3-249、La4-1~La4-244およびLa5-1~La5-111の具体的な構造は、請求項17に示され、Lb1~Lb128の具体的な構造は、請求項18に示される。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体は、Ir(Lの構造を有し、Lは、出現毎に同一または異なってLa1-1~La1-509、La2-1~La2-538、La3-1~La3-249、La4-1~La4-244およびLa5-1~La5-111からなる群から選ばれるいずれか1種またはいずれか2種またはいずれか3種である。La1-1~La1-509、La2-1~La2-538、La3-1~La3-249、La4-1~La4-244およびLa5-1~La5-111の具体的な構造は、請求項17に示される。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体は、Ir(L(L)の構造を有し、Lは、出現毎に同一または異なってLa1-1~La1-509、La2-1~La2-538、La3-1~La3-249、La4-1~La4-244およびLa5-1~La5-111からなる群から選ばれるいずれか1種またはいずれか2種であり、Lは、Lc1~Lc360からなる群から選ばれるいずれか1種である。La1-1~La1-509、La2-1~La2-538、La3-1~La3-249、La4-1~La4-244およびLa5-1~La5-111の具体的な構造は、請求項17に示され、Lc1~Lc360の具体的な構造は、請求項19に示される。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体は、Ir(L)(Lの構造を有し、Lは、出現毎に同一または異なってLa1-1~La1-509、La2-1~La2-538、La3-1~La3-249、La4-1~La4-244およびLa5-1~La5-111からなる群から選ばれるいずれか1種であり、Lは、Lc1~Lc360からなる群から選ばれるいずれか1種またはいずれか2種である。La1-1~La1-509、La2-1~La2-538、La3-1~La3-249、La4-1~La4-244およびLa5-1~La5-111の具体的な構造は、請求項17に示され、Lc1~Lc360の具体的な構造は、請求項19に示される。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体は、Ir(L)(L)(L)の構造を有し、Lは、出現毎に同一または異なってLa1-1~La1-509、La2-1~La2-538、La3-1~La3-249、La4-1~La4-244およびLa5-1~La5-111からなる群から選ばれるいずれか1種であり、Lは、Lb1~Lb128からなる群から選ばれるいずれか1種であり、Lは、Lc1~Lc360からなる群から選ばれるいずれか1種である。La1-1~La1-509、La2-1~La2-538、La3-1~La3-249、La4-1~La4-244およびLa5-1~La5-111の具体的な構造は、請求項17に示され、Lb1~Lb128の具体的な構造は、請求項18に示され、Lc1~Lc360の具体的な構造は、請求項19に示される。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体は、金属錯体1~金属錯体1280からなる群から選ばれ、金属錯体1~金属錯体1280の具体的な構造は、請求項20に示される。
本発明の一実施例によれば、第1化合物において、E~Eは、出現毎に同一または異なってC、CRまたはNから選ばれ、且つE~Eのうちの少なくとも2つは、Nであり、E~Eのうちの少なくとも2つは、Cであり、2つのCはいずれも式4に結合する。
本発明の一実施例によれば、第1化合物において、E~Eは、出現毎に同一または異なってC、CRまたはNから選ばれ、且つE~Eのうちの少なくとも2つは、Nであり、E~Eのうちの少なくとも2つは、Cであり、2つのCはいずれも式4に結合し、そのうちの1つの式4中、pは、0であり、rは、1であり、他の1つの式4中、pは、1であり、rは、0である。
本発明の一実施例によれば、第1化合物において、E~Eは、出現毎に同一または異なってC、CRまたはNから選ばれ、且つE~Eの少なくとも3つは、Nであり、E~Eのうちの少なくとも1つは、CRであり、且つ前記Rは、出現毎に同一または異なって置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1化合物において、E~Eは、出現毎に同一または異なってC、CRまたはNから選ばれ、且つE~Eの少なくとも3つは、Nであり、E~Eのうちの少なくとも1つは、CRであり、且つ前記Rは、出現毎に同一または異なって置換または非置換のフェニル基、置換または非置換のビフェニル基、置換または非置換のテルフェニル基、置換または非置換のナフタレン基、置換または非置換のフェナントリル基、置換または非置換のトリフェニレン基、置換または非置換のフルオレン基、置換または非置換のジベンゾフラン基、置換または非置換のジベンゾチオフェン基、置換または非置換のカルバゾリル基、またはこれらの組合せから選ばれ。
本発明の一実施例によれば、第1化合物は、式3aまたは式3bで表される構造を有する。
Figure 0007347860000049
(式3aまたは式3b中、
Qは、出現毎に同一または異なっては、O、S、Se、NR’’、CR’’R’’、SiR’’R’’、GeR’’R’’およびR’’C=CR’’からなる群から選ばれ、2つのR’’が同時に存在する場合、2つのR’’は、同一または異なってもよく、
Lは、出現毎に同一または異なって単結合、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキレン基、置換または非置換の炭素原子数3~20のシクロアルキレン基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリーレン基、置換または非置換の炭素原子数3~20のヘテロアリーレン基、またはこれらの組合せから選ばれ、
~Qは、出現毎に同一または異なってC、CRまたはNから選ばれ、
R’’およびRは、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のヘテロアルキル基、置換または非置換の環原子数3~20のヘテロ環基、置換または非置換の炭素原子数7~30のアラルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルコキシ基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリールオキシ基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルケニル基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルキニル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールシリル基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数0~20のアミン基、アシル基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、シアノ基、イソシアノ基、ヒドロキシ基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、ホスフィノ基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれ、
Arは、出現毎に同一または異なって置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、またはこれらの組合せから選ばれ、
隣り合う置換基R’’、Rは、結合して環を形成していてもよい。)
該実施例において、「隣り合う置換基R’’、Rが結合して環を形成していてもよい」とは、隣り合う置換基グループ、たとえば、2つの置換基R’’同士、2つの置換基R同士、置換基R’’およびR同士のうちのいずれか1つまたは複数が結合して環を形成していてもよいことを意味する。明らかには、これらの置換基同士は、いずれも結合して環を形成しなくてもよい。
本発明の一実施例によれば、式3aおよび式3b中、Arは、置換または非置換のフェニル基、置換または非置換のビフェニル基、置換または非置換のテルフェニル基、置換または非置換のナフタレン基、置換または非置換のフェナントリル基、置換または非置換のトリフェニレン基、置換または非置換のフルオレン基、置換または非置換のジベンゾフラン基、置換または非置換のジベンゾチオフェン基、置換または非置換のカルバゾリル基、またはこれらの組合せから選ばれ。
本発明の一実施例によれば、第1化合物において、Q~Qは、出現毎に同一または異なってCまたはCRから選ばれ、Rは、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、置換または非置換の炭素原子数0~20のアミノ基、シアノ基、イソシアノ基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1化合物において、Lは、出現毎に同一または異なって単結合、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリーレン基、置換または非置換の炭素原子数3~20のヘテロアリーレン基、またはこれらの組合せから選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1化合物において、Lは、出現毎に同一または異なって単結合、置換または非置換のフェニレン基、置換または非置換のビフェニレン基、置換または非置換のカルバゾリリデン基、置換または非置換のジベンゾフラニレン基、置換または非置換のジベンゾチオフェニレン基、置換または非置換のフルオレニレン基(fluorenylene)から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1化合物において、Lは、出現毎に同一または異なって単結合、置換または非置換のフェニレン基、置換または非置換のビフェニレン基から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、R’’は、出現毎に同一または異なって置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、または置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、またはこれらの組合せから選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1金属錯体において、R’’は、出現毎に同一または異なってメチル基、重水素化メチル基またはフェニル基から選ばれる。
本発明の一実施例によれば、第1化合物は、化合物H-1~化合物H-243からなる群から選ばれる。化合物H-1~化合物H-243の具体的な構造は、請求項26に示される。
本発明の一実施例によれば、前記エレクトロルミネッセンス素子において、前記第1金属錯体および前記第1化合物を含む有機層は、発光層である。
本発明の一実施例によれば、前記エレクトロルミネッセンス素子における前記発光層は、緑色光を放射する。
本発明の一実施例によれば、前記エレクトロルミネッセンス素子における前記発光層は、白色光を放射する。
本発明の一実施例によれば、前記エレクトロルミネッセンス素子における前記発光層は、第2化合物をさらに含む。
本発明の一実施例によれば、前記第2化合物は、ベンゼン、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、カルバゾール、アザカルバゾール、インドロカルバゾリル、ジベンゾチオフェン、アザジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、アザジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、フルオレニル、シリコンフルオレン、ナフタレン、キノリン、イソキノリン、キナゾリン、キノキサリン、フェナントレン、アザフェナントレン、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる少なくとも1種の化学基を含む。
本発明の一実施例によれば、前記第2化合物は、式6で表される構造を有する。
Figure 0007347860000050
(Lは、出現毎に同一または異なって単結合、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキレン基、置換または非置換の炭素原子数3~20のシクロアルキレン基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリーレン基、置換または非置換の炭素原子数3~20のヘテロアリーレン基、またはこれらの組合せから選ばれ、
Vは、出現毎に同一または異なってC、CRまたはNから選ばれ、且つVのうちの少なくとも1つは、Cであり、Lに結合し、
Uは、出現毎に同一または異なってC、CRまたはNから選ばれ、且つUのうちの少なくとも1つは、Cであり、Lに結合し、
およびRは、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のヘテロアルキル基、置換または非置換の環原子数3~20のヘテロ環基、置換または非置換の炭素原子数7~30のアラルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルコキシ基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリールオキシ基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルケニル基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルキニル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールシリル基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数0~20のアミン基、アシル基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、シアノ基、イソシアノ基、ヒドロキシ基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、ホスフィノ基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれ、
Arは、出現毎に同一または異なって置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、またはこれらの組合せから選ばれ、
隣り合う置換基RおよびRは、結合して環を形成していてもよい。)
本明細書において、「隣り合う置換基RおよびRが結合して環を形成していてもよい」とは、隣り合う置換基グループ、たとえば、2つの置換基R同士、2つの置換基R同士、置換基RおよびR同士のうちのいずれか1つまたは複数が結合して環を形成していてもよいことを意味する。明らかには、これらの置換基同士がいずれも結合して環を形成しなくてもよい。
本発明の一実施例によれば、前記第2化合物は、式6-a~式6-jのうちの1つで表される構造を有する。
Figure 0007347860000051
(Lは、出現毎に同一または異なって単結合、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキレン基、置換または非置換の炭素原子数3~20のシクロアルキレン基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリーレン基、置換または非置換の炭素原子数3~20のヘテロアリーレン基、またはこれらの組合せから選ばれ、
Vは、出現毎に同一または異なってCRまたはNから選ばれ、
Uは、出現毎に同一または異なってCRまたはNから選ばれ、
およびRは、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のヘテロアルキル基、置換または非置換の環原子数3~20のヘテロ環基、置換または非置換の炭素原子数7~30のアラルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルコキシ基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリールオキシ基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルケニル基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルキニル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールシリル基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数0~20のアミン基、アシル基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、シアノ基、イソシアノ基、ヒドロキシ基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、ホスフィノ基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれ、
Arは、出現毎に同一または異なって置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、またはこれらの組合せから選ばれ、
隣り合う置換基RおよびRは、結合して環を形成していてもよい。)
本発明の一実施例によれば、第2ホスト化合物は、化合物X-1~X-128からなる群から選ばれる。化合物X-1~X-128の具体的な構造は、請求項28に示される。
本発明の一実施例によれば、前記エレクトロルミネッセンス素子において、第1金属錯体が前記第1化合物および第2化合物にドーピングされる場合、第1金属錯体の重量が発光層の総重量に対して1%~30%である。
本発明の一実施例によれば、前記エレクトロルミネッセンス素子において、第1金属錯体が前記第1化合物および第2化合物にドーピングされる場合、第1金属錯体の重量が発光層の総重量に対して3%~13%である。
本発明の他の実施例によれば、上述したいずれか1つの実施例に記載されたエレクトロルミネッセンス素子を含む電子装置が開示される。
本発明の他の実施例によれば、第1金属錯体と第1化合物とを含む化合物の組合せであって、第1金属錯体および第1化合物の具体的な構造は、上述したいずれか1つの実施例に示される化合物の組合せが開示される。
他の材料との組合せ
本発明に記載される有機発光素子に用いられる特定層の材料は、素子に存在する各種の他の材料と組み合わせて使用することができる。これらの材料の組合せについて、米国特許出願US2016/0359122A1の第0132~0161段落において詳細に記載されており、その内容を全て本明細書に援用する。記載または言及された材料は、本明細書に開示される化合物と組み合わせて使用可能な材料の非限定的な実例であり、且つ当業者にとっては、文献を容易に参照して組み合わせて使用可能な他の材料を識別することができる。
本明細書において、有機発光素子に用いられる具体的な層の材料は、前記素子に存在する多種の他の材料と組み合わせて使用することができると記載されている。例示的には、本明細書に開示される化合物、多種のホスト、輸送層、ブロッキング層、注入層、電極および他の存在可能な層と組み合わせて使用することができる。これらの材料の組合せは、特許出願US2015/0349273A1の第0080~0101段落において詳細に記載されており、その内容を全て本明細書に援用する。記載または言及された材料は、本明細書に開示される化合物と組み合わせて使用可能な材料の非限定的な実例であり、且つ当業者にとっては、文献を容易に参照して組み合わせて使用可能な他の材料を識別することができる。
材料合成の実施例において、説明しない限り、すべての反応が窒素の保護で行われる。すべての反応溶剤は、無水であり、且つ市販品由来のまま使用される。合成される生成物に対して、本分野通常の1種または多種の機器(Bruker製の核磁気共鳴装置、Shimadzu製の液体クロマトグラフィー、液体クロマトグラフィー/質量分析計、気体クロマトグラフィー/質量分析計、示差熱走査熱量装置、上海稜光技術製の蛍光分光光度計、武漢科思特製の電気化学作業ステーション、安徽貝意克製の昇華装置などを含むがそれに限定されず)を用いて、当業者にとって熟知の方法で構造確認と特性テストを行った。素子の実施例において、素子の特性に対しても、本分野通常の機器(Angstrom Engineering製の蒸着機、蘇州弗士達製の光学テストシステム、耐用年数テストシステム、北京量拓製のエリプソメーターなどを含むがそれに限定されず)を用いて、当業者にとって熟知の方法でテストを行った。当業者は上述した機器の使用、テスト方法などの関連内容を知っているので、サンプルの固有データを確実に、影響を受けずに取得することができるため、上記関連内容を本明細書において繰り返し説明はしない。
素子の実施例
エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、限定されない。以下の実施例における製造方法は、例示的なものに過ぎず、限定するものであると理解すべきではない。当業者であれば、従来技術に基づき、以下の実施例における製造方法を合理的に改良することができる。例示的には、発光層における各種の材料の比率は、特に限定されておらず、当業者は、従来技術に基づき、一定の範囲内に合理的に選択することができる。例えば、発光層材料の総重量を基準として、ホスト材料が70%~99%を占め、発光材料が1%~30%を占めてもよいし、ホスト材料が90%~98%を占め、発光材料が2%~10%を占めてもよいし、ホスト材料が87%~98%を占め、発光材料が2%~13%を占めてもよい。また、ホスト材料は、1種または2種の材料であってもよい。そのうち、2種のホスト材料のホスト材料に対する比率が100:0~1:99であってもよいし、80:20~20:80であってもよいし、60:40~40:60であってもよい。実施例により製造された発光素子の特性は、当該分野によく用いられた機器を用い、当業者にとって熟知の方法で測定するものである。当業者は、上述した機器の使用、テスト方法などの関連内容を知っているので、サンプルの固有データを確実に、影響を受けずに取得することができるため、上記関連内容を本明細書において繰り返し説明はしない。本発明に用いられる第1金属錯体、第1化合物および第2化合物などの化合物は、いずれも当業者により容易に取得され、たとえば、市販により取得されてもよいし、従来技術における調製方法を参照することにより取得されてもよいし、公開番号US20200251666A1、US2019363261A1、US2010187977A1の米国特許出願における調製方法を参照することにより取得されてもよいので、ここで繰り返し説明はしない。
素子の実施例1-1
まず、厚みが80nmのインジウムスズ酸化物(ITO)陽極を有するガラス基板を洗浄した後、酸素プラズマおよびUVオゾンで処理した。処理した後、基板をグローブボックスで乾燥させて水を除去した。その後、基板を基板ホルダ上に取り付けて真空室に置いた。以下、指定された有機層に対して、真空度が約10-8トルの場合、0.2~2オングストローム/秒の速度でホット真空蒸着によって順にITO陽極上に蒸着を行った。化合物HIを正孔注入層(HIL)として用いた。化合物HTを正孔輸送層(HTL)として用いた。化合物X-4を電子ブロッキング層(EBL)として用いた。そして、本発明に係る金属錯体641を化合物X-4および化合物H-1にドーピングし、共蒸着して発光層(EML)として用いた。EML上において、化合物H-1を正孔ブロッキング層(HBL)として用いた。HBL上において、化合物ETおよび8-ヒドロキシキノリン-リチウム(Liq)を電子輸送層(ETL)として共蒸着した。最後に、厚み1nmの8-ヒドロキシキノリン-リチウム(Liq)を電子注入層として蒸着するとともに、120nmのアルミニウムを陰極として蒸着した。そして、該素子をグローブボックスに転移させ、ガラスカバーと吸湿剤を用いてカプセル化して該素子を完成させた。
素子の実施例1-2
素子の実施例1-2の実施形態は、発光層において、本発明におけるH-91で本発明における化合物H-1を代替する以外、素子の実施例1-1と同様である。
素子の実施例1-3
素子の実施例1-3の実施形態は、発光層において、本発明におけるH-141で本発明における化合物H-1を代替する以外、素子の実施例1-1と同様である。
素子の実施例1-4
素子の実施例1-4の実施形態は、発光層において、本発明におけるH-171で本発明における化合物H-1を代替する以外、素子の実施例1-1と同様である。
素子の実施例1-5
素子の実施例1-5の実施形態は、発光層において、本発明におけるH-172で本発明における化合物H-1を代替する以外、素子の実施例1-1と同様である。
素子の比較例1-1
素子の比較例1-1の実施形態は、発光層において、化合物CBPで本発明における化合物H-1およびX-4を代替する以外、素子の実施例1-1と同様である。
素子の比較例1-2
素子の比較例1-2の実施形態は、発光層において、金属錯体GD1で本発明における金属錯体641を代替する以外、素子の実施例1-1と同様である。
素子の比較例1-3
素子の比較例1-3の実施形態は、発光層において、金属錯体GD1で本発明における金属錯体641を代替する以外、素子の実施例1-2と同様である。
素子の比較例1-4
素子の比較例1-4の実施形態は、発光層において、金属錯体GD1で本発明における金属錯体641を代替する以外、素子の実施例1-3と同様である。
素子の比較例1-5
素子の比較例1-5の実施形態は、発光層において、金属錯体GD1で本発明における金属錯体641を代替する以外、素子の実施例1-5と同様である。
素子の実施例2-1
素子の実施例2-1の実施形態は、発光層において、本発明における金属錯体745で本発明化合物641を代替する以外、素子の実施例1-1と同様である。
素子の実施例2-2
素子の実施例2-2の実施形態は、発光層において、本発明におけるH-91で本発明における化合物H-1を代替する以外、素子の実施例2-1と同様である。
素子の実施例2-3
素子の実施例2-3の実施形態は、発光層において、本発明におけるH-141で本発明における化合物H-1を代替する以外、素子の実施例2-1と同様である。
素子の実施例2-4
素子の実施例2-4の実施形態は、発光層において、本発明におけるH-172で本発明における化合物H-1を代替する以外、素子の実施例2-1と同様である。
素子の比較例2-1
素子の比較例2-1の実施形態は、発光層において、化合物CBPで本発明における化合物H-1およびX-4を代替する以外、素子の実施例2-1と同様である。
詳細な素子の層構造および厚みを、以下の表に示す。用いられる材料が1種超えの層は、前記重量比で異なる化合物をドーピングすることにより得られる。
Figure 0007347860000052
Figure 0007347860000053
素子に用いられる材料の構造は、以下のように表される。
Figure 0007347860000054
Figure 0007347860000055
素子のIVL特性を測定した。1000cd/mで、素子のCIEデータ、最大放射波長λmax、半値全幅(FWHM)、電圧(V)、電流効率(CE)、電力効率(PE)、外部量子効率(EQE)を測定した。これらのデータは、表2に記録されて示される。
Figure 0007347860000056
まとめ
表2には、実施例および比較例における素子の性能が示されている。実施例1-1~1-5および比較例1-1から分かるように、本発明に係る特定のAr置換配位子を含む金属錯体641は、本発明における第1化合物H-1、H-91、H-141、H-171およびH-172をホスト材料とする素子において、従来技術におけるCBPをホスト材料とするものに対して、輝度および色座標がほぼ一致する場合、CEがそれぞれ比較例の2.32倍、2.19倍、2.21倍、2.23倍および2.21倍であり、EQEがそれぞれ比較例の2.35倍、2.22倍、2.25倍、2.26倍および2.25倍であると共に、駆動電圧が4.3V~4.4V低下し、PEがそれぞれ比較例の5.8倍、5.15倍、5.3倍、5.5倍および5.5倍であり、従来技術におけるホスト材料を大幅に超える優れた性能を示した。
同様に、実施例2-1~実施例2-4および比較例2-1を比較すると、本発明に係る特定のAr置換配位子を含む金属錯体745は、本発明における第1化合物H-1、H-91、H-141およびH-172をホスト材料とする素子において、従来技術におけるCBPをホスト材料とするものに対して、放射波長が相当する場合、CEがそれぞれ比較例の2.32倍、2.25倍、2.23倍および2.24倍であり、EQEがそれぞれ比較例の2.34倍、2.28倍、2.27倍および2.28倍であると共に、駆動電圧が3.6V~3.8V低下し、PEがそれぞれ比較例の5.24倍、4.89倍、5.11倍および4.90倍であり、大幅に向上した。注意すべきことに、実施例2-1~実施例2-5および比較例2-1において、特定のArが他の置換位置にある金属錯体745が用いられている。本発明に係る特定のAr置換を含む金属錯体は、汎用性を有し、本発明における第1化合物と組み合わせることにより、従来技術を超える極めて大きな向上を有することが示されている。
同様な本発明における第1化合物をホスト材料とする場合、実施例1-1と比較例1-2とを比較し、実施例1-2と比較例1-3とを比較し、実施例1-3と比較例1-4とを比較し、実施例1-5と比較例1-5とを比較し、ホストがそれぞれ本発明における第1化合物H-1、H-91、H-141、H-172である際に、本発明に係る特定のAr置換配位子を含む金属錯体641は、フェニル基置換配位子を含むGD1に対して、放射波長および駆動電圧が相当する場合、CEがそれぞれ11.2%、9.6%、9.5%および11.8%向上し、EQEがそれぞれ11.5%、9.9%、9.8%および12.0%向上し、PEがそれぞれ14.9%、12.0%、12.8%および18.3%向上し、従来技術における金属錯体を大幅に超える優れた性能を示した。
以上の結果から分かるように、本発明に係る特定のAr置換を含む金属錯体と本発明における第1化合物の組合せは、エレクトロルミネッセンス素子に用いられる場合、本発明に係る金属錯体と従来技術におけるホスト材料の組合せ、比較例における金属錯体と本発明における第1化合物の組合せに対して、いずれも明らかな優勢を示し、素子のCE、PEおよびEQEがいずれも大幅に向上し、素子の綜合性能が大幅に最適化されている。そのため、本発明に係る金属錯体と第1化合物の組合せは、大きな優勢を有した。
素子の実施例3-1
素子の実施例3-1の実施形態は、発光層において、本発明における金属錯体660で本発明化合物641を代替する以外、素子の実施例1-1と同様である。
素子の実施例3-2
素子の実施例3-2の実施形態は、発光層において、本発明におけるH-91で本発明における化合物H-1を代替する以外、素子の実施例3-1と同様である。
素子の実施例3-3
素子の実施例3-3の実施形態は、発光層において、本発明におけるH-141で本発明における化合物H-1を代替する以外、素子の実施例3-1と同様である。
素子の実施例3-4
素子の実施例3-4の実施形態は、発光層において、本発明におけるH-171で本発明における化合物H-1を代替する以外、素子の実施例3-1と同様である。
素子の実施例3-5
素子の実施例3-5の実施形態は、発光層において、本発明におけるH-172で本発明における化合物H-1を代替する以外、素子の実施例3-1と同様である。
素子の実施例3-6
素子の実施例3-6の実施形態は、発光層において、本発明における金属錯体678で本発明化合物660を代替するとともに、化合物X-4:化合物H-91:金属錯体678が63:31:6である以外、素子の実施例3-2と同様である。
素子の実施例3-7
素子の実施例3-7の実施形態は、発光層において、本発明における金属錯体520で本発明化合物660を代替するとともに、化合物X-4:化合物H-91:金属錯体520が63:31:6である以外、素子の実施例3-2と同様である。
素子の比較例3-1
素子の比較例3-1の実施形態は、発光層において、化合物CBPで本発明における化合物H-1およびX-4を代替する以外、素子の実施例3-1と同様である。
素子の比較例3-2
素子の比較例3-2の実施形態は、発光層において、金属錯体GD2で本発明における金属錯体660を代替する以外、素子の実施例3-1と同様である。
素子の比較例3-3
素子の比較例3-3の実施形態は、発光層において、金属錯体GD2で本発明における金属錯体660を代替する以外、素子の実施例3-2と同様である。
素子の比較例3-4
素子の比較例3-4の実施形態は、発光層において、金属錯体GD2で本発明における金属錯体660を代替する以外、素子の実施例3-3と同様である。
素子の比較例3-5
素子の比較例3-5の実施形態は、発光層において、金属錯体GD2で本発明における金属錯体678を代替する以外、素子の実施例3-6と同様である。
素子の比較例3-6
素子の比較例3-6の実施形態は、発光層において、金属錯体GD3で本発明における金属錯体520を代替する以外、素子の実施例3-7と同様である。
詳細な素子の層構造および厚みを、以下の表に示す。用いられる材料が1種超えの層は、前記重量比で異なる化合物をドーピングすることにより得られる。
Figure 0007347860000057
Figure 0007347860000058
素子に新たに用いられる材料の構造は、以下のように表される。
Figure 0007347860000059
素子のIVL特性を測定した。1000cd/mで、素子のCIEデータ、最大放射波長λmax、半値全幅(FWHM)、電圧(V)、電流効率(CE)、電力効率(PE)、外部量子効率(EQE)を測定した。これらのデータは、表4に記録されて示される。
Figure 0007347860000060
まとめ
表4には、実施例および比較例における素子の性能が示されている。実施例3-1~3-5および比較例3-1から分かるように、本発明に係る特定のAr置換を含む金属錯体は、本発明における第1化合物H-1、H-91、H-141、H-171およびH-172をホスト材料とする素子において、従来技術におけるCBPをホスト材料とするものに対して、輝度および色座標がほぼ一致する場合、CEがそれぞれ比較例の1.76倍、1.73倍、1.76倍、1.77倍および1.84倍であり、EQEがそれぞれ比較例の1.75倍、1.72倍、1.76倍、1.79倍および1.85倍であり、駆動電圧が3.3V~3.48V低下し、PEがそれぞれ比較例の3.84倍、3.78倍、3.88倍、4.03倍および4.16倍であり、従来技術におけるホストを大幅に超える優れた性能を示した。以上の結果から分かるように、本発明に係る特定のAr置換配位子を含む金属錯体は、シアノ基置換をさらに含む場合、本発明における第1化合物と組み合わせることにより、従来技術を超える大幅な向上を有した。
同様な本発明における第1化合物をホスト材料とする場合、実施例3-1と比較例3-2とを比較し、実施例3-2と比較例3-3とを比較し、実施例3-3と比較例3-4とを比較し、ホストがそれぞれ本発明における第1化合物H-1、H-91、H-141である際に、本発明に係る特定のAr置換を含む金属錯体660は、フェニル基置換配位子を含むGD2に対して、より優れた性能を示した。金属錯体GD2は、発光ドーパンドとして用いられる場合、その半値全幅が35.5nm~36.6nmの範囲であり、EQEが24.1%~25.6%の範囲であり、業界では比較的高いレベルに達した。しかしながら、本発明に係る特定のAr置換配位子を含む金属錯体660は、依然として性能の更なる向上を取得した。実施例3-1は、比較例3-2に対して半値全幅が1nm狭くなり、EQEが13.2%向上した。実施例3-2は、比較例3-3に対して半値全幅が1.7nm狭くなり、EQEが6.7%向上した。実施例3-3は、比較例3-4に対して半値全幅が1.6nm狭くなり、EQEが7%向上した。
より注目すべきことに、実施例3-1~3-5は、半値全幅がいずれも35.0nm未満である場合、EQEがいずれも比較的高いレベル(26.9%超え)に達し、特に、実施例3-5のEQEが28.9%に達し、業界では非常に高いレベルになった。本発明に係る発光材料と第1化合物の組合せは、素子の色純度および効率を向上させる上で無視できない重要な意味を有することを示した。
実施例3-6と比較例3-5とを比較し、実施例3-7と比較例3-6とを比較すると、本発明に係る特定のAr置換配位子を含む金属錯体は、比較例におけるフェニル基置換配位子を含む金属錯体に対して、より優れた性能を示した。実施例3-6は、比較例3-5に対して半値全幅が1.4nm狭くなり、CE、PEおよびEQEがそれぞれ10.6%、12.4%および10.2%向上した。実施例3-7は、比較例3-6に対して半値全幅が3.6nm狭くなり、CE、PEおよびEQEがそれぞれ5.8%、7.4%および5.9%向上した。本発明に係る複数種のAr構造置換を含む金属錯体は、本発明における第1化合物と組み合わせることにより、従来技術を超える大幅な向上を有した。
本発明に係る特定のAr置換を含む金属錯体は、シアノ基置換をさらに有する場合、本発明における第1化合物と組み合わせてエレクトロルミネッセンス素子に用いられることにより、本発明に係る金属錯体と従来技術におけるホスト材料の組合せ、比較例における金属錯体と本発明における第1化合物の組合せに対して、いずれも明らかな優勢を示し、素子のCE、PEおよびEQEがいずれも大幅に向上し、素子の綜合性能が大幅に最適化されている。そのため、本発明における金属錯体と第1化合物の組合せは、大きな優勢を有した。
素子の実施例4-1
素子の実施例4-1の実施形態は、発光層において、本発明における金属錯体221で本発明における化合物641を代替する以外、素子の実施例1-1と同様である。
素子の実施例4-2
素子の実施例4-2の実施形態は、発光層において、本発明におけるH-91で本発明における化合物H-1を代替する以外、素子の実施例4-1と同様である。
素子の実施例4-3
素子の実施例4-3の実施形態は、発光層において、本発明におけるH-141で本発明における化合物H-1を代替する以外、素子の実施例4-1と同様である。
素子の実施例4-4
素子の実施例4-4の実施形態は、発光層において、本発明におけるH-172で本発明における化合物H-1を代替する以外、素子の実施例4-1と同様である。
素子の比較例4-1
素子の比較例4-1の実施形態は、発光層において、化合物CBPで本発明における化合物H-1およびX-4を代替する以外、素子の実施例4-1と同様である。
素子の比較例4-2
素子の比較例4-2の実施形態は、発光層において、金属錯体GD4で本発明における金属錯体221を代替する以外、素子の実施例4-1と同様である。
素子の比較例4-3
素子の比較例4-3の実施形態は、発光層において、金属錯体GD4で本発明における金属錯体221を代替する以外、素子の実施例4-2と同様である。
素子の比較例4-4
素子の比較例4-4の実施形態は、発光層において、金属錯体GD4で本発明における金属錯体221を代替する以外、素子の実施例4-3と同様である。
素子の比較例4-5
素子の比較例4-5の実施形態は、発光層において、金属錯体GD4で本発明における金属錯体221を代替する以外、素子の実施例4-4と同様である。
詳細な素子の層構造および厚みを、以下の表に示す。用いられる材料が1種超えの層は、前記重量比で異なる化合物をドーピングすることにより得られる。
Figure 0007347860000061
素子に新たに用いられる材料の構造は、以下のように表される。
Figure 0007347860000062
素子のIVL特性を測定した。1000cd/mで、素子のCIEデータ、最大放射波長λmax、半値全幅(FWHM)、電圧(V)、電流効率(CE)、電力効率(PE)、外部量子効率(EQE)を測定した。これらのデータは、表6に記録されて示される。
Figure 0007347860000063
表6には、実施例および比較例における素子の性能が示されている。実施例4-1~4-4および比較例4-1の比較結果から分かるように、本発明に係る特定のAr置換配位子を含む金属錯体221は、本発明における第1化合物H-1、H-91、H-141およびH-172をホスト材料とする素子において、従来技術におけるCBPをホスト材料とするものに対して、輝度および色座標がほぼ一致する場合、CEがそれぞれ比較例の1.98倍、1.92倍、1.94倍および1.89倍である。EQEがそれぞれ比較例の1.99倍、1.94倍、1.96倍および1.91倍であり、駆動電圧が4.0V~4.1V低下し、PEがそれぞれ比較例の4.75倍、4.63倍、4.83倍および4.71倍であり、従来技術におけるホストを大幅に超える優れた性能を示した。以上の結果から分かるように、本発明に係る特定のAr置換配位子を含む金属錯体は、フッ素置換をさらに含む場合、本発明における第1化合物と組み合わせることにより、従来技術を超える大幅な向上を有した。
同様な本発明における第1化合物をホスト材料とする場合、実施例4-1と比較例4-2とをっ比較し、実施例4-2と比較例4-3とを比較し、実施例4-3と比較例4-4とを比較し、実施例4-4と比較例4-5とを比較し、ホストがそれぞれ本発明における第1化合物H-1、H-91、H-141およびH-172である際に、本発明に係る特定のAr置換配位子を含む金属錯体221は、フェニル基置換配位子を含むGD4に対して、より優れた性能を示した。金属錯体GD4は、発光ドーパンドとして用いられる場合、そのEQEが23.8%~24.9%の範囲であり、業界では比較的高いレベルになった。しかしながら、本発明に係る特定のAr置換配位子を含む金属錯体221は、依然として性能の更なる向上を取得し、EQEがそれぞれ14.7%、10.8%、8.0%および7.4%向上した。以上の結果から分かるように、本発明に係る特定のAr置換配位子を含む金属錯体は、フッ素置換をさらに含む場合、フッ素およびフェニル基置換配位子を含む金属錯体に対して、第1化合物と組み合わせることにより、素子の綜合性能を明らかに向上させることができる。
要するに、本発明に係る特定のAr置換を有するL配位子を含む金属錯体および第1ホスト化合物を含むエレクトロルミネッセンス素子は、本発明における金属錯体と従来技術におけるホスト材料の組合せ、比較例における金属錯体と本発明における第1化合物の組合せに対して、いずれも明らかな優勢を示し、素子の効率、特にEQEを向上させる、或いは駆動電圧を低下させ、半値全幅を低減させることができ、最終に素子の綜合性能を明らかに向上させるという有益な効果を達成する。
ここで記載される各種の実施例は、例示的なものに過ぎず、本発明の範囲を限定するためのものではないことを理解すべきである。そのため、当業者にとって、保護しようとする本発明は、本明細書に記載される具体的な実施例および好ましい実施例の変形を含むことが自明である。本発明の構想を逸脱しない前提で、本明細書に記載される材料および構造の多くは、他の材料および構造で代替することができる。本発明がなぜ機能するかについての様々な理論は、限定的ではないことを理解すべきである。

Claims (37)

  1. 陽極、
    陰極、
    および陽極と陰極との間に設けられた、少なくとも第1金属錯体と第1化合物とを含む有機層を含むエレクトロルミネッセンス素子であって、
    第1金属錯体は、金属M、および金属Mと配位する配位子Lを含み、配位子Lは、式1で表される構造を有する、エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 0007347860000064
    (式1中、金属Mは、相対原子質量が40超えの金属から選ばれ、
    Cyは、出現毎に同一または異なって置換または非置換の環原子数6~24の芳香族環、置換または非置換の環原子数5~24のヘテロ芳香族環、またはこれらの組合せから選ばれ、
    Xは、O、S、およびeからなる群から選ばれ、
    ~Xは、出現毎に同一または異なってC、CRまたはNから選ばれ、X~Xのうちの少なくとも1つは、Cであり、前記Cyに結合し、
    、X、XまたはXは、金属-炭素結合または金属-窒素結合により前記金属Mに結合し、
    ~Xのうちの少なくとも1つは、CRであり、且つ前記Rは、式2で表される構造を有するArであり、
    Figure 0007347860000065
    aは、0、1、2、3、4または5から選ばれ、
    a1およびRa2は、出現毎に同一または異なって一置換、複数置換または無置換を表し、
    環Arおよび環Arは、出現毎に同一または異なって環原子数6~30の芳香族環、環原子数5~30のヘテロ芳香族環、またはこれらの組合せから選ばれ、且つ環Arおよび環Arの環原子数の合計が8以上であり、
    「*」は、式2の結合箇所を表し、
    第1化合物は、式3aまたは式3bで表される構造を有し、
    Figure 0007347860000066
    式3aまたは式3b中、
    は、出現毎に同一または異なっては、O、S、Se、N、NR’’、CR’’R’’、SiR’’R’’、GeR’’R’’およびR’’C=CR’’からなる群から選ばれ、2つのR’’が同時に存在する場合、2つのR’’は、同一または異なってもよく、
    は、出現毎に同一または異なって単結合、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキレン基、置換または非置換の炭素原子数3~20のシクロアルキレン基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリーレン基、置換または非置換の炭素原子数3~20のヘテロアリーレン基、またはこれらの組合せから選ばれ、
    ~Qは、出現毎に同一または異なってC、CRまたはNから選ばれ、
    Ar は、出現毎に同一または異なって置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、またはこれらの組合せから選ばれ、
    、Ra1、R 、R’’およびRは、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のヘテロアルキル基、置換または非置換の環原子数3~20のヘテロ環基、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルコキシ基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリールオキシ基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルケニル基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルキニル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールシリル基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数0~20のアミン基、シアノ基、イソシアノ基、ヒドロキシ基、スルファニル基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれ、
    隣り合う置換基R 、Ra1、Ra2は、結合して環を形成していてもよく、
    隣り合う置換基’’、Rは、結合して環を形成していてもよい。)
  2. Cyは、以下の構造からなる群から選ばれるいずれか1つの構造である、請求項1に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 0007347860000067
    Figure 0007347860000068
    (Rは、出現毎に同一または異なって一置換、複数置換、または無置換を表し、いずれか1つの構造において複数のRが存在する場合、前記Rは同一または異なってもよく、
    Rは、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のヘテロアルキル基、置換または非置換の環原子数3~20のヘテロ環基、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルコキシ基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリールオキシ基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルケニル基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルキニル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールシリル基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数0~20のアミン基、シアノ基、イソシアノ基、ヒドロキシ基、スルファニル基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれ、
    2つの隣り合う置換基Rは、結合して環を形成していてもよく、
    「#」は、金属Mとの結合箇所を表し、
    Figure 0007347860000069
    は、X、X、XまたはXとの結合箇所を表す。)
  3. 第1金属錯体は、M(L(L(Lの一般式を有する、請求項1または2に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
    (Mは、出現毎に同一または異なってCu、Ag、Au、Ru、Rh、Pd、Os、IrおよびPtからなる群から選ばれ、
    、LおよびLは、それぞれ金属Mと配位する第1、第2および第3配位子であり、Lおよび前記LまたはLは、同一または異なってもよく、L、LおよびLは、結合して多座配位子を形成していてもよく、
    mは、1、2または3から選ばれ、nは、0、1または2から選ばれ、qは、0、1または2から選ばれ、m+n+qは、金属Mの酸化状態に等しく、mが2以上である場合、複数のLは、同一または異なり、nが2である場合、2つのLは、同一または異なり、qが2である場合、2つのLは、同一または異なり、
    およびLは、出現毎に同一または異なって
    Figure 0007347860000070
    からなる群のうちのいずれか1種で表される構造から選ばれ、
    は、出現毎に同一または異なってO、S、Se、NRN1、CRC1C2からなる群から選ばれ、
    およびRは、出現毎に同一または異なって一置換、複数置換、または無置換を表し、
    、R、R、RN1、RC1およびRC2は、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のヘテロアルキル基、置換または非置換の環原子数3~20のヘテロ環基、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルコキシ基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリールオキシ基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルケニル基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルキニル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールシリル基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数0~20のアミン基、シアノ基、イソシアノ基、ヒドロキシ基、スルファニル基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれ、
    隣り合う置換基R、R、R、RN1、RC1およびRC2は、結合して環を形成していてもよく、
    「*」は、式2の結合箇所を表す。)
  4. 第1金属錯体Ir(L(L3-mは、式5で表される構造を有する、請求項1または2に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 0007347860000071
    mは、1、2または3から選ばれ、mが1から選ばれる場合、2つのLは、同一または異なり、mが2または3から選ばれる場合、複数のLは、同一または異なり、
    Xは、O、S、およびeからなる群から選ばれ、
    ~Yは、出現毎に同一または異なってCRまたはNから選ばれ、
    ~Xは、出現毎に同一または異なってCRまたはNから選ばれ、
    ~Xのうちの少なくとも1つは、CRであり、且つRは、式2で表される構造を有するArであり、
    Figure 0007347860000072
    aは、0、1、2、3、4または5から選ばれ、
    a1およびRa2は、出現毎に同一または異なって一置換、複数置換または無置換を表し、
    環Arおよび環Arは、出現毎に同一または異なって環原子数6~30の芳香族環、環原子数5~30のヘテロ芳香族環、またはこれらの組合せから選ばれ、且つ環Arおよび環Arの環原子数の合計が8以上であり、
    、R 、R a1およびRa2は、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のヘテロアルキル基、置換または非置換の環原子数3~20のヘテロ環基、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルコキシ基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリールオキシ基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルケニル基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルキニル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールシリル基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数0~20のアミン基、シアノ基、イソシアノ基、ヒドロキシ基、スルファニル基およびこれらの組合せからなる群から選ばれ、
    ~R は、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のヘテロアルキル基、置換または非置換の環原子数3~20のヘテロ環基、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルコキシ基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリールオキシ基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルケニル基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルキニル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数0~20のアミン基、シアノ基、イソシアノ基、ヒドロキシ基、スルファニル基およびこれらの組合せからなる群から選ばれ、
    「*」は、式2の結合箇所を表し、
    隣り合う置換基R 、R、Ra1、Ra2は、結合して環を形成していてもよく、
    隣り合う置換基R~Rは、結合して環を形成していてもよい。)
  5. Xは、OまたはSから選ばれ、aは、0、1、2または3から選ばれる、請求項1~4のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  6. ~Xは、出現毎に同一または異なってCRから選ばれ、および/またはY~Yは、出現毎に同一または異なってCRから選ばれる、請求項4に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  7. ~Xのうちの少なくとも1つは、Nであり、および/またはY~Yのうちの少なくとも1つは、Nである、請求項4に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  8. CRから選ばれ、且つ前記Rは、Arである、請求項1~7のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  9. a1およびRa2は、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールシリル基、シアノ基、イソシアノ基、ヒドロキシ基、スルファニル基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる、請求項1~のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  10. a1およびRa2は、出現毎に同一または異なって水素、重水素、フッ素、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、重水素化メチル基、重水素化エチル基、重水素化プロピル基、重水素化イソプロピル基、重水素化n-ブチル基、重水素化イソブチル基、重水素化tert-ブチル基、重水素化シクロペンチル基、重水素化シクロヘキシル基、フェニル基、ピリジル基、トリメチルシリル基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる、請求項1~のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  11. Ar中、環Arおよび環Arは、出現毎に同一または異なって環原子数6~18の芳香族環、環原子数5~18のヘテロ芳香族環、またはこれらの組合せから選ばれ、且つ環Arおよび環Arの環原子数の合計が8以上30以下である、請求項1~10のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  12. Ar中、環Arおよび環Arは、出現毎に同一または異なってベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ナフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、フルオレン環、シリコンフルオレン環、キノリン環、イソキノリン環、融合ビチオフェン環、融合ビフラン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、トリフェニレン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環、アザフルオレン環、アザシリコンフルオレン環、アザジベンゾフラン環、アザジベンゾチオフェン環、およびこれらの組合せからなる群から選ばれ、且つ環Arおよび環Arの環原子数の合計が8以上30以下である、請求項1~10のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  13. Ar中、環Arおよび環Arは、出現毎に同一または異なって環原子数6の芳香族環、環原子数5または6のヘテロ芳香族環、またはこれらの組合せから選ばれる、請求項1~10のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  14. Arは、出現毎に同一または異なって
    Figure 0007347860000073
    Figure 0007347860000074
    Figure 0007347860000075
    およびこれらの組合せからなる群から選ばれ、
    上記基における水素は、一部または全部重水素化されていてもよく、「*」は、前記置換基の結合箇所を表す、請求項1~13のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  15. 、R、R、Rのうちの少なくとも1つまたは少なくとも2つまたは少なくとも3つまたは全部は、重水素、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる、請求項4に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  16. 、R、R、Rのうちの少なくとも1つまたは少なくとも2つまたは少なくとも3つまたは全部は、重水素、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれ、上記基における水素は、一部または全部重水素化されていてもよい、請求項4に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  17. は、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のヘテロアルキル基、置換または非置換の環原子数3~20のヘテロ環基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールシリル基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる、
    請求項1~16のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  18. ~Xのうちの少なくとも2つはCRから選ばれ、 ~X のうちの少なくとも1つはCR であり、且つ前記R は、Arであり、他の少なくとも1つのRは、水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、シアノ基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる、
    請求項1または4に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  19. は、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる、請求項4に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  20. 少なくとも1つのRは、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる、請求項4に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  21. は、出現毎に同一または異なって
    Figure 0007347860000076
    Figure 0007347860000077
    Figure 0007347860000078
    Figure 0007347860000079
    Figure 0007347860000080
    Figure 0007347860000081
    Figure 0007347860000082
    Figure 0007347860000083
    Figure 0007347860000084
    Figure 0007347860000085
    Figure 0007347860000086
    Figure 0007347860000087
    Figure 0007347860000088
    Figure 0007347860000089
    Figure 0007347860000090
    Figure 0007347860000091
    Figure 0007347860000092
    Figure 0007347860000093
    Figure 0007347860000094
    Figure 0007347860000095
    Figure 0007347860000096
    Figure 0007347860000097
    Figure 0007347860000098
    Figure 0007347860000099
    Figure 0007347860000100
    Figure 0007347860000101
    Figure 0007347860000102
    Figure 0007347860000103
    Figure 0007347860000104
    Figure 0007347860000105
    Figure 0007347860000106
    Figure 0007347860000107
    Figure 0007347860000108
    Figure 0007347860000109
    Figure 0007347860000110
    Figure 0007347860000111
    Figure 0007347860000112
    Figure 0007347860000113
    Figure 0007347860000114
    Figure 0007347860000115
    Figure 0007347860000116
    Figure 0007347860000117
    Figure 0007347860000118
    Figure 0007347860000119
    Figure 0007347860000120
    Figure 0007347860000121
    Figure 0007347860000122
    Figure 0007347860000123
    Figure 0007347860000124
    Figure 0007347860000125
    Figure 0007347860000126
    Figure 0007347860000127
    Figure 0007347860000128
    Figure 0007347860000129
    Figure 0007347860000130
    Figure 0007347860000131
    Figure 0007347860000132
    Figure 0007347860000133
    Figure 0007347860000134
    Figure 0007347860000135
    Figure 0007347860000136
    Figure 0007347860000137
    Figure 0007347860000138
    Figure 0007347860000139
    Figure 0007347860000140
    Figure 0007347860000141
    Figure 0007347860000142
    Figure 0007347860000143
    Figure 0007347860000144
    Figure 0007347860000145
    Figure 0007347860000146
    Figure 0007347860000147
    Figure 0007347860000148
    Figure 0007347860000149
    からなる群から選ばれるいずれか1種であり、
    上記構造において、「TMS」は、「トリメチルシリル基」を表す、請求項3に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  22. は、出現毎に同一または異なって
    Figure 0007347860000150
    Figure 0007347860000151
    Figure 0007347860000152
    Figure 0007347860000153
    Figure 0007347860000154
    からなる群から選ばれる、請求項21に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  23. は、出現毎に同一または異なって
    Figure 0007347860000155
    Figure 0007347860000156
    Figure 0007347860000157
    Figure 0007347860000158
    Figure 0007347860000159
    Figure 0007347860000160
    Figure 0007347860000161
    Figure 0007347860000162
    Figure 0007347860000163
    Figure 0007347860000164
    からなる群から選ばれる、請求項22に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  24. 前記第1金属錯体は、Ir(L(L)またはIr(L)(LまたはIr(Lの構造を有し、Lは、出現毎に同一または異なってLa1-1 a1-494 、L a1-499 、L a1-504 a1-505 a2-1 ~L a2-524 、L a2-529 、L a2-534 、L a5-1 ~L a5-6 、L a5-10 ~L a5-15 、L a5-19 ~L a5-24 およびLa5-28 ~La5-111からなる群から選ばれるいずれか1種またはいずれか2種またはいずれか3種であり、Lは、Lb1~Lb128からなる群から選ばれるいずれか1種またはいずれか2種であり、
    或いは、前記第1金属錯体は、Ir(L(L)またはIr(L)(Lの構造を有し、Lは、出現毎に同一または異なってLa1-1 a1-494 、L a1-499 、L a1-504 a1-505 、La2-1 ~L a2-524 、L a2-529 a2-534 、L a5-1 ~L a5-6 、L a5-10 ~L a5-15 、L a5-19 ~L a5-24 およびLa5-28 ~La5-111からなる群から選ばれるいずれか1種またはいずれか2種であり、Lは、Lc1~Lc360からなる群から選ばれるいずれか1種またはいずれか2種であり、
    或いは、前記第1金属錯体は、Ir(L)(L)(L)の構造を有し、Lは、出現毎に同一または異なってLa1-1 a1-494 、L a1-499 、L a1-504 a1-505 、La2-1 ~L a2-524 、L a2-529 a2-534 、L a5-1 ~L a5-6 、L a5-10 ~L a5-15 、L a5-19 ~L a5-24 およびLa5-28 ~La5-111からなる群から選ばれるいずれか1種であり、Lは、Lb1~Lb128からなる群から選ばれるいずれか1種であり、Lは、Lc1~Lc360からなる群から選ばれるいずれか1種である、請求項23に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  25. 第1金属錯体は、金属錯体1~金属錯体1280からなる群から選ばれ、金属錯体1~金属錯体1280は、IrL(Lの構造を有し、2つのLが同一であり、LおよびLは、それぞれ下記表に示す構造に対応する、請求項23に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 0007347860000165
    Figure 0007347860000166
    Figure 0007347860000167
    Figure 0007347860000168
    Figure 0007347860000169
    Figure 0007347860000170
    Figure 0007347860000171
    Figure 0007347860000172
    Figure 0007347860000173
    Figure 0007347860000174
    Figure 0007347860000175
    Figure 0007347860000176
    Figure 0007347860000177
    Figure 0007347860000178
  26. 第1化合物は、式3bで表される構造を有する、請求項1に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 0007347860000179
    3b中、
    Qは、出現毎に同一または異なっては、O、S、SeおよびNR’’からなる群から選ばれ、
    Lは、出現毎に同一または異なって単結合、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキレン基、置換または非置換の炭素原子数3~20のシクロアルキレン基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリーレン基、置換または非置換の炭素原子数3~20のヘテロアリーレン基、またはこれらの組合せから選ばれ、
    ~Qは、出現毎に同一または異なってC、CRまたはNから選ばれ、
    R’’およびRは、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のヘテロアルキル基、置換または非置換の環原子数3~20のヘテロ環基、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルコキシ基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリールオキシ基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルケニル基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルキニル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールシリル基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数0~20のアミン基、シアノ基、イソシアノ基、ヒドロキシ基、スルファニル基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれ、
    Arは、出現毎に同一または異なって置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、またはこれらの組合せから選ばれ、
    隣り合う置換基R’’、Rは、結合して環を形成していてもよい。)
  27. ~Qは、出現毎に同一または異なってCまたはCRから選ばれ、Rは、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、置換または非置換の炭素原子数0~20のアミノ基、シアノ基、イソシアノ基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる、請求項1または26に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  28. Lは、出現毎に同一または異なって単結合、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリーレン基、置換または非置換の炭素原子数3~20のヘテロアリーレン基、またはこれらの組合せから選ばれる、請求項1、26~27のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  29. Lは、出現毎に同一または異なって単結合、置換または非置換のフェニレン基、置換または非置換のビフェニレン基、置換または非置換のカルバゾリリデン基、置換または非置換のジベンゾフラニレン基、置換または非置換のジベンゾチオフェニレン基、置換または非置換のフルオレニレン基から選ばれる、
    請求項1、26~28のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  30. 前記第1化合物は、
    Figure 0007347860000180
    Figure 0007347860000181
    Figure 0007347860000182
    Figure 0007347860000183
    Figure 0007347860000184
    Figure 0007347860000185
    Figure 0007347860000186
    Figure 0007347860000187
    Figure 0007347860000188
    Figure 0007347860000189
    Figure 0007347860000190
    Figure 0007347860000191
    Figure 0007347860000192
    Figure 0007347860000193
    Figure 0007347860000194
    Figure 0007347860000195
    Figure 0007347860000196
    Figure 0007347860000197
    Figure 0007347860000198
    Figure 0007347860000199
    Figure 0007347860000200
    Figure 0007347860000201
    Figure 0007347860000202
    Figure 0007347860000203
    からなる群から選ばれる、請求項1に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  31. 前記有機層は、第2化合物をさらに含む発光層であり、
    前記第2化合物は、ベンゼン、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、カルバゾール、アザカルバゾール、インドロカルバゾリル、ジベンゾチオフェン、アザジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、アザジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、フルオレニル、シリコンフルオレン、ナフタレン、キノリン、イソキノリン、キナゾリン、キノキサリン、フェナントレン、アザフェナントレン、およびこれらの組合せからなる群から選ばれる少なくとも1種の化学基を含む、請求項1~30のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  32. 前記有機層は、第2化合物をさらに含む発光層であり、前記第2化合物は、式6で表される構造を有し、
    Figure 0007347860000204
    は、出現毎に同一または異なって単結合、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキレン基、置換または非置換の炭素原子数3~20のシクロアルキレン基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリーレン基、置換または非置換の炭素原子数3~20のヘテロアリーレン基、またはこれらの組合せから選ばれ、
    Vは、出現毎に同一または異なってC、CRvまたはNから選ばれ、且つVのうちの少なくとも1つは、Cであり、Lに結合し、
    Uは、出現毎に同一または異なってC、CRまたはNから選ばれ、且つUのうちの少なくとも1つは、Cであり、Lに結合し、
    およびRは、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のヘテロアルキル基、置換または非置換の環原子数3~20のヘテロ環基、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルコキシ基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリールオキシ基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルケニル基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルキニル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールシリル基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数0~20のアミン基、シアノ基、イソシアノ基、ヒドロキシ基、スルファニル基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれ、
    Arは、出現毎に同一または異なって置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、またはこれらの組合せから選ばれ、
    隣り合う置換基RおよびRは、結合して環を形成していてもよい、
    請求項1~30のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  33. 第2化合物は、
    Figure 0007347860000205
    Figure 0007347860000206
    Figure 0007347860000207
    Figure 0007347860000208
    Figure 0007347860000209
    Figure 0007347860000210
    Figure 0007347860000211
    Figure 0007347860000212
    Figure 0007347860000213
    Figure 0007347860000214
    Figure 0007347860000215
    Figure 0007347860000216
    Figure 0007347860000217
    、請求項32に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  34. 第1金属錯体が前記第1化合物および第2化合物にドーピングされる場合、第1金属錯体の重量が発光層の総重量に対して1%~30%である、請求項31に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  35. 第1金属錯体が前記第1化合物および第2化合物にドーピングされる場合、第1金属錯体の重量が発光層の総重量に対して3%~13%である、請求項31に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  36. 請求項1~35のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス素子を含む、電子装置。
  37. 第1金属錯体と、第1化合物とを含む化合物の組合せであって、
    第1金属錯体は、金属M、および金属Mと配位する配位子Lを含み、配位子Lは、式1で表される構造を有する、化合物の組合せ。
    Figure 0007347860000218
    (式1中、金属Mは、相対原子質量が40超えの金属から選ばれ、
    Cyは、出現毎に同一または異なって置換または非置換の環原子数6~24の芳香族環、置換または非置換の環原子数5~24のヘテロ芳香族環、またはこれらの組合せから選ばれ、
    Xは、O、S、およびeからなる群から選ばれ、
    ~Xは、出現毎に同一または異なってC、CRまたはNから選ばれ、X~Xのうちの少なくとも1つは、Cであり、前記Cyに結合し、
    、X、XまたはXは、金属-炭素結合または金属-窒素結合により前記金属Mに結合し、
    ~Xのうちの少なくとも1つは、CRであり、且つ前記Rは、式2で表される構造を有するArであり、
    Figure 0007347860000219
    aは、0、1、2、3、4または5から選ばれ、
    a1およびRa2は、出現毎に同一または異なって一置換、複数置換または無置換を表し、
    環Arおよび環Arは、出現毎に同一または異なって環原子数6~30の芳香族環、環原子数5~30のヘテロ芳香族環、またはこれらの組合せから選ばれ、且つ環Arおよび環Arの環原子数の合計が8以上であり、
    「*」は、式2の結合箇所を表し、
    第1化合物は、式3aまたは式3bで表される構造を有し、
    Figure 0007347860000220
    式3aまたは式3b中、
    Qは、出現毎に同一または異なっては、O、S、Se、N、NR’’、CR’’R’’、SiR’’R’’、GeR’’R’’およびR’’C=CR’’からなる群から選ばれ、2つのR’’が同時に存在する場合、2つのR’’は、同一または異なってもよく、
    は、出現毎に同一または異なって単結合、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキレン基、置換または非置換の炭素原子数3~20のシクロアルキレン基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリーレン基、置換または非置換の炭素原子数3~20のヘテロアリーレン基、またはこれらの組合せから選ばれ、
    ~Qは、出現毎に同一または異なってC、CRまたはNから選ばれ、
    Ar は、出現毎に同一または異なって置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、またはこれらの組合せから選ばれ、
    、Ra1、R 、R’’およびRは、出現毎に同一または異なって水素、重水素、ハロゲン、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルキル基、置換または非置換の環炭素原子数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素原子数1~20のヘテロアルキル基、置換または非置換の環原子数3~20のヘテロ環基、置換または非置換の炭素原子数1~20のアルコキシ基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリールオキシ基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルケニル基、置換または非置換の炭素原子数2~20のアルキニル基、置換または非置換の炭素原子数6~30のアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~30のヘテロアリール基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルシリル基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールシリル基、置換または非置換の炭素原子数3~20のアルキルゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数6~20のアリールゲルマニウム基、置換または非置換の炭素原子数0~20のアミン基、シアノ基、イソシアノ基、ヒドロキシ基、スルファニル基、およびこれらの組合せからなる群から選ばれ、
    隣り合う置換基R 、Ra1、Ra2は、結合して環を形成していてもよく、
    隣り合う置換基R’’、Rは、結合して環を形成していてもよい。)
JP2022012454A 2021-02-06 2022-01-28 エレクトロルミネッセンス素子 Active JP7347860B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110165136.8A CN114914381A (zh) 2021-02-06 2021-02-06 一种电致发光器件
CN202110165136.8 2021-02-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022121387A JP2022121387A (ja) 2022-08-19
JP7347860B2 true JP7347860B2 (ja) 2023-09-20

Family

ID=82761662

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022012454A Active JP7347860B2 (ja) 2021-02-06 2022-01-28 エレクトロルミネッセンス素子

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7347860B2 (ja)
KR (1) KR20220115779A (ja)
CN (1) CN114914381A (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017119203A1 (ja) 2016-01-08 2017-07-13 コニカミノルタ株式会社 薄膜、及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2019050370A (ja) 2017-09-06 2019-03-28 住友化学株式会社 発光素子
JP2020125289A (ja) 2019-02-01 2020-08-20 北京夏禾科技有限公司 シアノ置換配位子を含有する有機発光材料
JP2020143055A (ja) 2019-03-07 2020-09-10 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. 有機金属化合物とそれを含む有機発光素子、及び有機発光素子を含む電子装置
CN111808142A (zh) 2020-07-09 2020-10-23 奥来德(上海)光电材料科技有限公司 一种有机磷发光化合物及其制备方法和应用

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017119203A1 (ja) 2016-01-08 2017-07-13 コニカミノルタ株式会社 薄膜、及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2019050370A (ja) 2017-09-06 2019-03-28 住友化学株式会社 発光素子
JP2020125289A (ja) 2019-02-01 2020-08-20 北京夏禾科技有限公司 シアノ置換配位子を含有する有機発光材料
JP2020143055A (ja) 2019-03-07 2020-09-10 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. 有機金属化合物とそれを含む有機発光素子、及び有機発光素子を含む電子装置
CN111808142A (zh) 2020-07-09 2020-10-23 奥来德(上海)光电材料科技有限公司 一种有机磷发光化合物及其制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022121387A (ja) 2022-08-19
CN114914381A (zh) 2022-08-16
KR20220115779A (ko) 2022-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7239995B2 (ja) りん光有機金属錯体、およびその使用
JP7402547B2 (ja) 金属錯体、金属錯体を含むエレクトロルミネッセンス素子、および金属錯体を含む化合物の組合せ
JP7402548B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス材料およびその素子
JP7239996B2 (ja) りん光有機金属錯体、およびその使用
JP2022093320A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス材料およびその素子
JP2024069409A (ja) エレクトロルミネッセンス材料及びその素子
JP2023171392A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス材料およびその素子
JP2023164551A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス材料およびその素子
JP2023029324A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス材料およびその素子
JP2023076403A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN114256430B (zh) 一种电致发光器件
CN115403628A (zh) 有机电致发光材料及其器件
CN115232170A (zh) 有机电致发光材料及其器件
JP7347860B2 (ja) エレクトロルミネッセンス素子
JP7441539B2 (ja) 多環配位子を有する発光材料
CN113809242B (zh) 有机电致发光器件
JP7424663B2 (ja) エレクトロルミネッセンス素子
JP2023147278A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス材料およびその素子
JP2023138428A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス材料およびその素子
JP2023143886A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2024031973A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス材料およびその素子
JP2021191744A (ja) 有機発光材料
JP2024007420A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス材料およびその素子
JP2021193080A (ja) エレクトロルミネセント材料および素子
JP2023108624A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス材料及びその素子

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220128

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20221109

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20221122

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230222

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20230322

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230720

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20230727

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230808

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230831

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7347860

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150